显示基板及其制作方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。


背景技术：

2.在平板显示技术领域，薄膜晶体管显示器(thin film transistor liquid crystal display，简称tft-lcd)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，逐渐在当今平板显示市场占据了主导地位。
3.有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。与液晶显示(liquid crystal display,lcd)是不同类型的发光原理。oled显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，被称为下一代显示技术，很有可能在不久将来取代lcd。
4.透明金属氧化物薄膜晶体管(oxide tft)具有迁移率较高、大世代线均一性好、制造成本较低并且可以兼容a-si产线等优点，并且oxide tft迟滞特性好，有利于改善oled产品的迟滞问题，越来越受到oled产品的青睐。


技术实现要素：

5.本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够改善显示装置的显示效果。
6.为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
7.一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管，
8.所述驱动薄膜晶体管的有源层与所述开关薄膜晶体管的有源层位于不同层；和/或
9.所述驱动薄膜晶体管的有源层与所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层位于不同层。
10.一些实施例中，所述开关薄膜晶体管的有源层与所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层同层同材料设置。
11.一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度大于所述开关薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度；和/或
12.所述驱动薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度大于所述栅极驱动电路薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度。
13.一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管的有源层的导通电阻大于所述开关薄膜晶体管的有源层的导通电阻；和/或
14.所述驱动薄膜晶体管的有源层的导通电阻大于所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层的导通电阻。
15.一些实施例中，所述显示基板包括位于所述驱动薄膜晶体管的有源层远离所述衬
底基板一侧的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括第一子层间绝缘层和第二子层间绝缘层，所述第一子层间绝缘层采用氧化硅，所述第二子层间绝缘层采用氮化硅，所述第二子层间绝缘层位于所述第一子层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
16.一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管的有源层经过退火工艺处理。
17.一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管的有源层的迁移率小于所述开关薄膜晶体管的有源层的迁移率；和/或
18.所述驱动薄膜晶体管的有源层的迁移率小于所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层的迁移率。
19.一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管的栅绝缘层的面积大于所述开关薄膜晶体管的栅绝缘层的面积；和/或
20.所述驱动薄膜晶体管的栅绝缘层的面积大于所述栅极驱动电路薄膜晶体管的栅绝缘层的面积。
21.一些实施例中，所述像素电路的存储电容包括相对设置的两个极板，所述极板采用薄膜晶体管的栅极或导体化的所述有源层。
22.本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
23.本发明的实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括位于衬底基板上的像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管，所述制作方法包括：
24.通过不同的构图工艺制作所述驱动薄膜晶体管的有源层和所述开关薄膜晶体管的有源层；和/或
