1.本揭示案是关于一种移除微粒的方法。
背景技术：
：：2.半导体集成电路(semiconductorintegratedcircuits)经历了指数级的成长，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度(亦即，每一晶片区域内互连元件的数目)通常会增加，而几何尺寸(亦即，制程中所能产出的最小元件或线则会缩小。一般而言，尺寸缩小的制程可以增加生产效率以及降低制造成本的好处，但是尺寸缩小亦增加制造与生产集成电路的复杂度。随着集成电路设计已日益复杂，其临界尺寸(criticaldimension；cd)已相应地减小，导致集成电路元件中的各层的可容许的相对位移的减小。技术实现要素：3.根据本揭示案的一些实施例，一种移除微粒的方法包括提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上可使支撑座的表面和表面的微粒带有相同的负电电性。清洁元件具有静电吸附层，使具有负电电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在静电吸附层上。4.根据本揭示案的另一些实施例，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供第一电荷至表面上及表面的至少一个微粒上、充电装置提供第二电荷至清洁元件上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。充电装置提供第一电荷使表面和表面上的微粒具有第一电性、和提供第二电荷使清洁元件具有相异于第一电性的第二电性。具有第二电性的清洁元件使具有第一电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在清洁元件上。5.根据本揭示案的另一些实施例，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供电荷至表面的微粒、准备基材、设置静电吸附层至基材上、通过传送机械手臂移动基材相对靠近支撑座的表面、该表面的微粒吸附至静电吸附层上、以及通过传送机械手臂移动基材相对远离支撑座的表面。充电装置提供电荷至表面的微粒使微粒具有第一电位。基材具有第二电位，其中第二电位与第一电位之间为第一电位差。静电吸附层具有第三电位，其中第三电位与第一电位之间为第二电位差，且第二电位差大于第一电位差。附图说明6.阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本揭示案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。7.图1根据本揭示案的一些实施例而绘示的一种进行清洁晶圆及/或光罩支撑座的时机判断的流程图；8.图2a和图2c根据本揭示案的一些实施例而绘示的支撑座与微粒的前视图；9.图2b和图2d分别为图2a和图2c的局部放大的前视图；10.图3根据本揭示案的一些实施例而绘示一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法的流程图；11.图4a根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；12.图4b为图4a的局部放大的前视图；13.图5a根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；14.图5b为图5a的局部放大的前视图；15.图6a根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；16.图6b为图6a的局部放大的前视图；17.图7根据本揭示案的一些实施例而绘示一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法的流程图；18.图8根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；19.图9根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；20.图10根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；21.图11根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；22.图12a为图8一实施例的局部放大的前视图；23.图12b为图10一实施例的局部放大的前视图；24.图12c为图11一实施例的局部放大的前视图；25.图13a为图8另一实施例的局部放大的前视图；26.图13b为图10另一实施例的局部放大的前视图；27.图13c为图11另一实施例的局部放大的前视图；28.图14根据本揭示案的一些实施例而绘示的一种微影设备；29.图15根据本揭示案的一些实施例而绘示的一种微影设备。30.【符号说明】31.100:流程图32.102、104、106、108、110:步骤33.200:支撑座34.200’:支撑座35.202:表面36.204:微粒37.205:晶圆支撑销38.206:第一正电荷39.208:第一负电荷40.300:方法41.302、304、306:步骤42.400:充电装置43.402:电荷44.404:方向45.406:第二负电荷46.408:方向47.410:静电力方向48.500:清洁元件49.502:基材50.504:静电吸附层51.506:方向52.508:方向53.510:第二正电荷54.600:方向55.700:方法56.702、703、704、706:步骤57.900:电荷58.902:方向59.1200:第三负电荷60.1202:方向61.1204:静电力方向62.1206:第三正电荷63.1208:方向64.1300:第四正电荷65.1302:方向66.1304:静电力方向67.1306:第四负电荷68.1308:方向69.1400:微影设备70.1402:辐射源71.1404:传递系统72.1406:光源系统73.1408:光罩载台74.1410:光罩定位传动元件75.1412:投影系统stage/table)、静电吸盘(electrostaticchuck,e-chuck)、或其他具有相同概念的装置。支撑座面积比晶圆及/或光罩大。晶圆的直径可为约200毫米、约300毫米、约450毫米、或者任何适当的尺寸。在一些实施例中，晶圆载台是设计成具有多个可单独(彼此独立)及垂直(垂直于其上所支撑的晶圆表面)移动的晶圆支撑销。在另一些实施例中，静电吸盘是设计成一种使用电来产生静电力的装置，例如库仑力及强森拉伯克力(johnsen-rahbekforce)，在半导体制程中用以保持晶圆及/或光罩的位置。92.在一些实施例中，晶圆可能为块材半导体晶圆。例如，晶圆可能包括硅晶圆。晶圆可能包含硅或另一种元素半导体材料，如锗。在一些实施例中，晶圆可能包括化合物半导体。化合物半导体可能包括砷化镓(galliumarsenide)、碳化硅(siliconcarbide)、砷化铟(indiumarsenide)、磷化铟(indiumphosphide)、其他合适的材料、或上述的组合。但在另一些实施例中，晶圆可能包括合金半导体，如锗化硅(silicongermanium)、碳化硅锗(silicongermaniumcarbide)、磷砷化镓(galliumarsenicphosphide)、或磷铟化镓(galliumindiumphosphide)。在其他实施例中，晶圆可能包括绝缘层上硅(silicon-on-insulator,soi)或绝缘层上锗(germanium-on-insulator,goi)的基材。soi基材可由氧布植分离(separationbyimplantationofoxygen)技术、晶圆键合(waferbonding)技术、其他合适的技术，或上述的组合制成。93.在一些实施例中，晶圆包括未经掺杂的基材。在其他实施例中，晶圆包含掺杂的基材，如p型基材或n型基材。94.在一些实施例中，依照半导体装置结构的设计要求，晶圆包含不同的掺杂区域。掺杂区域可能包括p型井及/或n型井。在一些实施例中，掺杂区域是指掺杂p型掺杂物，例如，掺杂区域可能掺杂硼(boron)或二氟化硼(boronfluoride)。n型掺杂物，例如磷或砷。在一些实施例中，部分掺杂区域为p型掺杂而另一部分为n型掺杂。95.在一些实施例中，内连接结构可能形成在晶圆上。内连接结构可能包括多层的层间介电层及介电层。内连接结构亦可能包括形成于层间介电层之间的多层导电特征结构，例如导电线(line)、导电通孔(via)、及/或各种导电接点(contact)。96.在一些实施例中，晶圆具有不同装置元件(deviceelement)。例如，装置元件可能包含晶体管(transistor)(例如金属氧化物半导体场校晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor,mosfet)、互补式金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor,cmos)晶体管、双极性接面型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)、高压晶体管(high-voltagetransistor)、高频率晶体管(high-frequencytransistor)、p通道及/或n通道场效晶体管(pfet及/或nfet)、二极管、或其他合适的元件)。不同的装置元件可能采用不同制程方式，包括沉积、蚀刻、植布、微影、退火、及/或其他合适的制程方式。97.在一些实施例中，晶圆中的装置元件可能经由内连接结构以连结彼此并形成集成电路装置。集成电路装置可能包括逻辑(logic)装置、记忆体(memory)装置(例如静态随机存取记忆体(staticrandomaccessmemory,sram))、射频(radiofrequency,rf)装置、输入/输出(input/output(i/o))装置、单晶片系统(system-on-chip,soc)装置、影像感测器(imagesensor)装置、其他合适的装置、或上述装置的组合。98.在一些实施例中，光罩可能包括反射式遮罩。光罩的结构包括基材，该基材由适当的材料制成，例如低热膨胀材料(lowthermalexpansionmaterial,ltem)或石英(fusedquartz)。在不同实施例中，低热膨胀材料包括二氧化钛(tio2)、掺杂的二氧化硅(sio2)、或其他具有低热膨胀的合适材料。