基于相变或铁电忆阻器电子突触实现STDP模拟的方法及系统

基于相变或铁电忆阻器电子突触实现stdp模拟的方法及系统
技术领域
1.本发明属于硬件神经形态计算领域和类脑计算技术领域，特别涉及一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现stdp模拟的方法及系统。


背景技术：

2.现有的“冯
·
诺依曼”计算架构体系存在存储器性能与处理器速率严重失配的问题，在面对海量数据时数据传递滞后，研究新型具有高算力、低功耗的计算架构体系意义重大。
3.基于脉冲神经网络的神经形态计算是一种潜在的新型高效率的计算架构，其利用硬件忆阻器模拟生物神经突触单元，进而用集成的硬件crossbar结构来模拟生物神经网络，最终实现高效的信息处理模式；其中，突触可塑性模拟是忆阻器模拟生物神经突触的核心任务；当突触接受两个或多个信号时，脉冲时间依赖可塑性(spike-timing-dependent plasticity，stdp)用来描述突触前信号与突触后信号神经元细胞的相对时序与突触权重之间的关系，是生物神经系统进行自我学习、遗忘等信息处理的重要基础。
4.目前在硬件上，通常用两个脉冲信号分别模拟突触前信号和突触后信号，利用两个脉冲信号的电压叠加以及时序关系实现stdp的模拟；其中，突触前信号是脉冲幅度阶梯递增的脉冲序列；突触后信号是恒定脉冲方波。基于上述模拟方法，当改变前后两信号时序差即会引起前后两信号叠加后的脉冲电压幅值，从而调控相变忆阻器；然而，上述方案较为复杂且尚存在一些结束缺陷，主要包括：
5.(1)突触前信号子脉冲宽度即为调控相变忆阻器的脉冲宽度；因此，若调节实现stdp的脉宽则需要改变一系列子脉冲宽度，实现较为复杂；
6.(2)突出前信号信号序列的宽度决定了最终stdp的时间窗口；因此，若调节实现stdp的时间窗口，则需要改变一系列子脉冲宽度，实现较为困难；
7.(3)stdp数据呈散点特性，突触前信号包含的子脉冲数量决定最终能够获取的数据点数，不利于可靠stdp数据的获取。


技术实现要素：

8.本发明的目的在于提供一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现stdp模拟的方法及系统，以解决上述存在的一个或多个技术问题。本发明提供的方法中，具体公开了用于实现stdp的脉冲设计方法，实现较为简单且可实现可靠的stdp数据收集。
9.为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：
10.本发明的一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现stdp模拟的方法，其特征在于，包括以下步骤：
11.获取相变或铁电忆阻器的开关曲线；基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间；
12.获取突出前信号和突出后信号；其中，所述突出前信号由宽脉冲构成，所述突出后
信号由方波脉冲构成；所述突出前信号及所述突出后信号的电压幅度均不超过写入过程阈值电压及擦除过程阈值电压；所述突出前信号与所述突出后信号相互叠加后超过写入过程阈值电压或擦除过程阈值电压，且叠加后的电压幅值范围符合电导增大对应的外加电压区间以或电导降低对应的外加电压区间；
13.基于所述开关曲线，获取中间阻态；获取相变或铁电忆阻器置于所述中间阻态时的电导值g0；
14.基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值g0，实现stdp模拟。
15.本发明方法的进一步改进在于，所述获取相变或铁电忆阻器的开关曲线的步骤包括：
16.在相变或铁电忆阻器的两端施加线性增大的直流电压或者线性增大的脉冲电压，获得相变或铁电忆阻器的开关曲线。
17.本发明方法的进一步改进在于，所述基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间中，
18.在所述开关曲线中，电导开始连续增大的对应电压为写入过程阈值电压，电导开始连续降低的对应电压为擦除过程阈值电压。
19.本发明方法的进一步改进在于，所述基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值g0，实现stdp模拟的步骤包括：
20.将获取的突出前信号、突出后信号施加于相变或铁电忆阻器的两端，获取相变或铁电忆阻器经历1次突触激励后的电导值g1，突触权重变化量定义为(g
