高维持电压低触发电压的硅控整流器结构的制作方法

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种高维持电压低触发电压的硅控整流器结构。


背景技术：

2.随着集成电路的发展，工作电压越来越低，片上esd(低电容静电)防护的能力越来越难以满足需求，并且闩锁风险也逐渐提高。制成工艺的不断缩小，晶体管的栅氧化层厚度也越来越薄，栅氧化击穿电压及工作电压都不断降低。此外，芯片工作电压下降的速率相比于晶体管栅氧化层击穿电压和源漏击穿电压的下降速率要低。因此，在进行esd设计时，必须考虑10％的安全余量，导致了esd设计窗口越变越窄，可选择的esd方案极为有限。硅控整流器(scr)是单位面积下鲁棒性最高的esd保护器件，可以看作为亮哥寄生晶体管pnp和npn构成的正反馈环路。其iv(电流电压)特性呈现很明显的回滞特性，维持电压往往很低，极容易导致闩锁效应。
3.ggnmos(接地nmos管)利用n离子注入区与p阱的结击穿电压触发，具有相对较低的触发电压，而有研究表明，将ggnmos嵌入到scr中可以有效地降低触发电压，并将此种新结构命名为低触发电压硅控整流器(lvtscr)。ggnmos加速了lvtscr的触发过程，但scr的强回滞性导致lvtscr的维持电压依旧很低，面临着较高的闩锁风险。因此，通过在n阱和p阱结接触处引入一个n型或者p型的跨接区域，形成的调控横向硅控整流器(mlscr，modified lateral silicon controlled rectifier)也可以降低scr的触发电压。此外，mlscr中的跨接区域提供了一个esd分流路径，可以减少体内寄生scr路径的esd电流，从而提高了mlscr的维持电压，但mlscr的触发电压在低压工作下可能高于栅氧的击穿电压，仍不足以保护内部电路防止失效。
4.为解决上述问题，需要一种新型的高维持电压低触发电压的硅控整流器结构。


