掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法与流程

1.本技术涉及放大器领域、光通信领域和稀土掺杂光纤制备领域，尤其涉及掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法。


背景技术：

2.在光通信系统中，使用掺铒光纤放大器(erbium doped fiber amplifier，edfa)放大信号光，可以提高信号光的传输距离。具体地，edfa包括泵浦光源、光耦合器和掺铒光纤。泵浦光源用于产生泵浦光。光耦合器用于将信号光和泵浦光耦合进掺铒光纤。在掺铒光纤中，泵浦光作为信号光的激励源，放大信号光。
3.其中，掺铒光纤在激励源的作用下，会产生放大自发辐射(amplified spontaneous emission，ase)。ase会提高掺铒光纤的噪声系数，影响通信质量。


技术实现要素：

4.本技术提供了一种掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法。在申请中，通过降低第二层的铒离子掺杂浓度，可以减少ase，进而降低掺铒光纤的噪声系数，提高通信质量。
5.本技术第一方面提供了一种掺铒光纤。掺铒光纤的纤芯由内向外包括第一层和第二层。第一层包括纤芯的中心。第二层为环形，环形的外圈是纤芯的外圈。第一层的铒离子平均掺杂浓度高于第二层的铒离子平均掺杂浓度。
6.在本技术中，通过降低第二层的铒离子掺杂浓度，可以减少ase，进而降低掺铒光纤的噪声系数，提高通信质量。此时，第一层的铒离子平均掺杂浓度高于第二层的铒离子平均掺杂浓度。
7.在第一方面的一种可选方式中，掺铒光纤用于l波段。其中，相比于c波段的掺铒光纤，l波段的掺铒光纤的铒离子浓度更高。因此，本技术中的掺铒光纤可以进一步降低噪声系统，提高通信质量。
8.在第一方面的一种可选方式中，第一层的铒离子平均掺杂浓度高第二层的铒离子平均掺杂浓度百分之m以上，m大于或等于30。其中，当纤芯中的铒离子分布均匀时，以0dbm的信号光作为l波段的掺铒光纤的输入信号，掺铒光纤的噪声系数一般大于6.0db，例如6.3db。通过限定m大于或等于30，可以有效的降低掺铒光纤的噪声系数，例如掺铒光纤的噪声系数可以达到5.5db以下。
9.在第一方面的一种可选方式中，m的值在30至75.6之间。其中，当不断提高第一层和第二层的铒离子平均浓度的比值时，会降低掺铒光纤对信号光的增益。本技术限定m的值小于75.6，可以在尽量少降低增益的基础上，降低掺铒光纤的噪声系数。
10.在第一方面的一种可选方式中，第一层的横截面积在纤芯的横截面积的百分之n以内，n小于或等于50。其中，当第一层的面积过大时，降低噪声系数的效果有限。通过限定n小于或等于50，可以有效的降低掺铒光纤的噪声系数，例如掺铒光纤的噪声系数可以达到5.5db以下。
11.在第一方面的一种可选方式中，n的值在20至50之间。其中，当不断降低第一层的面积时，会降低掺铒光纤对信号光的增益。本技术限定降低第一层的面积大于或等于百分之20，可以在尽量少降低增益的基础上，降低掺铒光纤的噪声系数。
12.在第一方面的一种可选方式中，第一层的铒离子平均掺杂浓度在2742百万分数(parts per million，ppm)至2966ppm之间。第二层的铒离子平均掺杂浓度在1560ppm至2280ppm之间。其中，当纤芯的铒离子平均掺杂浓度过大时，纤芯会产生更多的ase，从而提高掺铒光纤的噪声系数。当纤芯的铒离子平均掺杂浓度过小时，会降低掺铒光纤的增益。本技术通过限定纤芯的铒离子平均掺杂浓度，可以在尽量少降低增益的基础上，降低掺铒光纤的噪声系数。
