OLED显示面板的制作方法

oled显示面板
技术领域
1.本技术涉及显示技术领域，具体地，涉及一种oled显示面板。


背景技术：

2.随着显示行业的不断发展，oled显示面板因具有自发光、高对比度、广视角，快速响应，更轻薄等优点，被认为是下一代的显示新型应用技术，特别是在高端显示领域，具有很广的应用市场和发展前景，广泛地应用于智能手机、平板电脑、全彩电视等。
3.由于oled发光器件属于电流型有机发光器件，但oled显示器件的寿命较短，其中红光寿命高达16万小时，绿光寿命为6万小时，蓝光效率仅为8.7cd/a，寿命仅有2.3万小时，传统的lcd屏幕的使用寿命在4万至6万小时，所以oled面板发光寿命相较于lcd屏幕的寿命短，需要提出一种新的oled显示面板，亟需解决的oled显示面板的发光寿命短的难题。


技术实现要素：

4.本技术依据现有技术问题，提供一种oled显示面板，能够解决现有技术中的oled显示面板的发光寿命短的难题。
5.为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
6.本发明实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板包括阵列基板，所述阵列基板内设置有驱动晶体管，所述驱动晶体管之上设置有与所述驱动晶体管电连接的发光器件；其中，同一所述驱动晶体管电性连接至少两个所述发光器件，且在所述显示面板的厚度方向上，两个所述发光器件对位设置。
7.根据本发明一可选实施例，所述驱动晶体管包括衬底、位于所述衬底之上的遮光层、覆盖所述遮光层的缓冲层、位于所述缓冲层之上的有源层、位于所述有源层之上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层之上的栅极、覆盖所述栅极的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层之上的源极和漏极、覆盖所述源极和所述漏极的钝化层、以及位于所述钝化层之上的平坦化层；其中，所述漏极通过信号过孔与所述遮光层电性连接。
8.根据本发明一可选实施例，所述驱动晶体管之上设置有第一发光器件，所述第一发光器件包括位于所述平坦化层之上的第一阳极、位于所述第一阳极之上的第一空穴注入层和第一空穴传输层、位于所述第一空穴注入层和所述第一空穴传输层之上的第一发光材料层、位于所述第一发光材料层之上的第一电子传输层和第一电子注入层、以及位于所述第一电子传输层和所述第一电子注入层之上的第一阴极层；所述第一阳极通过第一阳极过孔与所述漏极电性连接。
9.根据本发明一可选实施例，所述第一发光器件之上设置有第二发光器件，所述第二发光器件包括位于所述第一阴极层之上的第二阳极、位于所述第二阳极之上的第二空穴注入层和第二空穴传输层、位于所述第二空穴注入层和所述第二空穴传输层之上的第二发光材料层、位于所述第二发光材料层之上的第二电子传输层和第二电子注入层、以及位于所述第二电子传输层和所述第二电子注入层之上的第二阴极层；其中，所述第二阳极通过
第二阳极过孔与所述第一阳极电性连接，所述第二阴极层通过第二阴极过孔与所述第一阴极层电性连接。
10.根据本发明一可选实施例，所述第一阴极层和所述第二阳极之间还设置有第一封装层。
11.根据本发明一可选实施例，所述第二阴极层远离所述第二阳极的一侧还设置有第二封装层。
12.根据本发明一可选实施例，所述有源层的材料为低温多晶硅材料或金属氧化物半导体材料中的其中一种半导体材料。
13.根据本发明一可选实施例，所述第一发光材料层和所述第二发光材料层中的红色/绿色/蓝色发光材料层对位设置。
14.根据本发明一可选实施例，所述第一阴极层和所述第二阴极层的材料为镁、银、igzo材料、izo材料和igto材料中的一种透光材料。
15.根据本发明一可选实施例，所述第二阳极的材料为透明ito。
16.本发明的有益效果在于：本发明实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板包括阵列基板，阵列基板内设置有驱动晶体管，驱动晶体管之上设置有与驱动晶体管电连接的发光器件；其中，同一驱动晶体管电性连接至少两个发光器件，且在显示面板的厚度方向上，两个发光器件对位设置；本发明通过对单个像素制备串联的两个oled发光器件结构，以提高器件发光寿命，解决现有oled面板的发光器件寿命较短的问题。