25.通过不同的构图工艺制作所述驱动薄膜晶体管的有源层和所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层。
26.一些实施例中，所述制作方法还包括：
27.通过一次构图工艺形成所述开关薄膜晶体管的有源层和所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层。
28.本发明的实施例具有以下有益效果：
29.上述方案中，采用不同的构图工艺形成驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管和/或栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层，驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管和/或栅极驱动电路薄膜晶体管分开独立形成，可以使得驱动薄膜晶体管的特性与开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管的工艺制程和特性不受干扰，进而可以在不影响开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管的驱动能力的基础上，通过降低驱动薄膜晶体管的i
on
和增大驱动薄膜晶体管的ss来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
附图说明
30.图1为显示基板的像素电路示意图；
31.图2为相关技术显示基板的结构示意图；
32.图3-图10为本发明实施例显示基板的结构示意图。
33.附图标记
34.01 衬底基板
35.02 第一柔性衬底
36.03 第一阻隔层
37.04 第二柔性衬底
38.05 第二阻隔层
39.06 第一缓冲层
40.07 第一栅绝缘层
41.08 第二栅绝缘层
42.09 层间绝缘层
43.10 源漏金属层
44.11 有源层
45.12 第一栅金属层
46.13 第二栅金属层
47.14 第二缓冲层
48.15 第三栅绝缘层
49.16 第三栅金属层
50.111 驱动薄膜晶体管的有源层
51.17 第一子层间绝缘层
52.18 第二子层间绝缘层
53.19 过孔
具体实施方式
54.为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
55.现有oled显示产品的像素(pixel)电路一般会有驱动薄膜晶体管(driving tft，dtft)、开关薄膜晶体管(switching tft，stft)、存储电容(storage capacitor，cst)以及发光二极管(led)，如图1所示。
56.目前，oled pixel电路中，一般使用低温多晶硅薄膜晶体管(ltps tft)，这是由于其迁移率能够达到50～100cm2/(v.s)，ltps tft作stft开关速度快、作goa(栅极驱动电路)tft可以实现窄边框低功耗显示产品，但是，当ltps tft作dtft时，由于其迁移率高，tft的i
on
过大，由于oled是电流驱动型器件，i
on
过大时，不利于oled显示不同灰阶的展开，容易产生低灰阶mura不良问题，严重影响到oled产品的显示效果，为了减小ltps dtft的i
on
，一方面会将其tft的l(沟道长度)做的比较大(如20um以上)，另一方面会通过高温anneal(退火)制程，使ltps dtft的亚阈值摆幅(subthreshold swing，ss)变大，来减小ltps dtft的i
on
，改善oled产品的显示效果。
57.透明金属氧化物薄膜晶体管(oxide tft)由于其迁移率较高、大世代线均一性好、制造成本较低并且可以兼容a-si产线等优点，并且oxide tft迟滞特性好，有利于改善oled产品的迟滞问题，越来越受到oled产品的青睐。但是，现有常规的氧化物材料如igzo的迁移率为10cm2/(v.s)，如用其做stft，开关速度不够快，特别是如用其做dtft，边框不能做的较小，这就限制了oxide tft在oled显示产品上的应用。
58.随着oxide tft技术的发展，迁移率20cm2/(v.s)以上的氧化物材料，特别是迁移率30cm2/(v.s)以上(如itzo、igto、igzto等)甚至迁移率为50cm2/(v.s)的氧化物材料逐渐得到应用。高迁移率的oxide材料如应用到oled显示产品上，可以提高stft的开关速度、减小产品的边框和降低功耗。但是，当高迁移率oxide材料做oxide dtft时，同样会遇到ltps做dtft的问题，即高迁移率oxide dtft的i
on
较大，不利于oled显示不同灰阶的展开，容易产生低灰阶mura不良问题，严重影响到oled产品的显示效果。
59.为改善oxide oled显示产品的显示效果，需要减小高迁移率oxide dtft的i
on
。现有的多晶ltps dtft通常通过增大tft的l(如20μm以上)来减小i
on
，但是对于非晶的高迁移率oxide tft来说，小l的tft(如l约为4μm)和大l的tft(如l约为10μm)的vth差异明显，即当oxide dtft和oxide stft的l不同时，需要通过不同的工艺来控制vth；多晶ltps dtft另一个减小i