13.在第一方面的一种可选方式中，第一层包括k个子层，k为大于1的整数。第二层包括p个子层，p为大于0的整数。沿纤芯的中心由内向外，k个子层和p个子层的铒离子掺杂浓度逐渐降低。其中，光强在纤芯中的分布为高斯分布。铒离子在纤芯中的分布越贴近高斯分布，则可以更有效的光纤的噪声系数。本技术将纤芯分为k p个子层。沿纤芯的中心由内向外，k p个子层的铒离子掺杂浓度逐渐降低，从而使得铒离子在纤芯中的分布贴近高斯分布。因此，本技术可以更有效的降低掺铒光纤的噪声系数。
14.在第一方面的一种可选方式中，k和p为2。k个子层包括第一子层和第二子层。p个子层包括第三子层和第四子层。其中，纤芯的子层的层数越多，铒离子在纤芯的分布越贴近高斯分布。但是，纤芯的子层的层数越多，纤芯的加工成本越高。本技术限定纤芯的层数为4，可以在尽量降低加工成本的基础上，降低掺铒光纤的噪声系数。
15.在第一方面的一种可选方式中，第一子层的铒离子掺杂浓度范围在2687ppm至3087ppm之间。第二子层的铒离子掺杂浓度范围在2006ppm至2406ppm之间。第三子层的铒离子掺杂浓度范围在1028ppm至1428ppm之间。第四子层的铒离子掺杂浓度范围在301ppm至701ppm之间。当纤芯的铒离子浓度满足上述条件时，可以有效的降低掺铒光纤的噪声系数，例如掺铒光纤的噪声系数可以达到5.5db以下。
16.在第一方面的一种可选方式中，纤芯中心处的铒离子掺杂浓度在1500ppm至4000ppm之间。
17.在第一方面的一种可选方式中，纤芯的铒离子掺杂浓度满足以下关系：其中，a为纤芯的中心处的铒离子掺杂浓度。c(r)为目标点的铒离子掺杂浓度。r为目标点距离纤芯的中心的距离，β为负值的修正因子。
18.在第一方面的一种可选方式中，纤芯的半径在0.01微米至0.3微米之间。
19.在第一方面的一种可选方式中，掺铒光纤的由内向外包括纤芯和包层。
20.本技术第二方面提供了一种掺铒光纤的制备方法。掺铒光纤的制造方法包括以下步骤：
21.在基管内沉积疏松层，将所述疏松层浸入铒离子溶液。
22.将所述疏松层从所述铒离子溶液中取出，对所述疏松层进行干燥并玻璃化，得到玻璃棒。
23.重复z次前述两个步骤，并逐渐提高每次的铒离子溶液的浓度，z为大于1的整数。
24.将所述玻璃棒烧结成实心的玻璃棒。将所述实心的玻璃棒制成掺铒光纤。
25.在第二方面的一种可选方式中，z为4。其中，纤芯的子层的层数越多，铒离子在纤芯的分布越贴近高斯分布。但是，纤芯的子层的层数越多，纤芯的加工成本越高。本技术限定纤芯的层数为4，可以在尽量降低加工成本的基础上，降低掺铒光纤的噪声系数。
26.在第二方面的一种可选方式中，z次的铒离子溶液的浓度分别为y1、y2、y3和y4mol/l。其中，y2和y1的差值在0.001mol/l至0.004mol/l之间。y3和y2的差值在0.004mol/l至0.01mol/l之间。y4和y3的差值在0.01mol/l至0.016mol/l之间。
27.本技术第三方面提供了一种掺铒光纤放大器edfa。edfa包括泵浦光源、光耦合器和前述第一方面或第一方面中任意一种可选方式所述的掺铒光纤。其中，泵浦光源用于产生泵浦光。光耦合器用于接收信号光和泵浦光，将信号光和泵浦光耦合进掺铒光纤。掺铒光纤用于在泵浦光的作用下放大信号光。
28.本技术第四方面提供了一种光通信系统。光通信系统包括发送端、接收端和前述第三方面所述的edfa。其中，发送端用于通过光纤向接收端传输信号光。光纤与edfa相连；edfa用于产生泵浦光，根据泵浦光放大信号光。接收端用于接收放大后的信号光。
附图说明
29.图1为铒离子在纤芯中的分布示意图；
30.图2为本技术中提供的铒离子在纤芯中的第一个分布示意图；
31.图3为本技术中提供的纤芯的第一个结构示意图；
