一种MEMS传感器的制作方法

技术特征：
1.一种mems传感器，其特征在于，包括：层叠设置的基底(100)、连接部(300)以及顶盖(200)；传递部(400)，位于所述基底(100)的第一表面；以及敏感元件(500)，位于所述基底(100)的第二表面，所述基底(100)的第二表面和其第一表面相对；支撑部(800)，位于所述基底(100)的第二表面；其中，所述传递部(400)的一端与所述基底(100)的第一表面固定连接，另一端与所述顶盖(200)的第一表面之间具有第一间隙(410)。2.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，施加于所述顶盖(200)上的力为第一预设值时，所述顶盖(200)在垂直于所述顶盖(200)表面方向引起的形变量等于所述第一间隙(410)的高度。3.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，所述传递部(400)采用刚性材料。4.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，所述传递部(400)的形状为圆柱状、多棱柱、圆台状中一种或多种。5.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，所述敏感元件(500)在所述基底(100)的第二表面连接形成惠斯通电桥电路。6.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，所述敏感元件(500)在所述基底(100)的第一表面的投影围绕所述传递部(400)。7.根据权利要求6所述的mems传感器，其特征在于，所述支撑部(800)在所述基底(100)的第二表面的投影围绕所述敏感元件(500)。8.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，包括多个所述支撑部(800)和多个所述敏感元件(500)，每个所述敏感元件(500)与一个或者多个所述支撑部(800)电连接。9.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，包括限位部(600)。10.根据权利要求9所述的mems传感器，其特征在于，所述限位部(600)采用刚性材料。11.根据权利要求9所述的mems传感器，其特征在于，所述限位部(600)的形状为圆柱状、多棱柱、圆台状中一种或多种。12.根据权利要求9所述的mems传感器，其特征在于，所述限位部(600)位于所述基底(100)的第一表面，所述限位部(600)的一端所述基底(100)的第一表面固定连接，另一端与所述顶盖(200)的第一表面之间具有第二间隙(610)。13.根据权利要求9所述的mems传感器，其特征在于，施加于所述顶盖(200)的力大于或者等于第二预设值时，所述顶盖(200)的第一表面与所述限位部(600)的上表面接触。14.根据权利要求12所述的mems传感器，其特征在于，所述第二间隙(610)的高度大于所述第一间隙(410)的高度。15.根据权利要求9所述的mems传感器，其特征在于，所述限位部(600)和所述支撑部(800)的数量以及排列形状相同，且在垂直于所述基底(100)的第一表面的方向上，每个所述支撑部(800)的中轴线穿过对应所述限位部(600)在所述基底(100)的第一表面的投影。16.据权利要求9所述的mems传感器，其特征在于，所述限位部(600)在所述基底(100)的第二表面的投影围绕所述敏感元件(500)。17.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，包括接触部(700)。
18.根据权利要求17所述的mems传感器，其特征在于，所述接触部(700)位于所述顶盖(200)的第二表面，所述顶盖(200)的第二表面与所述顶盖(200)的第一表面相对。19.根据权利要求18所述的mems传感器，其特征在于，所述接触部(700)的截面面积小于所述顶盖(200)的第二表面的面积，且所述接触部(700)的中心轴线与所述传递部(400)的中心轴心重合。20.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，所述连接部(300)内部中空，所述基底(100)的第一表面、所述顶盖(200)的第一表面以及所述连接部(300)的内表面形成空腔，所述传递部(400)位于所述空腔内。21.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，所述基底(100)和所述连接部(300)一体成形。

技术总结
公开了一种MEMS传感器，包括：层叠设置的基底(100)、连接部(300)以及顶盖(200)；传递部(400)，位于所述基底(100)的第一表面；以及敏感元件(500)，位于所述基底(100)的第二表面，所述基底(100)的第二表面和其第一表面相对；支撑部(800)，位于所述基底(100)的第二表面；其中，所述传递部(400)的一端与所述基底(100)的第一表面固定连接，另一端与所述顶盖(200)的第一表面之间具有第一间隙(410)。本公开中，第一间隙(410)防止由于误触而施加于顶盖上的力引起基底的形变，从而解决了由于外界环境和人为因素导致的误触问题，增加传感器的可靠性。性。性。


技术研发人员：李刚 吕萍 瞿滕汇睿
受保护的技术使用者：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
技术研发日：2022.05.05
技术公布日：2022/8/29