附图说明
17.为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1为现有技术中的一种oled显示面板的膜层结构示意图。
19.图2为本发明的实施例提供一种oled显示面板的膜层结构示意图。
20.图3至图6为本发明的实施例提供一种oled显示面板的制备流程中结构示意图。
具体实施方式
21.以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示，图中虚线表示在结构中并不存在的，仅仅说明结构的形状和位置。
[0022]
如图1所示，现有技术提供一种oled显示面板的膜层结构示意图。现有技术中的oled显示面板10包括衬底11、位于衬底11之上的驱动电路层、位于驱动电路层之上的发光功能层、以及位于发光功能层之上的封装层29，驱动电路层包括位于衬底11之上的遮光层12、覆盖遮光层12的缓冲层13、位于缓冲层13之上的有源层14、位于有源层14之上的栅绝缘层15、位于栅绝缘层15之上的栅极16、覆盖栅极16的层间绝缘层17、位于层间绝缘层17之上
的源极18和漏极19、覆盖源极18和漏极19的钝化层21、以及位于钝化层21之上的平坦化层22。有源层14包括沟道区141、位于沟道区141两侧的源极掺杂区142和漏极掺杂区143，源极18通过源极接触孔与源极掺杂区142电性连接，漏极19通过漏极接触孔与漏极掺杂区143电性连接。发光功能层包括位于平坦化层22之上的像素定义层24以及位于像素定义层24的像素开口内的发光器件，发光器件包括位于平坦化层22之上的阳极23、位于阳极23上的空穴注入层251和空穴传输层252、位于空穴注入层251和空穴传输层252上的发光材料层26、位于发光材料层26上的电子传输层和电子注入层27、以及位于电子传输层和电子注入层27之上的阴极28，阳极23通过阳极过孔与漏极19电性连接，阴极28与外接电源的负极电性连接。
[0023]
发光材料层26包括红色发光单元261、绿色发光单元262和蓝色发光单元263，红色发光单元261的寿命高达16万小时，绿色发光单元262的寿命为6万小时，蓝色发光单元263效率仅为8.7cd/a，寿命仅有2.3万小时，红色发光单元261、绿色发光单元262和蓝色发光单元263的寿命不同，且蓝色发光单元263甚至比液晶面板的像素单元的寿命还低，造成oled显示面板10的发光器件总体寿命较短的问题。
[0024]
针对上述技术问题，本发明实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板包括阵列基板，阵列基板内设置有驱动晶体管，驱动晶体管之上设置有与驱动晶体管电连接的发光器件；其中，同一驱动晶体管电性连接至少两个发光器件，且在显示面板的厚度方向上，两个发光器件对位设置；本发明通过对单个像素制备串联的两个oled发光器件结构，以提高器件发光寿命，解决现有oled显示面板的发光器件寿命较短的问题。
[0025]
如图2所示，本发明的实施例提供一种oled显示面板的结构膜层结构示意图。oled显示面板30包括阵列基板、位于阵列基板之上的发光功能层、以及位于发光功能层之上的封装层。阵列基板上设置有驱动晶体管，驱动晶体管包括衬底31、位于衬底31之上的遮光层32、覆盖遮光层32的缓冲层33、位于缓冲层33之上的有源层34、位于有源层34之上的栅绝缘层35、位于栅绝缘层35之上的栅极36、覆盖栅极36的层间绝缘层37、位于层间绝缘层37之上的源极38和漏极39、覆盖源极38和漏极39的钝化层41、以及位于钝化层41之上的平坦化层42，有源层34包括沟道区341、位于沟道区341两侧的源极掺杂区342和漏极掺杂区343，源极38通过源极接触孔与源极掺杂区342电性连接，漏极39通过漏极接触孔与漏极掺杂区343电性连接，漏极39通过信号过孔与遮光层22电性连接。有源层34的材料为低温多晶硅材料和金属氧化物半导体材料中的一种半导体材料。
[0026]
发光功能层包括与驱动晶体管电连接的第一发光器件、以及与第一发光器件电连接的第二发光器件；其中，在显示面板的出光方向上，第一发光器件与第二发光器件垂直排布，即第一发光器件在驱动晶体管之上，第二发光器件在第一发光器件之上。