32.图4为本技术中提供的纤芯的第二个结构示意图；
33.图5为本技术中提供的纤芯的第三个结构示意图；
34.图6为本技术中提供的纤芯的第四个结构示意图；
35.图7为本技术中提供的光通信系统的第一个结构示意图；
36.图8为掺铒光纤在不同波长上的噪声系数的分布示意图；
37.图9为本技术中提供的掺铒光纤的噪声系数的第一个分布示意图；
38.图10为本技术中提供的掺铒光纤的噪声系数的第二个分布示意图；
39.图11为本技术中提供的铒离子在纤芯中的第二个分布示意图；
40.图12为本技术中提供的掺铒光纤在制备过程中的结构示意图；
41.图13为本技术中提供的edfa的结构示意图；
42.图14为本技术中提供的光通信系统的第二个结构示意图。
具体实施方式
43.本技术提供了一种掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法。在本技术中，通过降低第二层的铒离子掺杂浓度，可以减少ase，进而降低掺铒光纤的噪声系数，提高通信质量。应理解，本技术中使用的“第一”、“第二”等仅用于区分描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，也不能理解为指示或暗示顺序。另外，为了简明和清楚，本技术多个附图中重复参考编号和/或字母。重复并不表明各种实施例和/或配置之间存在严格的限定关系。
44.本技术中的掺铒光纤用于光通信领域。在光通信领域中，放大器中的掺铒光纤用于在激励源的作用下放大信号光。信号光在掺铒光纤的纤芯中传输。纤芯中铒离子的分布均匀时，放大器会产生较大的噪声系数。具体地，图1为铒离子在纤芯中的分布示意图。如图
1所示，横坐标为纤芯的位置，单位为微米μm。在图1中，纤芯的中心位于坐标0处。纤芯的半径为2.5微米，直径为5微米。纵坐标为纤芯的铒离子掺杂浓度，单位为ppm。铒离子在纤芯中均匀分布。因此，浓度101为一条直线。应理解，在实际加工过程中，由于加工工艺不能保证纤芯中每个点的浓度相同。因此，浓度101也可以为一条上下波动的曲线。
45.在激励源的作用下，纤芯中的铒离子从基态跃迁到上能级。当信号光注入纤芯时，信号光的光强主要分布在纤芯的内层。内层的上能级铒离子产生受激辐射，从而放大信号光。在纤芯的外层中，上能级铒离子无法获得足够的信号光进行受激辐射，自发的从激发态跃迁到基态，产生ase。ase是放大器或掺铒光纤的主要噪声来源。具体地，以下为噪声系数nf的计算公式。
[0046][0047]
其中，p
ase
为放大器或掺铒光纤的噪声功率，噪声功率是由ase产生的。h为普朗克常数。v为信号光频率。b为光谱仪探测线宽。g为放大器的增益。在放大器的增益不变的情况下，nf与放大器的p
ase
强相关。具体地，p
ase
越大，nf越大；p
ase
越小，nf越小。因此，当纤芯的外层产生大量ase时，掺铒光纤会产生较大的噪声系数。
[0048]
为此，本技术提供了一种掺铒光纤。在掺铒光纤的纤芯中，降低外层的铒离子掺杂浓度，进而减少ase，降低掺铒光纤的噪声系数。此时，纤芯内层的铒离子平均掺杂浓度高于纤芯外层的铒离子平均掺杂浓度。例如，图2为本技术中提供的铒离子在纤芯中的第一个分布示意图。如图2所示，纤芯内层的铒离子平均掺杂浓度为浓度201。纤芯外层的铒离子平均掺杂浓度为浓度202。浓度202小于浓度201。应理解，在实际加工过程中，由于加工工艺不能保证纤芯中每个点的浓度相同。因此，浓度201和浓度201也可以为一条上下波动的曲线。类似的，在后续的描述中，“第一子层内的铒离子掺杂浓度相同”是指“第一子层内的铒离子掺杂浓度大致相同”。
[0049]
