显示装置以及显示装置的制造方法与流程

1.本公开涉及显示装置以及显示装置的制造方法。


背景技术：

2.专利文献1中公开了在基板上由发光区域和设置在发光区域的外缘的非发光区域构成的发光显示装置。在专利文献1中公开的发光显示装置(以下，称为以往的显示装置)中，以在非发光区域中将非发光像素划分为一个或多个像素的方式设置有间隔物。现有技术文献专利文献
3.专利文献1：日本专利特开2013-89475号公报


技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题
4.上述的以往的显示装置存在无法充分降低制造时的不良率的问题。解决问题的方案
5.本公开的一个方式所涉及的显示装置具有显示面板，所述显示面板包括：发光元件；晶体管层，其设置有晶体管，所述晶体管用于切换施加至所述发光元件的电压；以及多个间隔物，其配置于所述晶体管层上，所述显示面板包含：显示区域，其配置有所述晶体管和所述发光元件；以及非显示区域，其设置于所述显示区域的外缘，所述非显示区域包含：边框区域；以及中间区域，其设置于所述显示区域与所述边框区域之间，当将所述显示区域中的所述多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第一面积比，将所述中间区域中的所述多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第二面积比，将所述边框区域中的所述多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第三面积比时，所述多个间隔物配置成满足如下的关系：第一面积比《第二面积比《第三面积比。
6.本公开的一个方式所涉及的显示装置具有显示面板，所述显示面板包括：发光元件；晶体管层，其设置有晶体管，所述晶体管用于切换施加至所述发光元件的电压；以及相同形状的多个间隔物，其配置于所述晶体管层上，所述显示面板包含：显示区域，其配置有所述晶体管和所述发光元件；以及非显示区域，其设置于所述显示区域的外缘，所述非显示区域包含：边框区域；以及中间区域，其设置于所述显示区域与所述边框区域之间，当将在所述显示区域中配置有所述多个间隔物的每单位面积的个数设为第一个数比，将在所述中间区域中配置有所述多个间隔物的每单位面积的个数设为第二个数比，将在所述边框区域中配置有所述多个间隔物的每单位面积的个数设为第三个数比时，所述多个间隔物配置成满足如下的关系：所述第一个数比《所述第二个数比《所述第三个数比。
7.本公开的一个方式所涉及的显示装置的制造方法，所述显示装置包含：发光元件；晶体管层，其设置有晶体管，所述晶体管用于切换施加至所述发光元件的电压；以及多个间隔物，其配置于所述晶体管层上，所述显示面板包含：显示区域，其配置有所述晶体管和所
述发光元件；以及非显示区域，其设置于所述显示区域的外缘，所述非显示区域包含：边框区域；以及中间区域，其设置于所述显示区域与所述边框区域之间，所述显示装置的制造方法包含如下步骤：当将所述显示区域中的所述多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第一面积比，将所述中间区域中的所述多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第二面积比，将所述边框区域中的所述多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第三面积比时，在所述晶体管层上形成所述间隔物的步骤，在此步骤中，使得所述间隔物满足如下关系：所述第一面积比《所述第二面积比《所述第三面积比。
附图说明
8.图1是示出实施方式所涉及的显示装置所具备的显示面板的一个例子的示意性俯视图。图2是图1所示的显示面板中的区域a的局部放大图。图3是示意性地示出图2所示的显示面板的b-b剖视图。图4是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图5是示出图4所示的显示装置的制造方法中的tft层形成处理的一个例子的流程图。图6是示出图4所示的显示装置的制造方法中的密封层形成处理的一个例子的流程图。图7是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置的制造方法中的感光间隔物的形成处理的一个例子的示意性剖视图。图8是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置的制造方法中的感光间隔物的形成处理的一个例子的示意性剖视图。