光罩可能进一步包括沉积在基材上的反射多层膜(multiplelayer)。反射多层膜可能包括数个薄膜对(filmpair)，举例来说，钼-硅(molybdenum-silicon,mo/si)薄膜对(例如，在每一组薄膜对中，一钼层位于一硅层的上方或下方)、或钼-铍(molybdenum-beryllium,mo/be)薄膜对，或其他高度反射光的合适材料。99.参见图2a，其为根据本揭示案一些实施例的一种支撑座的例示性前视图，其中图2a中虚线方框的局部放大m1绘示于图2b。图2a与图2b的支撑座200为示例性的晶圆载台的简化图，支撑座200包含晶圆支撑销205。在其他实施例中，如图2c和图2d中的支撑座200’上，可能不具有晶圆支撑销205。再者，施作于图2a与图2b的支撑座200的各阶段操作步骤亦可施作于图2c与图2d的支撑座200’。除非额外说明，附图中讨论到的相同元件的说明可直接应用至其他图片上。100.在一些实施例中，支撑座200在经过一或多道半导体制程之后，难以避免地会有些许微粒204附着在支撑座200的表面202上。这些微粒204可能来自于气体中的微粒、制程过程中产生的污染物、原先附着在晶圆上的微粒、或其他产生微粒情况。这些微粒204可能会引起半导体制程中的对准问题以及产生具有缺陷的晶圆。101.在进行移除微粒之前，支撑座200的电性与支撑座200的表面202上的微粒204的电性大致上处于电中性的状态。换句话说，如图2b和图2d所绘示，支撑座200或支撑座200’上的第一正电荷206数量与第一负电荷208数量实质上相等，且微粒204上的第一正电荷206数量与第一负电荷208数量亦实质上相等。102.应注意的是，为了简化附图呈现，附图中任何正电荷与负电荷的尺寸、数量、位置、形状、组合方式、或其他物理的特征已做调整，以在附图中呈现出正电荷与负电荷例示性的电性象征。再者，本揭示案中所绘示的支撑座为具有晶圆支撑销205的支撑座200仅作为范例并不意在限制。支撑座的用途为放置任何需要维持水平的目标物(例如晶圆或光罩)，因此具有相同用途的装置，皆在本揭示案的精神和范畴之内。103.图1中流程图100的步骤108可通过本揭示案提供的自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒方法达成。图3为根据本揭示案的一些实施例而绘示一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法300的流程图。方法300中各个步骤操作分别对应于图4a、图5a和图6a。例如，方法300的步骤302和图4a所示，充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202上。例如，步骤304和图5a所示，移动清洁元件500靠近支撑座200，使支撑座200的表面202上的微粒204朝向清洁元件500靠近并吸附至清洁元件500的静电吸附层504上。例如，步骤306和图6a所示，移动清洁元件500远离支撑座200。104.参见图4a，绘示了方法300中步骤302的简化前视图：充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在图4a中，充电装置400亦包括移动充电装置400的传动系统、提供电荷402的控制系统、及/或其他装置。为了简化说明，上述系统或装置在图4a中未绘出。105.在一些实施例中，充电装置400移动至支撑座200的上方，可以通过类似喷洒的方式提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204上。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的过程中，晶圆支撑销205可保持突出状态。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的喷洒截面积等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物，以降低目标物受到微粒204污染及/或对准问题。图4a中虚线方框的局部放大m3绘示于图4b。106.充电装置400提供电荷402，其中充电装置400的电荷来自于带电粒子，例如电子、离子、或电浆(plasma)、或其他合适的带电粒子。107.充电装置400可为电子枪、离子产生器、电浆产生器、其他提供带电粒子的技术、或上述的组合使用。108.参见图4b，绘示出图4a的局部放大m3前视图。充电装置400提供的电荷402为第二负电荷406。在一些实施例中，第二负电荷406从充电装置400移动至支撑座200的表面202和表面202上的微粒204(例如，沿方向408移动)。支撑座200的表面202和表面202上的微粒204各自具有第一正电荷206、第一负电荷208、和第二负电荷406，使得支撑座200的表面202及表面202上的微粒204各自具有的负电荷数量多于正电荷数量。换句话说，支撑座200的表面202及表面202上的微粒204各自具有负电荷电性。当支撑座200的表面202和表面202上的微粒204各别且同时具有负电荷电性时，一相斥的静电力产生于支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间。在一些实施例中，一静电力将以远离支撑座200的表面202的方向(例如，沿静电力方向410)施加在微粒204上。109.根据本揭示案的一些实施例，提供电荷402(例如，第二负电荷406)至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204，改变了支撑座200的表面202的净电荷及表面202上的微粒204的净电荷(意即正电荷与负电荷成对中和后，仍带有的电荷)。支撑座200的表面202及表面202上的微粒204的净电荷同时为相同电性时，例如两者同时为正电或两者同时为负电，可产生彼此相斥的静电力。此外，支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间静电力的大小与各自具备的净电荷数量呈正比。在一些实施例中，预先在支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间产生相斥的静电力可能足以帮助表面202上的微粒204在后续步骤中自支撑座200的表面202脱附。110.图5a绘示了方法300的步骤304的简化前视图。清洁元件500靠近支撑座200(如，方向506)，使表面202上的微粒204朝向清洁元件500移动(如，方向508)并吸附至清洁元件500的静电吸附层504上。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500靠近支撑座200。清洁元件500包含基材502与设置在基材502上的静电吸附层504，其中静电吸附层504面向支撑座200。图5a包括其他系统或装置，例如移除吸附在清洁元件500上的微粒204的清洁系统或其他应用的系统，为了简化说明，其他系统或装置未绘示于图5a。111.继续参见图5a，在一些实施例中，清洁元件500面积与方法300的步骤302中充电装置400电荷喷洒的面积大致上相同，意即等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物。在一些实施例中，清洁元件500移动至支撑座200的上方，对齐步骤302中充电装置400电荷喷洒的面积。清洁元件500朝向支撑座200移动(例如，方向506)。在一些实施例中，清洁元件500停止在支撑座200的表面202上方的一位置，以未接触支撑座200的表面202及突出的晶圆支撑销205的态样来吸附微粒204。在另一些实施例中，清洁元件500以接触支撑座200的表面202及/或突出的晶圆支撑销205的态样来吸附微粒204。图5a中虚线方框的局部放大m4绘示于图5b。112.参见图5b，绘示出图5a的局部放大m4前视图，其中表面202上的微粒204上具有的负电荷数量多于正电荷数量(例如，第一正电荷206、第一负电荷208、和第二负电荷406)，使得表面202上的微粒204具有负电电性。清洁元件500的静电吸附层504具有吸引负电电性的特性。在一些实施例中，清洁元件500的静电吸附层504的具有正电电性(例如，第二正电荷510)。具有正电电性的静电吸附层504与表面202上的微粒204之间产生吸引的静电力，使得表面202上的微粒204朝向清洁元件500移动(如，方向508)并吸附至清洁元件500的静电吸附层504上。113.在一些实施例中，清洁元件500的基材502为未经图案化的基材，材料大致上相同于控片(controlwafer)或是测试片(dummywafer)，基材可能包括(1)结晶硅；(2)锗；(3)化合物半导体包括sic、gaas、gap、inp、inas、及/或insb；(4)合金半导体包括sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp、gainasp；或(5)任何上述的组合。114.一般而言，物品各自具备的净电荷数量与物品间的静电力强弱呈正比。物品具备的净电荷数量影响物品具有的电位状态，并且物品间的静电力强弱的状态可由物品之间的电位差呈现。物品各自具备的净电荷数量(或电位状态)与物品之间的电位差具有正向关系。举例来说，在步骤302中，当充电装置400提供电荷402至微粒204上，使微粒204净电荷数量增加，从而可提高微粒204与清洁元件500之间的电位差和相吸的静电力，因此可能有助于驱动微粒204移动至静电吸附层504上。在一些实施例中，微粒204与静电吸附层504与之间的电位差大于约0.1伏特时，在所产生的静电力可驱使微粒204朝向清洁元件500移动并吸附在清洁元件500的静电吸附层504上。115.在步骤302中，如图4a所示，通过充电装置400的提供电荷402以调控微粒204的电性和电量，有助于决定静电吸附层504的选择。举例来说，当微粒204从充电装置400得到较多的负电荷而呈现净电荷为负电电性，则清洁元件500的静电吸附层504具备的净电荷性质应为正电电性以产生吸引一静电力。反之亦然。116.静电吸附层可为一涂层，并且涂层的制程参数，例如涂层材料与涂层厚度，亦可能影响与微粒204之间的电位差。举例来说，在一些实施例中，无涂层的硅晶圆片与具有净电荷的微粒204之间可产生约0.08伏特至约0.12伏特的电位差；在同一情况下，具有厚度约35纳米至约45纳米的二氧化钛(titaniumdioxide,tio2)涂层的硅晶圆片可与具有净电荷的微粒204之间可产生约0.5伏特至0.7伏特的电位差。