上面对本技术中纤芯的铒离子平均掺杂浓度进行描述，下面对本技术中的纤芯结构进行描述。图3为本技术中提供的纤芯的第一个结构示意图。如图3所示，纤芯包括第一层301和第二层302。第一层301也称为内层，第二层302也称为外层。其中，第一层301可为圆形。第一层301包括纤芯的中心。第二层为环形。环形的外圈是纤芯的外圈。第一层301的铒离子平均掺杂浓度高于第二层302的铒离子平均掺杂浓度。
[0050]
应理解，当纤芯包括2个子层时，第一层301和第二层302的交界线和2个子层之间的交界线可能重叠，也可能不重叠。
[0051]
当两个交界线重叠时，交界线处的铒离子掺杂浓度存在突变。具体地，如图3所示，2个子层包括第一子层和第二子层。第一层301即为第一子层，第二层302即为第二子层。第一子层内的铒离子掺杂浓度相同。第二子层内的铒离子掺杂浓度相同。此时，由于第一子层内的铒离子掺杂浓度大于第二子层内的铒离子掺杂浓度，交界线处的铒离子掺杂浓度存在突变。
[0052]
当两个交界线不重叠时，2个子层的交界线处的铒离子掺杂浓度存在突变。第一层301和第二层302的交界线处的铒离子掺杂浓度不存在突变。具体地，图4为本技术中提供的纤芯的第二个结构示意图。如图4所示，纤芯包括第一交界线401和第二交界线402。第一交界线401将纤芯分为第一子层和第二子层。第一子层在第一交界线401以内，第一子层内的
铒离子掺杂浓度相同。第二子层在第二交界线401以外，第二子层内的铒离子掺杂浓度相同。第一子层的铒离子掺杂浓度高于第二子层的铒离子掺杂浓度。因此，在第一交界线401处，铒离子掺杂浓度存在突变。第二交界线402将纤芯分为第一层和第二层。第一层在第二交界线402以内，第二层在第二交界线402以外。第一层的铒离子平均掺杂浓度高于第二层的铒离子平均掺杂浓度。但是，由于第一子层内的铒离子掺杂浓度相同，第二交界线402处于第一子层内，第二交界线402处的铒离子掺杂浓度不存在突变。
[0053]
在其它实施例中，纤芯中所有的层交界线和子层交界线重叠。层交界线为“层”与“层”之间的交界线，子层交界线为“子层”与“子层”之间的交界线。
[0054]
在申请的附图中，实线表示铒离子掺杂浓度存在突变的交界线或分界线，实线两侧属于不同的“子层”。关于“子层”的定义，还可以参阅后续掺铒光纤的制备方法中对子层的描述。虚线两侧属于不同的“层”。
[0055]
图5为本技术中提供的纤芯的第三个结构示意图。如图5所示，纤芯包括第一层301和第二层302。第一层301包括纤芯的中心。第二层302的外圈是纤芯的外圈。第一层301的铒离子平均掺杂浓度高于第二层302的铒离子平均掺杂浓度。
[0056]
在其它实施例中，纤芯在第一层和第二层之间还包括其它层。例如，如图5所示，纤芯还包括第三层501。第三层501在第一层301和第二层302之间。第三层501的铒离子平均掺杂浓度小于第一层301的铒离子平均掺杂浓度，第二层302的铒离子平均掺杂浓度小于第三层501的铒离子平均掺杂浓度。
[0057]
应理解，在本技术的纤芯中，“层”可以包括一个或多个“子层”。例如，第一层包括k个子层，k为大于0的整数。在一种实例中，k为大于1的整数。第二层包括p个子层，p为大于0的整数。其中，光强在纤芯中的分布为高斯分布。铒离子在纤芯中的分布越贴近高斯分布，则可以更有效的降低掺铒光纤的噪声系数。因此，本技术可以限定沿纤芯的中心由内向外，k p个子层的铒离子掺杂浓度逐渐降低，使得铒离子在纤芯中的分布贴近高斯分布。
[0058]