[0027]
平坦化层42之上设置有第一像素定义层44，第一像素定义层44间隔设置以形成第一像素开口，该第一像素开口内设置有第一发光器件，第一发光器件包括位于平坦化层42之上的第一阳极43、位于第一阳极43之上的第一空穴注入层451和第一空穴传输层452、位于第一空穴注入层451和第一空穴传输层452之上的第一发光材料层46、位于第一发光材料层46之上的第一电子传输层和第一电子注入层47、以及位于第一电子传输层和第一电子注入层47之上的第一阴极层48；第一阳极43通过第一阳极过孔与漏极39电性连接。
[0028]
第一阴极层48之上设置有第一封装层49，第一封装层49之上设置有第二像素定义层52，第二像素定义层52间隔设置以形成第二像素开口，该第二像素开口内设置有第二发
光器件，第二发光器件包括位于第一封装层49之上的第二阳极51、位于第二阳极51之上的第二空穴注入层531和第二空穴传输层532、位于第二空穴注入层531和第二空穴传输层532之上的第二发光材料层54、位于第二发光材料层54之上的第二电子传输层和第二电子注入层55、以及位于第二电子传输层和第二电子注入层55之上的第二阴极层56；第二阴极层56之上设置有第二封装层57。其中，第二阳极51通过第二阳极过孔与第一阳极43电性连接，第二阴极层56通过第二阴极过孔与第一阴极层48电性连接，以此实现同一个像素串联两个oled发光器件；两层阳极连接，通相同信号，且第二阳极51为透光材料，优选透明ito；两层阴极相连，通相同信号，第二阴极层56可同第一阴极层48使用同一透光材料，第一阴极层48和第二阴极层56的材料为镁、银、igzo材料、izo材料和igto材料中的一种透光材料。
[0029]
第一发光材料层46和第二发光材料层54中的红色/绿色/蓝色发光材料层对位设置。第一发光材料层46包括第一红色发光材料层461、第一绿色发光材料层462和第一蓝色发光材料层463，第二发光材料层54包括第二红色发光材料层541、第二绿色发光材料层542和第二蓝色发光材料层543，第一红色发光材料层461与第二红色发光材料层541对位设置，第一绿色发光材料层462与第二绿色发光材料层542对位设置，第一蓝色发光材料层463与第二蓝色发光材料层543对位设置，以使单个像素的发光器件的亮度得到增强和寿命获得延长，从而提高整个oled显示面板的亮度和使用寿命。
[0030]
依据上述实施例中的oled显示面板，本发明还提供一种oled显示面板的制备方法，所述方法包括：
[0031]
步骤s10，提供一阵列基板，所述阵列基板具有驱动晶体管。
[0032]
步骤s20，在所述驱动晶体管之上制备第一发光器件，在所述第一发光器件之上制备第二发光器件；其中，所述驱动晶体管与所述第一发光器件电性连接，所述第一发光器件与所述第二发光器件电性连接。
[0033]
图2至图6为本发明的实施例提供一种oled显示面板的制备流程中结构示意图。本实施例以驱动晶体管为例，说明阵列基板的部分结构示意图，其他的结构跟常规的阵列基板结构类似，此处不再具体描述。
[0034]
如图3所示，提供一衬底31，衬底31优选为玻璃基板，利用物理气相沉积法在衬底31之上制备遮光层32，遮光层32的材料为铜、铝、钼和钛中的单层金属或两种以上金属合金叠加膜层，其厚度为至并利用光罩定义遮光层32的图案。在衬底31之上制备覆盖遮光层32的缓冲层33，可使用氧化硅或氮化硅单层或多层组合结构，其厚度至
[0035]
有源层34的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、以及铟镓锌锡氧化物中的一种或多种材料，有源层34的厚度至通过磁控溅镀法、金属有机化学气相沉积法或脉冲雷射蒸镀法中的一种方法在缓冲层33上沉积有源层34，待有源层34沉积完成后，再进行退火处理，可以在400℃干燥空气氛围下退火处理约0.5小时。退火处理完成后，采用草酸作为刻蚀液的湿法蚀刻工艺或干法刻蚀工艺对有源层34进行刻蚀，经过蚀刻制程后，有源层34的整层金属氧化物薄膜将图案化，形成岛状的金属氧化物半导体层。有源层34包括沟道区341、位于沟道区341两侧的源极掺杂区342和漏极掺杂区343。
[0036]
有源层34之上制备有栅绝缘层35，栅绝缘层35之上制备有栅极36；栅绝缘层35的
