显示装置及显示面板的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及显示面板。


背景技术：

2.oled(organic light emitting diode，有机电致发光二极管)显示装置由于具有全固态结构、自发光、响应速度快、亮度高、全视角、可柔性显示等一系列优点，因而成为目前极具竞争力和良好发展前景的一类显示装置。然而，目前的显示装置存在功耗较高的问题。


技术实现要素：

3.本公开的目的在于提供一种显示装置及显示面板，能够降低功耗。
4.根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括多个发光结构，所述发光结构包括：
5.阳极；
6.第一发光单元，设于所述阳极的一侧，且包括相对设置的第一空穴传输层和第一电子传输层以及位于所述第一空穴传输层与所述第一电子传输层之间的第一发光层，所述第一空穴传输层位于所述阳极与所述第一电子传输层之间；
7.电荷生成结构，设于所述第一发光单元背向所述阳极的一侧；至少部分所述电荷生成结构的电子迁移率小于所述第一电子传输层的电子迁移率；
8.第二发光单元，设于所述电荷生成结构背向所述阳极的一侧，且包括相对设置的第二空穴传输层和第二电子传输层以及位于所述第二空穴传输层与所述第二电子传输层之间的第二发光层，所述第二空穴传输层位于所述阳极与所述第二电子传输层之间；
9.阴极，设于所述第二发光单元背向所述阳极的一侧。
10.进一步地，所述电荷生成结构包括：
11.n型电荷生成层，设于所述第一发光单元背向所述阳极的一侧；
12.p型电荷生成层，设于所述n型电荷生成层背向所述阳极的一侧；
13.其中，所述n型电荷生成层的电子迁移率小于所述第一电子传输层的电子迁移率。
14.进一步地，所述第一电子传输层的电子迁移率的范围为1
×
10-5
cm2·
v-1
·
s-1
至9
×
10-5
cm2·
v-1
·
s-1
；和/或
15.所述n型电荷生成层的电子迁移率的范围为1
×
10-6
cm2·
v-1
·
s-1
至9
×
10-6
cm2·
v-1
·
s-1
。
16.进一步地，所述第一电子传输层的折射率小于所述电荷生成结构的折射率，所述显示面板还包括：
17.第一空穴阻挡层，设于所述第一电子传输层面向所述第一发光层的表面，且所述第一电子传输层的折射率小于第一空穴阻挡层的折射率。
18.进一步地，所述电荷生成结构包括：
19.n型电荷生成层，设于所述第一发光单元背向所述阳极的一侧；
20.p型电荷生成层，设于所述n型电荷生成层背向所述阳极的一侧；
21.其中，所述n型电荷生成层的折射率大于所述第一电子传输层的折射率。
22.进一步地，所述第一电子传输层的折射率的范围为1.2-1.8；和/或
23.所述第一空穴阻挡层的折射率的范围为1.5-2.1；和/或
24.所述n型电荷生成层的折射率的范围为1.5-2.1。
25.进一步地，所述第一发光层与所述第二发光层的发光颜色相同或不同。
26.进一步地，不同的所述发光结构共用所述第一空穴传输层、所述第一电子传输层、所述电荷生成结构、第二空穴传输层以及所述第二电子传输层中的至少一个。
27.进一步地，所述发光结构还包括：
28.空穴注入层，设于所述第一空穴传输层与所述阳极之间。
29.进一步地，所述显示面板还包括：像素定义层、第一隔离结构以及第二隔离结构，相邻的所述发光结构的所述阳极通过所述像素定义层隔开，相邻的所述发光结构的所述第一发光层通过所述第一隔离结构隔开，相邻的所述发光结构的所述第二发光层通过所述第二隔离结构隔开；其中，所述像素定义层的高度小于所述第一隔离结构的高度，且小于所述第二隔离结构的高度。
30.根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括所述的显示面板。
31.本公开的的显示装置及显示面板，电荷生成结构的电子迁移率小于第一电子传输层的电子迁移率，可以使电荷生成结构分离产生的电子更快的传输至第一发光层，提高了电子的分离效率和传输效率，有助于电压的降低和器件效率的提升，从而降低了功耗。
附图说明
32.图1是本公开实施方式的显示面板的示意图。
33.图2是本公开实施方式的显示面板的电荷产生和传输能级示意图。
34.图3是本公开实施方式的显示面板的另一示意图。
35.附图标记说明：1、阳极；2、阴极；3、第一发光单元；301、空穴注入层；302、第一空穴传输层；303、第一发光层；304、第一空穴阻挡层；305、第一电子传输层；306、第一电子阻挡层；4、电荷生成结构；401、n型电荷生成层；402、p型电荷生成层；5、第二发光单元；501、第二空穴传输层；502、第二发光层；503、第二空穴阻挡层；504、第二电子传输层；505、电子注入层；506、第二电子阻挡层；6、像素定义层；7、第一隔离结构；8、第二隔离结构；100、发光结构。
具体实施方式
36.这里将详细地对示例性实施方式进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施方式中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置的例子。