图9是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置的制造方法中的感光间隔物的形成处理的一个例子的示意性剖视图。图10是示出图4所示的显示装置的制造方法中的发光元件层形成处理的一个例子的流程图。图11是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置的制造方法中的发光元件层形成处理的一个例子的示意性剖视图。图12是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置的制造方法中的发光元件层形成处理的一个例子的示意性剖视图。图13是图1所示的显示面板中的区域a的局部放大图。图14是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置的显示面板中的感光间隔物的突出状态的示意性侧视图。图15是示出本公开的实施方式的变形例1所涉及的显示装置的显示面板中的感光间隔物的突出状态的示意性侧视图。
具体实施方式
9.以下，参照附图说明本公开的实施方式以及变形例。此外，以下在所有附图中对相
同或相当的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。另外，以下说明的实施方式及变形例只是实施方式以及变形例的一个例子，并不限于这些实施方式以及变形例。除了该实施方式以及变形例以外,只要是不脱离本发明的技术思想的范围,就能够根据设计等进行各种变更。
10.另外，在说明书中，“同层”意味着在同一工序中由相同材料形成。另外，“下层”意味着是在比较对象的层的形成工序更前面的工序中形成的层，“上层”意味着是在比较对象的层的形成工序更后面的工序中形成的层。另外，在本说明书中，显示装置100的由下层向上层的方向称为向上。
11.(实施方式)实施方式所涉及的显示装置100是按每个像素构成发光元件的例如有机el(electro luminescence：电致发光)显示装置。在本说明书中，发光元件是指包含后述的第一电极(阳极)22、空穴传输层24a、发光层24b、电子传输层24c和第二电极(阴极)25的构成。
12.以下，参照图1至3说明实施方式所涉及的显示装置100所具备的显示面板110的一个例子。图1是示出实施方式所涉及的显示装置100所具备的显示面板110的一个例子的示意性俯视图。图2是图1所示的显示面板110中的区域a的局部放大图。图3是示意性地示出图2所示的显示面板110的b-b剖视图。图3中示出了显示区域da中的显示面板110的剖面构造。
13.如图1所示，显示面板110包含有显示区域da和非显示区域na。显示区域da是实际显示图像的有效显示区域。在显示区域da中配置有发光元件和切换对该发光元件施加的电压的薄膜晶体管(tft：thin fi1m transistor)tr。此外，该薄膜晶体管tr相当于本公开的薄膜晶体管。此外，薄膜晶体管tr与发光元件串联连接。另外，向薄膜晶体管tr施加高电压的电源电压elvdd的电源线的干线(第一边框布线115)沿着显示区域da的外周配置。此外，对发光元件施加低电压的电源电压elvss的电源线的干线(第二边框布线116)以在非显示区域na中包围第一边框布线115的方式配置。
14.非显示区域na是配置于显示区域da的外周的、不显示图像的区域。非显示区域na包含框状的边框区域na2和配置在该边框区域na2与显示区域da之间的中间区域na1。边框区域na2是安装有控制图像信号的控制电路111的区域。另一方面，中间区域na1是配置有虚设像素的区域。此外，虚设像素例如是用于测试的像素。虚设像素与配置在显示区域da的像素不同，没有连接用于切换对发光元件施加的电压的薄膜晶体管tr。
15.[显示面板的构成]参照图3，说明显示面板110的详细构成。如图3所示，显示面板110从下层侧起依次具有支承基板10、树脂层12、阻挡层3、tft层4、发光元件层5以及密封层6。显示面板110也可以在密封层6的更上层具备具有光学补偿功能、触摸传感器功能以及保护功能等的功能膜等。
[0016]
支承基板10例如可以为玻璃基板。层叠于支承基板10上的树脂层12例如能够由包含聚酰亚胺、丙烯酸等的感光性有机材料构成。在树脂层12上层叠有阻挡层3。阻挡层3是为了防止在使用显示装置100时水和氧等渗透到形成于阻挡层3上的tft层4和发光元件层5而设置的。阻挡层3能够由例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜、或这些层的层叠膜构成。此外，在阻挡层3上，在上述的tft层4和发光元件层5的基础上，还层叠有密封层6。
[0017]
