读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质与流程

1.本技术涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质。


背景技术：

2.在对norflash芯片进行上电时需要读取芯片内的配置文件信息，而在读取过程中由于电压、温度等外界因素的干扰，导致读取的配置文件信息出错，会导致芯片在正常流程下无法正确读取flash memory数据，让用户误认为芯片有问题。
3.现有的解决上述问题的方式一般为在配置内容区域放置校验码，若读取校验码错误则进行重复多次读取，若多次读取错误则判定该芯片损坏，此方式容易使用户误将没问题的芯片当做坏芯片处理。
4.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，旨在解决用户需频繁改变读取条件，花费较多时间才能读取正确的配置文件信息的问题。
6.第一方面，本技术提供了一种读取芯片配置文件信息的方法，用于读取norflash芯片内的配置文件信息，该方法包括以下步骤:s100、根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；s200、根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
7.在本技术中，在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，当用户读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息时，会生成易失校验码信息和易失配置文件信息，根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取方法能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
8.可选地，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，当易失配置文件信息与配置文件信息一致时，易失校验码信息中的0和1的数量相等。
9.本技术中，优选地，当校验码信息中0和1数量相等时，即可读出正确的配置文件信息。
10.可选地，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压的步骤包括：s210、若易失配置文件信息与配置文件信息一致时，易失校验码信息中的0和1的
数量相等，则当易失校验码信息中0的数量多于1的数量时，增大上电读取电压，当易失校验码信息中0的数量小于1的数量时，减小上电读取电压。
11.本技术中，可以通过对易失校验码信息中的0和1的数量进行比较，判断增大或减小上电读取电压。
12.可选地，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压的步骤包括：s220、计算易失校验码信息中0和1的数量差值；s221、根据数量差值调节上电读取电压。
13.本技术通过计算易失校验码信息中0和1数量的差值，根据数量差值大小控制上电读取电压的调节幅值，从而快速调节到正确的上电读取电压。
14.可选地，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，步骤s221包括：根据数量差值与预设的单位电压调节幅值的乘积对上电读取电压进行调节。
15.可选地，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，配置区域内存储有多个校验码信息，且多个校验码信息在配置区域内间隔设置。
16.可选地，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，校验码信息设有多个，多个校验码信息分别非易失存储在配置区域中的多个连续设置的存储单元中，不同校验码信息对应的存储单元具有不同的阈值电压。
17.本技术提供的一种读取芯片配置文件信息的方法，在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，当用户读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息时，会生成易失校验码信息和易失配置文件信息，根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取方法能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
18.第二方面，本技术提供了一种读取芯片配置文件信息的装置，读取芯片配置文件信息的装置包括：读取生成模块，用于根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；调节重读模块，用于根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
19.本技术提供的一种读取芯片配置文件信息的装置，在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，通过读取生成模块可读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息，并生成易失校验码信息和易失配置文件信息，随后根据调节重读模块可易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取装置能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
20.第三方面，本技术提供的一种电子设备，包括处理器以及存储器，存储器存储有计算机可读取指令，当计算机可读取指令由处理器执行时，运行如上述第一方面提供的中的
步骤：根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