on
的方法是通过高温anneal工艺，使ltps dtft中的h逸出，增加dtft中的缺陷，进而使其ss变大，来减小dtft的i
on
，但是对于非晶的高迁移率oxide tft来说，一般迁移率越高，其tft稳定性相对越差，故其高迁移率的oxide材料一般选择迁移率为30cm2/(v.s)的材料，这种迁移率条件下，其迁移率低于ltps tft，如果通过增大ss来减小dtft的i
on
，那stft和goa tft的i
on
也势必受到影响，stft i
on
减小会影响到stft开关速度，goa tft i
on
减小时，需要增大goa tft的w(沟道宽度)尺寸来增强驱动能力，会增大oled产品的边框。
60.高迁移率oxide做oled显示产品时，dtft i
on
偏大和ss偏小，不利于oled显示不同灰阶的展开，容易产生低灰阶mura不良问题，严重影响到oled产品的显示效果，而如果通过降低dtft i
on
和增大dtft ss来改善显示效果，则会影响到stft和goa tft的i
on
，进而影响到stft和goa tft的驱动能力，以及产品的显示效果和边框。
61.本发明实施例提供一种显示基板，如图3所示，所述显示基板包括位于衬底基板上的像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管b、开关薄膜晶体管c和栅极驱动电路薄膜晶体管a，
62.所述驱动薄膜晶体管b的有源层与所述开关薄膜晶体管c的有源层位于不同层；和/或
63.所述驱动薄膜晶体管b的有源层与所述栅极驱动电路薄膜晶体管a的有源层位于不同层。
64.如图2所示，相关技术中，显示基板依次包括位于衬底基板01上的第一柔性衬底02、第一阻隔层03、第二柔性衬底04、第二阻隔层05、第一缓冲层06、第一栅绝缘层07、第二栅绝缘层08、层间绝缘层09、第一栅金属层12、第二栅金属层13、有源层11和源漏金属层10。驱动薄膜晶体管b、开关薄膜晶体管c和栅极驱动电路薄膜晶体管a的有源层11同层同材料设置，这样很难兼顾驱动薄膜晶体管b、开关薄膜晶体管c和栅极驱动电路薄膜晶体管a的特性需求。
65.本发明实施例中，驱动薄膜晶体管b的有源层与开关薄膜晶体管c和/或栅极驱动电路薄膜晶体管a的有源层位于不同层，这样可以采用不同的构图工艺形成驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管和/或栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层，驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管和/或栅极驱动电路薄膜晶体管分开独立形成，可以使得驱动薄膜晶体管的特性与开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管的工艺制程和特性不受干扰，进而可以在不影响开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管的驱动能力的基础上，通过降低驱动薄膜
oled产品的显示效果。
77.一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管的有源层经过退火工艺处理，通过退火工艺可以增大驱动薄膜晶体管的ss，可以在不影响开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管的驱动能力的基础上，增大驱动薄膜晶体管的ss，进而改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
78.一些实施例中，为了降低驱动薄膜晶体管的i
on
，所述驱动薄膜晶体管的有源层的迁移率小于所述开关薄膜晶体管的有源层的迁移率；和/或
79.所述驱动薄膜晶体管的有源层的迁移率小于所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层的迁移率。
80.其中，驱动薄膜晶体管的有源层可以使用迁移率较低的oxide材料，如igzo等，而栅极驱动电路薄膜晶体管和关薄膜晶体管的有源层可以使用迁移率较高的oxide材料，如itzo、igto、igzto。
81.一些实施例中，为了降低驱动薄膜晶体管的i
on
，增大开关薄膜晶体管的i
on
，所述驱动薄膜晶体管的栅绝缘层的面积大于所述开关薄膜晶体管的栅绝缘层的面积；和/或
82.为了降低驱动薄膜晶体管的i
on
，增大栅极驱动电路薄膜晶体管的i
on
，所述驱动薄膜晶体管的栅绝缘层的面积大于所述栅极驱动电路薄膜晶体管的栅绝缘层的面积。
