半导体结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一阻焊层；走线层，位于所述第一阻焊层上；第二阻焊层，位于所述走线层上，所述第二阻焊层具有延伸至所述走线层的第二焊接孔，所述第二焊接孔的侧壁包括凸起部和凹陷部，所述凸起部和所述凹陷部围绕所述第二焊接孔设置，且在所述第二焊接孔的延伸方向上邻接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部和所述凹陷部均为环形结构，所述凸起部和所述凹陷部在所述第二焊接孔的延伸方向上交替层叠。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二焊接孔的侧壁包括一个所述凸起部和一个所述凹陷部，且所述凹陷部位于所述凸起部和所述走线层之间。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部在所述第二焊接孔的延伸方向上的长度为10μm～15μm，所述凹陷部在所述第二焊接孔的延伸方向上的长度为10μm～15μm。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部和所述凹陷部均为螺旋形结构，所述凸起部和所述凹陷部在所述第二焊接孔的延伸方向上交替出现。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部和所述凹陷部的直径差为10μm～20μm。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二阻焊层的厚度为20μm～25μm。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻焊层具有延伸至所述走线层的第一焊接孔，所述第一焊接孔为多个，多个所述第一焊接孔彼此间隔设置。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：焊接元件，一端设有填充于所述第二焊接孔的焊料。10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括依次层叠的第一阻焊层、走线层和第二阻焊层；于所述第二阻焊层内形成延伸至所述走线层的第二焊接孔，所述第二焊接孔的侧壁包括凸起部和凹陷部，所述凸起部和所述凹陷部围绕所述第二焊接孔设置，且在所述第二焊接孔的延伸方向上邻接。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述凸起部和所述凹陷部均为螺旋形结构，所述凸起部和所述凹陷部在所述第二焊接孔的延伸方向上交替出现。12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，于所述第二阻焊层内形成延伸至所述走线层的第二焊接孔，包括：采用钻孔工具于所述第二阻焊层内形成所述第二焊接孔。13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述凸起部和所述凹陷部均为环形结构，所述凸起部和所述凹陷部在所述第二焊接孔的延伸方向上交替层叠。14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第二阻焊层包括子阻焊层和干膜层，于所述第二阻焊层内形成延伸至所述走线层的第二焊接孔，包括：采用光刻工艺于所述子阻焊层内形成延伸至所述走线层的第一通孔；将干膜层粘附于所述子阻焊层上，所述干膜层的材料与所述子阻焊层的材料相同；
采用光刻工艺于所述干膜层内形成与所述第一通孔连通的第二通孔，所述第二通孔的开口直径小于所述第一通孔的开口直径，所述第一通孔和所述第二通孔形成所述第二焊接孔。15.根据权利要求10至14中任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：提供一端设有焊料的焊接元件；将所述焊接元件设有焊料的一端置于所述第二焊接孔内进行回流焊，以使所述焊接元件一端的焊料填满所述第二焊接孔。

技术总结
本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：第一阻焊层；走线层，位于所述第一阻焊层上；第二阻焊层，位于所述走线层上，所述第二阻焊层具有延伸至所述走线层的第二焊接孔，所述第二焊接孔的侧壁包括凸起部和凹陷部，所述凸起部和所述凹陷部围绕所述第二焊接孔设置，且在所述第二焊接孔的延伸方向上邻接。本公开可以解决柱状凸块底部裂开或者连成一体的问题。以解决柱状凸块底部裂开或者连成一体的问题。以解决柱状凸块底部裂开或者连成一体的问题。


技术研发人员：唐燕菲
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.06.15
技术公布日：2022/9/13