1-g0)/g0；逐次改变突出前信号和突出后信号之间的时间差δt，记录每次突触激励后的电导值gi，并得到(g
i-g0)/g0，i＝2，3
…
，n；n为经历的激励总次数；得到时间差δt与突触权重变化量的关系曲线，实现stdp模拟。
21.本发明方法的进一步改进在于，所述基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值g0，实现stdp模拟中：
22.对于赫布stdp及反赫布stdp的实现，突触前信号由一个或者两个梯形脉冲波形组成；突触后信号由两个电极性相反的方波组成；
23.对于对称反赫布stdp以及对称赫布stdp的实现，突触前信号由两个对称梯形脉冲或对称三角波脉冲波形组成；突触后信号由单个方波组成。
24.本发明方法的进一步改进在于，所述梯形脉冲波形的脉冲宽度为1ns至1s。
25.本发明方法的进一步改进在于，所述突触前信号的梯形脉冲波形的脉冲幅度是正电压脉冲或负电压脉冲，脉冲幅度小于开启忆阻器的最小阈值电压。
26.本发明方法的进一步改进在于，所述突触后信号的方波的脉冲宽度为1ns至100ms。
27.本发明方法的进一步改进在于，所述突触后信号的方波的脉冲幅度为正电压脉冲或负电压脉冲，脉冲幅度小于开启忆阻器的最小阈值电压。
28.本发明的一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现stdp模拟的系统，包括：
29.阈值电压及外加电压区间获取模块，用于获取相变或铁电忆阻器的开关曲线；基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间；
30.突出前信号和突出后信号获取模块，用于获取突出前信号和突出后信号；其中，所述突出前信号由宽脉冲构成，所述突出后信号由方波脉冲构成；所述突出前信号及所述突出后信号的电压幅度均不超过写入过程阈值电压及擦除过程阈值电压；所述突出前信号与所述突出后信号相互叠加后超过写入过程阈值电压或擦除过程阈值电压，且叠加后的电压幅值范围符合电导增大对应的外加电压区间以或电导降低对应的外加电压区间；
31.中间阻态时的电导值获取模块，用于基于所述开关曲线，获取中间阻态；获取相变或铁电忆阻器置于所述中间阻态时的电导值g0；
32.模拟数据获取模块，用于基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值g0，实现stdp模拟。
33.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
34.本发明提供的方法中，具体公开了用于实现stdp的脉冲设计方法，实现较为简单且可实现可靠的stdp数据收集。具体的，本发明提供的实现stdp的脉冲设计方法中，(1)突触前信号仅由宽脉冲构成，脉冲的宽度即是最终stdp的时间窗口，改变时间窗口仅需调节宽脉冲的脉冲宽度，可避免上述现有技术方案中子脉冲对stdp实现的限制，设计上大大简化；(2)突触后信号由简单方波脉冲构成，正负极性直接决定最终实现突触增强还是突触抑制；方波脉冲的宽度即是实现stdp的脉宽，若要调控实现stdp的脉宽只需要改变突触后信号的方波脉冲宽度，简单有效；(3)突触前信号不决定最终stdp数据的收集，改变突触后信号的宽度、前后两突触信号的时差，可以实现可靠的stdp数据收集。综上所述，本发明公开的基于忆阻器电子突触实现stdp的脉冲设计方法，对电子突触设计以及硬件神经形态的计算的发展具有重大实践意义。
35.本发明提供的方法，可用于实现赫布stdp、反赫布stdp、对称反赫布stdp以及对称赫布stdp四种形式。具体的，对于赫布stdp及反赫布stdp的实现，突触前信号由一个或者两个梯形脉冲波形组成，可以是正电压脉冲或者是负电压脉冲；突触后信号也可以由两个电极性相反的方波组成，脉冲正负极性起到选择性地实现突触增强或突触抑制的功能；对于对称反赫布stdp以及对称赫布stdp的实现，突触前信号由两个对称梯形脉冲、对称三角波脉冲波形组成；突触后信号可以由单个方波组成，起到选择性地实现突触增强或突触抑制的功能。
附图说明
36.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单的介绍；显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
37.图1为本发明实施例提供的一种基于忆阻器电子突触实现stdp的脉冲设计方法的流程示意图；
