用于单层级单元的设置切换的制作方法

用于单层级单元的设置切换
1.交叉引用
2.本专利申请主张由西西里阿尼(siciliani)等人于2022年5月04日提交的标题为“用于单层级单元的设置切换(setting switching for single-level cells)”的第17/736,902号美国专利申请和西西里阿尼等人于2021年6月16日提交的标题为“用于单层级单元的设置切换(setting switching for single-level cells)”的第63/211,341号美国临时专利申请的优先权，所述申请中的每一者转让给本受让人且所述申请中的每一者明确地以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及用于单层级单元的设置切换。


背景技术：

4.存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、用户装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一者，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，所述两个可能状态中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、或非(nor)和与非(nand)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元(例如，dram单元)可能随着时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，nand存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。


技术实现要素：

6.描述一种设备。所述设备可包含存储器装置和控制器，所述控制器与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从主机系统接收针对所述存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及基于所述修改，向所述存储器装置发出包含指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。
7.描述一种设备。所述设备可包含存储器阵列和控制器，所述控制器与所述存储器
阵列耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从存储器系统接收存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器阵列的单层级单元；以及基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元，使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于单层级单元块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。
8.描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。存储代码的所述非暂时性计算机可读媒体可包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及基于所述修改，向所述存储器装置发出包含指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。
9.描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。存储代码的所述非暂时性计算机可读媒体可包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：从存储器系统接收存取命令；确定所述存取命令是否对应于存储器装置的单层级单元；以及基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元，使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于单层级单元块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。
10.描述一种方法。所述方法可包含：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及基于所述修改，向所述存储器装置发出包含指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。
附图说明
11.图1和2说明根据本文所公开的实例的支持用于单层级单元(slc)的设置切换的系统的实例。
12.图3和4说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的过程流的实例。
13.图5说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的一组存储器单元的实例。
14.图6展示根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的存储器系统的框图。
15.图7展示根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的存储器装置的框图。
16.图8和9展示流程图，说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的一或多个方法。
具体实施方式
17.在一些存储器系统中，一组多个设置(例如，微调参数)可用于对存储器单元块执行存取操作(例如，读取、写入或擦除操作)。举例来说，存储器系统可使用第一设置(例如，一组微调参数)来执行相对快速(即，与其它设置相比)的存取命令。在一些情况下，存储器阵列的特定分区中的多个存储器单元块可使用相同设置。一些存储器系统可使用块地址范围或根据存储器单元块的分区来确定存储器单元块的设置。然而，在一些情况下，来自第一
分区(例如，块的第一范围)的存储器单元块可替换来自第二范围或分区的不良存储器单元块，其中第一范围和第二范围可经配置以用于不同设置。在此类情况下，使用块地址范围方案确定存储器单元块的设置可能引起使用与先前用于写入到存储器单元块的设置(例如，微调参数)不同的设置(例如，微调参数)来从存储器单元块读取信息。在一些实例中，用于存取操作的设置中的此类偏差潜在地可能导致存取操作失败、系统时延增加，或这两者。
18.为了缓解使用不匹配先前设置的设置对存储器单元块执行存取操作的情况，存储器系统可支持在存取命令中动态地指示设置。通过使用存取命令来具体指示要使用哪个设置，存储器系统可将存储器装置配置成使用前一存取操作所用的相同设置，使得存取操作不会导致非预期的电压阈值分布或失败的读取操作。在一些情况下，存储器系统可使用存取命令的一或多个位指示用于所述存取命令的设置。举例来说，相比于其它存储器单元块，例如多层级单元块(例如，多层级单元(mlc)块、三层级单元(tlc)块、四层级单元(qlc)块)，一些存储器单元块(例如，单层级单元(slc)块)的地址可能使用相对更少的地址位。存储器系统可使用对应于slc块的存取命令的一或多个位来指示用于对所述slc块执行存取命令的设置。因此，接收存取命令的存储器装置可通过选择由所述存取命令指示的设置(而非从块地址(其可能因块替换操作而未对准)确定设置)来使用相同设置从slc块读取或写入到slc块。使用相同设置从存储器单元块读取以及写入到存储器单元块可通过提高系统可靠性、减小系统时延以及减小与执行额外存取命令(例如，响应于失败的存取命令)相关联的功耗而提高系统性能。
19.首先参考图1和2在系统和装置的上下文中描述本公开的特征。参考图3到5在过程流和存储器单元的上下文中描述本公开的特征。参考图6到9在涉及用于slc的设置切换的设备图和流程图的上下文中进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。
20.图1说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
21.存储器系统110可以是或包含任何装置或装置集合，其中装置或装置集合包含至少一个存储器阵列。举例来说，存储器系统110可以是或包含通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、快闪装置、通用串行总线(usb)快闪装置、安全数字(sd)卡、固态驱动器(ssd)、硬盘驱动器(hdd)、双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，或非易失性dimm(nvdimm)，以及其它可能性。
22.系统100可包含在计算装置中，所述计算装置例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、载具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，包含在载具、工业设备或联网商用装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的任何其它计算装置。
23.系统100可包含主机系统105，其可与存储器系统110耦合。在一些实例中，此耦合可包含与主机系统控制器106的接口，所述主机系统控制器可以是经配置以使主机系统105根据如本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下，可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件栈。举例来说，主机系统105可包含经配置以用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如，主机系统105本地的或包含在所述主机系统中的存储器)、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)，以及存储协议控制
器(例如，外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附件(sata)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110，以例如将数据写入到存储器系统110和从存储器系统110读取数据。尽管在图1中展示一个存储器系统110，但主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。
24.主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105和存储器系统110可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传送控制、地址、数据和其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于sata接口、ufs接口、emmc接口、pcie接口、usb接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(scsi)、串行连接的scsi(sas)、双数据速率(ddr)接口、dimm接口(例如，支持ddr的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)，和低功率双数据速率(lpddr)接口。在一些实例中，可在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115中包含或以其它方式在其间支持一或多个此类接口。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每个存储器装置130的相应物理主机接口，或经由用于包含在存储器系统110中的每个类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。