纤芯的子层的层数越多，可以使得铒离子在纤芯的分布越贴近高斯分布。但是，纤芯的子层的层数越多，纤芯的加工成本越高。本技术可以限定k和p为2，在尽量降低加工成本的基础上，降低掺铒光纤的噪声系数。此时，k个子层包括第一子层和第二子层。p个子层包括第三子层和第四子层。具体地，图6为本技术中提供的纤芯的第四个结构示意图。如图6所示，纤芯包括第一子层601、第二子层602、第三子层603和第四子层604。其中，第一子层601和第二子层602属于第一层。第三子层603和第四子层604属于第二层。沿纤芯的中心由内向外，第一子层601、第二子层602、第三子层603和第四子层604的铒离子掺杂浓度逐渐降低。
[0059]
在其它的实施例中，本技术的掺铒光纤用于l波段。具体地，l波断的信号光在掺铒光纤中的增益系数较低。因此，为了提高掺铒光纤放大器的增益，需要提高掺铒光纤的铒离子掺杂浓度。例如，当掺铒光纤用于c波段时，掺铒光纤的铒离子掺杂浓度一般为300ppm至500ppm。当掺铒光纤用于l波段时，掺铒光纤的铒离子掺杂浓度一般需要大于1500ppm。在提高掺铒光纤的铒离子掺杂浓度后，掺铒光纤的外层拥有更多的铒离子。更多的铒离子产生更大的ase，进而产生更大的噪声系数。例如，c波段的掺铒光纤放大器的噪声系数一般小于5db。l波段的掺铒光纤放大器的噪声系数一般大于6db。因此，在l波段时，更需要降低掺铒光纤外层的铒离子掺杂浓度，降低噪声系数。
[0060]
根据前面的描述可知，当纤芯中铒离子的分布均匀时，放大器会产生较大的噪声系数。下面以一个具体的实验场景进行描述。图7为本技术中提供的光通信系统的第一个结构示意图。如图7所示，光通信系统包括光放大器701、光放大器705、光放大器709和光谱分析仪(optical spectrum analyzers，osa)713。光放大器701包括泵浦光源704、波分复用器(wavelength division multiplexing，wdm)703和掺铒光纤702。泵浦光源704用于产生泵浦光。wdm 703用于将信号光和泵浦光耦合进掺铒光纤702。在掺铒光纤702中，泵浦光作为信号光的激励源，放大信号光。类似地，光放大器705包括泵浦光源708、波分复用器wdm 707和掺铒光纤706。光放大器709包括泵浦光源712、波分复用器wdm711和掺铒光纤710。在图7的光通信系统中，实现了对信号光的三级放大。osa 713用于测量三级放大后的信号光噪声系数。当掺铒光纤702、掺铒光纤706和掺铒光纤710中的铒离子分布均匀时，以0dbm的l波段的信号光作为输入信号，测量放大器的噪声系数。放大器的噪声系数也可以称为掺铒光纤的噪声系数。图8为掺铒光纤在不同波长上的噪声系数的分布示意图。如图8所示，横坐标为波长，单位为纳米nm。纵坐标为噪声系数，单位为db。在1575nm至1618nm范围内，放大器的噪声系数最大值为6.6db，平均噪声系数大约为6.3db。
[0061]
采用图7中的光通信系统测量本技术中掺铒光纤放大器的噪声系数。掺铒光纤的结构示意图如图3所示。
[0062]
在实验一中，第一层301的面积占纤芯面积的50％。第一层301的铒离子平均掺杂浓度为2742ppm。第二层302铒离子平均掺杂浓度为1560ppm。第一层301的铒离子平均掺杂浓度高第二层302的铒离子平均掺杂浓度75.6％。图9为本技术中提供的掺铒光纤的噪声系数的第一个分布示意图。如图9所示，在1575nm至1618nm范围内，掺铒光纤放大器的噪声系数最大值为5.2db，平均噪声系数小于5db。
[0063]
在实验二中，第一层301的面积占纤芯面积的20％。第一层301的铒离子平均掺杂浓度为2966ppm。第二层302铒离子平均掺杂浓度为2280ppm。第一层301的铒离子平均掺杂浓度高第二层302的铒离子平均掺杂浓度30％。图10为本技术中提供的掺铒光纤的噪声系数的第二个分布示意图。如图10所示，在1575nm至1618nm范围内，掺铒光纤放大器的噪声系数最大值为5.4db，平均噪声系数小于5.2db。
