偏振片、偏振片卷、及偏振膜的制造方法与流程

本发明涉及偏振片、偏振片卷、及偏振膜的制造方法。

背景技术：

1、随着薄型显示器的普及，提出了搭载有有机el面板的显示器(oled)、利用使用了量子点等无机发光材料的显示面板的显示器(qled)。这些面板具有反射性高的金属层，容易发生外部光反射、背景的映入等问题。因此，已知通过在可视侧设置具有偏振膜和λ/4波片的圆偏振片来防止这些问题。作为偏振膜的制造方法，提出了例如下述方法：对具有树脂基材和聚乙烯醇(pva)类树脂层的层叠体进行拉伸，接下来实施染色处理，在树脂基材上得到偏振膜(例如专利文献1)。根据这样的方法，得到厚度薄的偏振膜，因此，作为近年的能够有助于图像显示装置的薄型化而受到瞩目。然而，如上所述的现有薄型偏振膜的光学特性不充分，要求薄型偏振膜的光学特性的进一步提高。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2001-343521号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本发明为了解决上述现有问题而成，其主要目的在于，提供具有优异的光学特性、且光学特性的偏差得到抑制的偏振片、偏振片卷、及偏振膜的制造方法。

3、解决问题的方法

4、本发明的偏振片具有偏振膜、和配置于该偏振膜的至少一侧的保护层，上述偏振膜包含含有碘的聚乙烯醇类树脂膜，且该偏振膜的厚度为8μm以下、单体透射率为45％以上、偏振度为97％以上，上述偏振片在50cm2区域内的单体透射率的最大值与最小值之差为0.2％以下。

5、本发明的另一偏振片具有偏振膜、和配置于该偏振膜的至少一侧的保护层，上述偏振膜包含含有碘的聚乙烯醇类树脂膜，且该偏振膜的厚度为8μm以下、单体透射率为45％以上、偏振度为97％以上，上述偏振片的宽度为1000mm以上、在沿着宽度方向的位置中的单体透射率的最大值与最小值之差为0.5％以下。

6、在一个实施方式中，上述偏振膜的单体透射率为46％以下，偏振度为99％以下。

7、根据本发明的另一方面，提供一种偏振片卷，该偏振片卷是上述偏振片卷绕成卷状而成的。

8、根据本发明的又一方面，提供一种偏振膜的制造方法，所述偏振膜包含含有碘的聚乙烯醇类树脂膜，该偏振膜的厚度为8μm以下、单体透射率为45％以上、偏振度为97％以上，该方法包括：在长条状的热塑性树脂基材的一侧形成含有碘化物或氯化钠、且含有聚乙烯醇类树脂的聚乙烯醇类树脂层，从而制成层叠体；以及依次对上述层叠体进行气体氛围中辅助拉伸处理、染色处理、水溶液中拉伸处理、以及干燥收缩处理，在所述干燥收缩处理中，对该层叠体一边沿长度方向运送一边进行加热，从而使其在宽度方向上收缩2％以上。

9、在一个实施方式中，上述偏振膜的单体透射率为46％以下，偏振度为99％以下。

10、在一个实施方式中，在上述聚乙烯醇类树脂层中，上述碘化物或氯化钠的含量相对于上述聚乙烯醇类树脂100重量份为5重量份～20重量份。

11、在一个实施方式中，上述气体氛围中辅助拉伸处理中的拉伸倍率为2.0倍以上。

12、在一个实施方式中，上述干燥收缩处理工序是使用加热辊进行加热的工序。

13、在一个实施方式中，上述加热辊的温度为60℃～120℃，由上述干燥收缩处理引起的上述层叠体在宽度方向上的收缩率为2％以上。

14、发明的效果

15、根据本发明，可提供具有厚度为8μm以下、单体透射率为45％以上、偏振度为97％以上的偏振膜的偏振片，该偏振片具有优异的光学特性，并且光学特性的偏差得到了抑制。

技术特征：

1.一种偏振膜的制造方法，所述偏振膜包含含有碘的聚乙烯醇类树脂膜，且该偏振膜的厚度为8μm以下、单体透射率为45％以上、偏振度为97％以上，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其是单体透射率为46％以下、偏振度为99％以下的偏振膜的制造方法。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，

技术总结本发明提供具有优异的光学特性、且光学特性的偏差得到抑制的偏振片。本发明的偏振片具有偏振膜、和配置于该偏振膜的至少一侧的保护层，上述偏振膜包含含有碘的聚乙烯醇类树脂膜，且该偏振膜的厚度为8μm以下、单体透射率为45％以上、偏振度为97％以上，上述偏振片在50cm<supgt;2</supgt;区域内的单体透射率的最大值与最小值之差为0.2％以下。本发明的另一偏振片具有偏振膜、和配置于该偏振膜的至少一侧的保护层，上述偏振膜包含含有碘的聚乙烯醇类树脂膜，且该偏振膜的厚度为8μm以下、单体透射率为45％以上、偏振度为97％以上，上述偏振片的宽度为1000mm以上、在沿着宽度方向的位置中的单体透射率的最大值与最小值之差为0.5％以下。技术研发人员：后藤周作,高永幸佑,岛津亮受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/27