25.存储器系统110可包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元，或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管在图1的实例中展示两个存储器装置130-a和130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，则存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。
26.存储器系统控制器115可与主机系统105耦合和通信(例如，经由物理主机接口)，且可为经配置以使存储器系统110根据本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合且通信以在存储器装置130处执行一般可称为存取操作的操作，例如读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据，以及其它此类操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)执行此类命令。举例来说，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作，且可将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器装置130的所要存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105以及与一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于来自主机系统105的命令或以其它方式与所述命令相关联)。举例来说，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据分组或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。
27.存储器系统控制器115可经配置以用于与存储器装置130相关联的其它操作。举例来说，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、无用单元收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，以及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba))和与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的
地址转换。
28.存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器，或其组合。硬件可包含具有专用(例如，硬译码)逻辑以执行本文中归于存储器系统控制器115的操作的电路系统。存储器系统控制器115可以是或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp))，或任何其它合适的处理器或处理电路。
29.存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(rom)或其它存储器，其可存储可由存储器系统控制器115执行的操作代码(例如，可执行指令)以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(sram)或其它存储器，其可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归于存储器系统控制器115的功能相关的内部存储或计算。另外或替代地，本地存储器120可充当用于存储器系统控制器115的高速缓存。举例来说，如果从存储器装置130读取或写入到所述存储器装置，则数据可存储于本地存储器120中，且所述数据可在本地存储器120中可用，以供主机系统105根据高速缓存策略(例如，以相对于存储器装置130减小的时延)进行后续检索或操控(例如，更新)。
30.尽管图1中的存储器系统110的实例已说明为包含存储器系统控制器115，但在某些情况下，存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。举例来说，存储器系统110可另外或替代地分别依赖于(例如，由主机系统105实施的)外部控制器或可在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135来执行本文中归于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况下改为由主机系统105、本地控制器135或其任何组合执行。在某些情况下，至少部分由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可被称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
31.存储器装置130可包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含nand(例如，nand快闪)存储器、rom、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(ram)(feram)、磁性ram(mram)、nor(例如，nor快闪)存储器、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、电可擦除可编程rom(eeprom)，或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含ram存储器单元，例如动态ram(dram)存储器单元和同步dram(sdram)存储器单元。
32.在一些实例中，存储器装置130可(例如，在同一裸片上或在同一封装内)包含本地控制器135，其可在相应存储器装置130的一或多个存储器单元上执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作，或可执行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。举例来说，如图1所说明，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a，且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。
33.在一些情况下，存储器装置130可以是或包含nand装置(例如，nand快闪装置)。存储器装置130可以是或包含存储器裸片160。举例来说，在一些情况下，存储器装置130可以是包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可以是从晶片切割的一件电子件
级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每个裸片160可包含一或多个平面165，且每个平面165可包含相应的一组块170，其中每个块170可包含相应的一组页175，且每个页175可包含一组存储器单元。
34.在一些情况下，nand存储器装置130可包含经配置以各自存储一个位的信息的存储器单元，其可称作slc。另外或替代地，nand存储器装置130可包含经配置以各自存储多个位的信息的存储器单元，所述存储器单元一般可称为多层级单元或更具体地，在经配置以各自存储两个位的信息的情况下称作mlc，在经配置以各自存储三个位的信息的情况下称作tlc，在经配置以各自存储四个位的信息的情况下称作qlc，或更一般化地称作多层级存储器单元。多层级存储器单元可相对于slc存储器单元提供更大的存储密度，但在一些情况下，可能涉及更窄读取或写入容限或更大复杂度以支持电路系统。
35.在一些情况下，平面165可指块170的群组，且在一些情况下，可在不同平面165内发生并行操作。举例来说，可对不同块170内的存储器单元执行并行操作，只要不同块170处于不同平面165中即可。在一些情况下，个别块170可称作物理块，且虚拟块180可指可在其内发生并行操作的块170的群组。举例来说，可对分别在平面165-a、165-b、165-c和165-d内的块170-a、170-b、170-c和170-d执行并行操作，且块170-a、170-b、170-c和170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a和存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下，虚拟块内的块170可在其相应平面165内具有相同的块地址(例如，块170-a可为平面165-a的“块0”，块170-b可为平面165-b的“块0”，诸如此类)。在一些情况下，在不同平面165中执行并行操作可能受制于一或多个限制，例如对不同页175内在其相应平面165内具有相同页地址的存储器单元执行并行操作(例如，涉及命令解码、页地址解码电路系统，或跨平面165共享的其它电路系统)。
36.在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)和列(例如串，未展示)的存储器单元。举例来说，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与其耦合)，且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地称为位线)(例如，与其耦合)。
37.对于一些nand架构，存储器单元可以第一级别的粒度(例如，以页级别的粒度)读取和编程(例如，写入)，但可能以第二级别的粒度(例如，以块级别的粒度)擦除。也就是说，页175可以是可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分并行地编程或读取)的最小存储器单位(例如，存储器单元组)，且块170可以是可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的部分并行地擦除)的最小存储器单位(例如，存储器单元组)。此外，在一些情况下，nand存储器单元可在其可用新数据重写之前被擦除。因此，举例来说，在一些情况下，可能直到包含页175的整个块170被擦除才更新已使用的页175。
38.在一些情况下，为了更新块170内的一些数据同时保留块170内的其它数据，存储器装置130可将待保留的数据复制到新块170且将更新后的数据写入到新块170的一或多个其余页。存储器装置130(例如，本地控制器135)或存储器系统控制器115可将保持在旧块170中的数据标记或以其它方式指定为无效或过时，且可更新逻辑到物理(l2p)映射表以使数据的逻辑地址(例如，lba)与新的有效块170而非旧的无效块170相关联。在一些情况下，例如由于时延或耗损考虑，可执行此类复制和重新映射而非擦除和重写整个旧块170。在一些情况下，l2p映射表的一或多个副本可存储在存储器装置130的存储器单元内(例如，一或