21.第四方面，本技术提供的一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，运行如上述第一方面提供的中的步骤：根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
22.由上可知，本技术提供的一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，该方法在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，当用户读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息时，会生成易失校验码信息和易失配置文件信息，根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取方法能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
23.本技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
24.图1为本技术实施例提供的一种读取芯片配置文件信息的方法的步骤流程图。
25.图2为本技术提出的根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压的步骤流程图。
26.图3为本实施例提供的一种读取芯片配置文件信息的装置的结构示意图。
27.图4为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
28.标号说明：100、读取生成模块；200、调节重读模块；91、处理器；92、存储器；93、通信总线。
具体实施方式
29.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
30.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
31.一般情况下，用户为了正确读取norflash芯片中配置区域内的配置文件信息，会在配置区域内增加校验码信息，并将读取到的校验码信息与配置区域内的校验码信息进行对比，根据对比情况调节上电读取电压，然而通常情况下，该调节为不定向调节，需要用户不断进行调节最终得到准确的上电读取电压，该方式调节较频繁，需要耗费较多时间，从而导致读取效率较低。
32.第一方面，参照图1，图1为本技术实施例提供的一种读取芯片配置文件信息的方法的步骤流程图，图1所示的一种读取芯片配置文件信息的方法，用于读取norflash芯片内的配置文件信息，该方法包括以下步骤:s100、根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；s200、根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
33.本技术实施例提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，当用户读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息时，会生成易失校验码信息和易失配置文件信息，根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取方法能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
34.具体地，norflash芯片中设置有配置区域，配置区域内设置有配置文件信息，根据正确的上电读取电压即可读取正确的配置文件信息，而若上电读取电压偏大或偏小，则无法准确读取配置文件信息，因此在配置区域内还设置有校验码信息，通过读取校验码信息可判断当前使用的上电读取电压是否正确，若上电读取电压不正确，即可进行调节。
35.具体地，校验码信息和配置文件信息为初始写入norflash芯片的配置区域内的固定信息，易失校验码信息和易失配置文件信息为基于上电读取电压读取校验码信息和配置文件信息产生的临时读取信息，芯片根据不同的上电读取电压会读取到不同的易失校验码信息和易失配置文件信息，当易失校验码正确时，易失配置文件信息也为正确的，因此可通过易失校验码是否正确判断易失配置文件信息的正确性，同时，由于校验码信息为二进制数据，当上电读取电压偏大或偏小时会导致易失校验码信息中的0和1的数量发生改变，因此可根据易失校验码信息中0和/或1的数量定向调节上电读取电压，最终调节到正确的上电读取电压对配置区域进行读取，从而读取到准确的配置文件信息。
36.应该理解的是，在获得易失校验码信息和易失配置文件信息时，若易失校验码信息正确，即代表易失配置文件信息正确，证明芯片可正常使用，此时将根据正确上电读取电压读取到的易失配置文件信息直接写入缓存区，用于后续根据该易失配置文件信息进行相关操作。
37.在一些优选的实施方式中，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，当易失配置文件信息与配置文件信息一致时，易失校验码信息中的0和1的数量相等。
38.本方案设置易失校验码信息中0和1的数量相等，使在进行上电读取电压具有增大或减小两个调节方向，且两个方向上的调节范围相等。
39.在一般情况下，可能会由于上电读取电压未完全建立，从而导致读取错误，在此情况下上电读取电压通常偏低，一般不会出现上电读取电压偏大的情况，因此需要对上电读取电压进行调大处理，在另一些实施例中，可设置校验码信息中全为1，即在上电读取电压未完全建立时校验码信息中部分1会读成0，因此通过对比易失校验码信息中1的数量与校验码信息中1的数量的差值，即可准确调节上电读取电压，例如，校验码信息为8位二进制数据，为11111111，该芯片根据1的数量预设8个电压调节档位，由于上电读取电压建立不完全，导致在读取时获取的易失校验码信息为11111110，即易失校验码信息中1的数量比校验码信息中1的数量少1个，则需要将上电读取电压调高一个档位，该方式对增大上电读取电压设置多个档位，使在需要增大上电读取电压时能一步到位，避免进行多次调节。