tft层4从下层侧起依次包含半导体层15、第一无机层16、栅极电极ge、第二无机层
18、第三无机层20、源极布线sh以及平坦化膜21。半导体层15和源极布线sh在半导体层15的导体区域15e相互电连接。由半导体层15、第一无机层16和栅极电极ge构成薄膜晶体管tr。此外，半导体膜15由例如低温多晶硅(ltps：low-temperature polycrystalline silicon)或氧化物半导体构成。
[0018]
在图3中，用顶栅极结构示出将半导体层15设为沟道的薄膜晶体管tr，但薄膜晶体管tr也可以是底栅极结构。栅极电极ge或源极布线sh也可以包含例如铝(al)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铬(cr)、钛(ti)和铜(cu)中的至少一种。栅极电极ge或源极布线sh能够由上述的金属的单层膜或层叠膜构成。另外，栅极布线(未图示)、引绕布线44、端子部40、边框布线(未图示)、电容布线(未图示)、初始化信号线(未图示)、源极电极(未图示)、漏极电极(未图示)、高电压电源线(未图示)、第一边框布线115、低电压电源线(未图示)、第二边框布线116、连接布线(未图示)也能够成为与上述的栅极电极ge和源极布线sh同样的构成。
[0019]
由第一无机层(栅极绝缘膜)16、第二无机层18和第三无机层20可以由例如通过cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)法形成的、氧化硅(sio
x
)膜、氮化硅(sin
x
)膜或它们的层叠膜构成。平坦化膜21例如由包含聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的感光性有机材料构成。
[0020]
发光元件层5是形成发光元件的层。发光元件层5从下层侧起依次包含第一电极22、覆盖第一电极22的边缘的边缘罩膜23、空穴传输层24a、发光层24b、电子传输层24c和第二电极25。在实施方式中，发光元件层5中的空穴传输层24a、发光层24b、电子传输层24c中的至少一层通过蒸镀法形成。另外，发光层24b、电子传输层24c的各层按每个像素2分别形成。另一方面，空穴传输层24a形成为在多个像素2中共用的共用层。
[0021]
发光元件层5与各像素2对应地具有发光元件(例如，有机发光二极管)以及用于驱动该发光元件的像素电路，其中，发光元件包含第一电极22、空穴传输层24a、发光层24b、电子传输层24c及第二电极25。在位于发光元件层5的下层的tft层4中，按照每个像素电路形成有薄膜晶体管tr，并经由薄膜晶体管tr对像素电路施加电压。
[0022]
第一电极22设置在俯视显示面板110时与形成在平坦化膜21中的接触孔21c重叠的位置。然后，第一电极22经由接触孔21c与源极布线sh电连接。根据该构成，能够将图像信号经由源极布线sh向第一电极22供给。此外，第一电极22的厚度例如可以为50nm以上且100nm以下。第一电极22在多个像素2的每一个中配置。第一电极22例如通过层叠ito(indium tin oxide：铟锡氧化物)等导电性氧化物层和含ag的合金层来形成，并具有光反射性。
[0023]
第二电极25形成为在多个像素2中共用的共用层，能够由ito(indium tin oxide：铟锡氧化物)以及izo(indium zinc oxide：铟锌氧化物)等的导电性氧化物构成。
[0024]
边缘罩膜23是形成在覆盖第一电极22的边缘的位置的绝缘膜。优选边缘罩膜23为有机绝缘膜。边缘罩膜23在多个像素2的每一个中形成有开口23c，通过该开口23c露出第一电极22的一部分。
[0025]
在此，在发光元件层5是oled层的情况下，对第一电极22及第二电极25施加电压时，从第一电极22向空穴传输层24a注入空穴，从第二电极25向电子传输层24c注入电子。然后，在被注入到发光层24b内的空穴与电子复合，由此产生的激子失活到基态，从而放出光。由于第二电极25具有透光性，第一电极22具有光反射性，因此从发光层24b发出的光朝向上
方。即，显示装置100是顶部发光型的显示装置。
[0026]
密封层6包括：设置于第二电极25上的第一无机密封膜26；设置于第一无机密封膜26上的有机密封膜27；以及设置于有机密封膜27上的第二无机密封膜28，密封层6能够防止水和氧等渗透到发光元件层5中。第一无机密封膜26和第二无机密封膜28是例如通过cvd形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或它们的层叠膜构成。有机密封膜27能够由包含聚酰亚胺、丙烯酸等抗蚀剂等的能够涂布的感光性有机材料构成。