多个块170或平面165内)，以供本地控制器135或存储器系统控制器115使用(例如，参考和更新)。
39.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可执行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的一部分)，例如耗损均衡、后台刷新、无用单元收集、清理、块扫描、健康监测，或其它操作，或其任何组合。举例来说，在存储器装置130内，块170可具有含有有效数据的一些页175和含有无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除和重新使用块170，可调用称作“无用单元收集”的算法，以允许块170被擦除和释放为空闲块以用于后续写入操作。无用单元收集可指一组媒体管理操作，其包含例如选择含有有效和无效数据的块170、选择块中含有有效数据的页175、将来自所选择页175的有效数据复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)、将先前选择的页175中的数据标记为无效以及擦除所选择块170。因此，可增加已擦除的块170的数量，使得更多的块170可用于存储后续数据(例如，随后从主机系统105接收的数据)。
40.系统100可包含支持用于slc的设置切换的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。例如，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或以其它方式可存取一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述非暂时性计算机可读媒体存储指令(例如，固件)以进行本文中属于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能。举例来说，如果由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行，则此类指令可使得主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文所描述的一或多个相关联功能。
41.在一些情况下，存储器系统110可利用存储器系统控制器115来提供受管理存储器系统，所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列和与本地(例如，裸片上或封装中)控制器(例如，本地控制器135)组合的相关电路系统。受管理存储器系统的实例是mnand系统。
42.在一些存储器装置130中，经配置以每存储器单元(即，slc块)存储一个位的数据的存储器单元块170可经配置以使用一组多个设置中的一者来存储数据。在一些情况下，设置可称作微调、slc微调、微调设置或配置，以及其它实例。每个设置可包含在使用所述设置的情况下用于执行存取操作的一或多个操作参数的指示。举例来说，设置可限定slc块的电压电平的电压分布。也就是说，设置可指示对应于slc块的逻辑状态的电压电平，例如对应于逻辑“0”的电压电平、对应于逻辑“1”的电压电平、两个逻辑状态之间的电压电平差，或其组合。
43.在一些情况下，所述一组设置可包含相对于其它设置针对快速写入性能配置的动态设置(例如，动态slc或动态微调)。举例来说，动态设置可用于被定为存储器系统110的写入突发模式的部分的slc块。
44.所述设置还可包含相对于其它动态设置针对高耐久性配置的静态设置(例如，静态slc或静态微调)。举例来说，如果对块170执行相对较高数量的存取命令(例如，高于阈值数量)，则存储器单元的块170可使用静态设置执行存取命令，使得块170的存储器单元可满足存储器装置130的寿命阈值(例如，太字节写入(tbw)的阈值)。
45.在一些情况下，所述设置还可包含相对于静态设置和动态设置针对高耐久性配置的高耐久性设置(例如，高耐久性slc或高耐久性微调)。举例来说，使用高耐久性设置执行
存取命令的存储器单元的块170能够在存储器单元的寿命内执行相对高数量的存取命令(即，比使用动态设置或静态设置的存储器单元块更高数量的存取命令)。然而，静态设置和动态设置可支持比高耐久性设置相对更高的数据准确度可靠性。
46.另外，所述设置可包含经配置以用于在红外(ir)回焊工艺之前写入数据的产生状态感知(psa)设置(例如psa slc或psa微调)。举例来说，存储器装置可在数据被编程到存储器装置的单元之后经受一或多个制造过程，例如焊接到存储器系统或印刷电路板(pcb)。在一些情况下，与其它用途相比，制造过程可使存储器单元经受相对恶劣的条件，例如高温(例如，高于温度阈值)。此类条件可潜在地不利地影响在制造过程之前编程到存储器单元的数据的完整性。与其它设置相比，存储使用psa设置写入的数据的存储器单元块170可具有相对较高的可靠性。也就是说，使用psa设置写入的数据可经配置以在一或多个制造过程(例如，ir回焊)之后维持准确性。
47.在一些情况下，存储器系统110可配置其中要使用所述设置中的一者的一组连续的存储器单元块170。举例来说，存储器系统110可使用开始地址和停止地址来指示用于应用特定设置的块地址范围。在一些情况下，块地址范围可在预启动序列期间通过例如固件进行配置。
48.在一些其它系统中，存储器装置可根据由块地址范围指示的设置来执行存取命令。也就是说，存储器装置可使用包含于存取命令中的地址来确定块地址范围以及相应地要使用哪一设置来执行存取命令。使用块地址范围指示设置可能不允许地址范围之间的重叠。也就是说，每个物理地址可对应于单个设置。然而，在一些情况下，多平面操作(例如，存取单独平面中的多个存储器单元块的存取操作)可存取各自对应于不同块地址范围以及因此对应于不同设置的两个或更多个块。在此类情况下，多平面操作可使用设置中的一者(例如，对应于最低存取平面的设置)来存取多平面操作中指示的存储器单元块中的每一者。也就是说，可使用不同于由块地址范围指示的设置的设置来存取一些存储器单元块。使用不同设置存取存储器单元块可增加错误的可能性、减小执行速度、增加功耗或其任何组合。
49.另外或替代地，在一些其它系统中，存储器系统可使用单个设定的媒体-本地-总线接口(mlbi)触发设置的切换。举例来说，每当存储器装置要切换设置以用于存取操作时，存储器系统可发出专用mlbi命令以切换到新设置。然而，使用专用mlbi命令的系统可能无法支持特定操作，例如，高速缓存编程和高速缓存读取操作。举例来说，存储器系统处的固件可跨不同分区混合高速缓存编程和高速缓存读取操作以改进性能。为了支持专用mlbi命令，如果归因于读取表的随机读取、独立nand(rain)奇偶校验编程操作的冗余阵列、表更新、指示不同分区的主机命令或这些或其它操作的任何组合而存在分区之间的切换，则存储器系统可停止将命令发到存储器装置。存储器系统可能停止发出命令以发出专用mlbi命令来执行设置切换，从而显著降低存储器系统的性能(例如，低于性能阈值)。
50.相比之下，存储器系统110可包含存取命令中的设置的指示，使得存储器装置130可根据存取命令而非块地址范围或单独的专用mlbi命令来确定要使用哪个设置。因此，不论物理块地址和存取类型(例如，单平面165与多平面165)如何，存储器装置130可使用存取命令自身中提供的信息使用适当设置(例如，slc微调)来存取所指示的块170。
51.图2说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的系统200的实例。系统200可以是参考图1所描述的系统100或其各方面的实例。系统200可包含存储器系统210，
所述存储器系统经配置以在主机系统205使用存取命令(例如，读取命令或写入命令)请求的情况下存储从主机系统205接收到的数据以及将数据发送到主机系统205。系统200可实施如参考图1所描述的系统100的各方面。举例来说，存储器系统210和主机系统205可分别为存储器系统110和主机系统105的实例。
52.如本文所描述，存储器系统210可包含存储器装置240，以例如响应于从主机系统205接收存取命令而存储在存储器系统210与主机系统205之间传送的数据。存储器装置240可包含如参考图1所描述的一或多个存储器装置。举例来说，存储器装置240可包含nand存储器、pcm、自选存储器、3d交叉点、其它基于硫族化物的存储器、feram、mram、nor(例如，nor快闪)存储器、stt-mram、cbram、rram，或oxram。
53.存储器系统210可包含存储控制器230以用于控制直接进出存储器装置240的数据的传递，以例如用于存储数据、检索数据以及确定要将数据存储在其中和要从中检索数据的存储器位置。存储控制器230可使用特定于每个类型的存储器装置240的协议直接或经由总线(未展示)与存储器装置240通信。在一些情况下，单个存储控制器230可用于控制相同或不同类型的多个存储器装置240。在一些情况下，存储器系统210可包含多个存储控制器230，例如，用于每个类型的存储器装置240的不同存储控制器230。在一些情况下，存储控制器230可实施参考图1描述的本地控制器135的各方面。
54.存储器系统210可另外包含用于与主机系统205通信的接口220，以及用于临时存储正在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据的缓冲器225。接口220、缓冲器225和存储控制器230可用于在主机系统205与存储器装置240之间转移数据(例如，如由数据路径250所展示)，且可统称为数据路径组件。
55.在传送期间使用缓冲器225临时地存储数据可允许在处理命令时缓冲数据，由此减小命令之间的时延且允许与命令相关联的任意数据大小。这还可允许处置命令突发，且一旦突发停止，就可存储或传输(或两者)所缓冲的数据。缓冲器225可包含相对快速的存储器(例如，一些类型的易失性存储器，例如sram或dram)或硬件加速器或这两者，以允许快速存储和检索进出缓冲器225的数据。缓冲器225可包含用于缓冲器225与其它组件之间的双向数据传送的数据路径切换组件。
56.数据在缓冲器225内的临时存储可指在执行存取命令期间数据在缓冲器225中的存储。也就是说，在完成存取命令后，相关联数据可能不再维持在缓冲器225中(例如，可用额外存取命令的数据覆写)。另外，缓冲器225可以是非高速缓存缓冲器。也就是说，主机系统205可不直接从缓冲器225读取数据。举例来说，可将读取命令添加到队列中，而无需进行将地址与缓冲器225中已经存在的地址进行匹配的操作(例如，没有高速缓存地址匹配或查找操作)。
57.存储器系统210可另外包含用于执行从主机系统205接收到的命令且在移动数据时控制数据路径组件的存储器系统控制器215。存储器系统控制器215可以是如参考图1所描述的存储器系统控制器115的实例。a总线235可用于在系统组件之间通信。
58.在一些情况下，一或多个队列(例如，命令队列260、缓冲器队列265和存储队列270)可用于控制存取命令的处理和对应数据的移动。例如，如果由存储器系统210并行处理来自主机系统205的多于一个存取命令，则这可以是有益的。作为可能实施方案的实例，分别在接口220、存储器系统控制器215和存储控制器230处描绘命令队列260、缓冲器队列265
和存储队列270。然而，队列(如果使用)可位于存储器系统210内的任何位置。