40.可选地，在一些实施例中，校验码信息中的0和1的数量不相等，若校验码信息中0和1的数量不相等，则对上电读取电压的增大和减小两个调节方向的可调范围不相同，如上一个实施例（校验码信息全为1），则无法对需要减小上电读取电压的情况进行处理，因此，优选地，在本实施例中，设置校验码信息中0和1的数量相等，使上电读取电压增大或减小的可调节区间相等，提高了对各种需要调节上电读取电压的情况的适应性。
41.在一些优选的实施方式中，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压的步骤包括：s210、若易失配置文件信息与配置文件信息一致时，易失校验码信息中的0和1的数量相等，则当易失校验码信息中0的数量多于1的数量时，增大上电读取电压，当易失校验码信息中0的数量小于1的数量时，减小上电读取电压。
42.具体地，在一些实施方式中，可通过判断易失校验码信息中0和1的数量判断上电读取电压是否正确，优选地，在本实施例中，当易失校验码信息中0和1的数量相等时，读取到的配置文件信息（即易失配置文件信息）是准确的，当易失校验码信息中0和1的数量不相同时，如0的数量大于1的数量时，是由于上电读取电压较小，低于部分数据1所在的存储单元的阈值电压，导致将1读成0，因此则需要增大上电读取电压。
43.在一些实施方式中，校验码信息为8位二进制数据，则当易失校验码信息中0和1的数量为4时，对应使用的上电读取电压为正确值，若校验码信息为01010101，当易失校验码信息为01010111，即0的数量小于1的数量，则需要减小上电读取电压，调节后重新进行读取，直到读取到的易失校验码信息为01010101，即可正确读出配置文件信息。
44.在一些实施例中，设定校验码信息为8位二进制数据，且当易失校验码信息中0和1的数量为4时，对应使用的上电读取电压为正确值，通过判断易失校验码信息中0和1的数量大小而对上电读取电压进行调节，在调节前，芯片中预设了固定的电压调节幅值，即每次对上电读取电压进行调节时，调节幅度大小均为预设的电压调节幅值，例如，预设的电压调节幅值为vm，当校验码信息为01010101，而读取到的易失校验码信息为01010100，则需要将上电读取电压调高vm，根据调高后的上电读取电压进行重新读取，若读出的易失校验码信息仍与校验码信息不相等，则需继续调节，直到易失校验码信息与校验码信息相等，该方式可定向对上电读取电压进行读取。
45.优选地，上一种实施例虽实现了对上电读取电压进行定向调节，但由于调节幅度固定，若电压相差较大则需要进行多次调节，因此，优选地，在本实施方式中，可根据易失校验码中0或1的数量对电压调节设置多个档位，例如，若校验码信息为8位二进制数据，且当
易失校验码信息中0和1的数量为4时，对应使用的上电读取电压为正确值，若易失校验码信息为01010101，即0的数量为4，则无需调节档位，设置0的数量为4为标准值，若易失校验码信息为01010111，即0的数量为3，比标准值少1，则需要降低一个档位，若易失校验码信息为01011111，即0的数量为2，比标准值少2，则需要降低两个档位，以此类推；若易失校验码信息为01010100，即0的数量为5，比标准值多1，则需要增大一个档位，若易失校验码信息为01010000，即0的数量为6，比标准值多2，则需要增大两个档位，以此类推，通过该方式可快速将上电读取电压调节到正确的数值，提高读取效率。
46.优选地，在本实施例中，为了准确控制上电读取电压的调节幅度，可对调节幅度进行档位划分，该档位为芯片预设的调节上电读取电压的档位，若校验码信息为8位二进制数据，且当易失校验码信息中0和1的数量为4时，对应使用的上电读取电压为正确值，则电压增大档位和电压减小档位均为四个档，例如若易失校验码信息为01010111（有一个位置的0读成1），则上电读取电压降低一档，若易失校验码信息为01011111（有两个位置的0读成1），则上电读取电压降低两档，以此类推；若易失校验码信息为01010100（有一个位置的1读成0），则上电读取电压增加一档，若易失校验码信息为01010000（有两个位置的1读成0），则上电读取电压增加两档，以此类推，通过该方式可快速将上电读取电压调节到正确的数值，提高读取效率。
47.在一些优选的实施方式中，如图2所示，图2为本技术提出的根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压的步骤流程图，该步骤包括：s220、计算易失校验码信息中0和1的数量差值；s221、根据数量差值调节上电读取电压。
48.在本实施例中，优选地，校验码信息为8位二进制数据，当易失校验码信息中0和1的数量为4时，对应使用的上电读取电压为正确值，此时可根据易失校验码信息中0和1的数量差值判断上电读取电压是否正确，优选地，在本实施例中，当易失校验码信息中0和1的数量相等时，读取到的配置文件信息（即易失配置文件信息）是准确的，当易失校验码信息中0和1的数量不相同时，代表使用的上电读取电压不正确，无法正确读取配置文件信息，因此需要调节上电读取电压，具体地，在本实施例中，通过计算0和1的数量差值对上电读取电压进行调节，当0和1的数量差值较大，则需要调节的幅度也较大，当数量差值较小，则需要调节的幅度也较小，根据数量差值对上电读取电压进行调节的方式可快速准确调节到正确的数值，提高读取的效率。
49.在一些优选的实施方式中，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，步骤s221包括：根据数量差值与预设的单位电压调节幅值的乘积对上电读取电压进行调节。
50.具体地，在本技术中，预设一个单位电压调节幅值，在计算出易失校验码信息中0和1的数量差值后将该数量差值乘以该单位电压调节幅值，从而得到需要调节的上电读取电压值并进行调节，若校验码信息为8位二进制数据，则当易失校验码信息中0和1的数量为4时，对应使用的上电读取电压为正确值，在读取前设定单位电压调节幅值为vh，若易失校验码信息为01010111，即0与1的数量差值为-2，则需要调节的电压值为-2vh，即降低2vh后重新读取得到的易失校验码信息为01010101，从而根据调节后的上电读取电压即可读出正确的配置文件信息，同理，若易失校验码信息为01010100，即0与1的数量差值为2，则需要调