[0027]
此外，如图1所示，在边框区域na2中，在tft层4中安装有例如由薄膜晶体管构成的控制电路111。该控制电路111例如在形成tft层4的工序中，能够设为与像素电路同时形成的显示用驱动电路(gdm：gate driver monolithic circuit：门驱动器单片机)。
[0028]
(显示装置的制造方法)接着，除了上述图1至3之外，还根据图4至6对显示装置100制造方法进行说明。图4是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置100的制造方法的一个例子的流程图。如图4所示，首先，在显示装置100中，在支承基板10上形成树脂层12(步骤s11)。接着，利用等离子体cvd(chemical vapor deposition：等离子体化学气相沉积)法在树脂层12上形成阻挡层3(步骤s12)。在形成阻挡层3后，实施tft层形成处理(步骤s13)。更具体而言，如图5所示那样实施tft层形成处理。图5是示出图4所示的显示装置100的制造方法中的tft层形成处理的一个例子的流程图。
[0029]
在步骤s12中的阻挡层3的形成之后，如图5所示那样，在显示区域da的阻挡层3上利用等离子体cvd法形成半导体膜。然后，通过光刻法，由该半导体膜形成半导体层15(步骤s31)。
[0030]
接着，在半导体层15上通过等离子体cvd法形成第一无机层16(步骤s32)。然后，在第一无机层16上形成栅极电极ge(步骤s33)。即，在第一无机层16上，通过溅射法形成第一金属层。然后，在显示区域da中的第一无机层16上，利用光刻法，由第一金属层形成栅极电极ge及栅极布线(未图示)。另外，在边框区域na2中的第一无机层16上，利用光刻法，由第一金属层分别形成引出布线44、端子部40的各端子、及与端子部40连接的边框布线(未图示)。
[0031]
进而，在栅极电极ge、栅极布线、引绕布线44、边框布线(未图示)以及端子部40上，通过等离子体cvd法形成第二无机层18(步骤s34)。
[0032]
接着，在第二无机层18上形成电容布线(未图示)及初始化信号线(未图示)(步骤s35)。即，在第二无机层18上，通过溅射法形成第二金属层。然后，通过光刻法由该第二金属层来图案化电容布线以及初始化信号线。
[0033]
接着，通过等离子体cvd法在第二无机层18上形成第三无机层20(步骤s36)。并且，通过光刻法在显示区域da中的、第三无机层20、第二无机层18及第一无机层16上形成接触孔21c。另外，在边框区域na2的弯折部114中的、第三无机层20、第二无机层18、第一无机层16以及阻挡层3中形成狭缝(未图示)。另外，在边框区域na2中的引绕布线44及边框布线(未图示)的端部上形成接触孔(未图示)(步骤s37)。
[0034]
在上述的接触孔及狭缝的形成之后，形成电极、布线及电源线(步骤s38)。即，通过溅射法，对形成有上述的接触孔及狭缝的层叠体成膜第三金属层。然后，在显示区域da中，通过光刻法形成源极电极、漏极电极、源极布线sh、高电压电源线以及低电压电源线。另外，在边框区域na2中，通过光刻法形成经由第一边框布线115、第二边框布线116、以及接触孔
与引绕布线44和边框布线电连接的连接布线(未图示)。
[0035]
如上述那样形成电极、布线、电源线之后，通过涂布法在第三无机层20上形成平坦化膜21(步骤s39)。通过光刻法在该平坦化膜21中形成接触孔21c。通过上述的工序，从而形成tft层4。
[0036]
在形成平坦化膜21后，如图4所示，形成第一电极22及周边电极251(参照后述的图7)(步骤s14)。
[0037]
接着，同时形成覆盖第一电极22的一部分及周边电极251的一部分的边缘罩膜23和感光间隔物ps(步骤s15)。边缘罩膜23以及感光间隔物ps能够由例如聚酰亚胺、丙烯酸等的能够涂布的感光性有机材料构成。此外，感光间隔物ps形成为，非显示区域na中的每单位面积的感光间隔物ps的个数比显示区域da中的每单位面积的感光间隔物ps的个数多。在边缘罩膜23及感光间隔物ps的形成后，实施发光元件层形成处理(步骤s16)。关于步骤s15所示的边缘罩膜23及感光间隔物ps的形成处理、以及步骤s16所示的发光元件层形成处理的细节在后面叙述。
[0038]
在发光元件层形成处理之后，实施密封层形成处理(步骤s17)。具体而言，如图6所示那样实施密封层形成处理。图6是示出图4所示的显示装置100的制造方法中的密封层形成处理的一个例子的流程图。如图6所示，通过等离子体cvd法在第二电极25上形成第一无机密封膜26(步骤s51)。进而，在第一无机密封膜26上涂布树脂来形成有机密封膜27(步骤s52)。接着，通过等离子体cvd法在有机密封膜27上形成第二无机密封膜28(步骤s53)。通过上述的工序，从而形成密封层6。
