一种LED芯片结构及制备方法与流程

技术特征：
1.一种led芯片结构，包括led基层结构，其特征在于：所述led基层结构上对应p/n位置设有导电柱，所述导电柱与所述led基层机构之间设有支撑层，所述支撑层与所述导电柱的高度适应所述led基层结构的大小。2.根据权利要求1所述的一种led芯片结构，其特征在于，所述支撑层的高度范围为5～60μm。3.根据权利要求1所述的一种led芯片结构，其特征在于，所述led基层结构的透光部分设有表面粗化的n型gan层。4.根据权利要求1所述的一种led芯片结构，其特征在于，所述导电柱一端与所述led基层结构的p/n极相连，所述导电柱的另一端形成有导电键合层。5.根据权利要求4所述的一种led芯片结构，其特征在于，所述导电柱设置为铜柱。6.根据权利要求1所述的一种led芯片结构，其特征在于，所述支撑层可以为pi光刻胶、pbo光刻胶、光敏性干膜、非光敏性聚酰亚胺、abf干膜或树脂中一种或者多种混合材料。7.根据权利要求1所述的一种led芯片结构，其特征在于，所述led基层结构由下而上分别为n型gan层、发光层、al gan薄膜层、p型gan层、ito层和dbr绝缘层。8.一种led芯片制造方法，应用于如权利要求1-7任一所述的led芯片结构，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在基底上的led基层结构上生成电镀种子层和光刻胶层；步骤二：通过显影工艺，在p/n极位置将所述光刻胶层显影出开口；步骤三：在开口内电镀cu柱；步骤四：在cu柱顶部电镀金属键合层；步骤五：通过去胶工艺去除光刻胶层，然后腐蚀去除裸露出的种子层；步骤六：在步骤五中的光刻胶层位置形成支撑层；步骤七：去除基底，暴露出底部n型gan层。9.根据权利要求6所述的一种led芯片制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：步骤八：通过光刻和刻蚀技术对暴露的n型gan层做表面粗化。

技术总结
本发明提供的一种LED芯片结构及制备方法，属于芯片制备领域，包括LED基层结构，LED基层结构上对应P/N位置设有导电柱，导电柱与LED基层机构之间设有支撑层，支撑层与导电柱的高度适应LED基层结构的大小。因为支撑层和导电柱的高度是工艺可控的，所以使用这种制成方式就能够制作体积更小的Micro LED，LED基层越小我们的支撑层就可以适应变得更短，反之LED基层越大支撑层就可以适应变得更长，此工艺的具有很强的普适性。有很强的普适性。有很强的普适性。


技术研发人员：邓群雄 郭文平 韩奎 王晓宇
受保护的技术使用者：元旭半导体科技（无锡）有限公司
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2022/11/11