83.一具体实施例中，如图3所示，显示基板依次包括位于衬底基板01上的第一柔性衬底02、第一阻隔层03、第二柔性衬底04、第二阻隔层05、第一缓冲层06、第一栅绝缘层07、第二栅绝缘层08、第二缓冲层14和第三栅绝缘层15、第一栅金属层12、第二栅金属层13。其中，栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c的有源层11同层同材料设置，驱动薄膜晶体管b的有源层111与栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c的有源层11位于不同层。栅极驱动电路薄膜晶体管a的栅极采用第一栅金属层12，栅绝缘层采用第一栅绝缘层07；开关薄膜晶体管c采用双栅结构，栅极采用第一栅金属层12和第二栅金属层13，栅绝缘层采用第一栅绝缘层07和第二栅绝缘层08；驱动薄膜晶体管b的栅极采用第二栅金属层13，栅绝缘层采用第三栅绝缘层15，为了减小驱动薄膜晶体管b的i
on
，并增大驱动薄膜晶体管b的ss，第三栅绝缘层03做了增厚处理，第一栅绝缘层07和第二栅绝缘层08的厚度均为第三栅绝缘层03的厚度增大至通过分开制作驱动薄膜晶体管b与栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c，在不影响oxide stft(即开关薄膜晶体管)、goa tft(即栅极驱动电路薄膜晶体管)驱动能力的基础上，通过降低dtft(即驱动薄膜晶体管)i
on
和增大dtft ss来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
84.如图4所示，驱动薄膜晶体管b可以采用双栅结构，驱动薄膜晶体管b的栅极可以采用第二栅金属层13和第三栅金属层16，以第三栅金属层16为掩膜，可以对驱动薄膜晶体管b的有源层111进行doping，使有源层111导体化，为了减小oxide dtft的i
on
，不需要使dtft的有源层111完全导体化，即可以使用doping能量和剂量相对较小的工艺方法，通过增加有源层111的导通电阻来减小dtft的i
on
。而对于oxide stft和goa tft，需要使用能量和剂量相对较大的工艺方法，使有源层11完全导体化，来增大stft和goa tft的i
on
，增强驱动能力。通过oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成的方法，在不影响oxide stft、goa tft驱动能力的基础上，通过降低dtft i
on
和增大dtft ss来改善高迁移率oxide oled产品的显
示效果。
85.如图5所示，在有源层111远离衬底基板的一侧设置有第一子层间绝缘层17和第二子层间绝缘层18，第一子层间绝缘层17采用sio，第二子层间绝缘层18采用sin。通过调节sin中的h含量，可以调节oxide dtft的i
on
大小。第二子层间绝缘层18的厚度越大，则h含量越高，第二子层间绝缘层18逸出的h与有源层111中的氧结合，减小了有源层111的导通电阻，使得oxide dtft的i
on
越大；第二子层间绝缘层18的厚度越小，则h含量越低，增加了有源层111的导通电阻，使得oxide dtft的i
on
越小。通过oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成的方法，在不影响oxide stft、goa tft驱动能力的基础上，通过降低dtft i
on
来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
86.如图6所示，在形成层间绝缘层后，可以形成暴露出有源层111的过孔19，通过过孔19对有源层111进行退火处理，温度为300℃～400℃。之后，如图7所示，形成暴露出有源层11的过孔，并不做退火处理。这样可以通过退火工艺来增大oxide dtft的ss，退火处理时，由于oxide stft和oxide goa tft的过孔并未打开，所以oxide stft和oxide goa tft的ss不受影响。通过oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成的方法，在不影响oxide stft、goa tft驱动能力的基础上，通过增大dtft ss来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
87.如图8所示，驱动薄膜晶体管b、栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c的源极和漏极可以采用源漏金属层10制作。
88.如图9所示，由于oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成，为增大oxide stft和oxide goa tft的i
on
，可以在对第一栅金属层12进行刻蚀时，刻蚀第一栅绝缘层07，只保留第一栅金属层12正下方的第一栅绝缘层07，作为oxide stft和oxide goa tft的栅绝缘层，而oxide dtft的第三栅绝缘层15完全保留，这样可以降低oxide dtft的i
on
。
89.上述实施例中，oxide dtft的有源层111位于oxide stft和oxide goa tft的有源层11远离衬底基板的一侧。如图10所示，oxide dtft的有源层111还可以位于oxide stft和oxide goa tft的有源层11靠近衬底基板的一侧。其中，oxide dtft的栅绝缘层包括第一栅绝缘层07和第二栅绝缘层08，栅极采用第一栅金属层12和第二栅金属层13；oxide stft和oxide goa tft的栅绝缘层包括第三栅绝缘层15，栅极采用第三栅金属层16和第二栅金属层13。为了减小oxide dtft的i
