用于单层级单元的设置切换的制作方法

技术特征：
1.一种设备，其包括：存储器装置；以及控制器，其与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从主机系统接收针对所述存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包括一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及至少部分地基于所述修改，向所述存储器装置发出包括指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于确定所述存取命令是否对应于所述单层级单元，确定所述一或多个位是指示用于存取所述单层级单元块的所述设置还是指示页地址的至少部分。3.根据权利要求2所述的设备，其中：所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引；以及所述一或多个位索引经配置以在所述存取命令对应于所述单层级单元的情况下指示用于存取所述单层级单元块的所述设置或在所述存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述页地址的至少所述部分。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：从所述主机系统接收针对所述存储器装置的额外存取命令；确定所述额外存取命令是否对应于所述存储器装置的额外单层级单元；以及至少部分地基于确定所述额外存取命令未能对应于所述额外单层级单元而确定所述额外存取命令包括对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引的额外一或多个位，所述额外一或多个位指示多层级单元块的页地址的至少部分。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于所述主机系统的使用数据，选择多个单层级单元的分区；以及至少部分地基于所选择分区而确定用于所述单层级单元块的所述设置，其中修改所述存取命令以包括指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位还至少部分地基于确定所述设置。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：从所述主机系统且在接收所述存取命令之前接收指示单层级单元模式的前缀命令，其中确定所述存取命令对应于所述单层级单元至少部分地基于所述前缀命令指示所述单层级单元模式。7.根据权利要求1所述的设备，其中用于存取所述单层级单元块的所述设置限定用于对应于所述存取命令的存取操作的一或多个操作参数。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述一或多个操作参数包括在所述存取操作期间施加的电压、在所述存取操作期间施加所述电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合。9.根据权利要求1所述的设备，其中用于所述单层级单元块的所述设置包括动态单层
级单元、静态单层级单元、高耐久性单层级单元或产生状态感知单层级单元。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存取命令还包括指示列地址的第一一或多个位、指示页地址的第二一或多个位、指示平面设置的第三一或多个位、指示块地址的第四一或多个位、指示逻辑单元地址的第五一或多个位，或其任何组合。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述存取命令包括读取命令或写入命令或擦除命令。12.一种设备，其包括：存储器阵列；以及控制器，其与所述存储器阵列耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从存储器系统接收存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器阵列的单层级单元；以及至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元，使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于单层级单元块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。13.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于确定所述存取命令是否对应于所述单层级单元，确定所述存取命令的所述一或多个位是指示用于所述单层级单元块的所述设置还是指示页地址的至少部分。14.根据权利要求13所述的设备，其中：所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引；以及所述一或多个位索引经配置以在所述存取命令对应于所述单层级单元的情况下指示用于所述单层级单元块的所述设置或在所述存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述页地址的至少所述部分。15.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：从所述存储器系统接收额外存取命令；确定所述额外存取命令是否对应于所述存储器阵列的额外单层级单元；以及至少部分地基于确定所述额外存取命令未能对应于所述额外单层级单元，针对由所述额外存取命令的额外一或多个位指示的页地址执行对应于所述额外存取命令的额外存取操作，其中所述额外一或多个位对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引。16.根据权利要求12所述的设备，其中经配置以使所述设备执行所述存取操作的所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作：针对所述存取操作，使用由用于所述单层级单元块的所述设置限定的一或多个操作参数。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个操作参数包括在所述存取操作期间施加的电压、在所述存取操作期间施加所述电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合。18.根据权利要求12所述的设备，其中所述存取命令包括读取命令，且经配置以使所述设备执行所述存取操作的所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于用于所述单层级单元块的所述设置而确定所述单层级单元块的状态；