37.在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本公开。除非另作定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一
般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本公开说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
38.本公开实施方式提供一种显示面板。如图1和图2所示，该显示面板可以包括多个发光结构100。该发光结构100可以包括阳极1、第一发光单元3、电荷生成结构4、第二发光单元5以及阴极2，其中：
39.该第一发光单元3设于阳极1的一侧，且包括相对设置的第一空穴传输层302和第一电子传输层305以及位于第一空穴传输层302与第一电子传输层305之间的第一发光层303，第一空穴传输层302位于阳极1与第一电子传输层305之间。该电荷生成结构4设于第一发光单元3背向阳极1的一侧。该至少部分电荷生成结构4的电子迁移率小于第一电子传输层305的电子迁移率。该第二发光单元5设于电荷生成结构4背向阳极1的一侧，且包括相对设置的第二空穴传输层501和第二电子传输层504以及位于第二空穴传输层501与第二电子传输层504之间的第二发光层502，第二空穴传输层501位于阳极1与第二电子传输层504之间。该阴极2设于第二发光单元5背向阳极1的一侧。
40.本公开实施方式的显示面板，电荷生成结构4的电子迁移率小于第一电子传输层305的电子迁移率，可以使电荷生成结构4分离产生的电子更快的传输至第一发光层303，提高了电子的分离效率和传输效率，有助于电压的降低和器件效率的提升，从而降低了功耗。
41.下面对本公开实施方式的显示面板的各部分进行详细说明：
42.该阳极1与阴极2相对设置。该阳极1可以为反射电极，该阴极2可以为透射电极，从而在阳极1和阴极2之间形成微腔，以提高发光单元的出光强度。上述的透射电极可以为半透半反电极，但本公开对此不做特殊限定。该阳极1可以由层叠的ag金属层与ito层构成，该ag金属层的厚度可以为1000埃，该ito层的厚度可以为100埃-150埃。该阴极2可以为mg/ag电极，该mg/ag电极的厚度可以为100埃-150埃。
43.本公开的显示面板还可以包括驱动背板。该驱动背板可以包括衬底和驱动电路层。该衬底可以为刚性衬底。其中，该刚性衬底可以为玻璃衬底或pmma(polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等。当然，该衬底还可以为柔性衬底。其中，该柔性衬底可以为pet(polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、pen(polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或pi(polyimide，聚酰亚胺)衬底。
44.该驱动电路层可以设于衬底上。该驱动电路层可以包括多个驱动晶体管。该驱动晶体管可以为薄膜晶体管，但本公开实施方式不限于此。该薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜
晶体管，当然，该薄膜晶体管还可以为底栅型薄膜晶体管。以薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例，该驱动电路层可以包括有源层、栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源极以及漏极。该有源层可以设于衬底上。该栅绝缘层可以设于衬底上，并覆盖有源层。该栅电极可以设于栅绝缘层远离衬底的一侧。该层间绝缘层可以设在栅绝缘层上，并覆盖栅电极。该源极和漏极可以设在层间绝缘层上，并经由穿过层间绝缘层和栅绝缘层的过孔连接至有源层。此外，该驱动背板还可以包括平坦化层。该平坦化层可以设于驱动电路层背向衬底的表面，且覆盖上述驱动晶体管的源极和漏极。该阳极1可以设于平坦化层上，并经由穿过平坦化层的过孔连接至驱动晶体管的源极或漏极。此外，该显示面板还可以包括像素定义层6。该像素定义层6可以设于平坦化层上，且设有多个像素开口。该阳极1可以设于像素开口内。
45.该第一发光单元3可以设于阳极1背向衬底的一侧。该第一发光单元3包括第一空穴传输层302、第一电子传输层305以及第一发光层303。该第一空穴传输层302设于阳极1背向衬底的一侧，该第一发光层303设于第一空穴传输层302背向阳极1的一侧，该第一电子传输层305设于第一发光层303背向阳极1的一侧。该第一发光单元3还可以包括空穴注入层301和第一空穴阻挡层304。该空穴注入层301可以设于第一空穴传输层302和阳极1之间，第一空穴阻挡层304可以设于第一电子传输层305面向第一发光层303的表面。该第一发光单元3还可以包括第一电子阻挡层306。该第一电子阻挡层306可以设于第一空穴传输层302与第一发光层303之间。
