半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成初始结构，所述初始结构包括位于衬底上的初始第一材料层以及初始掩膜结构，所述初始第一材料层的材料包括多晶硅；在所述初始结构上形成光刻图形层；以所述光刻图形层为掩膜，通过一步刻蚀工艺刻蚀所述初始第一材料层与初始掩膜结构，在所述初始结构内形成初始开口，所述一步刻蚀工艺对所述初始掩膜结构的刻蚀速率与初始第一材料层的刻蚀速率的比值范围为1～1.2，使所述初始第一材料层和初始掩膜结构成为第一材料层和掩膜结构，所述初始开口暴露出所述衬底表面。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述一步刻蚀工艺采用的气体的碳氟比范围为0.7～1.3。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述一步刻蚀工艺采用的气体包括主刻蚀气体和保护气体，所述主刻蚀气体包括sf6、cf4和nf3中的一种或多种组合；所述保护气体包括ch2f2、chf3、ch3f、c4f6、c4f8和c5f8中的一种或多种组合。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述主刻蚀气体为sf6；所述保护气体为ch2f2。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述一步刻蚀工艺的参数包括：sf6的气体流量为10sccm～30sccm；ch2f2的气体流量为15sccm～45sccm。6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护气体对于初始掩膜结构的刻蚀速率与保护气体对于光刻图形层的刻蚀速率的比值范围为1:1～2:1；所述保护气体对于初始第一材料层的刻蚀速率与保护气体对于光刻图形层的刻蚀速率的比值范围为1:1～2:1。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜结构包括位于初始第一材料层上的初始第一掩膜层、以及位于所述初始第一掩膜层上的初始第二掩膜层。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一掩膜层的材料包括氮化硅；所述初始第二掩膜层的材料包括氧化硅。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始结构还包括：位于所述衬底与初始第一材料层之间的初始第一氧化层。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述一步刻蚀工艺还同时刻蚀所述初始第一氧化层。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始开口的底部表面低于所述衬底顶部表面。12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始开口的底部表面与所述衬底顶部表面的距离为150埃～250埃。13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始结构还包括：位于所述初始掩膜结构上的初始抗反射层。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述初始第一材料层与初始掩膜结构之前，还包括：以所述光刻图形层为掩膜，刻蚀所述初始抗反射层，以
形成抗反射层。15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成初始开口后，还包括：以所述掩膜结构为掩膜，刻蚀所述衬底，以形成深沟槽。16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜结构的厚度范围为600埃～1200埃。17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一材料层的厚度范围为200埃～400埃。

技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成初始结构，所述初始结构包括位于衬底上的初始第一材料层以及初始掩膜结构，所述初始第一材料层的材料包括多晶硅；在所述初始结构上形成光刻图形层；以所述光刻图形层为掩膜，通过一步刻蚀工艺刻蚀所述初始第一材料层与初始掩膜结构，在所述初始结构内形成初始开口，所述一步刻蚀工艺对所述初始掩膜结构的刻蚀速率与初始第一材料层的刻蚀速率的比值范围为1～1.2，使所述初始第一材料层和初始掩膜结构成为第一材料层和掩膜结构，所述初始开口暴露出所述衬底表面。所述半导体结构的形成方法提升了刻蚀工艺中光刻图形层的完整性，改善了刻蚀工艺窗口以及刻蚀完成后的结构形貌。成后的结构形貌。成后的结构形貌。


技术研发人员：张振兴
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.09.15
技术公布日：2022/12/16