38.图2为生物突触的结构示意图；
39.图3为本发明实施例提供的一种基于相变存储器电子突触的结构示意图；
40.图4为本发明实施例提供的实现赫布stdp的脉冲示意图；
41.图5为本发明实施例提供的实现反赫布stdp的脉冲示意图；
42.图6为本发明实施例提供的实现对称反赫布stdp的脉冲示意图；
43.图7为本发明实施例提供的实现对称赫布stdp的脉冲示意图；
44.图8为本发明实施案例1中基于渐变型相变存储器电子突触的电阻-电压曲线示意图；
45.图9为本发明实施案例1中基于渐变型相变存储器电子突触实现的stdp结果示意图；
46.图10为本发明实施案例1中实现的时间窗口可调的赫布stdp结果示意图；
47.图11为本发明实施案例2中基于突变型相变存储器电子突触的电阻-电压曲线示意图；
48.图12为本发明实施案例2中基于突变型相变存储器电子突触实现的stdp结果示意图；
49.图13为本发明实施案例3中基于铁电隧穿结电子突触的电阻-电压曲线示意图；
50.图14为本发明实施案例3中基于铁电隧穿结电子突触实现stdp的脉冲示意图；
51.图15为本发明实施案例3中基于铁电隧穿结电子突触实现的stdp结果示意图；
52.图中，1、突触前膜；2、突触间隙；3、突触后膜；4、上电极；5、相变层；6、底电极。
具体实施方式
53.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
54.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
55.下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
56.请参阅图1，本发明实施例的一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现脉冲时间依赖可塑性的方法，所述方法在实施过程中具体包括以下几个步骤：
57.步骤s1：通过在忆阻器两端施加线性增大的直流电压或者线性增大的脉冲电压，获得忆阻器的开关曲线；基于开关曲线获得忆阻器在写入过程和擦除过程中的阈值电压；优选地，在忆阻器的开关曲线中，电导开始连续增大的对应电压为写入过程阈值电压，电导开始连续降低的对应电压为擦除过程阈值电压；优选地，在忆阻器的开关曲线中，获得电导增大对应的外加电压区间和电导降低对应的外加电压区间；
58.步骤s2：设计突出前信号和突出后信号；具体的，突出前信号或者突出后信号的电压幅度均不超过步骤s1中确定的阈值电压，不对忆阻器起作用；只有当突触前、突触前后两
脉冲相互叠加后超过阈值电压，进而作用于忆阻器；进一步的，随着突触前、突触后两脉冲的相对时序，叠加后的电压幅值范围符合步骤s1中获得的器件电导增大以及电导降低两个区域对应的外加电压区间。突触前信号仅由宽脉冲构成，突触后信号由简单方波脉冲构成。
59.步骤s3：根据s1获得的忆阻器的开关曲线，寻找中间阻态，通过脉冲电压将忆阻器置于中间阻态，即为初始态，并记录相应的电导值g0；
60.步骤s4：将s2设计的突触前信号与突触后信号施加于忆阻器两端，同时监测忆阻器经历1次突触激励后的电导值g1，则突触权重变化量定义为(g
1-g0)/g0。逐次改变突触前信号和突触后信号之间的时间差(δt)，记录每次突触激励后的电导值gi，并得到(g
i-g0)/g0，i＝1，2，3
…
n。可以得到时间差(δt)与突触权重变化量的关系曲线，即为模拟的stdp数据。
61.本发明实施例解释性的，忆阻器电子突触是指电阻随外界施加电压增大呈现非线性变化分布的新型电子元器件，包括相变存储器(pcram)、铁电存储器或铁电隧穿结(feram、ftj)；其原理是外加电脉冲设计引起忆阻器电导变化，进而用器件的电导等效模拟生物神经突触权重。示例性的如图2所示，生物突触包括突触前膜1、突触间隙2和突触后膜3。
62.忆阻器的器件结构可以是金属电极-介质功能层-金属电极(mim)结构；金属电极可以是单层、两层及多层结构；介质功能层可以是单层、两层及多层结构；金属电极厚度可以是1nm至5μm，其形状可以是矩形、圆形、三角形等任意几何图形；介质功能层厚度可以是1nm至1μm。
63.相变存储器是指依赖电致热变效应而形成的结晶态/非晶态切换机制主导的开关器件，器件在结晶态和非晶态下，分别呈现高电导态和低电导态；其关键材料由锗(ge)、锑(sb)、碲(te)、镓(ga)、钌(ru)、钛(ti)、钪(sc)等金属合金构成。
