一种磁吹结构及断路器的制作方法

1.本技术涉及低压电器技术领域，具体而言，涉及一种磁吹结构及断路器。


背景技术：

2.断路器中，触头系统的动触头和静触头分断时会产生电弧，电弧会对设备线路进行损坏，乃至还会影响人身安全，因此断路器需要灭弧，其做法是采用引弧板将电弧引入灭弧室内灭弧，因此灭弧能力的大小直接影响断路器的工作性能。现有断路器电弧转移的初始磁吹力较小，电场梯度大，电弧转移困难，影响了灭弧效果，进而影响断路器的正常工作。


技术实现要素：

3.本技术的目的在于提供一种磁吹结构及断路器，通过消弱直通极对电弧区域磁场的负影响，达到增强磁吹的效果，提高灭弧能力。
4.本技术的实施例是这样实现的：
5.本技术实施例的一方面提供一种磁吹结构，其包括位于触头系统和灭弧室下方的隔磁片，所述触头系统和所述灭弧室的下方还设置有直通极，所述隔磁片位于所述触头系统、所述灭弧室形成的电弧区域和所述直通极之间，以隔绝所述直通极在所述电弧区域产生的磁场。
6.可选地，所述隔磁片覆盖所述直通极位于电弧区域下方的区域，或者，所述隔磁片覆盖整个所述直通极。
7.可选地，还包括两个相对设置的第一增磁片，两个所述第一增磁片沿垂直于所述灭弧室的开口方向分别位于所述触头系统的两侧，以将所述触头系统夹设在两个所述第一增磁片之间。
8.可选地，两个所述第一增磁片靠近所述隔磁片的端部通过第二增磁片接触连接，以形成第一u形结构。
9.可选地，两个所述第一增磁片和所述第二增磁片一体设置。
10.可选地，所述触头系统的静引弧板靠近所述第二增磁片设置，所述静引弧板的一端伸出所述第一u形结构并向所述隔磁片延伸。
11.可选地，两个所述第一增磁片远离所述隔磁片的一端还设置有第三增磁片，通过所述第三增磁片覆盖所述第一u形结构的开口。
12.可选地，所述触头系统的动引弧板位于两个所述第一增磁片远离所述隔磁片的一端，所述动引弧板形成第二u形结构，所述第三增磁片位于所述第二u形结构内。
13.可选地，所述动引弧板上具有靠近所述灭弧室一端的引弧角，所述第三增磁片和所述引弧角接触。
14.本技术实施例的另一方面提供一种断路器，其包括上述的磁吹结构。
15.本技术实施例的有益效果包括：
16.本技术实施例提供的磁吹结构及断路器，包括隔磁片，隔磁片用于覆盖直通极，隔
磁片和直通极均位于触头系统和灭弧室的下方，隔磁片位于触头系统、灭弧室形成的电弧区域和直通极之间，通过隔磁片能隔绝直通极在电弧区域产生的磁场，这样一来，避免直通极磁场干扰电弧区域的磁场，进而影响电弧的转移；隔磁片的设置，消弱或消除了直通极对电弧区域磁场的负影响，达到了增强磁吹的效果，进而提高了灭弧能力，保证了断路器的正常工作。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
18.图1为本技术实施例提供的磁吹结构的结构示意图之一；
19.图2为本技术实施例提供的磁吹结构的结构示意图之二；
20.图3为本技术实施例提供的磁吹结构和灭弧室的配合示意图；
21.图4为本技术实施例提供的断路器的结构示意图。
22.图标:100-隔磁片；101-第一增磁片；102-第二增磁片；103-第三增磁片；200-直通极；201-动触头；202-静触头；203-动引弧板；203a-引弧角；204-静引弧板；205-灭弧室；205a-开口；206-接线端子；207-操作机构；208-触头系统；209-电磁脱扣器。
具体实施方式
23.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
24.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
25.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
26.现有断路器产品在分断的过程中产生的电弧易受直通极200磁场的干扰，且引弧板较短，增磁结构较简单，因此跑弧时会存在一些问题：一是电弧转移的初始磁吹力较小，电场梯度较大，电弧转移困难；二是断路器后端弧根磁吹较弱。