[0039]
如图4所示，在通过密封层形成处理而形成的密封层6上粘贴上表面膜(未图示)(步骤s18)。接着，通过从支承基板10的形成有tft层4的表面的相反侧向树脂层12进行激光照射，从而剥离支承基板10(步骤s19)。在支承基板10的剥离后，在树脂层12的下表面(树脂层12中配置有支承基板10的一侧的面)粘贴下表面膜(未图示)(步骤s20)。
[0040]
将包含通过上述的工序从而形成的树脂层12、阻挡层3、tft层4、发光元件层5和密封层6的层叠体分割，得到多个单片。然后，在端子部40安装例如ic芯片等电子电路基板(未图示)从而制造显示装置100。
[0041]
(边缘罩膜、感光间隔物、发光元件层形成处理)接着，参照图7至图12对上述显示装置100制造方法中的边缘罩膜23和感光间隔物ps的形成处理、以及发光元件层5的形成处理工序的细节进行说明。图7至图9是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置100的制造方法中的感光间隔物ps的形成处理的一个例子的示意性剖视图。图10是示出图4所示的显示装置100的制造方法中的发光元件层形成处理的一个例子的流程图。另外，图11以及图12是示出本公开的实施方式所涉及的显示装置100的制造方法中的发光元件层形成处理的一个例子的示意性剖视图。此外，图11和图12是将图9所示的区域c所示的范围放大的放大图。
[0042]
如图4所示，实施tft层形成处理(步骤s13)，形成第一电极22及周边电极251后(步骤s14)，在tft层4上形成边缘罩膜23及感光间隔物ps(步骤s15)。具体而言，如图7所示，在tft层4的平坦化膜21、第一电极22及周边电极251上，例如使用喷墨法来涂布作为边缘罩膜23的构成材料的感光性树脂23p。此外，感光性树脂23p为正型感光性树脂。接着，如图8所示，在这样涂布的感光性树脂23p的上方配置光掩模pm，该光掩模pm为设置有多个开口的半
色调掩模。然后，从光掩模pm的上方照射光，对感光性树脂23p进行半曝光。然后，如图9所示，在去除光掩模pm并利用显影液清洗曝光后的感光性树脂23p后，烘烤感光性树脂23p。
[0043]
在此，作为半曝光，可列举使用形成有狭缝的掩膜(狭缝掩膜)进行曝光的狭缝方式、以及使用形成有半透射区域的掩膜(半色调掩模)的半透射方式。
[0044]
例如，狭缝掩膜包括曝光机的分辨率以下的细微开口部(狭缝部pm2)。该狭缝部pm2能够遮挡光的一部分来实现中间曝光。因此，可以通过一次曝光实现曝光部分、中间曝光部分、未曝光部分的三个曝光水平。因此，使用狭缝掩膜使正型的感光性树脂23p曝光时，能够成为维持初始膜厚的部分、成为中间的膜厚的部分、被去除的部分这三个状态。
[0045]
即，在图9所示的工序中，在由光掩模pm遮挡光的部分残留感光性树脂23p。详细而言，在俯视显示面板110时，在与光掩模pm的狭缝部pm2(中间曝光部分)重叠的感光性树脂23p的区域形成有边缘罩膜23。在俯视显示面板110时，在与光掩模pm的遮光部pm1(未曝光部分)重叠的感光性树脂23p的区域形成感光间隔物ps。另一方面，在通过光掩模pm的开口被曝光的部分，感光性树脂23p被去除。由此，能够同时形成显示区域da、边框区域na2的周边电极251的开口252、以及位于周边电极251的开口252的边缘的感光间隔物ps和边缘罩膜23。
[0046]
在以这种方式形成边缘罩膜23及感光间隔物ps后，如图10所示，通过蒸镀法形成空穴传输层24a(步骤s60)。空穴传输层24a使用金属制的掩膜，形成为在多个像素中共用的共用层。接着，通过蒸镀法，在每个像素2中形成发光层24b(有机el层)(步骤s61)。即，通过使用了金属制的掩膜7的蒸镀法，在从边缘罩膜23的开口露出的第一电极22和边缘罩膜23的边缘上形成发光层24b。接着，按照每个像素2在发光层24b上形成电子传输层24c。电子传输层24c通过使用了金属制的掩膜的蒸镀法形成(步骤s62)。此外，在显示装置100中，将作为在多个像素2中共用的共用层的空穴传输层24a、按照每个像素2中形成的发光层24b和电子传输层24c中的至少一层，通过蒸镀法形成在第一电极22上。
[0047]