46.其中，该第一电子传输层305的折射率可以小于第一空穴阻挡层304的折射率。该第一电子传输层305的折射率可以为1.2-1.8，例如1.2、1.3、1.5、1.6、1.8等。该第一空穴阻挡层304的折射率可以为1.5-2.1，例如1.5、1.6、1.8、1.9、2.1等。此外，不同发光结构100的第一发光单元3可以共用空穴注入层301、第一空穴阻挡层304、第一空穴传输层302和第一电子传输层305，且设于第一空穴传输层302上相邻的第一发光层303可以通过第一隔离结构7隔开。该第一隔离结构7可以为不透光材料，以防止光线窜扰。该第一隔离结构7的材料可以与上述像素定义层6的材料相同，当然，也可以不同。
47.该电荷生成结构4设于第一发光单元3背向阳极1的一侧。其中，该电荷生成结构4可以包括n型电荷生成层401和p型电荷生成层402。该n型电荷生成层401可以设于所述第一发光单元3背向阳极1的一侧，该p型电荷生成层402可以设于n型电荷生成层401背向阳极1的一侧。
48.至少部分该电荷生成结构4的电子迁移率可以小于第一电子传输层305的电子迁移率，其中，该n型电荷生成层401的电子迁移率可以小于第一电子传输层305的电子迁移率，如此设置，可以使电荷生成结构4分离产生的电子更快的传输至第一发光层303，提高了电子的分离效率和传输效率，有助于电压的降低和器件效率的提升，从而降低了功耗。具体地，该第一电子传输层305的电子迁移率的范围可以为1
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·
s-1
至9
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·
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，例如7.64
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等。该n型电荷生成层401的电子迁移率的范围可以为1
×
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·
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至9
×
10-6
cm2·
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·
s-1
，例如5.48
×
10-6
等。不同发光结构100可以共用n型电荷生成层401和p型电荷生成层402。
49.在一些示例中，p型电荷生成层402和第二空穴传输层501的主体材料相同，p型电荷生成层402为该主体材料进行p-type掺杂获得，例如：掺杂比例在0.1-5％。可选地，p型电荷生成层402空穴迁移率大于第二空穴传输层501空穴迁移率。例如，p型电荷生成层402空
穴迁移率为1
×
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·
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至9
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10-3
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·
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)大于第二空穴传输层501(1
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至9
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·
s-1
)。p型电荷生成层402和第二空穴传输层501的主体材料相同，可以简化工艺，同时也提升材料匹配程度，提高了空穴的传输效率，有助于电压的降低和器件效率的提升。
50.此外，该第一电子传输层305的折射率可以小于电荷生成结构4的折射率。
51.在一些示例中，p型电荷生成层402和第二空穴传输层501的主体材料不相同。可选地，可选地，p型电荷生成层402空穴迁移率小于第二空穴传输层501空穴迁移率。例如，p型电荷生成层402空穴迁移率(1
×
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·
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至9
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10-4
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·
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)小于第二空穴传输层501(1
×
10-3
cm2·
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·
s-1
至9
×
10-3
cm2·
v-1
·
s-1