27.为解决上述问题，请参照图1，本技术实施例提供一种磁吹结构，包括位于触头系统208和灭弧室205下方的隔磁片100，触头系统208和灭弧室205的下方还设置有直通极200，隔磁片100位于触头系统208、灭弧室205形成的电弧区域和直通极200之间，隔磁片100至少部分覆盖直通极200，以隔绝直通极200在电弧区域产生的磁场，避免使磁场干扰电弧区域。
28.触头系统208和灭弧室205相邻设置，触头系统208中动触头201和静触头202分离
产生电弧，电弧转移进灭弧室205进行灭弧，因此和电弧相关的区域，包括动触头201和静触头202接触位置，以及灭弧室205内，形成了电弧区域。
29.直通极200位于断路器壳体的内底部、触头系统208和灭弧室205的下方，直通极200的一端连接断路器的一个接线端子206，直通极200的另一端向与该接线端子206相反的方向延伸，一般来说，直通极200的覆盖范围超过电弧区域的范围。
30.断路器导通后，直通极200通电产生环形磁场，直通极200的环形磁场会干扰电弧区域的磁场，进而影响触头系统208分断时电弧的转移，因此本技术通过隔磁片100覆盖直通极200，以隔绝直通极200产生的环形磁场，避免使该环形磁场穿过电弧区域而影响灭弧。
31.隔磁片100至少部分覆盖直通极200，隔磁片100也位于触头系统208和灭弧室205的下方；由前述可知，只要能隔绝直通极200磁场对电弧区域的影响，即可保证断路器正常工作。因此，隔磁片100只要覆盖直通极200位于触头系统208和灭弧室205下方的区域，就可满足上述隔绝直通极200对电弧区域影响的要求。示例地，如图1所示，隔磁片100的一端至灭弧室205、一端至动触头201与静触头202接触点的下方，此时隔磁片100并未完全覆盖直通极200。
32.在此基础上，为了扩大隔绝范围，进一步提高系统的稳定性，避免使直通极200的磁场还对其他构件造成干扰，可使隔磁片100覆盖整个直通极200。
33.综上，本技术实施例提供的磁吹结构，包括隔磁片100，隔磁片100用于覆盖直通极200，隔磁片100和直通极200均位于触头系统208和灭弧室205的下方，隔磁片100位于触头系统208、灭弧室205形成的电弧区域和直通极200之间，通过隔磁片100能隔绝直通极200在电弧区域产生的磁场，这样一来，避免直通极200磁场干扰电弧区域的磁场，进而影响电弧的转移；隔磁片100的设置，消弱或消除了直通极200对电弧区域磁场的负影响，达到了增强磁吹的效果，进而提高了灭弧能力，保证了断路器的正常工作。
34.在隔磁片100的基础上，磁吹结构还包括两个相对设置的第一增磁片101，两个第一增磁片101沿垂直于灭弧室205的开口205a方向分别位于触头系统208的两侧，以将触头系统208夹设在两个第一增磁片101之间。
35.两个第一增磁片101相对设置，相对设置后形成的空间区域用于夹设触头系统208的动触头201和静触头202，以尽量将动触头201和静触头202产生的电弧限制在两个第一增磁片101的空间区域内，这样一来，电弧在被引入灭弧室205时，第一增磁片101的设置可以增强磁吹，利于电弧引入灭弧室205，完成电弧的转移。
36.由于电弧是要被引入灭弧室205，因此两个第一增磁片101形成的空间区域要和灭弧室205连通，两个第一增磁片101沿垂直于灭弧室205的开口205a方向分别位于触头系统208的两侧。示例地，如图4所示，灭弧室205、动触头201、静触头202均沿断路器的长度方向设置，因此两个第一增磁片101沿断路器的厚度方向相对设置，这样动触头201和静触头202产生的电弧沿长度方向被引入灭弧室205内灭弧。
37.进一步地，如图2所示，磁吹结构还包括第二增磁片102，两个第一增磁片101靠近隔磁片100的端部通过第二增磁片102接触连接，以形成第一u形结构。