具体而言，如图11所示，在以覆盖感光间隔物ps的方式作为在多个像素2中共用的共用层而形成的空穴传输层24a上，将掩膜7以与形成有tft层4的显示面板110的基板对置的方式配置，该掩膜7在发光层24b、电子传输层24c的形成位置、即与从边缘罩膜23露出的第一电极22重叠的位置具有开口。掩膜7隔着空穴传输层24a被感光间隔物ps支承，并在该掩膜7与tft层4之间形成间隙。以这种方式配置掩膜7，如图12所示，在减压气氛下对蒸镀材料进行加热、气化来形成发光层24b。进而，在发光层24b上与发光层24b同样地形成电子传输层24c。在空穴传输层24a、发光层24b和电子传输层24c的形成后，如图10所示，在空穴传输层24a、发光层24b和电子传输层24c的层叠体上形成第二电极25(步骤s63)。这样，完成发光元件层5。
[0048]
然而，感光间隔物ps需要在tft层4上可靠地支承掩膜7。这里，在俯视显示面板110时，在显示区域da中，无法将感光间隔物ps配置在形成有像素2的位置。因此，在显示区域da中，能够配置感光间隔物ps的范围受到限制。另一方面，相比于显示区域da，在非显示区域na中能够配置感光间隔物ps的范围没有限制。因此，感光间隔物ps必然在非显示区域na中配置得比显示区域da多。换言之，非显示区域na的感光间隔物ps的横截面所占的每单位面积的面积比例高于显示区域da的感光间隔物ps的横截面所占的每单位面积的面积比例。
[0049]
这样，如果在显示区域da和非显示区域na中感光间隔物ps的横截面所占的每单位
面积的面积比例不同，则在掩膜7中对应于显示区域da与非显示区域na的边界部的位置处受到应力集中的影响。因此，在实施方式所涉及的显示装置100中，通过如以下所示那样对感光间隔物ps实施处理，从而能够抑制该应力集中的影响。以下，参照上述的图2来说明对感光间隔物ps实施的处理。
[0050]
如上所述，显示装置100具备显示面板110，显示面板具有：发光元件(第一电极22、空穴传输层24a、发光层24b、电子传输层24c和第二电极25)；tft层4，其设置有用于切换对发光元件施加的电压的薄膜晶体管tr；以及多个感光间隔物ps，其配置在tft层4上。该显示面板110包括配置有薄膜晶体管tr和发光元件的显示区域da、和设置于显示区域da的外缘的非显示区域na。另外，非显示区域na包括边框区域na2和设置于显示区域da与该边框区域na2之间的中间区域na1。
[0051]
在这样的构成中，显示装置100以满足以下的关系的方式将感光间隔物ps配置在显示区域da和非显示区域na。即，将配置于显示区域da的感光间隔物ps(第一间隔物ps1)的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第一面积比。将配置于中间区域na1的感光间隔物ps(第二间隔物ps2)的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第二面积比。将配置于边框区域na2的感光间隔物ps(第三间隔物ps3)的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第三面积比。此时，第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3满足如下的关系：第一面积比《第二面积比《第三面积比。此外，在具有突出形状的感光间隔物ps中，在将靠tft层4侧的端部作为基端部且将与掩膜7抵接的一侧的端部作为前端部时，感光间隔物ps的横截面也可以设为感光间隔物ps的基端部的横截面。在本说明书中，将用于求出每单位面积所占的面积比例的作为基准的感光间隔物ps的横截面设为感光间隔物ps的基端部处的横截面，但并不限于此。例如，也可以设为在感光间隔物ps中面积最大的部位的横截面。或者，也可以设为感光间隔物ps的前端部的横截面、换言之与感光间隔物ps的掩膜7接触的接触面。
[0052]
另外，为了满足上述的第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系，在实施方式所涉及的显示装置100中，也可以设为使相同形状的第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3分别按以下方式配置的构成。即，如图2所示，也可以构成为：使显示区域da中配置第一间隔物ps1的每单位面积的个数、中间区域na1中配置第二间隔物ps2的每单位面积的个数、边框区域na2中配置第三间隔物ps3的每单位面积的个数各不相同。即，如图2所示，第一间隔物ps1的每单位面积的个数比第二间隔物ps2的每单位面积的个数少。此外，第二间隔物ps2的每单位面积的个数比第三间隔物ps3的每单位面积的个数少。
[0053]