相较之下，具有厚度约35纳米至约45纳米的二氧化钛涂层的硅晶圆片所具有吸附微粒204的能力(例如，微粒数量、微粒附着度)优于无涂层的硅晶圆片。此外，二氧化钛涂层可带有正电电性故吸引具有负电电性的微粒204。因此，可以通过涂层的制程参数增大清洁元件500和具有净电荷的微粒204之间的电位差，以产生可有助于微粒204移动至清洁元件500的驱动力。117.在一些实施例中，清洁元件500上的涂层可通过以下制程中至少一者而形成：热氧化、化学氧化、化学气相沉积(chemicalvapordeposition；cvd)，包括低压cvd(lowpressurecvd；lpcvd)、电浆增强cvd(plasmaenhancedcvd；pecvd)、超高真空cvd(ultra-highvacuumcvd；uhvcvd)、降压cvd(reducedpressurecvd；rpcvd)、原子层沉积(atomiclayerdeposition；ald)、物理气相沉积、脉冲激光沉积、溅射、蒸发沉积、气相磊晶(vaporphaseepitaxy；vpe)、分子束磊晶(molecularbeamepitaxy；mbe)、液相磊晶(liquidphaseepitaxy；lpe)、电镀、无电极电镀，或其他适用技术。118.图6a绘示了方法300的步骤306的简化前视图。移动清洁元件500远离支撑座200的表面202，其中附着于清洁元件500的微粒204随着清洁元件500而远离支撑座200的表面202。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500远离支撑座200。在图6a中，微粒204因相吸的静电力而保持附着于清洁元件500的静电吸附层504上，当清洁元件500远离支撑座200的表面202(例如，沿方向600)，微粒204随着清洁元件500一并远离支撑座200的表面202。图6a中虚线方框的局部放大m5绘示于图6b。119.图6b绘示图6a的局部放大m5前视图。微粒204经移除后，支撑座200的表面202上无微粒204，并恢复支撑座200的表面202至最初电中性的状态，换句话说，支撑座200的表面202具有的相同正电荷数量与负电荷数量。在一些实施例中，可通过接地的方式恢复支撑座200的表面202的电中性的状态。应注意的是，支撑座200的表面202上电中性状态的电荷可来自于第一正电荷206、第一负电荷208、第二负电荷406、其他方式而获得的电荷(未绘示)、或上述的组合。120.在一些实施例中，其他没绘示在图4a到图6b的系统或装置，例如气体供应系统、排气系统、位置校准系统、定位传动系统、及/或其他装置，可能涵盖在其中。121.图1中流程图100的步骤108可通过本揭示案提供的另一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒方法达成。图7为根据本揭示案一些实施例而绘示另一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法700的流程图。方法700中各个步骤操作分别对应于图8到图11。例如，方法700的步骤702和图8所示，充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202上。例如，方法700的步骤703和图9所示，使用充电装置400提供电荷900至清洁元件500上。例如，方法700的步骤704和图10所示，移动清洁元件500靠近支撑座200，使支撑座200的表面202上的微粒204朝向清洁元件500靠近并吸附至清洁元件500上。例如，步骤706和图11所示，移动清洁元件500远离支撑座200。相较图3的方法300，图7的方法700多了一项步骤703，除此之外其他步骤大致上皆可应用方法300的步骤说明。122.参见图8，绘示了方法700中步骤702的简化前视图：充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在图8中，充电装置400亦包括移动充电装置400的传动系统、提供电荷402的控制系统、及/或其他装置。为了简化说明，上述系统或装置在图8中未绘出。123.在一些实施例中，充电装置400移动至支撑座200的上方，提供电荷402的方式包括以类似喷洒的方式提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204上。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的过程中，晶圆支撑销205保持突出状态。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的喷洒截面积等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物，以降低目标物受到微粒污染及/或对准问题。图7中虚线方框的局部放大m3的不同实施例绘示于图12a和图13a(稍后讨论)。124.参见图9，绘示了方法700中步骤703的简化前视图：充电装置400提供电荷900至清洁元件500上(例如，方向902)，使清洁元件500所带的电荷900相异于支撑座200的电荷402。换句话说，当支撑座获得的电荷402为正电荷时，清洁元件500所获得的电荷900为负电荷。反之亦然。方法700的步骤703中，通过在清洁元件500上进行前处理以影响与微粒204之间的电位差。125.图10绘示了方法700的步骤704的简化前视图。清洁元件500靠近支撑座200(如，方向506)，使表面202上的微粒204朝向清洁元件500移动(如，方向508)并吸附至清洁元件500上。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500靠近支撑座200。图10包括其他系统或装置，例如移除吸附在清洁元件500上的微粒204的清洁系统或其他合适的装置，为了简化说明，上述系统或装置未绘示于图10。126.继续参见图10，在一些实施例中，清洁元件500面积与方法700的步骤702中充电装置400电荷喷洒的面积大致上相同，意即等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物。在一些实施例中，清洁元件500移动至支撑座200的上方，对齐步骤702中充电装置400电荷喷洒的面积。清洁元件500朝向支撑座200移动(例如，方向506)并且清洁元件500最终停止在支撑座200的表面202上方的一位置。在一些实施例中，清洁元件500以未接触支撑座200的表面202及突出的晶圆支撑销205的态样来吸附表面202上的微粒204。在另一些实施例中，清洁元件500以接触支撑座200的表面202及/或突出的晶圆支撑销205的态样来吸附表面202上的微粒204。图10中虚线方框的局部放大m4的不同实施例绘示于图12b和图13b(稍后讨论)。127.图11绘示了方法700的步骤706的简化前视图。移动清洁元件500远离支撑座200的表面202，其中附着于清洁元件500的微粒204随着清洁元件500而远离支撑座200的表面202。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500远离支撑座200。在图11中，微粒204因相吸的静电力而保持附着于清洁元件500上，当清洁元件500远离支撑座200的表面202(例如，沿方向600)，微粒204随着清洁元件500一并远离支撑座200的表面202。图11中虚线方框的局部放大m5的不同实施例绘示于图12c和图13c(稍后讨论)。128.针对上述方法700中，由于充电装置400提供的电荷可为负电荷或是正电荷。针对不同电荷的实施例可由图8、图10、和图11中的局部放大m3、m4以及m5来进一步说明。129.参见图12a，绘示出图8的局部放大m3前视图。充电装置400提供第三负电荷1200(即，图8的电荷402)至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在一些实施例中，第三负电荷1200从充电装置400沿方向1202移动至支撑座200的表面202和微粒204。支撑座200的表面202和微粒204各自具有第一正电荷206、第一负电荷208、和第三负电荷1200，使得支撑座200的表面202及微粒204各自具有的负电荷数量多于正电荷数量，因此支撑座200的表面202及微粒204各自具有负电电性。当支撑座200的表面202和微粒204各别且同时具有相同的负电电性时，一相斥的静电力产生于支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间。在一些实施例中，一静电力将以远离支撑座200的表面202的方向(例如，沿静电力方向1204)施加在微粒204上。130.参见图12b，绘示出图10的局部放大m4前视图，表面202上的微粒204上接收到第三负电荷1200后，微粒204具有的负电荷数量多于正电荷数量并具有负电电性，因此可使用能够吸引负电电性的清洁元件500。在一些实施例中，清洁元件500从充电装置400得到电荷900为正电荷(即，第三正电荷1206)，使得清洁元件500与微粒204和之间产生彼此吸引的静电力。在一些实施例中，此吸引的静电力使微粒204朝向清洁元件500移动(例如，沿方向1208)。131.参见图12c，绘示出图11的局部放大m5前视图。微粒204经移除后，支撑座200的表面202上无微粒204，并且支撑座200的表面202恢复至大致上电中性的状态，换句话说，支撑座200的表面202具有相同的正电荷数量与负电荷数量。在一些实施例中，可通过接地的方式可恢复支撑座200的表面202的大致上电中性的状态。应注意的是，此时支撑座200的表面202电荷可能来自于第一正电荷206、第一负电荷210、第三负电荷1200、其他方式而获得的电荷(未绘示)、或上述的组合。132.参见图13a，绘示出图8的局部放大m3前视图的另一实施样态。充电装置400提供第四正电荷1300(即，图8的电荷402)至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在一些实施例中，第四正电荷1300从充电装置400移动至支撑座200的表面202及微粒204(例如，沿方向1302移动)。支撑座200的表面202及微粒204各自具有第一正电荷206、第一负电荷210、和第四正电荷1300，使得支撑座200的表面202和微粒204上各自具有的正电荷数量多于负电荷数量，即，支撑座200的表面202及微粒204各自具有正电电性。