读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质与流程

技术特征：
1.一种读取芯片配置文件信息的方法，用于读取norflash芯片内的配置文件信息，其特征在于，所述方法包括以下步骤:s100、根据上电读取电压读取所述芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，所述校验码信息为二进制数据；s200、根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取所述芯片的所述配置区域。2.根据权利要求1所述的一种读取芯片配置文件信息的方法，其特征在于，当所述易失配置文件信息与所述配置文件信息一致时，所述易失校验码信息中的0和1的数量相等。3.根据权利要求2所述的一种读取芯片配置文件信息的方法，其特征在于，根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压的步骤包括：s210、若所述易失配置文件信息与所述配置文件信息一致时，所述易失校验码信息中的0和1的数量相等，则当所述易失校验码信息中0的数量多于1的数量时，增大所述上电读取电压，当所述易失校验码信息中0的数量小于1的数量时，减小所述上电读取电压。4.根据权利要求1所述的一种读取芯片配置文件信息的方法，其特征在于，根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压的步骤包括：s220、计算所述易失校验码信息中0和1的数量差值；s221、根据所述数量差值调节所述上电读取电压。5.根据权利要求4所述的一种读取芯片配置文件信息的方法，其特征在于，步骤s221包括：根据所述数量差值与预设的单位电压调节幅值的乘积对所述上电读取电压进行调节。6.根据权利要求1所述的一种读取芯片配置文件信息的方法，其特征在于，所述配置区域内存储有多个所述校验码信息，且多个所述校验码信息在所述配置区域内间隔设置。7.根据权利要求1所述的一种读取芯片配置文件信息的方法，其特征在于，所述校验码信息设有多个，多个所述校验码信息分别非易失存储在所述配置区域中的多个连续设置的存储单元中，不同所述校验码信息对应的存储单元具有不同的阈值电压。8.一种读取芯片配置文件信息的装置，其特征在于，所述读取芯片配置文件信息的装置包括：读取生成模块（100），用于根据上电读取电压读取所述芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，所述校验码信息为二进制数据；调节重读模块（200），用于根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取所述芯片的所述配置区域。9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器（91）以及存储器（92），所述存储器（92）存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器（91）执行时，运行如权利要求1-7中任一项所述方法中的步骤。10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器（91）执行时运行如权利要求1-7中任一项所述方法中的步骤。

技术总结
本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，该方法根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域，本申请根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到NorFLASH芯片中正确的配置文件信息。正确的配置文件信息。正确的配置文件信息。


技术研发人员：彭永林 黎永健 王振彪
受保护的技术使用者：芯天下技术股份有限公司
技术研发日：2022.11.25
技术公布日：2022/12/30