[0064]
定义第一层的铒离子平均掺杂浓度高第二层的铒离子平均掺杂浓度百分之m以上。通过上述实验可知，当m的值在30至75.6之间时，掺铒光纤放大器的平均噪声系数小于5.5db。定义第一层的横截面积在纤芯的横截面积的百分之n以内。通过上述实验可知，当n的值在20至50之间时，掺铒光纤放大器的平均噪声系数小于5.5db。通过上述实验可知，当第一层的铒离子平均掺杂浓度在2742ppm至2966ppm之间，第二层的铒离子平均掺杂浓度在1560ppm至2280ppm之间时，掺铒光纤放大器的平均噪声系数小于5.5db。
[0065]
当采用图6中的纤芯，测量掺铒光纤放大器的噪声系数时，可以得到类似图9中的实验结果。此时，第一子层601的面积占纤芯面积的19％，第一子层601的铒离子掺杂浓度为2887ppm。第二子层602的面积占纤芯面积的26％，第二子层602的铒离子掺杂浓度为2206ppm。第三子层603的面积占纤芯面积的27％，第三子层603的铒离子掺杂浓度为1228ppm。第四子层604的面积占纤芯面积的28％，第四子层604的铒离子掺杂浓度为501ppm。由于纤芯加工过程中可能会存在误差，将误差定义为正负200ppm。此时，第一子层601的铒离子掺杂浓度范围在2687ppm至3087ppm之间。第二子层602的铒离子掺杂浓度范围
在2006ppm至2406ppm之间。第三子层603的铒离子掺杂浓度范围在1028ppm至1428ppm之间。第四子层604的铒离子掺杂浓度范围在301ppm至701ppm之间。
[0066]
在其它实施例中，通过增加纤芯中子层的层数，实现铒离子在纤芯中的分布为高斯分布。具体的，纤芯的铒离子掺杂浓度满足以下关系。
[0067][0068]
其中，a为纤芯的中心处的铒离子掺杂浓度。a的范围在1500ppm至4000ppm之间。c(r)为目标点的铒离子掺杂浓度。r为目标点距离纤芯的中心的距离。r小于或等于r。r为纤芯的半径。r的范围在0.01微米至0.3微米之间。β为负值的修正因子。具体地，图11为本技术中提供的铒离子在纤芯中的第二个分布示意图。如图11所示，在r等于2.5，a等于3000，β等于负0.5时，铒离子在纤芯中的分布趋近于高斯分布。
[0069]
上面对本技术中的掺铒光纤进行描述。下面对本技术中的掺铒光纤的制备方法进行描述。掺铒光纤的制备方法包括以下步骤。
[0070]
在步骤一中，在基管内沉积疏松层，将疏松层浸入铒离子溶液。
[0071]
首先对基管进行预处理，使基管预热和有效消除基管内壁的杂质和气泡。然后通过mcvd设备向基管通入原材料。在热源氢氧喷灯的加热条件下使原材料发生化学反应，生成二氧化硅、五氧化二磷、氟氧化硅、三氧化二硼等细微颗粒。在热泳效应及管内气体的带动下，细微颗粒沉积附着在基管的内表面。在较低加热温度下(例如1300℃～1500℃)会形成白色不透明的多孔的疏松层，形成长度在150mm至300mm之间的多孔的疏松层。
[0072]
在超净环境中，将稀土共掺原料按照特定比例溶解到酒精或者盐酸的溶液中，得到混合溶液。在混合溶液中，包括铒离子er3 、磷离子p5 、铝离子al3 、镧la3 等离子。因此，混合溶液也称为铒离子溶液。将得到的疏松体泡入配制好的混合溶液中。在浸泡的过程中，可以将基管置于旋转车床中，使得基管进行30转/分钟的旋转。通过表面吸附作用，稀土共掺离子渗透进疏松层。
[0073]
在步骤二中，将疏松层从铒离子溶液中取出，对疏松层进行干燥并玻璃化，得到玻璃棒。
[0074]