材料一般为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或者三者的夹层结构等；栅极36的材料为金属材料，例如是铜、铝、钛、钽、钨、钼、铬等。栅极36经物理气相沉积方法形成于栅绝缘层35上，再经由一次光刻制程形成栅极图案。栅绝缘层35用于隔开栅极36和有源层34，栅绝缘层35的厚度为至至光罩定义栅极36图形，刻蚀未被光阻覆盖区域的栅极金属，再利用刻蚀去除暴露的栅绝缘层35，使用ar，n2，he，h2等气体对未被栅绝缘层35和栅极36覆盖的有源层进行等离子体处理，使该部分区域导体化，而被栅绝缘层35和栅极36覆盖处维持半导体特性，形成tft沟道，源极掺杂区342和漏极掺杂区343均为导体区，沟道区341为半导体区。
[0037]
在缓冲层33之上制备层间绝缘层37，层间绝缘层37覆盖栅极36、栅绝缘层35和有源层34，层间绝缘层37的材料为氧化硅或氮化硅薄膜，其厚度至并形成开孔结构，定义出源级/漏极与有源层的接触孔，同时还有与遮光层的信号过孔。在层间绝缘层37上制备源极38与漏极39，源极38与漏极39的材料可采用铜、铝、钼和钛等单层金属或以上金属合金或多层组合膜层，厚度为至并图案化，其中，源极38通过层间绝缘层37中源极接触孔与源极掺杂区电性连接，漏极39通过层间绝缘层37中漏极接触孔与漏极掺杂区电性连接，同时漏极39和遮光层32通过信号过孔电性连接。层间绝缘层37之上制备覆盖源极38与漏极39的钝化层41，在钝化层41之上制备平坦化层42，完成驱动晶体管的制备。
[0038]
在钝化层41和平坦化层42对应漏极39的位置制备第一阳极过孔，在平坦化层42之上制备第一阳极43，第一阳极43通过第一阳极过孔与漏极39电性连接。层间绝缘层37还制备有第一像素定义层44，第一像素定义层44间隔设置以形成第一像素开口，在第一像素开口内，第一阳极43之上采用蒸镀方式制备第一空穴注入层451和第一空穴传输层452，第一空穴注入层451和第一空穴传输层452之上采用喷墨打印或金属掩膜板方式蒸镀第一发光材料层46，第一发光材料层46之上制备有第一电子传输层和第一电子注入层47，第一电子传输层和第一电子注入层47之上制备有第一阴极层48，第一阴极层48之上制备有第一封装层49，第一封装层49优选透明膜层，不影响第一发光材料层46出射光线，第一阳极43、第一发光材料层46和第一阴极层48形成有第一发光器件，第一发光材料层46包括第一红色发光材料层461、第一绿色发光材料层462和第一蓝色发光材料层463。
[0039]
如图4所示，在第一封装层49、第一阴极层48、第一电子传输层和第一电子注入层47和第一像素定义层44对应第一阳极43的端部位置开设第二阳极过孔431。如图5所示，在非开口区出，在第一封装层49对应第一阴极层48开设第二阴极过孔481。
[0040]
如图6所示，在第一封装层49之上制备第二阳极51，第二阳极51通过第二阳极过孔431与第一阳极43电性连接。在第一封装层49之上制备第二像素定义层52，第二像素定义层52间隔设置以形成第二像素开口。图6结合图2，在第二像素开口内，第二阳极51之上采用蒸镀方式制备第二空穴注入层531和第二空穴传输层532，第二空穴注入层531和第二空穴传输层532之上采用喷墨打印或金属掩膜板方式蒸镀第二发光材料层54，第二发光材料层54之上制备有第二电子传输层和第二电子注入层55，第二电子传输层和第二电子注入层55之上制备有第二阴极层56，第二阴极层56之上制备有第二封装层57，第二封装层57优选无机层和有机层叠加膜层，第二阴极过孔481延伸出第二像素定义层52、第二电子传输层和第二
电子注入层55，第二阴极层56通过第二阴极过孔481与第一阴极层48电性连接。
[0041]
第二阳极51、第二发光材料层54和第二阴极层56形成有第二发光器件，第二发光材料层54包括第二红色发光材料层541、第二绿色发光材料层542和第二蓝色发光材料层543。本实施例第二阳极51通过第二阳极过孔与第一阳极43电性连接，第二阴极层56通过第二阴极过孔与第一阴极层48电性连接，以此实现同一个像素串联两个oled发光器件。
[0042]
综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。