一种测试结构的制作方法

技术特征：
1.一种测试结构，其特征在于，包括第n-1金属层、第n金属层、第n 1金属层、第一焊盘至第四焊盘，所述第n-1金属层、第n金属层和第n 1金属层由下至上依次间隔堆叠设置，且两两之间设置有电介质层，所述第n金属层包括多个平行且间隔设置的第一金属线，所述第一焊盘和第二焊盘分别连接在所有所述第一金属线的两端，所述第n-1金属层和第n金属层通过金属通孔 连接，第三焊盘连接所述第n-1金属层，所述第四焊盘连接所述第n 1金属层，其中，n≥2，且为正整数；在所述第一焊盘和第二焊盘上施加电流以在所述第一金属线上进行em测试；在所述第二焊盘和第四焊盘上施加电压，或者在所述第二焊盘和第三焊盘上施加电压以进行tddb测试。2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所有所述第一金属线的形状相同，尺寸相同。3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第n金属层还包括第一并联端部和第二并联端部，所述第一并联端部的一端和所述第二并联端部的一端分别连接所有所述第一金属线的两端，所述第一并联端部的另一端连接所述第一焊盘，所述第二并联端部的另一端连接所述第二焊盘。4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述第n金属层还包括多个平行、两端对齐且间隔设置的第二金属线，所述第一金属线和第二金属线之间平行设置，且每个所述第一金属线的两侧均设置有一个所述第二金属线，所有所述第一金属线与相邻的所述第二金属线之间等间距设置。5.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述第一并联端部和第二并联端部是两个相同的结构，所述第一并联端部和第二并联端部对称连接在所有所述第一金属线的两侧。6.如权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第一并联端部和第二并联端部均包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分包括多个平行、两端对齐且间隔设置的引出部，所述引出部的延伸方向与所述第一金属线的延伸方向相同，且所述引出部的一端连接所述第一金属线，所述引出部的另一端连接在所述第二部分的一侧，所述第二部分的另一侧连接所述第三部分的一端，所述第一并联端部的第三部分的另一端连接所述第一焊盘，所述第二并联端部的第三部分的另一端连接所述第二焊盘。7.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第n-1金属层包括连接部和连线部，所述连接部设置在所述连线部的一侧，且所述连线部位于所述第一金属线和所述第n金属层的第二金属线下方，还位于所述第n 1金属层的正下方，所述连接部位于第一并联端部下方，且所述第二金属线在所述第n-1金属层上的投影与所述连接部具有重叠区域，且在所述重叠区域，所述连接部与第二金属线通过所述金属通孔连接，所述连接部还连接所述第三焊盘。8.如权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述连接部包括一个端部连接线和多个通孔连接线，所述通孔连接线靠近所述连线部设置，所有所述通孔连接线平行、两端对齐且间隔设置，所有所述通孔连接线的一端均连接在所述端部连接线的一侧，且所有所述通孔连接线靠近所述端部连接线的一端设置，每个所述第二金属线在所述第n-1金属层上的投影均与一个所述通孔连接线具有重叠区域，在所述重叠区域，每个所述通孔连接线均与一
个所述第二金属线通过一个所述金属通孔连接，所述端部连接线的另一端连接所述第三焊盘。9.如权利要求8所述的测试结构，其特征在于，所述连线部包括多个第三金属线和一个第三并联端部，所有所述第三金属线平行、两端对齐且间隔设置，所述第三金属线靠近所述通孔连接线设置，且所述第三金属线和通孔连接线平行设置，每个所述第三金属线的一端的延长线均位于相邻两个所述通孔连接线之间的间隙中，所述第三金属线的另一端连接在所述第三并联端部的一侧。10.如权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述第三并联端部包括第四部分和第五部分，所有所述第三金属线均连接在所述第四部分的一侧，所述第五部分连接在所述第四部分的另一侧。11.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第n 1金属层包括多个第四金属线和一个第四并联端部，所有所述第四金属线平行、两端对齐且间隔设置，且所有所述第四金属线的一端均连接在所述第四并联端部的一侧，所述第四并联端部还连接所述第四焊盘。12.如权利要求11所述的测试结构，其特征在于，所述第四并联端部包括第六部分和第七部分，所有所述第四金属线均连接在所述第六部分的一侧，所述第七部分的一端连接所述第六部分的另一侧，所述第七部分的另一端连接所述第四焊盘。

技术总结
本发明提供一种测试结构，包括第N-1金属层、第N金属层、第N 1金属层、第一焊盘至第四焊盘，两两金属层间设有电介质层，第N金属层包括多个平行间隔设置的第一金属线，第一焊盘和第二焊盘分别连接在第一金属线两端，第N-1金属层和第N金属层通过金属通孔连接，第三焊盘连接第N-1金属层，第四焊盘连接第N 1金属层，其中，N≥2，且为正整数；在第一焊盘和第二焊盘上施加电流以在第一金属线上进行EM测试；在第二焊盘和第四焊盘上施加电压，或者在所述第二焊盘和第三焊盘上施加电压以进行TDDB测试，使其既可以进行TDDB测试又可以进行EM测试，从而使得EM测试造成的TDDB效应得以考虑，进而能够全面的评估EM测试后电介质层的TDDB效应。面的评估EM测试后电介质层的TDDB效应。面的评估EM测试后电介质层的TDDB效应。


技术研发人员：黄彪子 目晶晶 田文星
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2022.09.06
技术公布日：2022/10/11