)，此时可以使电荷生成结构4分离产生的空穴更快的传输至第二发光层502，提高了空穴的分离效率和传输效率，有助于电压的降低和器件效率的提升。
52.此外，该第一电子传输层305的折射率可以小于电荷生成结构4的折射率。其中，第一电子传输层305的折射率小于n型电荷生成层401的折射率。该n型电荷生成层401的折射率的范围为1.5-2.1，例如1.5、1.6、1.88、1.9、2.1等。同时，由于第一电子传输层305的折射率可以小于第一空穴阻挡层304的折射率，从而形成光学上的高-低-高折射率的膜层结构，有助于提升出光效率。
53.该第二发光单元5设于电荷生成结构4背向阳极1的一侧，且包括相对设置的第二空穴传输层501和第二电子传输层504以及位于第二空穴传输层501与第二电子传输层504之间的第二发光层502，第二空穴传输层501位于阳极1与第二电子传输层504之间。该第二发光单元5还可以包括第二空穴阻挡层503。该第二空穴阻挡层503可以设于第二电子传输层504面向第二发光层502的表面。此外，该第二发光单元5还可以包括电子注入层505，且电子注入层505可以设于第二电子传输层504面向阴极2的一侧。
54.不同发光结构100的第二发光单元5可以共用第二空穴传输层501、第二电子传输层504和电子注入层505，且设于第二空穴传输层501上相邻的第二发光层502可以通过第二隔离结构8隔开。该第二隔离结构8可以为不透光材料，以防止光线窜扰。该第二隔离结构8的材料可以与上述像素定义层6的材料相同，当然，也可以不同。该第二发光单元5还可以包括第二电子阻挡层506。该第二电子阻挡层506可以设于第二空穴传输层501与第二发光层502之间。
55.可选地，第二电子传输层504的电子迁移率小于电荷生成结构4的电子迁移率。例如：第二电子传输层504的电子迁移率3
×
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‑‑8×
10-7
cm2·
v-1
·
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(例如：电子迁移率在0.3mv/cm的场强下获得)。此外，该第二空穴传输层501的空穴迁移率可以小于p型电荷生成层402的空穴迁移率，当然，第二空穴传输层501的空穴迁移率也可以大于或等于p型电荷生成层402的空穴迁移率。
56.可选地，第二空穴传输层501的折射率小于p型电荷生成层402的折射率,同时，第二空穴传输层501的折射率还可以小于第二发光层502的折射率，从而形成光学上的高-低-高折射率的膜层结构，有助于提升出光效率。
57.可选地，像素定义层6、第一隔离结构7和第二隔离结构8三者的中心线(例如图1的虚线)重叠，有利于简化工艺，并且有利于界定第一发光层303和第二发光层502的相对位置，降低偏差。
58.可选地，像素定义层6的高度可以小于第一隔离结构7的高度，像素定义层6的高度也可以小于第二隔离结构8的高度，如此设置，一方面有利于发光结构的支撑作用，另一方面有利于形成第一发光层303和第二发光层502所需的微腔间距，提高发光效率。
59.此外，如图3所示，本公开中相邻的第一发光层303之间也可以不设置上述的第一隔离结构7，相邻的第二发光层502之间也可以不设置上述的第二隔离结构8，其中，多个第一发光层303可以通过精细金属掩膜板形成，多个第二发光层502也可以通过精细金属掩膜板形成。
60.在本公开一实施方式中，该第一发光层303与第二发光层502的发光颜色可以相同，且不同发光结构100的发光颜色不同。以一个发光结构100构成一个子像素且三个发光结构100构成一个像素为例，三个发光结构100的发光颜色分别为红色、绿色和蓝色，以使由三个发光结构100构成的像素发出白色光。在本公开另一实施方式中，该第一发光层303与第二发光层502的发光颜色可以不同。
61.本公开实施方式还提供一种显示装置。该显示装置可以包括上述任一实施方式所述的显示面板。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视等。
62.由于本公开实施方式的显示装置所包含的显示面板与上述显示面板的实施方式中的显示面板相同，其具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
63.性能测试
64.以蒸镀工艺制备两种显示面板，一个显示面板采用本公开的显示面板，另一个显示面板作为对比结构，其参数如表1所示。
65.表1
[0066][0067]
对本公开的显示面板以及对比结构进行性能测试，其结果如表2所示。
[0068]
表2
[0069] 电压(voltage)效率(efficiency)功耗(power)对比结构100％100％100％本公开显示面板97％107％89％
[0070]
由表2可知，与对比结构相比，本公开的电压降低，效率提升，功耗也降低。
[0071]
以上所述仅是本公开的较佳实施方式而已，并非对本公开做任何形式上的限制，虽然本公开已以较佳实施方式揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的
技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。