半导体存储装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体存储装置，包括：第一控制部，根据从外部输入的包含于特定指令的有关于存储单元的更新间隔的信息，设定所述存储单元的更新间隔。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述特定指令为用以设定所述半导体存储装置的机能的指令。3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于，在每次从外部输入所述特定指令时，所述第一控制部根据包含所述特定指令的有关于存储单元的更新间隔的信息，设定所述存储单元的更新间隔。4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：第二控制部，在包含阵列状配置的多个存储单元阵列被分割为多个区块的情况下，选择所述多个区块中的任一区块，将错误订正码内的检查数据存储于特定存储区域，所述检查数据根据被选择的区块内的多个存储单元中存储的数据所生成。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：第二控制部，在包含阵列状配置的多个存储单元阵列被分割为多个区块的情况下，选择所述多个区块中的任一区块，将错误订正码内的检查数据存储于特定存储区域，所述检查数据根据被选择的区块内的多个存储单元中存储的数据所生成。6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二控制部，根据从外部输入的包含于特定指令的有关于选择区块的信息，选择所述多个区块中的任一区块。7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，所述特定存储区域，设置于与所述存储单元阵列相异的其他存储单元阵列中。8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，所述特定存储区域，设置于与所述多个区块中所被选择的区块相异的其他区块。9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：第二控制部，在包含阵列状配置的1t1c型的多个存储单元阵列被分割为多个区块的情况下，选择所述多个区块中的任一区块，将存储于被选择的区块内的多个存储单元的数据，存储于由2t2c型的存储单元所构成的特定存储区域。10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二控制部，根据从外部输入的包含于特定指令的有关于选择区块的信息，选择所述多个区块中的任一区块。

技术总结
本发明提供一种半导体存储装置，包括：第一控制部，根据从外部输入的包含于特定指令的有关于存储单元的更新间隔的信息，设定所述存储单元的更新间隔。本发明的半导体存储装置，不仅可以抑制耗电的增大，还可以回避由于行捶击问题导致的数据破坏。击问题导致的数据破坏。击问题导致的数据破坏。


技术研发人员：藤冈伸也
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2021.09.13
技术公布日：2022/8/29