59.在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据可在存储器系统210中采用与非数据信息(例如，命令、状态信息)不同的路径。举例来说，存储器系统210中的系统组件可使用总线235彼此通信，而数据可使用通过数据路径组件的数据路径250而非总线235。存储器系统控制器215可通过经由总线235与数据路径组件通信(例如，使用特定于存储器系统210的协议)而控制如何及是否在主机系统205与存储器装置240之间传送数据。
60.如果主机系统205将存取命令传输到存储器系统210，则命令可由接口220例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)接收。因此，可将接口220视为存储器系统210的前端。在接收到每个存取命令后，接口220可例如经由总线235将命令传送到存储器系统控制器215。在一些情况下，可通过接口220将每个命令添加到命令队列260，以将命令传达到存储器系统控制器215。
61.存储器系统控制器215可确定已基于(例如，响应于)来自接口220的通信而接收到存取命令。在一些情况下，存储器系统控制器215可通过从命令队列260检索到存取命令而确定已接收到所述命令。所述命令在其例如由存储器系统控制器215从命令队列260检索到之后可从所述命令队列移除。在一些情况下，存储器系统控制器215可使接口220例如经由总线235从命令队列260移除命令。
62.在确定已接收到存取命令后，存储器系统控制器215就可执行存取命令。对于读取命令，这可意味着从存储器装置240获得数据以及将数据传输到主机系统205。对于写入命令，这可意味着从主机系统205接收数据以及将数据移动到存储器装置240。
63.在任一情况下，存储器系统控制器215可将缓冲器225尤其用于临时存储从主机系统205接收的数据或发送到所述主机系统的数据。缓冲器225可视为存储器系统210的中端。在一些情况下，缓冲器地址管理(例如，指向缓冲器225中的地址位置的指针)可由接口220、缓冲器225或存储控制器230中的硬件(例如，专用电路)执行。
64.为了处理从主机系统205接收的写入命令，存储器系统控制器215可首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与写入命令相关联的数据的空间量。
65.在一些情况下，缓冲器队列265可用于控制与存储在缓冲器225中的数据相关联的命令流，所述命令流包含写入命令。缓冲器队列265可包含与当前存储在缓冲器225中的数据相关联的存取命令。在一些情况下，命令队列260中的命令可通过存储器系统控制器215移动到缓冲器队列265，且可在相关联数据存储在缓冲器225中的同时保持在缓冲器队列265中。在一些情况下，缓冲器队列265中的每个命令可与缓冲器225处的地址相关联。也就是说，可维持指示与每个命令相关联的数据存储在缓冲器225中何处的指针。使用缓冲器队列265，可从主机系统205依序接收多个存取命令且可并行处理存取命令的至少部分。
66.如果缓冲器225具有足够空间来存储写入数据，则存储器系统控制器215可使接口220例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)将可用性的指示传输到主机系统205(例如，“准备好传送”指示)。当接口220随后从主机系统205接收与写入命令相关联的数据时，接口220可使用数据路径250将数据传送到缓冲器225以用于临时存储。在一些情况下，接口220可从缓冲器225或缓冲器队列265获得缓冲器225内用以存储数据的位置。接口220可例如经
由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成向缓冲器225的数据传送。
67.一旦写入数据已通过接口220存储在缓冲器225中，就可将数据从缓冲器225传送出来且存储在存储器装置240中。这可使用存储控制器230完成。举例来说，存储器系统控制器215可使存储控制器230使用数据路径250从缓冲器225中检索出数据且将所述数据传送到存储器装置240。存储控制器230可被视为存储器系统210的后端。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成向存储器装置240中的存储器装置的数据传送。
68.在一些情况下，存储队列270可用于辅助写入数据的传送。举例来说，存储器系统控制器215可(例如，经由总线235)将写入命令从缓冲器队列265推送到存储队列270以供处理。存储队列270可包含用于每个存取命令的条目。在一些实例中，存储队列270可另外包含：缓冲器指针(例如，地址)，其可指示在缓冲器225中何处存储与命令相关联的数据；以及存储指针(例如，地址)，其可指示存储器装置240中与所述数据相关联的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225、缓冲器队列265或存储队列270获得缓冲器225内要从中获得数据的位置。存储控制器230可管理存储器装置240内用以存储数据的位置(例如，执行耗损均衡、无用单元收集等)。可例如通过存储器系统控制器215将条目添加到存储队列270。在完成数据的传送后，可例如通过存储控制器230或存储器系统控制器215从存储队列270移除所述条目。
69.为了处理从主机系统205接收的读取命令，存储器系统控制器215可同样首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与读取命令相关联的数据的空间量。
70.在一些情况下，缓冲器队列265可用于以与上文相对于写入命令所论述的类似方式来辅助与读取命令相关联的数据的缓冲器存储。举例来说，如果缓冲器225具有足够空间存储读取数据，则存储器系统控制器215可使存储控制器230从存储器装置240检索与读取命令相关联的数据且使用数据路径250将数据存储在缓冲器225中以供临时存储。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成向缓冲器225的数据传送。
71.在一些情况下，存储队列270可用于辅助读取数据的传送。举例来说，存储器系统控制器215可将读取命令推送到存储队列270以供处理。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225或存储队列270获得存储器装置240内从中检索数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器队列265获得缓冲器225内用以存储数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从存储队列270获得缓冲器225内用以存储数据的位置。在一些情况下，存储器系统控制器215可将存储队列270处理的命令移动回到命令队列260。
72.一旦数据已由存储控制器230存储在缓冲器225中，可将数据传送出缓冲器225且发送到主机系统205。举例来说，存储器系统控制器215可使接口220使用数据路径250从缓冲器225检索出数据，且例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)将数据传输到主机系统205。举例来说，接口220可处理来自命令队列260的命令，且可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成向主机系统205的数据传输。
73.存储器系统控制器215可根据次序(例如，根据命令队列260的次序的先进先出次
序)执行接收到的命令。对于每个命令，存储器系统控制器215可使得对应于命令的数据移动进出缓冲器225，如上文所论述。当数据移动到缓冲器225中且存储在其内时，命令可保持在缓冲器队列265中。如果已完成对命令的处理(例如，如果已从缓冲器225传送出对应于存取命令的数据)，则可例如通过存储器系统控制器215从缓冲器队列265移除命令。如果从缓冲器队列265移除命令，则先前存储与所述命令相关联的数据的地址可用于存储与新命令相关联的数据。
74.存储器系统控制器215可另外经配置以用于与存储器装置240相关联的操作。举例来说，存储器系统控制器215可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、无用单元收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，以及与来自主机系统205的命令相关联的逻辑地址(例如，lba)和与存储器装置240内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。也就是说，主机系统205可发出指示一或多个lba的命令，且存储器系统控制器215可标识由lba指示的一或多个物理块地址。在一些情况下，一或多个连续lba可对应于不连续的物理块地址。在一些情况下，存储控制器230可经配置以结合或代替存储器系统控制器215执行以上操作中的一或多者。在一些情况下，存储器系统控制器215可执行存储控制器230的功能，且可省略存储控制器230。
75.在一些情况下，主机系统205可将存取命令275(例如，读取命令、写入命令或擦除命令)传输到存储器系统210。存储器系统210可响应于接收到存取命令275而修改且向存储器装置240发出存取命令275。由存储器系统210接收的存取命令275可包含存储器装置240内的存储器单元地址的指示。所述指示可包含列地址、行地址、页地址、存储体地址或其任何组合。
76.存储器系统210可使用例如存储器系统控制器215中包含的快闪转换层(ftl)修改从主机系统205接收的存取命令275。ftl可响应于确定存取命令275中指示的存储器单元是slc块还是多层级单元块(例如mlc块、tlc块、qlc块，或经配置以存储多于一个位的数据的另一存储器单元块)的部分而修改存取命令275。
77.在一些情况下，响应于确定由存取命令275指示的一或多个存储器单元是一或多个slc块的部分，ftl可修改存取命令275以包含用于存储器单元块的设置的指示(例如，一组多个经配置设置中的一者，如参考图1所描述)。在一些情况下，ftl可包含虚拟块地址的分区与设置之间的映射。也就是说，用于存储器单元块的每个虚拟块地址可与存储器装置的分区和对应设置相关联，而无关于存储器单元块的物理地址。ftl可修改存取命令275以包含要在存取操作中用于由存取命令275指示的存储器单元块的设置(例如，slc设置280)的指示。存储器系统210可将包含slc设置280的指示的经修改存取命令275发布到存储器装置240，使得存储器装置240可使用所指示slc设置280执行由存取命令275指示的存取操作。
78.举例来说，用于多层级单元块(例如mlc块、tlc块或qlc块)的存取命令275(即，多层级单元存取命令)可包含相比于对应于用于slc块的存取命令275(即，slc存取命令)的地址使用更多位的地址。然而，在一些情况下，经分配用于指示存取命令中的地址的位的数量对于slc存取命令和多层级单元存取命令两者来说可能是相同大小。因此，可存在包含于存取命令中的一或多个位，所述一或多个位可用于多层级单元存取命令中的地址指示且可用于slc存取命令中的不同目的。在一些情况下，存储器系统210可重复使用此类位以在slc存
取命令中指示slc设置280。
79.可使用具有一定数量的数据接脚的总线(例如，8接脚总线)在多个循环中从存储器系统210向存储器装置240发出存取命令275。每个循环可包含等于数据接脚的所述数量的一定数量的位，其中每个位可对应于含有n个索引的位字段，例如列地址(ca)位字段、页地址(pa)位字段、存储体地址(ba)位字段、逻辑单元地址(la)位字段、平面设置(ps)位字段或其任何组合。每个位可根据索引n在对应位字段内进行排序(例如，ca7位可以是ca位字段中的第7位)。表1中展示在多个循环中使用8接脚总线指示的地址的实例：