on
，并增大oxide dtft的ss，需要对第一栅绝缘层07进行增厚处理，使得第一栅绝缘层07的厚度大于第三栅绝缘层15的厚度。
90.本实施例中，为了调整像素电路的存储电容的大小，满足设计的需要，存储电容的相对设置的两个极板可以选择以下几项中的两项：第一栅金属层12、第二栅金属层13、第三栅金属层16、导体化的有源层11、导体化的有源层111。其中，存储电容可以位于oxide dtft靠近衬底基板的一侧，也可以位于oxide dtft远离衬底基板的一侧。
91.本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
92.该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
93.所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
94.本发明的实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括位于衬底基板上的像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管，所述制作方法包括：
95.通过不同的构图工艺制作所述驱动薄膜晶体管的有源层和所述开关薄膜晶体管的有源层；和/或
96.通过不同的构图工艺制作所述驱动薄膜晶体管的有源层和所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层。
97.本发明实施例中，可以采用不同的构图工艺形成驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管和/或栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层，驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管和/或栅极驱动电路薄膜晶体管分开独立形成，可以使得驱动薄膜晶体管的特性与开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管的工艺制程和特性不受干扰，进而可以在不影响开关薄膜晶体管和栅极驱动电路薄膜晶体管的驱动能力的基础上，通过降低驱动薄膜晶体管的i
on
和增大驱动薄膜晶体管的ss来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
98.本实施例中，可以仅通过不同的构图工艺形成驱动薄膜晶体管b的有源层与所述开关薄膜晶体管c的有源层，或者，仅通过不同的构图工艺形成驱动薄膜晶体管b的有源层与所述栅极驱动电路薄膜晶体管a的有源层，或者，通过不同的构图工艺形成驱动薄膜晶体管b的有源层与所述开关薄膜晶体管c的有源层，并且，通过不同的构图工艺形成驱动薄膜晶体管b的有源层与所述栅极驱动电路薄膜晶体管a的有源层。
99.一些实施例中，所述制作方法还包括：
100.通过一次构图工艺形成所述开关薄膜晶体管的有源层和所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层。这样可以通过一次构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层与所述栅极驱动电路薄膜晶体管的有源层，能够简化显示基板的制程。
101.本实施例中，驱动薄膜晶体管b、开关薄膜晶体管c和栅极驱动电路薄膜晶体管a的有源层可以采用透明金属氧化物半导体。
102.一具体实施例中，如图3所示，制作显示基板时，依次在衬底基板01上形成第一柔性衬底02、第一阻隔层03、第二柔性衬底04、第二阻隔层05、第一缓冲层06、有源层11、第一栅绝缘层07、第一栅金属层12、第二栅绝缘层08、第二栅金属层13、第二缓冲层14和第三栅绝缘层15。其中，栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c的有源层11同层同材料设置，通过一次构图工艺形成，驱动薄膜晶体管b的有源层111与栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c的有源层11位于不同层，通过不同的构图工艺形成。栅极驱动电路薄膜晶体管a的栅极采用第一栅金属层12，栅绝缘层采用第一栅绝缘层07；开关薄膜晶体管c采用双栅结构，栅极采用第一栅金属层12和第二栅金属层13，栅绝缘层采用第一栅绝缘层07和第二栅绝缘层08；驱动薄膜晶体管b的栅极采用第二栅金属层13，栅绝缘层采用第三栅绝缘层15，为了减小驱动薄膜晶体管b的i
on
，并增大驱动薄膜晶体管b的ss，第三栅绝缘层03做了增厚处理，第一栅绝缘层07和第二栅绝缘层08的厚度均为第三栅绝缘层03的厚度增大至通过分开制作驱动薄膜晶体管b与栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c，在不影响oxide stft(即开关薄膜晶体管)、goa tft(即栅极驱动电