当支撑座200的表面202及微粒204各别且同时具有相同的正电电性时，一相斥的静电力产生于支撑座200的表面202及微粒204之间。在一些实施例中，一静电力以远离支撑座200的表面202的方向(例如，沿静电力方向1304)施加在微粒204上。133.参见图13b，绘示出图10的局部放大m4前视图的另一实施样态，微粒204获得第四正电荷1300后具有的正电荷数量多于负电荷数量并且具有正电电性，因此可使用能够吸引正电电性的清洁元件500。在一些实施例中，清洁元件500从充电装置400得到电荷900为负电荷(即，第四负电荷1306)，使得清洁元件500与微粒204和之间产生彼此吸引的静电力。在一些实施例中，此吸引的静电力使微粒204朝向清洁元件500移动(例如，沿方向1308)。134.参见图13c，绘示出图11的局部放大m5前视图。微粒204经移除后，支撑座200的表面202上无微粒204，并且支撑座200的表面202恢复大致上电中性的状态，即，支撑座200的表面202具有相同的正电荷数量与负电荷数量。在一些实施例中，可通过接地的方式可恢复支撑座200的表面202的大致上电中性的状态。应注意的是，支撑座200的表面202上的电荷可能来自于第一正电荷206、第一负电荷210、第四正电荷1300、其他方式而获得的电荷(未绘示)、或上述的组合。135.在方法300与方法700的操作步骤之间可能有其他的制程操作，为了简化说明的目的可能会将其他的制程操作省略。再者，方法300与方法700仅为例示，并且不意图将本揭示案限制于权利要求书中明确叙述的内容。136.在一些实施例中，方法300中步骤302-306和方法700中的步骤702-306可能持续重复执行以确实移除支撑座200的表面202上的微粒204。支撑座200清洁完成后可接续图1中的步骤110。137.根据本揭示案的一些实施例，图14示意性地绘示具有支撑座的微影设备1400。微影设备1400元件包括用以调节辐射光束b(例如，极紫外线(extremeultraviolet,euv))的光源系统1406、光罩m与支撑光罩m的光罩载台1408，其中光罩载台1408连接至光罩定位传动元件1410，光罩定位传动元件1410可准确地定位光罩m。微影设备1400亦包括晶圆载台1414用以固持晶圆w，晶圆载台1414连接至晶圆定位传动元件1416。晶圆定位传动元件1416可准确地定位晶圆w。晶圆载台1414作用为支撑座，因为其可支撑晶圆w。微影设备1400还包括投影系统(例如，折射投影透镜系统)1412，使经由光罩m给予辐射光束b的图案投射至晶圆w的目标位置上。138.在一些实施例中，光源系统1406可包括用于导向、成形或控制辐射光束b的各种类型的光学组件，诸如，折射的、反射的、磁性的、电磁的、静电的或其他类型的光学组件，或其任何组合。139.光罩载台1408作用为支撑座，可支撑光罩m(亦即，承载其重量)。在一些实施例中，光罩载台1408可使用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术来固持光罩m。光罩载台1408可确保光罩m在所要位置，例如，相对于投影系统1412的所要位置。140.在一些实施例中，光罩m为任何元件，此元件可用以在辐射光束的形成图案，以便形成图案于晶圆w中。应注意的是，在图案包括相位位移特征时，辐射光束b中形成的图案须精确地对应于晶圆w中的所要图案。大致上，形成于辐射光束b中的图案将对应于将形成于晶圆w中的元件(例如集成电路)的特定功能层。141.在一些实施例中，根据所使用的曝光辐射或诸如浸没液体的使用或真空的使用的其他因素，投影系统1412为任何类型的投影系统，包括折射的、反射的、折反射的、磁性的、电磁的及静电光学系统或其任何组合。142.微影设备1400可具有两个或多个晶圆载台及/或两个或多个光罩载台，此称为“多级”类型的机构。在此多级机构中，可并列使用额外工作台，或可在一或多个工作台或支撑件上执行预备步骤而同时一或多个其他工作台或支撑件用于曝光制程。143.微影设备1400亦可为一种类型，在此类型中晶圆w的至少部分可由具有相对高折射率(例如，水)的液体覆盖以便填充投影系统1412及晶圆w之间的空间。浸没技术可增大投射系统的数值孔径(numericalaperture,na)。前述中的所使用的术语“浸没”并不意谓晶圆w必须淹没于液体中，而是仅意谓在曝光期间液体位于投影系统1412及晶圆w之间。144.图14中光源系统1406接收来自辐射源1402的辐射光束b。辐射光束b自辐射源1402产生后，在传递系统1404帮助下将辐射光束b传至光源系统1406，其中传递系统1404包括合适导向镜及/或光束放大器。在一些实施例中，辐射源1402、传递系统1404、和光源系统1406可合称作辐射系统。145.在一些实施例中，光源系统1406可进一步包括调整器1418，其是用以调整辐射光束b的角光强度分布。另外，光源系统1406可包括各种其他组件，诸如，积光器1420及聚光器1422。光源系统1406可用以调节辐射光束b以达到预期的均匀性及强度分布的光。146.辐射光束b入射至固定于光罩定位传动元件1410上的光罩m上，并通过光罩m产生图案。通过光罩m之后，辐射光束b将通过投影系统1412。投影系统1412可将辐射光束b聚焦至置于晶圆载台1414上的晶圆w中的目标位置上。通过晶圆定位传动元件1416，晶圆载台1414可准确地移动，以便将晶圆w中的不同目标位置定位至辐射光束b的路径中。同样地，通过光罩定位传动元件1410，光罩载台1408可准确的移动，以便将光罩m定位至相对于辐射光束b的路径。大致上，光罩载台1408的移动可借助于光罩定位传动元件1410中部分的长冲程模块(用于粗略定位)及短冲程模块(用于精确定位)来实现。同样地，晶圆载台1414的移动亦可使用晶圆定位传动元件1416来实现。在一些实施例中，在做为步进曝光机台的情形下，光罩载台1408可仅连接至短冲程致动器，或固定住。光罩m上的光罩对准标记及晶圆w上的晶圆对准标记可用来对准光罩载台1408上的光罩m与晶圆载台1414上的晶圆w。147.当微影设备1400中的光罩载台1408及/或晶圆载台1414变换不同晶圆/光罩种类(如图1中步骤102)、进行设备的周期性维护(如图1中步骤104)、或进行设备维修(如图1中步骤106)，可根据本揭示案的一些实施例，例如图3中方法300或图7中方法700，用来进行光罩载台1408及/或晶圆载台1414的微粒移除清洁步骤(如图1中步骤108)。光罩载台1408及/或晶圆载台1414上的微粒移除完成后，再放置目标晶圆及/或光罩置工作台上进行微影制程(如图1中步骤110)。148.在一些实施例中，参见图15，在使用方法300或方法700进行晶圆载台1414的微粒移除清洁之前，先将晶圆w自晶圆载台1414载卸，使用晶圆定位传动元件1416将晶圆载台1414移动到投影系统1412的范围之外(例如，沿方向1500)，并定位在充电装置400之下。在一些实施例中，充电装置400提供电荷至晶圆载台1414的表面(如方法300的步骤302)之后，晶圆载台1414保持在原地(即，投影系统1412的范围外)，接着移动清洁元件靠近至晶圆载台1414(如方法300的步骤304)和移动清洁元件远离晶圆载台1414(如方法300的步骤306)。上述清洁晶圆载台1414的步骤完成后，再使用晶圆定位传动元件1416将晶圆载台1414移回投影系统1412的范围内，执行微影制程。在另一些实施例中，充电装置400提供电荷至晶圆载台1414的表面上(如方法300的步骤302)之后，使用晶圆定位传动元件1416将晶圆载台1414先移回投影系统1412的范围内，再进行移动清洁元件靠近至晶圆载台1414(如方法300的步骤304)和移动清洁元件远离晶圆载台1414(如方法300的步骤306)。待上述清洁晶圆载台1414的步骤完成后，便可执行微影制程。149.基于以上说明，本揭示案提供了自晶圆支撑座或光罩支撑座上移除微粒的方法，通过充电装置提供电荷，先使支撑座与支撑座上的微粒之间产生相斥的静电力，再使支撑座上的微粒与清洁元件产生相吸的静电力，得以维持制程、测试和分析过程中免于微粒的干扰。此外，通过静电力进行非接触式的清洁，相较于接触式的清洁，可减少对支撑座的损伤。150.在本揭示案的一些实施例中，一种移除微粒的方法包括提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上可使支撑座的表面和表面的微粒带有相同的负电电性。清洁元件具有静电吸附层，使具有负电电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在静电吸附层上。在一些实施例中，提供的电荷包含电子、离子、或电浆。在一些实施例中，清洁元件未物理接触到支撑座的表面。在一些实施例中，清洁元件的静电吸附层为自带正电电性的二氧化钛涂层。151.在本揭示案的另一些实施例中，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供第一电荷至表面上及表面的至少一个微粒上、充电装置提供第二电荷至清洁元件上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。充电装置提供第一电荷使表面和表面上的微粒具有第一电性、和提供第二电荷使清洁元件具有相异于第一电性的第二电性。具有第二电性的清洁元件使具有第一电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在清洁元件上。在一些实施例中，清洁元件远离表面后，表面恢复电中性。152.根据本揭示案的另一些实施例，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供电荷至表面的微粒、准备基材、设置静电吸附层至基材上、通过传送机械手臂移动基材相对靠近支撑座的表面、该表面的微粒吸附至静电吸附层上、以及通过传送机械手臂移动基材相对远离支撑座的表面。充电装置提供电荷至表面的微粒使微粒具有第一电位。基材具有第二电位，其中第二电位与第一电位之间为第一电位差。静电吸附层具有第三电位，其中第三电位与第一电位之间为第二电位差，且第二电位差大于第一电位差。在一些实施例中，充电装置包含电子枪、离子产生器、或电浆产生器。在一些实施例中，静电吸附层为二氧化钛涂层。在一些实施例中，基材为硅晶圆片。153.以上概述了多个实施例的特征，使本领域具有知识者可更佳了解本揭示案的态样。本领域具有知识者应理解，其可轻易地使用本揭示案作为设计或修改其他制程与结构的依据，以实行本文所介绍的实施例的相同目的及/或达到相同优点。本领域具有知识者还应理解，这种等效的配置并不悖离本揭示案的精神与范畴，且本领域具有通常知识者在不悖离本揭示案的精神与范畴的情况下可对本文做出各种改变、置换以及变更。当前第1页12当前第1页12