节的电压值为2vh，即增大2vh后重新读取得到的易失校验码信息为01010101，从而根据调节后的上电读取电压即可读出正确的配置文件信息，通过该方式可准确控制上电读取电压的调节幅度，提高读取效率。
51.在一些优选的实施方式中，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，配置区域内存储有多个校验码信息，且多个校验码信息在配置区域内间隔设置。
52.具体地，在norflash芯片中具有多个配置文件信息，在读取过程中，电流经过芯片中的各元件，导致上电读取电压可能会发生改变，为了保证读取芯片时能读完芯片内所有配置文件信息，因此在多个配置文件信息之间间隔设置校验码信息，使在读取过程中自动纠正上电读取电压，具体地，在读完一个配置文件信息后会读取下一个校验码信息，若易失校验码信息与校验码信息相等，则继续读取下一个配置文件信息，若读取的易失校验码信息与校验码信息不相等，则需根据易失校验码信息调节上电读取电压，并重新读取该校验码信息，直到易失校验码信息与校验码信息相等后读取下一个配置文件信息，从而保证读取的准确性和稳定性。
53.在一些优选的实施方式中，本技术提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，校验码信息设有多个，多个校验码信息分别非易失存储在配置区域中的多个连续设置的存储单元中，不同校验码信息对应的存储单元具有不同的阈值电压。
54.具体地，在本实施例中，不同的校验码信息对应不同的上电读取电压，在读取过程中需要通过不同的校验码信息对上电读取电压的大小进行反映，因此，在配置区域中将设置多个存储单元，用于存储不同的校验码信息，具体地，不同的存储单元具有不同的阈值电压，读取时根据上电读取电压读取对应阈值电压区间内的存储单元，从而读取该存储单元内的校验码信息，从而根据该读取到的校验码信息（即易失校验码信息）与校验码信息进行对比，并根据对比结果对上电读取电压进行调节。
55.本技术实施例提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，当用户读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息时，会生成易失校验码信息和易失配置文件信息，根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取方法能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
56.第二方面，参照图3，图3为本实施例提供的一种读取芯片配置文件信息的装置的结构示意图，图3所示的一种读取芯片配置文件信息的装置读取芯片配置文件信息的装置包括：读取生成模块100，用于根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；调节重读模块200，用于根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
57.本技术提供的一种读取芯片配置文件信息的装置，在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，通过读取生成模块100可读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息，并生成易失校验码信息和
易失配置文件信息，随后通过调节重读模块200可根据易失校验码信息中0和1的数量调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取装置能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
58.第三方面，参照图4，图4为本技术提供的一种电子设备，包括：处理器91和存储器92，处理器91和存储器92通过通信总线93和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器92存储有处理器91可执行的计算机可读取指令，当电子设备运行时，处理器91执行该计算机可读取指令，以执行上述实施例的任一项可选的实现方式，以实现以下功能：根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
59.第四方面，本技术提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器91执行时，执行上述实施例的任一项可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。
60.由上可知，本技术提供的一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，该方法在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，当用户读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息时，会生成易失校验码信息和易失配置文件信息，根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本技术提出的读取方法能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到norflash芯片中正确的配置信息文件。
61.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
62.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
63.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
64.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
65.以上仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的
技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。