80.循环dq7dq6dq5dq4dq3dq2dq1dq0第一ca7ca6ca5ca4ca3ca2ca1ca0第二低ca14ca13ca12ca11ca10ca9ca8第三pa7pa6pa5pa4pa3pa2pa1pa0第四ba15ba14ps13ps12pa11pa10pa9pa8第五ba23ba22ba21ba20ba19ba18ba17ba16第六低低低低低la2la1la0
81.表1：实例地址位使用
82.如果存取命令275是slc存取命令，则可存在(例如，根据表1中所说明的地址循环)未在地址循环中用于slc存取命令的预留用于指示多层级单元存取命令中的地址的位。举例来说，表1中指示为pa位pa11和pa10的位可用于指示用于多层级单元存取命令的pa位字段中的第10位和第11位，但可用于在slc存取命令中指示设置(例如，slc设置280)。此类位可重复使用，因为相较于用于多层级单元存取命令的十二个位，所支持用于slc存取命令的可能页地址的数量可使用十个位来指示。如果从主机系统205接收的存取命令275指示slc，则可将pa11和pa10位设置为存取命令275中的默认值(例如，00)。存储器系统控制器215(例如，ftl)可修改存取命令275的一或多个位(例如，对应于pa11和pa10的两个位)以包含设置(例如，slc设置280)的指示，以用作存取命令275的部分。举例来说，存储器系统控制器215可指示来自一组设置(参考图1描述)的设置，如表2所示：
83.pa11pa10设置00静态设置01动态设置10高耐久性设置11psa设置
84.表2：实例设置编码表
85.因此，存储器系统210可修改存取命令275以通过将pa11位和pa10位均设置为0来指示例如静态设置将用于执行由存取命令275指示的存取操作。另外或替代地，与表2中展示的实例映射相比，可使用其它映射以用于将存取命令275的任何数量的位映射到任一组slc设置280。
86.用于存取命令275的格式可在存储器系统210、存储器装置240或这两者处配置。存取命令275可包含指示要执行的动作(例如，读取操作、写入操作、擦除操作)的一或多个位。存取命令275还可包含指示可响应于存取命令而存取的存储器单元或存储器单元块的地址的一或多个位(例如，如本文中参考表1所描述)。举例来说，存取命令275可包含指示ca、ba、
pa、la或这些或其它地址信息的任何组合的一或多个位。在一些情况下，存取命令275可包含指示设置(例如，所述一组slc设置280中的一者)的一或多个位(例如，对应于地址位中的一或多者的位索引的一或多个位)。举例来说，取决于存取命令275是slc存取命令还是多层级单元存取命令，存取命令275可包含可由存储器装置240以不同方式解译的一或多个位(例如，如指示slc设置280或地址的一部分)。
87.图3说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的过程流300的实例。过程流300可由存储器系统执行，所述存储器系统可以是参考图1和2描述的存储器系统的实例。存储器系统可与主机系统和存储器装置通信，所述主机系统和存储器装置可为参考图1和2所描述的相应装置的实例。在一些情况下，过程流300的操作可按与所展示次序不同的次序执行。另外或替代地，特定操作可从过程流300排除，其它操作可添加到过程流300，或这两者。
88.在305处，可接收前缀命令。举例来说，存储器系统可从主机系统接收前缀命令。在一些情况下，前缀命令可指示slc模式。也就是说，前缀命令可指示后续存取命令(例如，下一所接收存取命令)是否对应于slc块。
89.在310处，可接收存取命令。举例来说，存储器系统可从主机系统接收存取命令。所述存取命令可以是读取命令、写入命令或擦除命令的实例且可包含存储器单元块的指示。举例来说，从主机系统发送的存取命令可包含要对其执行对应存取操作的存储器单元块的虚拟地址。存取命令可包含指示ca的第一一或多个位、指示pa的第二一或多个位、指示ps的第三一或多个位、指示ba的第四一或多个位、指示la的第五一或多个位或其任何组合。
90.在315处，可确定存取命令是否对应于slc块。举例来说，存储器系统可确定存取命令中(例如，存取命令的虚拟地址中)指示的存储器单元块是slc块还是多层级单元块，例如mlc块、tlc块或qlc块。在一些情况下，可使用在305处接收的前缀命令来执行所述确定。举例来说，前缀命令可指示存取命令是否对应于slc块。
91.如果在315处确定存取命令对应于slc块，则可在320处选择分区。使用ftl，存储器系统可使用来自主机系统的使用数据选择slc块的一组单元的分区，例如在预启动序列期间选择的分区。举例来说，来自主机系统的使用数据可指示存储器系统是否将在支持相对低时延操作、相对高可靠性操作、相对高耐久性或其某一组合的分区中执行存取操作。在一些情况下，存储器系统可使用所选择的分区来确定用于slc块的设置。举例来说，存储器系统可经配置以使得存储器系统可针对虚拟块确定虚拟块所属的对应分区以及可用于所述虚拟块的对应设置(例如，根据对应分区)。
92.所述设置可限定用于对应于存取命令的存取操作的一或多个操作参数。举例来说，所述一或多个操作参数可包含在所述存取操作期间施加的电压、在所述存取操作期间施加电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合，以及其它实例。所述设置可对应于参考图1描述的一组设置中的一者。举例来说，所述设置可对应于动态slc、静态slc、高耐久性slc或psa slc。
93.在325处，可将指示插入到存取命令中。举例来说，存储器系统可修改存取命令以包含指示用于存取slc块的一或多个存储器单元的设置的一或多个位。在一些情况下，可通过设置对应于存取命令的地址中的未用位的位以对设置进行编码来修改存取命令，例如参考表2所描述。举例来说，存储器系统可根据来自存储器系统控制器(例如，ftl)的指示，用
对应于所述设置的编码的位来掩蔽pa11和pa10地址位。经修改位可指示经配置的一组设置中的哪一设置将用于存取slc块的存储器单元。
94.在330处，可发出存取命令。举例来说，存储器系统可向存储器装置发出在310处从主机系统接收且例如在325处由存储器系统控制器修改以包含所述设置的指示的存取命令。所发出的存取命令可包含指示用于slc块的设置的一或多个位。存储器装置可使用由所述一或多个位指示的设置来执行与存取命令相关联的存取操作。因此，存储器装置可使用适当设置(例如，先前使用的相同设置，使得根据先前存取操作正确地编程或读取slc块的存储器单元)来存取slc块。
95.在一些情况下，存取命令可能不对应于slc块。在此类情况下(例如，如果在315处确定存取命令不对应于slc块)，则可在335处标识地址。举例来说，存储器系统可使用存取命令中的一组位来确定地址。所述一组位可包含指示多层级单元存取命令中的地址信息的一或多个位，所述一或多个位对应于与指示slc存取命令中的设置的一或多个位相同的一或多个位索引。所述一或多个位可指示用于多层级单元块(例如，mlc块、tlc块、qlc块等)的页地址的至少部分。也就是说，存储器系统可确定存取命令对应于多层级单元块，且所述存取命令中指示的地址包含如果存取命令对应于slc块则可能不存在的额外位(例如，参考图2描述且动态地重复使用以指示slc存取命令中的设置的页地址位pa11和pa10)。
96.在340处，可发出存取命令。举例来说，存储器系统可将对应于多层级单元块的存取命令发布到存储器装置。
97.过程流300的各方面可由控制器以及其它组件实施。另外或替代地，过程流300的各方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器系统耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令如果由控制器(例如，存储器系统控制器115或存储器系统控制器215)执行，则可使控制器执行过程流300的操作。
98.图4说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的过程流400的实例。过程流400可由存储器装置执行，所述存储器装置可以是参考图1和2描述的存储器装置的实例。存储器装置可与存储器系统通信，所述存储器系统可以是参考图1到3描述的存储器系统的实例。在一些情况下，过程流400的操作可按与所展示次序不同的次序执行。另外或替代地，特定操作可从过程流400排除，其它操作可添加到过程流400，或这两者。
99.在405处，可接收存取命令。举例来说，存储器装置可从存储器系统接收存取命令。在一些情况下，存取命令可以是参考图3所描述的存取命令。也就是说，存取命令可以是读取命令、写入命令或擦除命令，且可对应于针对slc块或多层级单元块(mlc块、tlc块、qlc块)的存取操作。存取命令可包含指示ca的第一一或多个位、指示pa的第二一或多个位、指示ps的第三一或多个位、指示ba的第四一或多个位、指示la的第五一或多个位或其任何组合。
100.在410处，可确定在405处接收的存取命令是否对应于slc块。举例来说，存储器装置可确定从存储器系统接收的存取命令是对应于slc块还是对应于多层级单元块。在一些实例中，存储器装置可使用由存取命令指示的地址来确定由存取命令存取的块的类型。在一些其它实例中，存储器装置可接收指示存取命令是否对应于slc块的前缀命令。而在一些其它实例中，存取命令可包含指示存取命令是对应于slc块还是对应于多层级单元块的指示符。
101.如果确定存取命令对应于slc块，则在415处可标识设置。举例来说，存储器装置可使用存取命令中包含的一或多个位来标识设置(例如，参考图1所描述的一组经配置设置中的一者)。在一些情况下，所述设置可通过所述一或多个位编码，其中所述一或多个位的每个状态对应于例如表2中所展示的特定设置。在一些实例中，所述一或多个位可对应于用于所述存取命令的一或多个位索引。所述一或多个位索引可在存取命令对应于slc的情况下指示用于存取slc块的设置，或在存取命令对应于多层级单元的情况下指示pa的至少部分。
102.在420处，可使用415处标识的设置来执行对应于存取命令的存取操作。举例来说，存储器装置可使用415处标识的用于存取slc块的设置执行存取操作(例如，执行读取、写入或擦除操作)。举例来说，设置可对应于动态slc、静态slc、高耐久性slc或psa slc。所述设置可包含用于执行存取操作的一或多个操作参数。在一些情况下，所述一或多个操作参数包含在存取操作期间施加的电压、在所述存取操作期间施加电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令或其任何组合，以及其它实例。存储器装置可使用所指示设置的一或多个操作参数对所指示slc块的一或多个存储器单元执行存取操作。
103.在一些情况下，存取命令可以是读取命令的实例。在此类情况下，执行存取操作可包含使用slc块的设置来确定slc块的状态，且响应于存取命令而将slc块的状态的指示发布到存储器系统。在一些其它情况下，存取命令可以是写入命令或擦除命令的实例。在此类情况下，执行存取操作可包含使用slc块的设置将电压施加到slc块以改变由slc块的存储器单元指示的逻辑状态(例如，改变到“1”或“0”)。
104.在一些情况下，存取命令可能不对应于slc块。在此类情况下(例如，如果在410处确定存取命令对应于多层级单元块)，则可在425处标识地址。举例来说，存储器装置可确定存取命令对应于多层级单元块，且因此包含于存取命令中的额外一或多个位指示页地址的至少部分(例如，参考图2所描述的页地址位pa11和pa10)。存储器装置可将对应于指示slc存取命令中的设置的一或多个位索引的一或多个位用于确定多层级单元存取命令的地址。