这样，显示装置100将感光间隔物ps的每单位面积的个数从显示区域da朝向边框区域na2逐渐增加。而且，显示装置100设为满足上述的第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成。通过这个构成，在显示装置100中，在将掩膜7载置在感光间隔物ps上时，能够使对应于显示区域da与非显示区域na的边界部处的掩膜7的位置所产生的形状变化平缓。另外，每单位面积的感光间隔物ps的个数越多，则支承掩膜7的各感光间隔物ps所承受的掩膜7的重量越被分散。因此，在显示装置100中，能够使各感光间隔物ps所承受的掩膜7的重量的影响从显示区域da朝向边框区域na2逐渐变小。因此，显示装置100能够抑制在与该边界部对应的掩膜7的位置所受到的应力集中的影响。
[0054]
因此，能够抑制由于掩膜7以强力与在靠近该边界部的显示区域da的最外周设置
的感光间隔物ps接触而产生的薄膜晶体管tr的特性异常。此外，该薄膜晶体管tr的特性异常例如可列举出通过蓄积于掩膜7的电荷接近薄膜晶体管tr而引起静电放电(esd)，从而使薄膜晶体管tr产生的异常。
[0055]
另外，当形成在感光间隔物ps上的空穴传输层24a与掩膜7以强力接触时，空穴传输层24a损伤而产生异物。在显示装置100中，能够抑制该掩膜7在对应于显示区域da与非显示区域na的边界部的位置处以强力与空穴传输层24a接触。因此，也能够抑制异物混入发光元件，防止发光元件的劣化。因此，能够提供使制造显示装置100时的不良率充分降低的可靠性高的显示装置。
[0056]
另外，在通过使第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3被配置的每单位面积的个数不同来设为满足上述的第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成的情况下，能够将第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3全部设为相同形状。这样，在将第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3全部设为相同形状的情况下，感光间隔物ps的形成变得容易。
[0057]
另外，如图2所示那样，对于形成有发光元件的显示区域da以及中间区域na1，也可以使感光间隔物ps的横截面形状相同，对于边框区域na2，也可以改变感光间隔物ps的横截面形状。在该构成中，也可以以至少第一间隔物ps1的每单位面积的配置数比第二间隔物ps2的每单位面积的配置数少的方式进行设定，以构成为满足上述的第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系。
[0058]
或者，如图13所示，也可以使配置于显示区域da的第一间隔物ps1的横截面的面积小于第二间隔物ps2的横截面的面积来设为满足上述的第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成。图13是图1所示的显示面板110中的区域a的局部放大图。
[0059]
在通过以这种方式使感光间隔物ps的横截面的面积不同来设为满足第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成的情况下，与全部配置相同的截面形状的感光间隔物ps的构成相比，能够减少感光间隔物ps的配置数量。
[0060]
此外，在图13中，已说明了通过使第一间隔物ps1的横截面的面积与第二间隔物ps2的横截面的面积不同来满足第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成。但是，也可以设为通过使第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3各自的横截面的面积不同来满足第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成。或者，也可以构成为通过使第一间隔物ps1的横截面的面积与第三间隔物ps3的横截面的面积不同来满足第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系。或者，也可以构成为通过使第二间隔物ps2的横截面的面积与第三间隔物ps3的横截面的面积不同来满足第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系。
[0061]