在浸泡2个小时后，将铒离子溶液倒出。对基管进行初步氮气干燥。为了降低掺铒光纤的背景损耗，可以将初步干燥好的基管通入氯气并加热到800至1000℃，进一步除去疏松层里面残留的羟基离子。干燥完成后，将疏松层加热到1500℃烧结成透明密实的玻璃棒。再通入含p5 的气体进行气相补偿提高p5 的掺杂浓度。将掺杂元素最终固定到玻璃棒中，形成无孔的玻璃层。
[0075]
重复z次步骤一和步骤二，并逐渐提高每次的铒离子溶液的浓度，z为大于1的整数。
[0076]
在步骤三中，将玻璃棒烧结成实心的玻璃棒。
[0077]
在高温下，将玻璃化后的玻璃棒烧结成实心的玻璃棒，这个过程也称为塌缩。
[0078]
在步骤四中，将实心的玻璃棒制成掺铒光纤。将实心的玻璃棒拉细成掺铒光纤。
[0079]
在本技术中掺铒光纤的制备方法中，z是大于0的整数。下面以z为2为例，最本技术中掺铒光纤的制备方法进行描述。图12为本技术中提供的掺铒光纤在制备过程中的结构示意图。如图12所示，首先，在步骤一中，提供基管，在基管内沉积疏松体1。将疏松体1浸入铒
离子溶液1。然后，在步骤二中，对疏松体1进行干燥并玻璃化，得到玻璃棒1。之后，重复步骤一和步骤二。具体地，在玻璃棒1内沉积疏松体2。将疏松体2浸入铒离子溶液2。铒离子溶液2的浓度大于铒离子溶液1的浓度。对疏松体2进行干燥并玻璃化，得到玻璃棒2。最后，在步骤三中，对玻璃棒2进行塌缩，得到实心的玻璃棒。在步骤四中，将实心的玻璃棒制成掺铒光纤。
[0080]
在通过本技术中制备方法得到的掺杂光纤中，纤芯的子层的层数等于z。例如，当z为2时，在制备方法中，总共执行了2次步骤一和步骤二。在制备过程中，沉积得到了2层的疏松层。2层的疏松层分别对应纤芯的2个子层。例如，当z为4时，在制备方法中，总共执行了4次步骤一和步骤二。在制备过程中，沉积得到了4层的疏松层。4层的疏松层分别对应纤芯的4个子层。
[0081]
当z等于4时，在制备过程中，沉积得到了4层的疏松层。4层的疏松层分别浸入不同浓度的铒离子溶液1。4次的铒离子溶液的浓度分别为y1、y2、y3和y4mol/l。其中，y2和y1的差值在0.001mol/l至0.004mol/l之间。y3和y2的差值在0.004mol/l至0.01mol/l之间。y4和y3的差值在0.01mol/l至0.016mol/l之间。通过逐渐提高每次的铒离子溶液的浓度，可以使得纤芯外层的铒离子平均掺杂浓度低于纤芯内层的铒离子平均掺杂浓度。
[0082]
上面对本技术中的掺铒光纤的制备方法进行描述，下面对本技术中提供的edfa进行描述。图13为本技术中提供的edfa的结构示意图。如图13所示，edfa 1301包括泵浦光源1304、光耦合器1303和掺铒光纤1302。光耦合器1303可以是wdm。泵浦光源1304用于产生泵浦光。光耦合器1303用于接收信号光和泵浦光，将信号光和泵浦光耦合进掺铒光纤1302。掺铒光纤1302用于在泵浦光的作用下放大信号光。关于掺铒光纤的描述，可以参考前述对掺铒光纤以及掺铒光驱的制备方法中的描述。
[0083]
上面对本技术中的edfa进行描述，下面对本技术中提供的光通信系统进行描述。图14为本技术中提供的光通信系统的第二个结构示意图。如图14所示，光通信系统包括发送端1401、接收端1403和edfa 1402。其中，发送端1401用于通过光纤向接收端1403传输信号光。光纤与edfa 1402相连。edfa 1402用于产生泵浦光，根据泵浦光放大信号光。接收端1403用于接收放大后的信号光。关于edfa 1402的描述可以参考前述edfa 1301的描述。
[0084]
在其它实施例中，发送端1401和接收端1403之间可以串联多个edfa 1402。多个edfa 1402用于对信号光进行多次放大。
[0085]
以上，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。