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：：2.半导体集成电路(semiconductorintegratedcircuits)经历了指数级的成长，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度(亦即，每一晶片区域内互连元件的数目)通常会增加，而几何尺寸(亦即，制程中所能产出的最小元件或线则会缩小。一般而言，尺寸缩小的制程可以增加生产效率以及降低制造成本的好处，但是尺寸缩小亦增加制造与生产集成电路的复杂度。随着集成电路设计已日益复杂，其临界尺寸(criticaldimension；cd)已相应地减小，导致集成电路元件中的各层的可容许的相对位移的减小。技术实现要素：3.根据本揭示案的一些实施例，一种移除微粒的方法包括提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上可使支撑座的表面和表面的微粒带有相同的负电电性。清洁元件具有静电吸附层，使具有负电电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在静电吸附层上。4.根据本揭示案的另一些实施例，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供第一电荷至表面上及表面的至少一个微粒上、充电装置提供第二电荷至清洁元件上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。充电装置提供第一电荷使表面和表面上的微粒具有第一电性、和提供第二电荷使清洁元件具有相异于第一电性的第二电性。具有第二电性的清洁元件使具有第一电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在清洁元件上。5.根据本揭示案的另一些实施例，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供电荷至表面的微粒、准备基材、设置静电吸附层至基材上、通过传送机械手臂移动基材相对靠近支撑座的表面、该表面的微粒吸附至静电吸附层上、以及通过传送机械手臂移动基材相对远离支撑座的表面。充电装置提供电荷至表面的微粒使微粒具有第一电位。基材具有第二电位，其中第二电位与第一电位之间为第一电位差。静电吸附层具有第三电位，其中第三电位与第一电位之间为第二电位差，且第二电位差大于第一电位差。附图说明6.阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本揭示案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。7.图1根据本揭示案的一些实施例而绘示的一种进行清洁晶圆及/或光罩支撑座的时机判断的流程图；8.图2a和图2c根据本揭示案的一些实施例而绘示的支撑座与微粒的前视图；9.图2b和图2d分别为图2a和图2c的局部放大的前视图；10.图3根据本揭示案的一些实施例而绘示一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法的流程图；11.图4a根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；12.图4b为图4a的局部放大的前视图；13.图5a根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；14.图5b为图5a的局部放大的前视图；15.图6a根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；16.图6b为图6a的局部放大的前视图；17.图7根据本揭示案的一些实施例而绘示一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法的流程图；18.图8根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；19.图9根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；20.图10根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；21.图11根据本揭示案的一些实施例而绘示进行移除微粒方法的其中一个步骤操作的前视图；22.图12a为图8一实施例的局部放大的前视图；23.图12b为图10一实施例的局部放大的前视图；24.图12c为图11一实施例的局部放大的前视图；25.图13a为图8另一实施例的局部放大的前视图；26.图13b为图10另一实施例的局部放大的前视图；27.图13c为图11另一实施例的局部放大的前视图；28.图14根据本揭示案的一些实施例而绘示的一种微影设备；29.图15根据本揭示案的一些实施例而绘示的一种微影设备。30.【符号说明】31.100:流程图32.102、104、106、108、110:步骤33.200:支撑座34.200’:支撑座35.202:表面36.204:微粒37.205:晶圆支撑销38.206:第一正电荷39.208:第一负电荷40.300:方法41.302、304、306:步骤42.400:充电装置43.402:电荷44.404:方向45.406:第二负电荷46.408:方向47.410:静电力方向48.500:清洁元件49.502:基材50.504:静电吸附层51.506:方向52.508:方向53.510:第二正电荷54.600:方向55.700:方法56.702、703、704、706:步骤57.900:电荷58.902:方向59.1200:第三负电荷60.1202:方向61.1204:静电力方向62.1206:第三正电荷63.1208:方向64.1300:第四正电荷65.1302:方向66.1304:静电力方向67.1306:第四负电荷68.1308:方向69.1400:微影设备70.1402:辐射源71.1404:传递系统72.1406:光源系统73.1408:光罩载台74.1410:光罩定位传动元件75.1412:投影系统stage/table)、静电吸盘(electrostaticchuck,e-chuck)、或其他具有相同概念的装置。支撑座面积比晶圆及/或光罩大。晶圆的直径可为约200毫米、约300毫米、约450毫米、或者任何适当的尺寸。在一些实施例中，晶圆载台是设计成具有多个可单独(彼此独立)及垂直(垂直于其上所支撑的晶圆表面)移动的晶圆支撑销。在另一些实施例中，静电吸盘是设计成一种使用电来产生静电力的装置，例如库仑力及强森拉伯克力(johnsen-rahbekforce)，在半导体制程中用以保持晶圆及/或光罩的位置。92.在一些实施例中，晶圆可能为块材半导体晶圆。例如，晶圆可能包括硅晶圆。晶圆可能包含硅或另一种元素半导体材料，如锗。在一些实施例中，晶圆可能包括化合物半导体。化合物半导体可能包括砷化镓(galliumarsenide)、碳化硅(siliconcarbide)、砷化铟(indiumarsenide)、磷化铟(indiumphosphide)、其他合适的材料、或上述的组合。但在另一些实施例中，晶圆可能包括合金半导体，如锗化硅(silicongermanium)、碳化硅锗(silicongermaniumcarbide)、磷砷化镓(galliumarsenicphosphide)、或磷铟化镓(galliumindiumphosphide)。在其他实施例中，晶圆可能包括绝缘层上硅(silicon-on-insulator,soi)或绝缘层上锗(germanium-on-insulator,goi)的基材。soi基材可由氧布植分离(separationbyimplantationofoxygen)技术、晶圆键合(waferbonding)技术、其他合适的技术，或上述的组合制成。93.在一些实施例中，晶圆包括未经掺杂的基材。在其他实施例中，晶圆包含掺杂的基材，如p型基材或n型基材。94.在一些实施例中，依照半导体装置结构的设计要求，晶圆包含不同的掺杂区域。掺杂区域可能包括p型井及/或n型井。在一些实施例中，掺杂区域是指掺杂p型掺杂物，例如，掺杂区域可能掺杂硼(boron)或二氟化硼(boronfluoride)。n型掺杂物，例如磷或砷。在一些实施例中，部分掺杂区域为p型掺杂而另一部分为n型掺杂。95.在一些实施例中，内连接结构可能形成在晶圆上。内连接结构可能包括多层的层间介电层及介电层。内连接结构亦可能包括形成于层间介电层之间的多层导电特征结构，例如导电线(line)、导电通孔(via)、及/或各种导电接点(contact)。96.在一些实施例中，晶圆具有不同装置元件(deviceelement)。例如，装置元件可能包含晶体管(transistor)(例如金属氧化物半导体场校晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor,mosfet)、互补式金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor,cmos)晶体管、双极性接面型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)、高压晶体管(high-voltagetransistor)、高频率晶体管(high-frequencytransistor)、p通道及/或n通道场效晶体管(pfet及/或nfet)、二极管、或其他合适的元件)。不同的装置元件可能采用不同制程方式，包括沉积、蚀刻、植布、微影、退火、及/或其他合适的制程方式。97.在一些实施例中，晶圆中的装置元件可能经由内连接结构以连结彼此并形成集成电路装置。集成电路装置可能包括逻辑(logic)装置、记忆体(memory)装置(例如静态随机存取记忆体(staticrandomaccessmemory,sram))、射频(radiofrequency,rf)装置、输入/输出(input/output(i/o))装置、单晶片系统(system-on-chip,soc)装置、影像感测器(imagesensor)装置、其他合适的装置、或上述装置的组合。98.在一些实施例中，光罩可能包括反射式遮罩。光罩的结构包括基材，该基材由适当的材料制成，例如低热膨胀材料(lowthermalexpansionmaterial,ltem)或石英(fusedquartz)。