105.在430处，可执行存取命令。举例来说，存储器装置可对由包含于存取命令中的地址(包含所述一或多个位)指示的一或多个多层级存储器单元执行存取命令(例如，执行读取、写入或擦除操作)。
106.过程流400的各方面可由控制器以及其它组件实施。另外或替代地，过程流400的各方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器装置耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令如果由控制器(例如，本地控制器135)执行，则可使控制器执行过程流400的操作。
107.图5说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的一组存储器单元500的实例。所述一组存储器单元500可包含：第一分区505，其中第一设置用于对块(例如，第一设置块510)的存取操作；以及第二分区515，其中第二设置用于对块(例如，第二设置块520)的存取操作。第一分区505和第二分区515的行可对应于块地址或块标识符(id)，而第一分区505和第二分区515的列可对应于平面地址或平面id。也就是说，同一行内的存储器单元块可共享块地址，但可在存储器装置的单独平面中。举例来说，第一设置可以是静态设置，而第二设置可以是动态设置。也就是说，第一设置块510可以是已使用静态设置编程的存储器块，且第二设置块520可以是已使用动态设置编程的存储器块(例如，参考图1所描述的静
态和动态设置)。在一些实例中，包含所述一组存储器单元500的存储器装置可支持系统加上使用第一设置(例如，静态slc微调)的em1分区、使用第二设置(例如，动态slc微调)的正常分区、使用第三设置(例如，高耐久性slc微调)的em2分区，或其某一组合。
108.在一些情况下，第一分区505、第二分区515或这两者的一或多个块可以是不良块525的实例。也就是说，存储在不良块525中的数据可能已损坏，或不良块525可能已损坏且可能不再可靠。在此类情况下，存储器装置可将存储在不良块525中的数据传送到替换块530。存储器装置可使用曾用于最初将数据写入到不良块525的相同设置将数据写入到替换块530。举例来说，写入数据的物理地址可改变，但可不改变虚拟或逻辑地址，因为替换块530可当作被替换的不良块525得以处置。在一些情况下，不良块525可由与不良块525处于同一平面(例如，对应于所述一组存储器单元500的同一列)中的替换块530替换535。
109.在一些实例中，存储器系统可执行多平面操作。也就是说，存储器系统可对跨越不同平面的块执行存取操作(例如，读取、写入或擦除操作)(例如，对跨越多个平面的对应于相同块id的块执行存取操作)。
110.在一些情况下，存储器系统可使用块地址范围方案来确定用于多平面操作的设置。块地址范围方案可使用块的物理地址确定设置，且可跨多平面操作的多个平面(例如，每个平面)使用同一设置。然而，如果不良块(例如，第一平面和第二分区515中的不良块525-a)已被替换块530替换535(例如，由第一平面和第一分区505中的替换块530-a替换535-a)，则在多平面操作中包含的每个块的设置可不对应于相同设置。在此类情况下，存储器系统可针对多平面操作的每个块使用例如对应于多平面操作的块中的一者的设置。因此，块地址方案可使得使用与用于先前写入到存储器单元块的设置不同的设置对存储器单元块执行存取操作(例如，读取、写入或擦除操作)。举例来说，如果使用块地址方案，则即使块在物理上位于第一分区505中，也可将最初写入到不良块525-a的数据移动到替换块530-a，且可使用第二设置写入替换块530-a中的数据。如果存储器装置对行540执行多平面存取操作，则存储器装置可标识替换块530-a且归因于替换块530-a位于第一分区505中而确定使用第一设置。因此，多平面存取操作可使用第一设置来存取第二设置块520-a。然而，如果存储器装置对第二设置块520-a执行单平面存取操作，则归因于第二设置块520-a位于第二分区515中，存储器装置可确定使用第二设置。因此，此类方案可能导致对块使用错配设置。在一些情况下，错配设置可导致存储器装置使用与用于写入的电压不同的电压阈值读取块，或不当地调整用于写入或擦除操作的电压，从而产生非预期电压分布。
111.然而，相比之下，存储器系统可改为在存取命令中指示用于存取操作的设置，使得存储器装置可避免将错配设置用于存取操作。举例来说，如参考图1到4所描述，存储器系统可修改slc存取命令以指示用于执行存取操作的设置。因此，存储器系统可指示用于行540处的多平面存取操作的相同设置(例如，第二设置)、用于第二设置块520-a的单平面存取操作以及用于代替块530-a的单平面存取操作，使得存储器装置使用对应于所指示设置的相同操作参数来存取所述块。使用一或多个位来指示存取命令中的设置可使得使用相同设置来从存储器单元块读取和写入到存储器单元块，这可通过减小读取错误的可能性来改进性能，以及在失败存取命令的情况下提高读取速度和减少与执行额外操作相关联的功耗。另外或替代地，存储器装置可支持不良块525替换方面的灵活性的提高，因为不良块525可从新鲜块(例如，可用作替换块530的块)的任何池(例如，分区)中替换，而无关于不良块525所
位于的池。
112.图6展示根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的存储器系统620的框图600。存储器系统620可以是参考图1到5所描述的存储器系统的各方面的实例。存储器系统620或其各种组件可以是用于使用如本文所描述的存取命令执行用于slc的运行中设置切换的各个方面的构件的实例。举例来说，存储器系统620可包含命令管理器625、地址管理器630、分区管理器635、设置管理器640，或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
113.命令管理器625可经配置为或以其它方式支持用于从主机系统接收针对存储器装置的存取命令的构件。地址管理器630可经配置为或以其它方式支持用于确定存取命令是否对应于存储器装置的slc的构件。在一些实例中，地址管理器630可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)确定存取命令对应于slc而修改存取命令以包含指示用于存取slc块的一或多个存储器单元的设置的一或多个位的构件。在一些实例中，命令管理器625可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述修改(例如，使用由所述修改生成的存取命令)将包含指示用于slc块的设置的一或多个位的存取命令发布到存储器装置的构件。
114.在一些实例中，地址管理器630可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)确定存取命令是否对应于slc而确定所述一或多个位是指示用于存取slc块的设置还是指示页地址的至少部分的构件。
115.在一些实例中，所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引。在一些实例中，所述一或多个位索引经配置以在所述存取命令对应于slc的情况下指示用于存取slc块的设置或在所述存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述页地址的至少部分。
116.在一些实例中，命令管理器625可经配置为或以其它方式支持用于从主机系统接收针对存储器装置的额外存取命令的构件。在一些实例中，地址管理器630可经配置为或以其它方式支持用于确定额外存取命令是否对应于存储器装置的额外slc的构件。在一些实例中，地址管理器630可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)确定额外存取命令未能对应于额外slc而确定所述额外存取命令包含对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引的额外一或多个位的构件，所述额外一或多个位指示多层级单元块的页地址的至少部分。
117.在一些实例中，分区管理器635可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，使用)主机系统的使用数据来选择多个slc的分区的构件。在一些实例中，设置管理器640可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所选择分区(例如，由所选择分区指示)而确定用于slc块的设置的构件，其中修改存取命令以包含指示用于slc块的设置的一或多个位进一步至少部分地基于确定所述设置(例如，根据确定所述设置而执行)。
118.在一些实例中，命令管理器625可经配置为或以其它方式支持用于从主机系统且在接收到存取命令之前接收指示slc模式的前缀命令的构件，其中确定存取命令对应于slc至少部分地基于所述前缀命令指示slc模式(例如，使用所述前缀命令而确定)。
119.在一些实例中，用于存取slc块的设置限定用于对应于存取命令的存取操作的一或多个操作参数。
120.在一些实例中，所述一或多个操作参数包含在存取操作期间施加的电压、在存取操作期间施加电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合。
121.在一些实例中，用于slc块的设置包含动态slc、静态slc、高耐久性slc或psa slc。
122.在一些实例中，存取命令还包含指示ca的第一一或多个位、指示pa的第二一或多个位、指示ps的第三一或多个位、指示ba的第四一或多个位、指示la的第五一或多个位或其任何组合。
123.在一些实例中，存取命令包含读取命令、写入命令或擦除命令。
124.图7展示根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的存储器装置720的框图700。存储器装置720可以是如参考图1到5所描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置720或其各种组件可以是用于使用如本文中所描述的存取命令执行用于slc的运行中设置切换的各个方面的构件的实例。举例来说，存储器装置720可包含命令管理器725、地址管理器730、操作管理器735、读取管理器740、写入管理器745，或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
125.命令管理器725可经配置为或以其它方式支持用于从存储器系统接收存取命令的构件。地址管理器730可经配置为或以其它方式支持用于确定存取命令是否对应于存储器装置的slc的构件。在一些实例中，命令管理器725可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)确定存取命令对应于slc而使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于slc块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作的构件。
126.在一些实例中，地址管理器730可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)确定存取命令是否对应于slc而确定所述存取命令的一或多个位是指示用于slc块的设置还是指示pa的至少部分的构件。
