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带相位差层的偏振片及使用了其的图像显示装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-06-21 12:19:18

本发明涉及带相位差层的偏振片及使用了其的图像显示装置。

背景技术:

1、以液晶显示装置及电致发光(el)显示装置(例如有机el显示装置、无机el显示装置)为代表的图像显示装置正在迅速普及。图像显示装置代表性地使用偏振片以及相位差片。在实际使用中,广泛使用将偏振片与相位差片一体化而成的带相位差层的偏振片(例如专利文献1)。

2、近年来,随着对图像显示装置的薄型化的期望变强,对于带相位差层的偏振片,薄型化的期望也变强。例如,使用挠性基板(例如树脂基板),研究图像显示装置的弯曲、折曲、折叠、卷绕的可能性,寻求一种能够应对这些要求的薄型的带相位差层的偏振片。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本专利第3325560号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、带相位差层的偏振片的薄型化例如可通过偏振片所包含的偏振膜的保护层的省略或薄型化、相位差层(相位差膜)的薄型化而达成。然而,设置在图像显示装置中的偏振片存在脱色的情形。这样的脱色在高温高湿环境下显著。

3、本发明是鉴于上述情况而完成的,其主要目的在于提供一种在用于图像显示装置时可抑制脱色的薄型的带相位差层的偏振片。

4、用于解决问题的手段

5、本发明的实施方式的带相位差层的偏振片具有:偏振膜,其包含碘,且具有相互对置的第一主面及第二主面;保护层,其配置于所述偏振膜的所述第一主面侧,且在40℃及92%rh下的透湿度为150g/m2·24h以下;粘合剂层,其配置于所述偏振膜的所述第二主面侧;相位差层,其配置于所述偏振膜与所述粘合剂层之间;以及无机膜,其配置于所述偏振膜与所述粘合剂层之间,且包含硅;从所述保护层至与所述粘合剂层相邻的层为止的层叠部分的厚度为50μm以下。

6、在一个实施方式中,依次配置有所述偏振膜、所述相位差层和所述无机膜。

7、在一个实施方式中,所述无机膜与所述相位差层直接接触而配置。

8、在一个实施方式中,所述无机膜的厚度低于400nm。

9、在一个实施方式中,所述无机膜的厚度为50nm以上。

10、在一个实施方式中,所述无机膜包含选自由氧化硅、碳化硅、及它们的复合体所组成的组中的至少一者。

11、在一个实施方式中,所述无机膜为蒸镀膜。

12、在一个实施方式中,从与所述偏振膜的所述第二主面相邻的层至与所述粘合剂层相邻的层为止的层叠部分在40℃及92%rh下的透湿度为50g/m2·24h以下。

13、在一个实施方式中,所述相位差层为液晶化合物的取向固化层。

14、根据本发明的另一方面,提供一种图像显示装置。该图像显示装置具有所述带相位差层的偏振片。

15、发明效果

16、根据本发明的实施方式的带相位差层的偏振片,在用于图像显示装置时可显著抑制脱色。

技术特征:

1.一种带相位差层的偏振片,其具有:

2.根据权利要求1所述的带相位差层的偏振片,其中,依次配置有所述偏振膜、所述相位差层和所述无机膜。

3.根据权利要求2所述的带相位差层的偏振片,其中,所述无机膜与所述相位差层直接接触而配置。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,所述无机膜的厚度低于400nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,所述无机膜的厚度为50nm以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,所述无机膜包含选自由氧化硅、碳化硅、及它们的复合体所组成的组中的至少一者。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,所述无机膜为蒸镀膜。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,从与所述偏振膜的所述第二主面相邻的层至与所述粘合剂层相邻的层为止的层叠部分在40℃及92%rh下的透湿度为50g/m2·24h以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,所述相位差层为液晶化合物的取向固化层。

10.一种图像显示装置,其具有权利要求1至9中任一项所述的带相位差层的偏振片。

技术总结本发明提供在用于图像显示装置时能抑制脱色的薄型的带相位差层的偏振片。本发明的实施方式的带相位差层的偏振片具有:偏振膜,其包含碘,且具有相互对置的第一主面及第二主面;保护层,其配置于所述偏振膜的所述第一主面侧,且在40℃及92%RH下的透湿度为150g/m<supgt;2</supgt;·24h以下;粘合剂层,其配置于所述偏振膜的所述第二主面侧;相位差层,其配置于所述偏振膜与所述粘合剂层之间;以及无机膜,其配置于所述偏振膜与所述粘合剂层之间,且包含硅;从所述保护层至与所述粘合剂层相邻的层为止的层叠部分的厚度为50μm以下。技术研发人员:小岛理,中岛一裕,伊藤帆奈美受保护的技术使用者:日东电工株式会社技术研发日:技术公布日:2024/5/29

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