64.铁电存储器及铁电隧穿结是指依赖电致铁电极化效应而形成以铁电畴翻转主导的开关器件，器件在铁电畴方向指向上电极和底电极的情况下，分别呈低电导态和高电导态；其关键材料由钛(ti)、镐(zr)、磷(p)、铅(pb)、铁(fe)、钌(ru)、锶(sr)等元素的含氧酸盐以及铪(hf)、锌(zn)、铁(fe)、铝(al)等元素的金属氧化物构成。所述金属电极的材料可以由铝(al)、钛(ti)、金(au)、铜(cu)、银(ag)、铂(pt)、钨(w)、镧(la)、锶(sr)、锰(mn)、钌(ru)等金属及其化合物、氧化物以及高掺杂硅(si)、锗(ge)等高掺杂半导体材料构成。
65.所述stdp是指应用于硬件神经形态计算技术领域的脉冲时间依赖可塑性，其核心是突触前信号与突触后信号之间的时序差与突触权重的关系，包括赫布stdp、反赫布stdp、对称反赫布stdp以及对称赫布stdp四种形式；实现时包括：
66.一对相互作用的脉冲，包含突触前信号和突触后信号；开始时，突触前信号与突触后信号的脉冲幅度均小于忆阻器阈值电压，不模拟突触；当突触前信号与突触后信号同时信号器件时，叠加后的脉冲幅度高于忆阻器阈值电压，模拟突触。
67.对于赫布stdp，当突触前信号先于突触后信号抵达忆阻器时，器件电导增大，模拟突触增强；反之，当突触后信号先于突触前信号抵达忆阻器时，器件电导降低，模拟突触抑制。
68.对于反赫布stdp，当突触前信号先于突触后信号抵达忆阻器时，器件电导降低，模拟突触抑制；反之，当突触后信号先于突触前信号抵达忆阻器时，器件电导增大，模拟突触
增强。
69.对于对称反赫布stdp，当突触前信号与突触后信号同时抵达忆阻器时，器件电导降低幅度最大，模拟最强突触抑制；随着突触前信号与突触后信号之间时序的绝对值增大，忆阻器电导降低的幅度越小，模拟突触抑制的程度越弱。
70.对于对称赫布stdp，当突触前信号与突触后信号同时抵达忆阻器时，器件电导增强的幅度最大，模拟最强的突触增强；随着突触前信号与突触后信号之间时序的绝对值增大，忆阻器电导增加的的幅度越小，模拟突触增强的程度越弱。
71.本发明实施例的方法中，对于赫布stdp及反赫布stdp的实现，突触前信号由一个或者两个梯形脉冲波形组成，可以是正电压脉冲或者是负电压脉冲；突触后信号可以与突出前信号一致，突触后信号也可以由两个电极性相反的方波组成，起到选择性地实现突触增强或突触抑制的功能。
72.本发明实施例的方法中，对于对称反赫布stdp以及对称赫布stdp的实现，突触前信号由两个对称梯形脉冲或对称三角波脉冲波形组成；突触后信号由单个方波组成，起到选择性地实现突触增强或突触抑制的功能。
73.本发明实施例中的梯形脉冲波形，其脉冲宽度可以是1ns至1s，两个梯形脉冲波的宽度可以相等或不相等；所述突触前信号的梯形脉冲波形，其脉冲幅度可以是正电压脉冲也可以是负电压脉冲，其脉冲幅度小于开启器件的最小阈值电压；所述突触后信号的方波，其脉冲宽度可以是1ns至100ms，最终取决于忆阻器工作脉宽；所述突触后信号的方波，其脉冲幅度可以是正电压脉冲也可以是负电压脉冲，其脉冲幅度小于开启器件的最小阈值电压。
74.综上所述，本发明实施例公开了一种基于忆阻器电子突触实现脉冲时间依赖可塑性(stdp)的脉冲设计方法，属于硬件神经形态计算领域和类脑计算领域；该方法是通过硬件忆阻器对生物学中赫布学习法则的模拟，包括赫布stdp、反赫布stdp、对称反赫布stdp以及对称赫布stdp四种形式；该方法是一种能够广泛应用于多种忆阻器电子突触实现stdp的脉冲设计方法。本发明方法的有效增益是相比于已公开的方法，脉冲形式更加简单、易于调节，更具通用性和实用性，有助于推动基于忆阻器神经形态计算技术的发展。
75.下面具体通过几个实施例来验证本发明上述技术方案的可行性。
76.实施例1
77.请参阅图3至图10，本发明实施例提供的一种渐变型相变存储器，其器件结构如图3所示，由下电极6、相变层5和上电极4组成；其相变层厚度为1nm至1μm，进一步优选为300nm；图8为基于渐变型相变存储器电子突触的电阻-电压曲线图。
78.采用图4提供的实现赫布stdp的脉冲示意图，设|a1|＝|a1′
|＝0.6v，|b1|＝|b1′
|＝1.2v，u1＝u1′
＝40μs，w
d1
＝w
p1
＝100ns，|h
d1
|＝2v，|h
p1
|＝1v。当前突触脉冲在时序上先于后突触脉冲时(δt》0)，叠加脉冲超过突触增强最小阈值，实现突触增强；反之，δt《0，叠加脉冲超过突触抑制最小阈值，实现突触抑制。随着|δt|的增大，突触权重的增大/减小的变化程度越来越小，最终实现了赫布stdp，如图9所示。