127.在一些实例中，所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引。在一些实例中，所述一或多个位索引经配置以在存取命令对应于slc的情况下指示用于slc块的设置或在存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述pa的至少部分。
128.在一些实例中，命令管理器725可经配置为或以其它方式支持用于从存储器系统接收额外存取命令的构件。在一些实例中，地址管理器730可经配置为或以其它方式支持用于确定额外存取命令是否对应于存储器装置的额外slc的构件。在一些实例中，命令管理器725可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)确定额外存取命令未能对应于额外slc而执行对应于由额外存取命令的额外一或多个位指示的pa的额外存取命令的额外存取操作的构件，其中所述额外一或多个位对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引。
129.在一些实例中，为了支持执行存取操作，操作管理器735可经配置为或以其它方式支持用于针对所述存取操作使用由slc块的设置限定的一或多个操作参数的构件。
130.在一些实例中，所述一或多个操作参数包含在存取操作期间施加的电压、在存取操作期间施加电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合。
131.在一些实例中，存取命令可以是读取命令的实例。在一些实例中，为了支持执行存取操作，读取管理器740可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，使用)用
于slc块的设置而确定slc块的状态的构件。在一些实例中，为了支持执行存取操作，读取管理器740可经配置为或以其它方式支持用于向存储器系统且响应于存取命令而发布slc块的状态的指示的构件。
132.在一些实例中，存取命令可以是写入命令或擦除命令的实例。在一些实例中，为了支持执行存取操作，写入管理器745可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，使用)用于slc块的设置和存取命令而将电压施加到slc块的构件。
133.在一些实例中，用于slc块的设置包含动态slc、静态slc、高耐久性slc或psa slc。
134.在一些实例中，存取命令还包含指示ca的第一一或多个位、指示pa的第二一或多个位、指示ps的第三一或多个位、指示ba的第四一或多个位、指示la的第五一或多个位或其任何组合。
135.图8展示说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的方法800的流程图。方法800的操作可由本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法800的操作可由参考图1到6所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。
136.在805处，所述方法可包含从主机系统接收针对存储器装置的存取命令。可根据本文所公开的实例执行805的操作。在一些实例中，805的操作的各方面可由参考图6所描述的命令管理器625执行。
137.在810处，所述方法可包含确定存取命令是否对应于存储器装置的slc。可根据本文所公开的实例执行810的操作。在一些实例中，810的操作的各方面可由参考图6所描述的地址管理器630执行。
138.在815处，方法可包含至少部分地基于(例如，响应于)确定存取命令对应于slc而修改所述存取命令以包含指示用于存取slc块的一或多个存储器单元的设置的一或多个位。可根据本文所公开的实例执行815的操作。在一些实例中，815的操作的各方面可由参考图6所描述的地址管理器630执行。
139.在820处，方法可包含至少部分地基于所述修改(例如，使用由所述修改生成的存取命令)而向存储器装置发出包含指示用于slc块的设置的一或多个位的存取命令。可根据本文所公开的实例执行820的操作。在一些实例中，820的操作的各方面可由参考图6所描述的命令管理器625执行。
140.方法800的各方面可由控制器以及其它组件实施。另外或替代地，方法800的各方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器系统耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令在由控制器(例如，存储器系统控制器115或存储器系统控制器215)执行的情况下可使控制器执行方法800的操作。
141.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行例如方法800等一或多个方法。所述设备可包含特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)以用于：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的slc；至少部分地基于(例如，响应于)确定所述存取命令对应于slc而修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于存取slc块的一或多个存储器单元的设置；以及至少部分地基于所述修改(例如，使用由所述修改生成的存取
命令)，向所述存储器装置发出包含指示用于所述slc块的设置的所述一或多个位的存取命令。
142.方法800和本文所描述的设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于至少部分地基于(例如，响应于)确定所述存取命令是否对应于slc而确定所述一或多个位是指示用于存取slc块的设置还是指示pa的至少部分。
143.在方法800和本文中所描述的设备的一些实例中，所述一或多个位对应于用于存取命令的一或多个位索引，且所述一或多个位索引可经配置以在存取命令对应于slc的情况下指示用于存取slc块的设置，或在存取命令对应于多层级单元的情况下指示pa的至少部分。
144.方法800和本文所描述的设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：从主机系统接收针对存储器装置的额外存取命令；确定额外存取命令是否对应于存储器装置的额外slc；以及至少部分地基于(例如，响应于)确定额外存取命令未能对应于额外slc而确定所述额外存取命令包含对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引的额外一或多个位，所述额外一或多个位指示多层级单元块的pa的至少部分。
145.方法800和本文所描述的设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：至少部分地基于(例如，使用)主机系统的使用数据来选择多个slc的分区；以及至少部分地基于(例如，根据)所选择分区而确定用于slc块的设置，其中修改存取命令以包含指示用于slc块的设置的一或多个位可进一步至少部分地基于(例如，响应于)确定所述设置。
146.方法800和本文所描述的设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于从主机系统且在接收到存取命令之前接收指示slc模式的前缀命令，其中确定存取命令对应于slc可至少部分地基于(例如，响应于)所述前缀命令指示slc模式。
147.在方法800和本文所描述的设备的一些实例中，用于存取slc块的设置限定用于对应于存取命令的存取操作的一或多个操作参数。
148.在方法800和本文所描述的设备的一些实例中，所述一或多个操作参数包含在存取操作期间施加的电压、在存取操作期间施加电压的持续时间、用于存取操作的参考电压、用于存取操作的编程验证命令，或其任何组合。
149.在方法800和本文所描述的设备的一些实例中，用于slc块的设置包含动态slc、静态slc、高耐久性slc或psa slc。
150.在方法800和本文所描述的设备的一些实例中，存取命令还包含指示ca的第一一或多个位、指示pa的第二一或多个位、指示ps的第三一或多个位、指示ba的第四一或多个位、指示la的第五一或多个位或其任何组合。
151.在方法800和本文所描述的设备的一些实例中，存取命令包含读取命令、写入命令或擦除命令。
152.图9展示说明根据本文所公开的实例的支持用于slc的设置切换的方法900的流程图。方法900的操作可由本文描述的存储器装置或其组件来实施。举例来说，可由参考图1到5和7所描述的存储器装置执行方法900的操作。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件
来执行描述的功能的各方面。
153.在905处，所述方法可包含从存储器系统接收存取命令。可根据本文所公开的实例执行905的操作。在一些实例中，905的操作的各方面可由参考图7所描述的命令管理器725执行。
154.在910处，所述方法可包含确定存取命令是否对应于存储器装置的slc。可根据本文所公开的实例执行910的操作。在一些实例中，910的操作的各方面可由参考图7所描述的地址管理器730执行。
155.在915处，所述方法可包含至少部分地基于(例如，响应于)确定存取命令对应于slc而使用由存取命令的一或多个位指示的用于slc块的设置来执行对应于存取命令的存取操作。可根据本文所公开的实例执行915的操作。在一些实例中，915的操作的各方面可由参考图7所描述的命令管理器725执行。
156.方法900的各方面可由控制器以及其它组件实施。另外或替代地，方法900的各方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器装置耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令如果由控制器(例如，本地控制器135)执行，则可使控制器执行方法900的操作。
157.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行例如方法900等一或多个方法。所述设备可包含特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)以用于：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定存取命令是否对应于存储器装置的slc；以及至少部分地基于(例如，响应于)确定存取命令对应于slc而使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于slc块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。
158.方法900和本文所描述的设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于至少部分地基于(例如，响应于)确定所述存取命令是否对应于slc而确定所述存取命令的一或多个位是指示用于slc块的设置还是指示pa的至少部分。
159.在方法900和本文中所描述的设备的一些实例中，所述一或多个位对应于用于存取命令的一或多个位索引，且所述一或多个位索引可经配置以在存取命令对应于slc的情况下指示用于slc块的设置，或在存取命令对应于多层级单元的情况下指示pa的至少部分。
