显示面板与其制造方法与流程

本揭露是有关于一种显示面板与此显示面板的制造方法，特别是关于制造显示面板中的间隔物，间隔物有多层架构。

背景技术：

1、一般的液晶显示面板包括上基板与下基板，在上基板与下基板之间设置有间隔物，此间隔物用在两基板的提供支撑作用以形成单元空间(cell space)，并使得液晶盒厚(cell gap)可维持良好的均匀性。一般而言，在制造显示面板的过程中包括注入液晶的工艺，在此工艺中需要高度不相同的间隔物。为了形成高度不相同的间隔物，一种做法是使用半色调(half tone)的光罩，此光罩上有两种不同的透光程度，借此形成高度不相同的间隔物，但此半色调光罩在控制高度差的精准度并不高。

技术实现思路

1、本揭露的实施例提出一种显示面板的制造方法，包括：在基板上形成黑矩阵层；根据间隔物光罩在黑矩阵层上形成多个第一间隔部；以及移动间隔物光罩，并根据移动后的间隔物光罩在黑矩阵层上形成多个第二间隔部，其中第二间隔部的第一部分堆叠在第一间隔部之上，第二间隔部的第二部分形成在黑矩阵层之上。

2、在一些实施例中，部分的第一间隔部之上并未堆叠第二间隔部。

3、在一些实施例中，基板包括多个子像素区，这些子像素区沿着第一方向与第二方向呈矩阵排列。移动后的间隔物光罩是沿着第一方向或第二方向移动，或同时沿着第一方向与第二方向移动。其中第一方向不平行于第二方向。

4、在一些实施例中，在根据移动后的间隔物光罩在黑矩阵层上形成多个第二间隔部的步骤之后，制造方法还包括：再次移动间隔物光罩，并根据再次移动后的间隔物光罩在黑矩阵层上形成多个第三间隔部。

5、在一些实施例中，再次移动后的间隔物光罩是沿着第一方向或第二方向移动，或同时沿着第一方向与第二方向移动。

6、在一些实施例中，第三间隔部的第一部分堆叠在第一间隔部之上，第三间隔部的第二部分形成在黑矩阵层之上。

7、在一些实施例中，第一间隔部的材料与黑矩阵层的材料相同。

8、在一些实施例中，第二间隔部的材料不同于第一间隔部的材料。

9、在一些实施例中，第一间隔部的高度大于0.4微米且小于0.6微米，第二间隔部的高度大于2微米且小于3微米。

10、以另一个角度来说，本揭露的实施例提出一种显示面板，包括第一基板、第二基板、元件层、黑矩阵层、多个第一间隔部与多个第二间隔部。元件层设置于第一基板面向第二基板的一侧。黑矩阵层设置于第二基板面向第一基板的一侧。第一间隔部设置于黑矩阵层之上。第一间隔部的第一图案与第二间隔部的第二图案相同，第一图案与第二图案之间具有位移。第二间隔部的第一部分堆叠在第一间隔部之上，第二间隔部的第二部分形成在黑矩阵层之上。

11、为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中部分的所述多个第一间隔部之上并未堆叠所述多个第二间隔部。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中所述基板包括多个子像素区，所述多个子像素区沿着第一方向以及第二方向呈矩阵排列，所述间隔物光罩是沿着所述第一方向或所述第二方向移动，或同时沿着所述第一方向与所述第二方向移动，其中，所述第一方向不平行于所述第二方向。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中在根据移动后的所述间隔物光罩在所述黑矩阵层上形成多个第二间隔部的步骤之后，所述制造方法还包括：

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，其中所述基板包括多个子像素区，所述多个子像素区沿着第一方向与第二方向呈矩阵排列，再次移动后的所述间隔物光罩是沿着所述第一方向或所述第二方向移动，或同时沿着所述第一方向与所述第二方向移动。

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，其中所述多个第三间隔部的第一部分堆叠在所述多个第一间隔部之上，所述多个第三间隔部的第二部分形成在所述黑矩阵层之上。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中所述多个第一间隔部的材料与所述黑矩阵层的材料相同。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，其中所述多个第二间隔部的材料不同于所述多个第一间隔部的材料。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多个第一间隔部的高度大于0.4微米且小于0.6微米，所述多个第二间隔部的高度大于2微米且小于3微米。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

技术总结本发明提出一种显示面板与此显示面板的制造方法。显示面板的制造方法包括：在基板上形成黑矩阵层；根据间隔物光罩在黑矩阵层上形成多个第一间隔部；以及移动间隔物光罩，并根据移动后的间隔物光罩在黑矩阵层上形成多个第二间隔部，其中第二间隔部的第一部分堆叠在第一间隔部之上，第二间隔部的第二部分形成在黑矩阵层之上。借此，使用一个光罩便可以形成高度不相同的间隔物。技术研发人员：林俊宏,赵原德,洪玉雯受保护的技术使用者：瀚宇彩晶股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5