这样，通过使第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3中的至少两个横截面的面积不同，能够容易地设为满足第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成。另外，在通过使感光间隔物ps的横截面的面积不同来设为满足第一面积比《第二面积比《第三面积比的关系的构成的情况下，与全部配置相同的横截面形状的感光间隔物ps的构成相比，能够减少感光间隔物ps的配置数量。
[0062]
另外，如图14所示，第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3分别成为从tft层4上朝向配置掩膜7的方向以相同的突出量突出的凸部形状。图14是示出本公开的
实施方式所涉及的显示装置100的显示面板110中的感光间隔物ps的突出状态的示意性侧视图。在图14中，示意性地示出了在实施发光元件的形成工序的显示面板110中感光间隔物ps从tft层4突出的状态。此外，在图14中，为了便于说明，将感光间隔物ps示出为横截面的截面积都相等的柱状部件，但感光间隔物ps的形状并不限定于这样的柱状部件。感光间隔物ps的形状只要能够在规定的位置支承掩膜7，并且不阻碍显示装置100的显示功能即可是任意的。另外，在图14中，省略示出掩模7所具有的开口。进一步地，另外，在图14中还省略示出配置在掩模7与感光间隔物ps之间的空穴传输层24a。
[0063]
第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3分别是如图14所示那样以相同的突出量突出的凸部形状，因此通过控制该突出量，能够容易地调整掩膜7与tft层4的间隙尺寸。
[0064]
(变形例1)在实施方式所涉及的显示装置100中，第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3分别成为以相同的突出量突出的凸部形状。然而，在实施方式的变形例1所涉及的显示装置100中，在上述的实施方式所涉及的显示装置100的构成中，如图15所示，按第一间隔物ps1、第二间隔物ps2以及第三间隔物ps3的顺序，这些感光间隔物ps从tft层4突出的突出量变大。图15是示出本公开的实施方式的变形例1所涉及的显示装置100的显示面板110中的感光间隔物ps的突出状态的示意性侧视图。在图15中，示意性地示出了在实施发光元件的形成工序的显示面板110中感光间隔物ps从tft层4突出的状态。此外，在图15中，为了便于说明，将感光间隔物ps示出为横截面的截面积都相等的柱状部件，但感光间隔物ps的形状并不限定于这样的柱状部件。感光间隔物ps的形状只要能够在规定的位置支承掩膜7，并且能够以不阻碍显示装置100的显示功能的方式配置即可是任意的。另外，在图15中，省略示出掩模7所具有的开口。进一步地，另外，在图15中还省略示出配置在掩模7与感光间隔物ps之间的空穴传输层24a。
[0065]
这样，变形例1所涉及的显示装置100是从显示区域da向边框区域na2增大感光间隔物ps的突出量的构成。因此，在从容易受到作用于掩膜7的应力集中的影响的显示区域da的最外周到非显示区域na的范围内，能够将tft层4与掩膜7之间的间隙维持为大于显示区域da的tft层4与掩膜7之间的间隙。因此，能够防止掩膜7以强力与显示区域da的第一间隔物ps1接触而使第一间隔物ps1损伤，并且能够防止薄膜晶体管tr的特性异常。此外，能够通过在上述的发光元件层形成处理中的感光间隔物ps的形成处理中，使用遮光性不同的光掩模pm来控制各感光间隔物ps的突出量。附图标记说明
[0066]2ꢀꢀ
像素4
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tft层5
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发光元件层7
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掩模22 第一电极24a 空穴传输层24b 发光层24c 电子传输层
25
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第二电极100 显示装置110 显示面板111 控制电路na
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非显示区域na1 中间区域na2 边框区域ps
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感光间隔物ps1 第一间隔物ps2 第二间隔物ps3 第三间隔物tr
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薄膜晶体管