38.两个第一增磁片101靠近隔磁片100的端部通过第二增磁片102连接，形成第一u形结构，第二增磁片102分别和两个第一增磁片101的端部接触，这样才能形成u形磁路。动触头201、静触头202均位于第一u形结构内，第一u形结构形成半封闭的磁回路，增强了磁场强
度，有利于将电弧吸至后端的灭弧室205内。
39.此外，第二增磁片102可和两个第一增磁片101分别设置，通过连接的方式形成第一u形结构。还可以的情况是，两个第一增磁片101和第二增磁片102可一体设置，直接形成一整体结构，亦可达到增强磁吹的效果，并且一体设置时还能避免因连接处的误差而造成缝隙，影响磁场效果的情况。
40.其中，静触头202及静触头202下方的静引弧板204靠近第二增磁片102设置，静引弧板204的一端伸出第一u形结构并向隔磁片100延伸。
41.第二增磁片102和静引弧板204之间不接触、有间隙，静引弧板204的两端分别伸出第一u形结构外，且静引弧板204靠近灭弧室205的一端向隔磁片100延伸，与隔磁片100靠近但仍保持一定的间隙，静触头202位于第一u形结构区域内。
42.示例地，如图3所示，静引弧板204的一端靠近隔磁片100直至延伸至灭弧室205下方，也就是静引弧板204尽量延长，能够有效增强电弧转移到静引弧板204的初始磁会力，减小电场梯度，便于电弧转移。
43.再进一步地，磁吹结构还包括第三增磁片103，两个第一增磁片101远离隔磁片100的一端还设置有第三增磁片103，通过第三增磁片103覆盖第一u形结构的开口，通过第三增磁片103和第一u形结构形成“封闭”的磁回路。
44.而动触头201位于第一u形结构靠近开口的位置，动引弧板203位于两个第一增磁片101远离隔磁片100的一端，换言之，动引弧板203位于第一u形结构的开口上方，和第一u形结构的开口端不接触。
45.动引弧板203形成第二u形结构，且第二u形结构的开口和灭弧室205的开口205a方向相反，动引弧板203设置为第二u形结构，具有增磁的作用。动引弧板203上具有靠近灭弧室205一端的引弧角203a，动引弧板203具有引弧角203a的一端向灭弧室205延伸，第三增磁片103位于第二u形结构内，第三增磁片103和引弧角203a接触。
46.动引弧板203和第三增磁片103的设置方向一致，第三增磁片103位于第二u形结构内，动引弧板203具有引弧角203a的一端延伸靠近灭弧室205，与前述静引弧板204同理，能够有效增强电弧转移到动引弧板203的初始磁会力，减小电场梯度，便于电弧转移。
47.也就是说，在第一u形结构的开口端上方设置第三增磁片103，第三增磁片103、动引弧板203、第二增磁片102、静引弧板204、隔磁片100的设置方向基本一致，均沿断路器的长度方向设置。第三增磁片103覆盖第一u形结构的开口，与第一u形结构形成“封闭”的磁回路，其磁场更强，磁吹效果和引弧作用进一步增强。
48.并且，第三增磁片103和动引弧板203的引弧角203a接触，增强了引弧角203a的磁场，引弧效果相应增强。相应地，第三增磁片103向灭弧室205区域延伸，增强后端弧根磁吹。
49.请参照图4所示，本技术实施例还提供一种断路器，包括前述的磁吹结构。具体地，操作机构207、触头系统208、磁吹结构和灭弧室205依次设置，触头系统208有部分位于磁吹结构内，操作机构207的下方还设置电磁脱扣器209，断路器底部设置有直通极200，断路器的壳体上设置有接线端子206，接线端子206和直通极200的一端连接。
50.该断路器包含与前述实施例中的磁吹结构相同的结构和有益效果。磁吹结构的结构和有益效果已经在前述实施例中进行了详细描述，在此不再赘述。
51.以上仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人
员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。