79.采用图5提供的实现反赫布stdp的脉冲示意图，设|a2|＝|a2′
|＝0.6v，|b2|＝|b2′
|＝1.2v，u2＝u2′
＝40μs，w
d2
＝w
p2
＝100ns，|h
d2
|＝2v，|h
p2
|＝1v，当δt》0，实现突触抑制；反之，δt《0，实现突触增强。随着|δt|的增大，突触权重的增大/减小的变化程度越来越
小，最终实现了反赫布stdp，如图9所示。
80.采用图6提供的实现对称反赫stdp的脉冲示意图，设|a3|＝|a3′
|＝0.6v，|b3|＝1.2v，u3＝u3′
＝40μs，w
p3
＝100ns，|h
p3
|＝2v，当δt》0或δt《0时，突触权重均呈现减小趋势，实现突触全抑制。随着|δt|的增大，突触权重减小的变化程度越来越小，最终实现了对称反赫布stdp，如图9所示。
81.采用图7提供的实现对称赫布stdp的脉冲示意图，设|a4|＝|a4′
|＝0.6v，|b4|＝1.2v，u4＝u4′
＝40μs，w
p4
＝100ns，|h
p4
|＝1v，当δt》0或δt《0时，突触权重均呈现增大趋势，实现突触全增强。随着|δt|的增大，突触权重增大的变化程度越来越小，最终实现了对称赫布stdp，如图9所示。
82.采用图4提供的实现赫布stdp的脉冲示意图，设|a1|＝|a1′
|＝0.6v，|b1|＝|b1′
|＝1.2v，w
d1
＝w
p1
＝100ns，|h
d1
|＝2v，|h
p1
|＝1v，改变u1大小分别为，20μs、40μs及60μs，最终实现了时间窗口可调的赫布stdp，如图10所示。
83.实施例2
84.本发明实施例提供的一种突变型相变存储器，其器件结构如图3所示，由下电极6、相变层5和上电极4组成。其相变层厚度为1nm至1μm，进一步优选为200nm，图11为基于突变型相变存储器电子突触的电阻-电压曲线图。
85.采用图4提供的实现赫布stdp的脉冲示意图，设|a1|＝|a1′
|＝0.6v，|b1|＝|b1′
|＝0.9v，u1＝u1′
＝40μs，w
d1
＝100ns，w
p1
＝3μs，|h
d1
|＝2.1v，|h
p1
|＝0.3v，最终实现了赫布stdp，如图12所示。
86.采用图5提供的实现反赫布stdp的脉冲示意图，设|a2|＝|a2′
|＝0.6v，|b2|＝|b2′
|＝0.9v，u2＝u2′
＝40μs，w
d2
＝100ns，w
p2
＝3μs，|h
d2
|＝2.1v，|h
p1
|＝0.3v，最终实现了反赫布stdp，如图12所示。
87.采用图6提供的实现对称反赫布stdp的脉冲示意图，设|a3|＝|a3′
|＝0v，|b3|＝0.8v，u3＝u3′
＝40μs，w
p3
＝100ns，|h
p3
|＝2.6v，最终实现了反赫布stdp，如图12所示。
88.实施例3
89.本发明实施例提供的一种铁电隧穿结电子突触，其器件为金属—介质—金属结构。图13为本发明所提供的铁电隧穿结电子突触的电阻-电压曲线图。
90.采用本发明实施例所提供的设计方法，所述突出前信号与突出后信号一致，将赫布stdp脉冲进一步优化为一个正方波脉冲与一个梯形脉冲波，如图14所示，最终实现了赫布stdp，如图15所示)；将反赫布stdp脉冲进一步优化为一个负方波脉冲与一个三角脉冲波，如图14所示，最终实现了反赫布stdp，如图15所示。将对称反赫布stdp的设计方法进一步优化为：由一个正三角波突出前信号和一个负方波突出后信号构成，如图14，最终实现了对称反赫布stdp，如图15所示。将对称赫布stdp的设计方法进一步优化为：由一对负梯形突出前信号和一个正方波突出后信号构成，如图14所示，最终实现了反赫布stdp，如图15所示。
91.基于上述实施例1至实施例3，本发明提供的实现stdp的方法中，能够适用于相变忆阻器或铁电忆阻器电子突触。较宽的突触前脉冲信号具有很好的可调节性，通过改变突触前脉冲信号的宽度轻易实现可调节时间窗口的stdp；突触后脉冲信号仅由简单方波脉冲构成，只需要改变方波脉冲宽度即可调控实现stdp的脉宽，简单有效；最终stdp离散点数据
的收集也仅仅通过改变突触后脉冲信号的宽度、前后两突触信号的时差就可实现。综上所述，本发明公开的基于电子突触实现stdp的脉冲设计方法，相较现有技术方案，更易于实施，独具创造性。
92.最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求保护范围之内。