技术实现要素：

5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种高维持电压低触发电压的硅控整流器结构，用于解决现有技术中硅控整流器其电流电压特性呈现很明显的回滞特性，维持电压往往很低，极容易导致闩锁效应的问题。
6.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种高维持电压低触发电压的硅控整流器结构，包括：
7.p型衬底,所述p型衬底上形成有相邻的n阱和p阱；
8.所述n阱上设有依次间隔的第一浅沟槽隔离、第二浅沟槽隔离和第三浅沟槽隔离，所述第一浅沟槽隔离和所述第二浅沟槽隔离间设有第一n型离子注入层，所述第三浅沟槽隔离远离所述第一p型离子注入层的一侧设有部分横跨所述n阱与所述p阱交界处的第二p型离子注入层；
9.所述第一n型离子注入层和所述第一p型离子注入层上设有连接两者的第一连接
结构，用于引出阳极；
10.所述p型衬底上设有间隔的第四浅沟槽隔离和第五浅沟槽隔离，所述第四浅沟槽隔离和所述第五浅沟槽隔离间设有第三p型离子注入层，所述n阱上还设有栅极，所述栅极的一侧设有部分横跨所述n阱和所述p阱的第二n型离子注入层，所述第二n型离子注入层与所述第二p型离子注入层间设有第六浅沟槽隔离，所述栅极和所述第四浅沟槽隔离间设有第三n型离子注入层；
11.所述栅极、所述第三n型离子注入层和所述第三n型离子注入层上设有用于连接三者的第二连接结构，用于引出阴极。
12.优选地，所述p型衬底为硅衬底。
13.优选地，所述第二p型离子注入层和所述第二n型离子注入层位于所述n阱、所述p阱上的面积相等。
14.优选地，所述第二p型离子注入层和所述第二n型离子注入层互为相对称的l形结构。
15.优选地，所述n阱中掺杂的离子为硼离子。
16.优选地，所述p阱中掺杂的离子为磷离子。
17.优选地，所述第一n型离子注入层、所述第二n型离子注入层和所述第三n型离子注入层中掺杂的离子均为砷离子。
18.优选地，所述第一p型离子注入层、所述第二p型离子注入层、所述第三p型离子注入层中掺杂的离子均为硼离子。
19.优选地，所述栅极的材料为掺杂后的多晶硅。
20.如上所述，本发明的高维持电压低触发电压的硅控整流器结构，具有以下有益效果：
21.本发明通过将低触发电压硅控整流器中嵌入的接地nmos管漏极及横跨区域平均分割，等效于在低触发电压硅控整流器中嵌入了一个横向硅控整流器来增加维持电压；本发明的硅控整流器结构具有低触发电压及高维持电压；本发明的硅控整流器结构，通过改变不同n型离子和p型离子掺杂的尺寸，可以有效快速的达到所需要的低电容静电保护范围，同时降低抗闩锁能力。
附图说明
22.图1显示为本发明的硅控整流器立体结构示意图；
23.图2显示为本发明的硅控整流器结构寄生电路示意图；
24.图3显示为本发明的硅控整流器结构a面剖视图及低电容静电电流路径示意图；
25.图4显示为本发明的硅控整流器结构b面剖视图及低电容静电电流路径示意图。
26.附图标记：
27.p型衬底-01
28.n阱-02
29.p阱-03
30.第一浅沟槽隔离-04
31.第二浅沟槽隔离-05
32.第三浅沟槽隔离-06
33.第四浅沟槽隔离-07
34.第五浅沟槽隔离-08
35.第一n型离子注入层-09
36.第一p型离子注入层-10
37.第二p型离子注入层-11
38.第二n型离子注入层-12
39.栅极-13
40.第三n型离子注入层-14
41.第三p型离子注入层-15
42.第一连接结构-16
43.第二连接结构-17
44.第六浅沟槽隔离-18
具体实施方式
45.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
46.请参阅图1，本发明提供一种高维持电压低触发电压的硅控整流器结构，包括：
47.p型衬底01,p型衬底01上形成有相邻的n阱02和p阱03；
48.n阱02上设有依次间隔的第一浅沟槽隔离04、第二浅沟槽隔离05和第三浅沟槽隔离06，第一浅沟槽隔离04用于将该器件单元的n阱02与衬底上的其余区域隔开，第一浅沟槽隔离04和第二浅沟槽隔离05间设有第一n型离子注入层09，浅沟槽隔离通常情况为绝缘材料，例如二氧化硅，第三浅沟槽隔离06远离第一p型离子注入层10的一侧设有部分横跨n阱02和p阱03交界处的第二p型离子注入层11；
49.在本发明的实施例中，p型衬底01为硅衬底，可在硅衬底上首先通过离子注入形成n阱02和p阱03，之后通过光刻和刻蚀在衬底上形成用于形成浅沟槽隔离(sti)的凹槽，之后在凹槽中通过淀积绝缘材料、研磨形成浅沟槽隔离结构。
50.第一n型离子注入层09和第一p型离子注入层10上设有连接两者的第一连接结构16，用于引出阳极；
51.在本发明的实施例中，前段工序完成器件制作后,通过后段工序进行器件之间的互连，用以形成第一连接结构。具体地，可在离子注入完成后的器件上通过化学气相淀积一层层间介质层，层间介质层的材料可采用二氧化硅，之后刻蚀层间介质层形成与第一n型离子注入层09和第一p型离子注入层10相通的接触孔，之后在接触孔中填充导电材料，填充材料采用钨(w),互连采用al。
52.p型衬底01上设有间隔的第四浅沟槽隔离07和第五浅沟槽隔离08，第四浅沟槽隔离07和第五浅沟槽隔离08间设有第三p型离子注入层15，n阱02上还设有栅极13，栅极13的一侧设有部分横跨n阱02和p阱03的第二n型离子注入层12，第二n型离子注入层12与第二p
型离子注入层11间设有第六浅沟槽隔离18，栅极13和第四浅沟槽隔离07间设有第三n型离子注入层14；
53.在本发明的实施例中，第二p型离子注入层11和第二n型离子注入层12位于n阱02、p阱03上的面积相等。
54.在本发明的实施例中，第二p型离子注入层11和第二n型离子注入层12互为相对称的l形结构。
55.栅极13、第三n型离子注入层14和第三p型离子注入层15上设有用于连接三者的第二连接结构17，用于引出阴极。
56.在本发明的实施例中，前段工序完成器件制作后,通过后段工序进行器件之间的互连，用以形成第二连接结构17。具体地，可在离子注入完成后的器件上通过化学气相淀积一层层间介质层，层间介质层的材料可采用二氧化硅，之后刻蚀层间介质层形成与栅极13、第三n型离子注入层14和第三p型离子注入层15相通的接触孔，之后在接触孔中填充导电材料，填充材料采用钨(w),互连采用al。
57.请参阅图2，图2为本发明图1的硅控整流器结构寄生电路图。
58.请参阅图3，图3为硅控整流器结构a面的剖视图，其显示了该处类似于调控横向硅控整流器的低电容静电(esd)电流路径。
59.请参阅图4，图4为硅控整流器结构a面的剖视图，其显示了该处类似于低触发电压硅控整流器的低电容静电(esd)电流路径。
60.也就是说，本发明的实施例中，在scr结构中引入ggnmos，设计出lvtscr；在scr基础上，引入横跨n阱和p阱的p型或者n型区；结合lvtscr和mlscr结构，将lvtscr中嵌入的ggnmos漏极及横跨区域平均分割，设计出scr新结构。
61.在本发明的实施例中，栅极的材料为掺杂后的多晶硅。
62.在本发明的实施例中，n阱02中掺杂的离子为硼离子。
63.在本发明的实施例中，p阱03中掺杂的离子为磷离子。
64.在本发明的实施例中，第一n型离子注入层09、第二n型离子注入层12和第三n型离子注入层14中掺杂的离子均为砷离子。
65.在本发明的实施例中，第一p型离子注入层10、第二p型离子注入层11、第三p型离子注入层15中掺杂的离子均为硼离子。
66.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
67.综上所述，本发明通过将低触发电压硅控整流器中嵌入的接地nmos管漏极及横跨区域平均分割，等效于在低触发电压硅控整流器中嵌入了一个横向硅控整流器来增加维持电压；本发明的硅控整流器结构具有低触发电压及高维持电压；本发明的硅控整流器结构，通过改变不同n型离子和p型离子掺杂的尺寸，可以有效快速的达到所需要的低电容静电保护范围，同时降低抗闩锁能力。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
68.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟
悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。