160.方法900和本文所描述的设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：从存储器系统接收额外存取命令；确定额外存取命令是否对应于存储器装置的额外slc；以及至少部分地基于(例如，响应于)确定额外存取命令未能对应于额外slc而执行对应于由额外存取命令的额外一或多个位指示的pa的额外存取命令的额外存取操作，其中所述额外一或多个位对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引。
161.在方法900和本文所描述的设备的一些实例中，执行存取操作可包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以针对所述存取操作使用由用于slc块的设置限定的一或多个操作参数。
162.在方法900和本文所描述的设备的一些实例中，所述一或多个操作参数包含在存取操作期间施加的电压、在存取操作期间施加电压的持续时间、用于存取操作的参考电压、用于存取操作的编程验证命令，或其任何组合。
163.在方法900和本文所描述的设备的一些实例中，所述存取命令可以是读取命令的
实例，且执行存取操作可包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于至少部分地基于(例如，使用)用于slc块的设置而确定slc块的状态以及向存储器系统且响应于存取命令而发布slc块的状态的指示。
164.在方法900和本文所描述的设备的一些实例中，所述存取命令可以是写入命令或擦除命令的实例，且执行存取操作可包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于至少部分地基于(例如，使用)用于slc块的设置和存取命令而将电压施加到slc块。
165.在方法900和本文所描述的设备的一些实例中，用于slc块的设置包含动态slc、静态slc、高耐久性slc或psa slc。
166.在方法900和本文所描述的设备的一些实例中，存取命令还包含指示ca的第一一或多个位、指示pa的第二一或多个位、指示ps的第三一或多个位、指示ba的第四一或多个位、指示la的第五一或多个位或其任何组合。
167.应注意，上文描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或更多个方法的部分。
168.可使用多种不同技术和技艺中的任一者来表示本文所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可能将信号说明为单个信号；然而，所述信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
169.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，则认为组件彼此电子连通(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)。在任何给定时间，彼此电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是基于(例如，使用)包含所连接组件的装置的操作的开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是间接导电路径，其可包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。
170.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前不能通过导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传送。如果例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，则所述组件发起改变以允许信号通过先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动。
171.术语“隔离”是指其中信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此分离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关分隔开的所述组件在开关断开时彼此隔离。如果控制器隔离两个组件，则控制器实现改变以阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
172.术语“如果”、“当
…
时”、“基于”，或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当
…
时”、“基于”或“至少部分地基于”用于描述条件性动作、条件性过程，或过程的部分之间的连接，则所述术语可互换。
173.术语“响应于”可指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不完全地)发生的一个条件或动作。举例来说，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动
作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作发生之后)至少部分地发生。
174.另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指作为先前条件或动作的直接结果而发生的一个条件或动作。在一些实例中，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动作发生的结果直接发生而与是否发生其它条件或动作无关。在一些实例中，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”一些其它步骤、动作、事件或条件执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”此类其它条件或动作而执行。
175.本文中论述的包含存储器阵列在内的装置可形成于例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，所述衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或在另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方式来进行。
176.本文所论述的切换组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。各端子可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可导电，且可包括经重掺杂半导体区，例如简并半导体区。源极和漏极可通过轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载流子是电子)，则fet可称作n型fet。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，则fet可被称为p型fet。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使得沟道变为导电的。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“已激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，则晶体管可“关断”或“解除激活”。
177.本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且不表示可实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或图解说明”，且并非“优选的”或“优于其它实例”。具体实施方式包含提供对所描述的技术的理解的具体细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践实施例。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
178.在附图中，类似的组件或特征可具有相同的参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着短横和在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，则描述内容适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一者。
179.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果在由处理器执行的软件中实施，则可将功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的本质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、
固件、硬连线或这些中的任一者的组合来实施。实施功能的特征也可在物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
180.举例来说，可用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中的公开内容而描述的各种说明性块和组件。通用处理器可以是微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合dsp核心，或任何其它此类配置)。
181.如本文中所使用，包含在权利要求书中所使用，在项列表(例如，在例如“中的至少一者”或“中的一或多者”之前的项列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所使用，短语“基于”不应理解为参考封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式理解。
182.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体两种，所述通信媒体包含促进将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于承载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。另外，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波等技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，则所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或例如红外线、无线电和微波等技术包含于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。上述的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
183.提供本文中的描述以使得所属领域的技术人员能够制出或使用本公开。对本公开的各种修改对于所属领域的技术人员来说将是显而易见的，且本文所定义的一般原理可在不脱离本公开的范围的情况下应用于其它变型。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而应被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最广范围。