在不同实施例中，低热膨胀材料包括二氧化钛(tio2)、掺杂的二氧化硅(sio2)、或其他具有低热膨胀的合适材料。光罩可能进一步包括沉积在基材上的反射多层膜(multiplelayer)。反射多层膜可能包括数个薄膜对(filmpair)，举例来说，钼-硅(molybdenum-silicon,mo/si)薄膜对(例如，在每一组薄膜对中，一钼层位于一硅层的上方或下方)、或钼-铍(molybdenum-beryllium,mo/be)薄膜对，或其他高度反射光的合适材料。99.参见图2a，其为根据本揭示案一些实施例的一种支撑座的例示性前视图，其中图2a中虚线方框的局部放大m1绘示于图2b。图2a与图2b的支撑座200为示例性的晶圆载台的简化图，支撑座200包含晶圆支撑销205。在其他实施例中，如图2c和图2d中的支撑座200’上，可能不具有晶圆支撑销205。再者，施作于图2a与图2b的支撑座200的各阶段操作步骤亦可施作于图2c与图2d的支撑座200’。除非额外说明，附图中讨论到的相同元件的说明可直接应用至其他图片上。100.在一些实施例中，支撑座200在经过一或多道半导体制程之后，难以避免地会有些许微粒204附着在支撑座200的表面202上。这些微粒204可能来自于气体中的微粒、制程过程中产生的污染物、原先附着在晶圆上的微粒、或其他产生微粒情况。这些微粒204可能会引起半导体制程中的对准问题以及产生具有缺陷的晶圆。101.在进行移除微粒之前，支撑座200的电性与支撑座200的表面202上的微粒204的电性大致上处于电中性的状态。换句话说，如图2b和图2d所绘示，支撑座200或支撑座200’上的第一正电荷206数量与第一负电荷208数量实质上相等，且微粒204上的第一正电荷206数量与第一负电荷208数量亦实质上相等。102.应注意的是，为了简化附图呈现，附图中任何正电荷与负电荷的尺寸、数量、位置、形状、组合方式、或其他物理的特征已做调整，以在附图中呈现出正电荷与负电荷例示性的电性象征。再者，本揭示案中所绘示的支撑座为具有晶圆支撑销205的支撑座200仅作为范例并不意在限制。支撑座的用途为放置任何需要维持水平的目标物(例如晶圆或光罩)，因此具有相同用途的装置，皆在本揭示案的精神和范畴之内。103.图1中流程图100的步骤108可通过本揭示案提供的自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒方法达成。图3为根据本揭示案的一些实施例而绘示一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法300的流程图。方法300中各个步骤操作分别对应于图4a、图5a和图6a。例如，方法300的步骤302和图4a所示，充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202上。例如，步骤304和图5a所示，移动清洁元件500靠近支撑座200，使支撑座200的表面202上的微粒204朝向清洁元件500靠近并吸附至清洁元件500的静电吸附层504上。例如，步骤306和图6a所示，移动清洁元件500远离支撑座200。104.参见图4a，绘示了方法300中步骤302的简化前视图：充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在图4a中，充电装置400亦包括移动充电装置400的传动系统、提供电荷402的控制系统、及/或其他装置。为了简化说明，上述系统或装置在图4a中未绘出。105.在一些实施例中，充电装置400移动至支撑座200的上方，可以通过类似喷洒的方式提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204上。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的过程中，晶圆支撑销205可保持突出状态。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的喷洒截面积等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物，以降低目标物受到微粒204污染及/或对准问题。图4a中虚线方框的局部放大m3绘示于图4b。106.充电装置400提供电荷402，其中充电装置400的电荷来自于带电粒子，例如电子、离子、或电浆(plasma)、或其他合适的带电粒子。107.充电装置400可为电子枪、离子产生器、电浆产生器、其他提供带电粒子的技术、或上述的组合使用。108.参见图4b，绘示出图4a的局部放大m3前视图。充电装置400提供的电荷402为第二负电荷406。在一些实施例中，第二负电荷406从充电装置400移动至支撑座200的表面202和表面202上的微粒204(例如，沿方向408移动)。支撑座200的表面202和表面202上的微粒204各自具有第一正电荷206、第一负电荷208、和第二负电荷406，使得支撑座200的表面202及表面202上的微粒204各自具有的负电荷数量多于正电荷数量。换句话说，支撑座200的表面202及表面202上的微粒204各自具有负电荷电性。当支撑座200的表面202和表面202上的微粒204各别且同时具有负电荷电性时，一相斥的静电力产生于支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间。在一些实施例中，一静电力将以远离支撑座200的表面202的方向(例如，沿静电力方向410)施加在微粒204上。109.根据本揭示案的一些实施例，提供电荷402(例如，第二负电荷406)至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204，改变了支撑座200的表面202的净电荷及表面202上的微粒204的净电荷(意即正电荷与负电荷成对中和后，仍带有的电荷)。支撑座200的表面202及表面202上的微粒204的净电荷同时为相同电性时，例如两者同时为正电或两者同时为负电，可产生彼此相斥的静电力。此外，支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间静电力的大小与各自具备的净电荷数量呈正比。在一些实施例中，预先在支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间产生相斥的静电力可能足以帮助表面202上的微粒204在后续步骤中自支撑座200的表面202脱附。110.图5a绘示了方法300的步骤304的简化前视图。清洁元件500靠近支撑座200(如，方向506)，使表面202上的微粒204朝向清洁元件500移动(如，方向508)并吸附至清洁元件500的静电吸附层504上。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500靠近支撑座200。清洁元件500包含基材502与设置在基材502上的静电吸附层504，其中静电吸附层504面向支撑座200。图5a包括其他系统或装置，例如移除吸附在清洁元件500上的微粒204的清洁系统或其他应用的系统，为了简化说明，其他系统或装置未绘示于图5a。111.继续参见图5a，在一些实施例中，清洁元件500面积与方法300的步骤302中充电装置400电荷喷洒的面积大致上相同，意即等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物。在一些实施例中，清洁元件500移动至支撑座200的上方，对齐步骤302中充电装置400电荷喷洒的面积。清洁元件500朝向支撑座200移动(例如，方向506)。在一些实施例中，清洁元件500停止在支撑座200的表面202上方的一位置，以未接触支撑座200的表面202及突出的晶圆支撑销205的态样来吸附微粒204。在另一些实施例中，清洁元件500以接触支撑座200的表面202及/或突出的晶圆支撑销205的态样来吸附微粒204。图5a中虚线方框的局部放大m4绘示于图5b。112.参见图5b，绘示出图5a的局部放大m4前视图，其中表面202上的微粒204上具有的负电荷数量多于正电荷数量(例如，第一正电荷206、第一负电荷208、和第二负电荷406)，使得表面202上的微粒204具有负电电性。清洁元件500的静电吸附层504具有吸引负电电性的特性。在一些实施例中，清洁元件500的静电吸附层504的具有正电电性(例如，第二正电荷510)。具有正电电性的静电吸附层504与表面202上的微粒204之间产生吸引的静电力，使得表面202上的微粒204朝向清洁元件500移动(如，方向508)并吸附至清洁元件500的静电吸附层504上。113.在一些实施例中，清洁元件500的基材502为未经图案化的基材，材料大致上相同于控片(controlwafer)或是测试片(dummywafer)，基材可能包括(1)结晶硅；(2)锗；(3)化合物半导体包括sic、gaas、gap、inp、inas、及/或insb；(4)合金半导体包括sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp、gainasp；或(5)任何上述的组合。114.一般而言，物品各自具备的净电荷数量与物品间的静电力强弱呈正比。物品具备的净电荷数量影响物品具有的电位状态，并且物品间的静电力强弱的状态可由物品之间的电位差呈现。物品各自具备的净电荷数量(或电位状态)与物品之间的电位差具有正向关系。举例来说，在步骤302中，当充电装置400提供电荷402至微粒204上，使微粒204净电荷数量增加，从而可提高微粒204与清洁元件500之间的电位差和相吸的静电力，因此可能有助于驱动微粒204移动至静电吸附层504上。在一些实施例中，微粒204与静电吸附层504与之间的电位差大于约0.1伏特时，在所产生的静电力可驱使微粒204朝向清洁元件500移动并吸附在清洁元件500的静电吸附层504上。115.在步骤302中，如图4a所示，通过充电装置400的提供电荷402以调控微粒204的电性和电量，有助于决定静电吸附层504的选择。举例来说，当微粒204从充电装置400得到较多的负电荷而呈现净电荷为负电电性，则清洁元件500的静电吸附层504具备的净电荷性质应为正电电性以产生吸引一静电力。反之亦然。116.静电吸附层可为一涂层，并且涂层的制程参数，例如涂层材料与涂层厚度，亦可能影响与微粒204之间的电位差。