路薄膜晶体管)驱动能力的基础上，通过降低dtft(即驱动薄膜晶体管)i
on
和增大dtft ss来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
103.如图4所示，驱动薄膜晶体管b可以采用双栅结构，驱动薄膜晶体管b的栅极可以采用第二栅金属层13和第三栅金属层16，以第三栅金属层16为掩膜，可以对驱动薄膜晶体管b的有源层111进行doping，使有源层111导体化，为了减小oxide dtft的i
on
，不需要使dtft的有源层111完全导体化，即可以使用doping能量和剂量相对较小的工艺方法，通过增加有源层111的导通电阻来减小dtft的i
on
。而对于oxide stft和goa tft，需要使用能量和剂量相对较大的工艺方法，使有源层11完全导体化，来增大stft和goa tft的i
on
，增强驱动能力。通过oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成的方法，在不影响oxide stft、goa tft驱动能力的基础上，通过降低dtft i
on
和增大dtft ss来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
104.如图5所示，在有源层111远离衬底基板的一侧形成第一子层间绝缘层17和第二子层间绝缘层18，第一子层间绝缘层17采用sio，第二子层间绝缘层18采用sin。通过调节sin中的h含量，可以调节oxide dtft的i
on
大小。第二子层间绝缘层18的厚度越大，则h含量越高，第二子层间绝缘层18逸出的h与有源层111中的氧结合，减小了有源层111的导通电阻，使得oxide dtft的i
on
越大；第二子层间绝缘层18的厚度越小，则h含量越低，增加了有源层111的导通电阻，使得oxide dtft的i
on
越小。通过oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成的方法，在不影响oxide stft、goa tft驱动能力的基础上，通过降低dtft i
on
来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
105.如图6所示，在形成层间绝缘层后，可以形成暴露出有源层111的过孔19，通过过孔19对有源层111进行退火处理，温度为300℃～400℃。之后，如图7所示，形成暴露出有源层11的过孔，并不做退火处理。这样可以通过退火工艺来增大oxide dtft的ss，退火处理时，由于oxide stft和oxide goa tft的过孔并未打开，所以oxide stft和oxide goa tft的ss不受影响。通过oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成的方法，在不影响oxide stft、goa tft驱动能力的基础上，通过增大dtft ss来改善高迁移率oxide oled产品的显示效果。
106.如图8所示，采用源漏金属层10形成驱动薄膜晶体管b、栅极驱动电路薄膜晶体管a和开关薄膜晶体管c的源极和漏极。
107.如图9所示，由于oxide dtft与oxide stft、goa tft分开独立形成，为增大oxide stft和oxide goa tft的i
on
，可以在对第一栅金属层12进行刻蚀时，刻蚀第一栅绝缘层07，只保留第一栅金属层12正下方的第一栅绝缘层07，作为oxide stft和oxide goa tft的栅绝缘层，而oxide dtft的第三栅绝缘层15完全保留，这样可以降低oxide dtft的i
on
。
108.上述实施例中，oxide dtft的有源层111位于oxide stft和oxide goa tft的有源层11远离衬底基板的一侧。如图10所示，oxide dtft的有源层111还可以位于oxide stft和oxide goa tft的有源层11靠近衬底基板的一侧。其中，oxide dtft的栅绝缘层包括第一栅绝缘层07和第二栅绝缘层08，栅极采用第一栅金属层12和第二栅金属层13；oxide stft和oxide goa tft的栅绝缘层包括第三栅绝缘层15，栅极采用第三栅金属层16和第二栅金属层13。为了减小oxide dtft的i
on
，并增大oxide dtft的ss，需要对第一栅绝缘层07进行增厚处理，使得第一栅绝缘层07的厚度大于第三栅绝缘层15的厚度。
109.需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
110.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
111.可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
112.在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
113.以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。