以及向所述存储器系统且响应于所述存取命令而发出所述单层级单元块的所述状态的指示。19.根据权利要求12所述的设备，其中所述存取命令包括写入命令或擦除命令，且经配置以使所述设备执行所述存取操作的所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于用于所述单层级单元块的所述设置和所述存取命令而将电压施加于所述单层级单元块。20.根据权利要求12所述的设备，其中用于所述单层级单元块的所述设置包括动态单层级单元、静态单层级单元、高耐久性单层级单元或产生状态感知单层级单元。21.根据权利要求12所述的设备，其中所述存取命令还包括指示列地址的第一一或多个位、指示页地址的第二一或多个位、指示平面设置的第三一或多个位、指示块地址的第四一或多个位、指示逻辑单元地址的第五一或多个位，或其任何组合。22.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包括一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及至少部分地基于所述修改，向所述存储器装置发出包括指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。23.根据权利要求22所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时还使所述电子装置进行以下操作：至少部分地基于确定所述存取命令是否对应于所述单层级单元，确定所述一或多个位是指示用于存取所述单层级单元块的所述设置还是指示页地址的至少部分。24.根据权利要求23所述的非暂时性计算机可读媒体，其中：所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引；以及所述一或多个位索引经配置以在所述存取命令对应于所述单层级单元的情况下指示用于存取所述单层级单元块的所述设置或在所述存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述页地址的至少所述部分。25.根据权利要求22所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时还使所述电子装置进行以下操作：从所述主机系统接收针对所述存储器装置的额外存取命令；确定所述额外存取命令是否对应于所述存储器装置的额外单层级单元；以及至少部分地基于确定所述额外存取命令未能对应于所述额外单层级单元而确定所述额外存取命令包括对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引的额外一或多个位，所述额外一或多个位指示多层级单元块的页地址的至少部分。26.根据权利要求22所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时还使所述电子装置进行以下操作：
至少部分地基于所述主机系统的使用数据，选择多个单层级单元的分区；以及至少部分地基于所选择分区而确定用于所述单层级单元块的所述设置，其中修改所述存取命令以包括指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位还至少部分地基于确定所述设置。27.根据权利要求22所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时还使所述电子装置进行以下操作：从所述主机系统且在接收所述存取命令之前接收指示单层级单元模式的前缀命令，其中确定所述存取命令对应于所述单层级单元至少部分地基于所述前缀命令指示所述单层级单元模式。28.根据权利要求22所述的非暂时性计算机可读媒体，其中用于存取所述单层级单元块的所述设置限定用于对应于所述存取命令的存取操作的一或多个操作参数。29.根据权利要求28所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述一或多个操作参数包括在所述存取操作期间施加的电压、在所述存取操作期间施加所述电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合。30.根据权利要求22所述的非暂时性计算机可读媒体，其中用于所述单层级单元块的所述设置包括动态单层级单元、静态单层级单元、高耐久性单层级单元或产生状态感知单层级单元。31.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：从存储器系统接收存取命令；确定所述存取命令是否对应于存储器装置的单层级单元；以及至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元，使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于单层级单元块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。32.根据权利要求31所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时还使所述电子装置进行以下操作：至少部分地基于确定所述存取命令是否对应于所述单层级单元，确定所述存取命令的所述一或多个位是指示用于所述单层级单元块的所述设置还是指示页地址的至少部分。33.根据权利要求32所述的非暂时性计算机可读媒体，其中：所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引；以及所述一或多个位索引经配置以在所述存取命令对应于所述单层级单元的情况下指示用于所述单层级单元块的所述设置或在所述存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述页地址的至少所述部分。34.根据权利要求31所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时还使所述电子装置进行以下操作：从所述存储器系统接收额外存取命令；确定所述额外存取命令是否对应于所述存储器装置的额外单层级单元；以及至少部分地基于确定所述额外存取命令未能对应于所述额外单层级单元，针对由所述额外存取命令的额外一或多个位指示的页地址执行对应于所述额外存取命令的额外存取操作，其中所述额外一或多个位对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引。
35.一种由存储器系统执行的方法，其包括：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包括一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及至少部分地基于所述修改，向所述存储器装置发出包括指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。

技术总结
本申请涉及用于单层级单元SLC的设置切换。一种存储器系统可从主机接收存取命令。所述存取命令可对应于SLC块或多层级单元块。如果所述存取命令对应于SLC块，则所述存储器系统可修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于执行对应于所述存取命令的所述存取操作的设置的一或多个位。所述设置可限定用于执行所述存取操作的一或多个操作参数。所述存储器系统可使用位来指示用于指示多层级单元块的页地址的所述设置。所述存储器系统可将所述存取命令发到存储器装置，所述存储器装置可使用所述存储器系统包含的所述一或多个位中指示的所述设置来执行所述存取操作。作。作。


技术研发人员：U
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.06.15
技术公布日：2022/12/16