举例来说，在一些实施例中，无涂层的硅晶圆片与具有净电荷的微粒204之间可产生约0.08伏特至约0.12伏特的电位差；在同一情况下，具有厚度约35纳米至约45纳米的二氧化钛(titaniumdioxide,tio2)涂层的硅晶圆片可与具有净电荷的微粒204之间可产生约0.5伏特至0.7伏特的电位差。相较之下，具有厚度约35纳米至约45纳米的二氧化钛涂层的硅晶圆片所具有吸附微粒204的能力(例如，微粒数量、微粒附着度)优于无涂层的硅晶圆片。此外，二氧化钛涂层可带有正电电性故吸引具有负电电性的微粒204。因此，可以通过涂层的制程参数增大清洁元件500和具有净电荷的微粒204之间的电位差，以产生可有助于微粒204移动至清洁元件500的驱动力。117.在一些实施例中，清洁元件500上的涂层可通过以下制程中至少一者而形成：热氧化、化学氧化、化学气相沉积(chemicalvapordeposition；cvd)，包括低压cvd(lowpressurecvd；lpcvd)、电浆增强cvd(plasmaenhancedcvd；pecvd)、超高真空cvd(ultra-highvacuumcvd；uhvcvd)、降压cvd(reducedpressurecvd；rpcvd)、原子层沉积(atomiclayerdeposition；ald)、物理气相沉积、脉冲激光沉积、溅射、蒸发沉积、气相磊晶(vaporphaseepitaxy；vpe)、分子束磊晶(molecularbeamepitaxy；mbe)、液相磊晶(liquidphaseepitaxy；lpe)、电镀、无电极电镀，或其他适用技术。118.图6a绘示了方法300的步骤306的简化前视图。移动清洁元件500远离支撑座200的表面202，其中附着于清洁元件500的微粒204随着清洁元件500而远离支撑座200的表面202。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500远离支撑座200。在图6a中，微粒204因相吸的静电力而保持附着于清洁元件500的静电吸附层504上，当清洁元件500远离支撑座200的表面202(例如，沿方向600)，微粒204随着清洁元件500一并远离支撑座200的表面202。图6a中虚线方框的局部放大m5绘示于图6b。119.图6b绘示图6a的局部放大m5前视图。微粒204经移除后，支撑座200的表面202上无微粒204，并恢复支撑座200的表面202至最初电中性的状态，换句话说，支撑座200的表面202具有的相同正电荷数量与负电荷数量。在一些实施例中，可通过接地的方式恢复支撑座200的表面202的电中性的状态。应注意的是，支撑座200的表面202上电中性状态的电荷可来自于第一正电荷206、第一负电荷208、第二负电荷406、其他方式而获得的电荷(未绘示)、或上述的组合。120.在一些实施例中，其他没绘示在图4a到图6b的系统或装置，例如气体供应系统、排气系统、位置校准系统、定位传动系统、及/或其他装置，可能涵盖在其中。121.图1中流程图100的步骤108可通过本揭示案提供的另一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒方法达成。图7为根据本揭示案一些实施例而绘示另一种自晶圆及/或光罩的支撑座的表面移除微粒的方法700的流程图。方法700中各个步骤操作分别对应于图8到图11。例如，方法700的步骤702和图8所示，充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202上。例如，方法700的步骤703和图9所示，使用充电装置400提供电荷900至清洁元件500上。例如，方法700的步骤704和图10所示，移动清洁元件500靠近支撑座200，使支撑座200的表面202上的微粒204朝向清洁元件500靠近并吸附至清洁元件500上。例如，步骤706和图11所示，移动清洁元件500远离支撑座200。相较图3的方法300，图7的方法700多了一项步骤703，除此之外其他步骤大致上皆可应用方法300的步骤说明。122.参见图8，绘示了方法700中步骤702的简化前视图：充电装置400提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在图8中，充电装置400亦包括移动充电装置400的传动系统、提供电荷402的控制系统、及/或其他装置。为了简化说明，上述系统或装置在图8中未绘出。123.在一些实施例中，充电装置400移动至支撑座200的上方，提供电荷402的方式包括以类似喷洒的方式提供电荷402至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204上。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的过程中，晶圆支撑销205保持突出状态。在一些实施例中，充电装置400喷洒电荷402的喷洒截面积等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物，以降低目标物受到微粒污染及/或对准问题。图7中虚线方框的局部放大m3的不同实施例绘示于图12a和图13a(稍后讨论)。124.参见图9，绘示了方法700中步骤703的简化前视图：充电装置400提供电荷900至清洁元件500上(例如，方向902)，使清洁元件500所带的电荷900相异于支撑座200的电荷402。换句话说，当支撑座获得的电荷402为正电荷时，清洁元件500所获得的电荷900为负电荷。反之亦然。方法700的步骤703中，通过在清洁元件500上进行前处理以影响与微粒204之间的电位差。125.图10绘示了方法700的步骤704的简化前视图。清洁元件500靠近支撑座200(如，方向506)，使表面202上的微粒204朝向清洁元件500移动(如，方向508)并吸附至清洁元件500上。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500靠近支撑座200。图10包括其他系统或装置，例如移除吸附在清洁元件500上的微粒204的清洁系统或其他合适的装置，为了简化说明，上述系统或装置未绘示于图10。126.继续参见图10，在一些实施例中，清洁元件500面积与方法700的步骤702中充电装置400电荷喷洒的面积大致上相同，意即等于或大于目标物的放置面积，例如晶圆、光罩、或其他需维持水平的目标物。在一些实施例中，清洁元件500移动至支撑座200的上方，对齐步骤702中充电装置400电荷喷洒的面积。清洁元件500朝向支撑座200移动(例如，方向506)并且清洁元件500最终停止在支撑座200的表面202上方的一位置。在一些实施例中，清洁元件500以未接触支撑座200的表面202及突出的晶圆支撑销205的态样来吸附表面202上的微粒204。在另一些实施例中，清洁元件500以接触支撑座200的表面202及/或突出的晶圆支撑销205的态样来吸附表面202上的微粒204。图10中虚线方框的局部放大m4的不同实施例绘示于图12b和图13b(稍后讨论)。127.图11绘示了方法700的步骤706的简化前视图。移动清洁元件500远离支撑座200的表面202，其中附着于清洁元件500的微粒204随着清洁元件500而远离支撑座200的表面202。在一些实施例中，晶圆传送机械手臂t承载清洁元件500，并通过晶圆传送机械手臂t的移动使清洁元件500远离支撑座200。在图11中，微粒204因相吸的静电力而保持附着于清洁元件500上，当清洁元件500远离支撑座200的表面202(例如，沿方向600)，微粒204随着清洁元件500一并远离支撑座200的表面202。图11中虚线方框的局部放大m5的不同实施例绘示于图12c和图13c(稍后讨论)。128.针对上述方法700中，由于充电装置400提供的电荷可为负电荷或是正电荷。针对不同电荷的实施例可由图8、图10、和图11中的局部放大m3、m4以及m5来进一步说明。129.参见图12a，绘示出图8的局部放大m3前视图。充电装置400提供第三负电荷1200(即，图8的电荷402)至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在一些实施例中，第三负电荷1200从充电装置400沿方向1202移动至支撑座200的表面202和微粒204。支撑座200的表面202和微粒204各自具有第一正电荷206、第一负电荷208、和第三负电荷1200，使得支撑座200的表面202及微粒204各自具有的负电荷数量多于正电荷数量，因此支撑座200的表面202及微粒204各自具有负电电性。当支撑座200的表面202和微粒204各别且同时具有相同的负电电性时，一相斥的静电力产生于支撑座200的表面202及表面202上的微粒204之间。在一些实施例中，一静电力将以远离支撑座200的表面202的方向(例如，沿静电力方向1204)施加在微粒204上。130.参见图12b，绘示出图10的局部放大m4前视图，表面202上的微粒204上接收到第三负电荷1200后，微粒204具有的负电荷数量多于正电荷数量并具有负电电性，因此可使用能够吸引负电电性的清洁元件500。在一些实施例中，清洁元件500从充电装置400得到电荷900为正电荷(即，第三正电荷1206)，使得清洁元件500与微粒204和之间产生彼此吸引的静电力。在一些实施例中，此吸引的静电力使微粒204朝向清洁元件500移动(例如，沿方向1208)。131.参见图12c，绘示出图11的局部放大m5前视图。微粒204经移除后，支撑座200的表面202上无微粒204，并且支撑座200的表面202恢复至大致上电中性的状态，换句话说，支撑座200的表面202具有相同的正电荷数量与负电荷数量。在一些实施例中，可通过接地的方式可恢复支撑座200的表面202的大致上电中性的状态。应注意的是，此时支撑座200的表面202电荷可能来自于第一正电荷206、第一负电荷210、第三负电荷1200、其他方式而获得的电荷(未绘示)、或上述的组合。132.参见图13a，绘示出图8的局部放大m3前视图的另一实施样态。充电装置400提供第四正电荷1300(即，图8的电荷402)至支撑座200的表面202及表面202上的微粒204。在一些实施例中，第四正电荷1300从充电装置400移动至支撑座200的表面202及微粒204(例如，沿方向1302移动)。支撑座200的表面202及微粒204各自具有第一正电荷206、第一负电荷210、和第四正电荷1300，使得支撑座200的表面202和微粒204上各自具有的正电荷数量多于负电荷数量，即，支撑座200的表面202及微粒204各自具有正电电性。当支撑座200的表面202及微粒204各别且同时具有相同的正电电性时，一相斥的静电力产生于支撑座200的表面202及微粒204之间。在一些实施例中，一静电力以远离支撑座200的表面202的方向(例如，沿静电力方向1304)施加在微粒204上。133.参见图13b，绘示出图10的局部放大m4前视图的另一实施样态，微粒204获得第四正电荷1300后具有的正电荷数量多于负电荷数量并且具有正电电性，因此可使用能够吸引正电电性的清洁元件500。在一些实施例中，清洁元件500从充电装置400得到电荷900为负电荷(即，第四负电荷1306)，使得清洁元件500与微粒204和之间产生彼此吸引的静电力。在一些实施例中，此吸引的静电力使微粒204朝向清洁元件500移动(例如，沿方向1308)。134.参见图13c，绘示出图11的局部放大m5前视图。微粒204经移除后，支撑座200的表面202上无微粒204，并且支撑座200的表面202恢复大致上电中性的状态，即，支撑座200的表面202具有相同的正电荷数量与负电荷数量。在一些实施例中，可通过接地的方式可恢复支撑座200的表面202的大致上电中性的状态。应注意的是，支撑座200的表面202上的电荷可能来自于第一正电荷206、第一负电荷210、第四正电荷1300、其他方式而获得的电荷(未绘示)、或上述的组合。135.在方法300与方法700的操作步骤之间可能有其他的制程操作，为了简化说明的目的可能会将其他的制程操作省略。再者，方法300与方法700仅为例示，并且不意图将本揭示案限制于权利要求书中明确叙述的内容。136.在一些实施例中，方法300中步骤302-306和方法700中的步骤702-306可能持续重复执行以确实移除支撑座200的表面202上的微粒204。支撑座200清洁完成后可接续图1中的步骤110。137.根据本揭示案的一些实施例，图14示意性地绘示具有支撑座的微影设备1400。微影设备1400元件包括用以调节辐射光束b(例如，极紫外线(extremeultraviolet,euv))的光源系统1406、光罩m与支撑光罩m的光罩载台1408，其中光罩载台1408连接至光罩定位传动元件1410，光罩定位传动元件1410可准确地定位光罩m。微影设备1400亦包括晶圆载台1414用以固持晶圆w，晶圆载台1414连接至晶圆定位传动元件1416。晶圆定位传动元件1416可准确地定位晶圆w。晶圆载台1414作用为支撑座，因为其可支撑晶圆w。微影设备1400还包括投影系统(例如，折射投影透镜系统)1412，使经由光罩m给予辐射光束b的图案投射至晶圆w的目标位置上。138.在一些实施例中，光源系统1406可包括用于导向、成形或控制辐射光束b的各种类型的光学组件，诸如，折射的、反射的、磁性的、电磁的、静电的或其他类型的光学组件，或其任何组合。139.光罩载台1408作用为支撑座，可支撑光罩m(亦即，承载其重量)。在一些实施例中，光罩载台1408可使用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术来固持光罩m。光罩载台1408可确保光罩m在所要位置，例如，相对于投影系统1412的所要位置。140.在一些实施例中，光罩m为任何元件，此元件可用以在辐射光束的形成图案，以便形成图案于晶圆w中。应注意的是，在图案包括相位位移特征时，辐射光束b中形成的图案须精确地对应于晶圆w中的所要图案。大致上，形成于辐射光束b中的图案将对应于将形成于晶圆w中的元件(例如集成电路)的特定功能层。141.在一些实施例中，根据所使用的曝光辐射或诸如浸没液体的使用或真空的使用的其他因素，投影系统1412为任何类型的投影系统，包括折射的、反射的、折反射的、磁性的、电磁的及静电光学系统或其任何组合。142.微影设备1400可具有两个或多个晶圆载台及/或两个或多个光罩载台，此称为“多级”类型的机构。在此多级机构中，可并列使用额外工作台，或可在一或多个工作台或支撑件上执行预备步骤而同时一或多个其他工作台或支撑件用于曝光制程。143.微影设备1400亦可为一种类型，在此类型中晶圆w的至少部分可由具有相对高折射率(例如，水)的液体覆盖以便填充投影系统1412及晶圆w之间的空间。浸没技术可增大投射系统的数值孔径(numericalaperture,na)。前述中的所使用的术语“浸没”并不意谓晶圆w必须淹没于液体中，而是仅意谓在曝光期间液体位于投影系统1412及晶圆w之间。144.图14中光源系统1406接收来自辐射源1402的辐射光束b。辐射光束b自辐射源1402产生后，在传递系统1404帮助下将辐射光束b传至光源系统1406，其中传递系统1404包括合适导向镜及/或光束放大器。在一些实施例中，辐射源1402、传递系统1404、和光源系统1406可合称作辐射系统。145.在一些实施例中，光源系统1406可进一步包括调整器1418，其是用以调整辐射光束b的角光强度分布。另外，光源系统1406可包括各种其他组件，诸如，积光器1420及聚光器1422。光源系统1406可用以调节辐射光束b以达到预期的均匀性及强度分布的光。146.辐射光束b入射至固定于光罩定位传动元件1410上的光罩m上，并通过光罩m产生图案。通过光罩m之后，辐射光束b将通过投影系统1412。投影系统1412可将辐射光束b聚焦至置于晶圆载台1414上的晶圆w中的目标位置上。通过晶圆定位传动元件1416，晶圆载台1414可准确地移动，以便将晶圆w中的不同目标位置定位至辐射光束b的路径中。同样地，通过光罩定位传动元件1410，光罩载台1408可准确的移动，以便将光罩m定位至相对于辐射光束b的路径。大致上，光罩载台1408的移动可借助于光罩定位传动元件1410中部分的长冲程模块(用于粗略定位)及短冲程模块(用于精确定位)来实现。同样地，晶圆载台1414的移动亦可使用晶圆定位传动元件1416来实现。在一些实施例中，在做为步进曝光机台的情形下，光罩载台1408可仅连接至短冲程致动器，或固定住。光罩m上的光罩对准标记及晶圆w上的晶圆对准标记可用来对准光罩载台1408上的光罩m与晶圆载台1414上的晶圆w。147.当微影设备1400中的光罩载台1408及/或晶圆载台1414变换不同晶圆/光罩种类(如图1中步骤102)、进行设备的周期性维护(如图1中步骤104)、或进行设备维修(如图1中步骤106)，可根据本揭示案的一些实施例，例如图3中方法300或图7中方法700，用来进行光罩载台1408及/或晶圆载台1414的微粒移除清洁步骤(如图1中步骤108)。光罩载台1408及/或晶圆载台1414上的微粒移除完成后，再放置目标晶圆及/或光罩置工作台上进行微影制程(如图1中步骤110)。148.在一些实施例中，参见图15，在使用方法300或方法700进行晶圆载台1414的微粒移除清洁之前，先将晶圆w自晶圆载台1414载卸，使用晶圆定位传动元件1416将晶圆载台1414移动到投影系统1412的范围之外(例如，沿方向1500)，并定位在充电装置400之下。在一些实施例中，充电装置400提供电荷至晶圆载台1414的表面(如方法300的步骤302)之后，晶圆载台1414保持在原地(即，投影系统1412的范围外)，接着移动清洁元件靠近至晶圆载台1414(如方法300的步骤304)和移动清洁元件远离晶圆载台1414(如方法300的步骤306)。上述清洁晶圆载台1414的步骤完成后，再使用晶圆定位传动元件1416将晶圆载台1414移回投影系统1412的范围内，执行微影制程。在另一些实施例中，充电装置400提供电荷至晶圆载台1414的表面上(如方法300的步骤302)之后，使用晶圆定位传动元件1416将晶圆载台1414先移回投影系统1412的范围内，再进行移动清洁元件靠近至晶圆载台1414(如方法300的步骤304)和移动清洁元件远离晶圆载台1414(如方法300的步骤306)。待上述清洁晶圆载台1414的步骤完成后，便可执行微影制程。149.基于以上说明，本揭示案提供了自晶圆支撑座或光罩支撑座上移除微粒的方法，通过充电装置提供电荷，先使支撑座与支撑座上的微粒之间产生相斥的静电力，再使支撑座上的微粒与清洁元件产生相吸的静电力，得以维持制程、测试和分析过程中免于微粒的干扰。此外，通过静电力进行非接触式的清洁，相较于接触式的清洁，可减少对支撑座的损伤。150.在本揭示案的一些实施例中，一种移除微粒的方法包括提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上可使支撑座的表面和表面的微粒带有相同的负电电性。清洁元件具有静电吸附层，使具有负电电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在静电吸附层上。在一些实施例中，提供的电荷包含电子、离子、或电浆。在一些实施例中，清洁元件未物理接触到支撑座的表面。在一些实施例中，清洁元件的静电吸附层为自带正电电性的二氧化钛涂层。151.在本揭示案的另一些实施例中，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供第一电荷至表面上及表面的至少一个微粒上、充电装置提供第二电荷至清洁元件上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。充电装置提供第一电荷使表面和表面上的微粒具有第一电性、和提供第二电荷使清洁元件具有相异于第一电性的第二电性。具有第二电性的清洁元件使具有第一电性的微粒朝向清洁元件移动并吸附在清洁元件上。在一些实施例中，清洁元件远离表面后，表面恢复电中性。152.根据本揭示案的另一些实施例，一种移除微粒的方法包括移动充电装置到支撑座的表面上、充电装置提供电荷至表面的微粒、准备基材、设置静电吸附层至基材上、通过传送机械手臂移动基材相对靠近支撑座的表面、该表面的微粒吸附至静电吸附层上、以及通过传送机械手臂移动基材相对远离支撑座的表面。充电装置提供电荷至表面的微粒使微粒具有第一电位。基材具有第二电位，其中第二电位与第一电位之间为第一电位差。静电吸附层具有第三电位，其中第三电位与第一电位之间为第二电位差，且第二电位差大于第一电位差。在一些实施例中，充电装置包含电子枪、离子产生器、或电浆产生器。在一些实施例中，静电吸附层为二氧化钛涂层。在一些实施例中，基材为硅晶圆片。153.以上概述了多个实施例的特征，使本领域具有知识者可更佳了解本揭示案的态样。本领域具有知识者应理解，其可轻易地使用本揭示案作为设计或修改其他制程与结构的依据，以实行本文所介绍的实施例的相同目的及/或达到相同优点。本领域具有知识者还应理解，这种等效的配置并不悖离本揭示案的精神与范畴，且本领域具有通常知识者在不悖离本揭示案的精神与范畴的情况下可对本文做出各种改变、置换以及变更。当前第1页12当前第1页12
再多了解一些
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