一种Gamma/Vcom电压值存储方法与流程

本发明属于显示，具体涉及一种gamma/vcom电压值存储方法。

背景技术：

1、对于tft lcd(thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)，tconless机种的传统做法是将tcon功能设计在soc(system on chip，片上系统)，而随着驱动架构的多元化，部分soc将gamma ic也设计在内。

2、一般来说，每一片面板都需要在产线调整最佳的gamma vcom电压，不同颗的gammaic输出有一定的差异，例如panel a搭配gamma ic1调整的最佳gamma/vcom电压，在soc使用gamma ic2输出的电压会与gamma ic1对应的最佳电压存在差异，导致gamma曲线的规格很难监控，可能超出客户的预设规格范围。因此，只能将调试后的gamma/vcom按照soc指定格式存储在xb eep或flash中，不仅项目验证周期长，xb eep或flash中存储的gamma/vcom参数与soc只能进行特定格式转换，若soc更换gamma ic，则此格式不再支持。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种gamma/vcom电压值存储方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、本发明提供一种gamma/vcom电压值存储方法，应用于片上系统或时序控制器tconic，所述方法包括：

3、接收第一gamma ic产生的多个电压值，所述电压值为gamma电压值或vcom电压值；

4、将所述电压值包含的每一位数字转换为对应的四位二进制数字，并依次存储所述二进制数至预设位置；

5、读取所述二进制数，并将每4bits的二进制数字转换为一个十进制数字；

6、利用转换得到的十进制数字组成所述电压值后，由第二gamma ic输出。

7、在本发明的一个实施例中，所述将所述电压值包含的每一位数字转换为对应的四位二进制数字，并依次存储所述二进制数至预设位置的步骤，包括：

8、从所述电压值的最高位开始，将所述电压值包含的每一位数字转换为对应的4bits二进制数；

9、将所述4bits二进制数存储在水平方向电路板xb eep或flash内的预设字节中。

10、在本发明的一个实施例中，所述读取所述二进制数，并将每4bits的二进制数字转换为一个十进制数字的步骤，包括：

11、将每个预设字节中的高四位二进制数字和低四位二进制分别转换为十进制数字。

12、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

13、本发明提供一种gamma/vcom电压值存储方法，包括：接收第一gamma ic产生的多个电压值，将电压值包含的每一位数字转换为对应的四位二进制数字，并依次存储二进制数至预设位置，读取二进制数，并将每4bits的二进制数字转换为一个十进制数字，利用转换得到的十进制数字组成电压值后由第二gamma ic输出。对于客户所需的gamma/vcom电压值，本发明无需进行两颗gamma ic间的转换，只需将xb板的eep或flash中存储的gamma\vcom电压值输出即可，具备普适性和通用性，并且还可以利用各种不同gamma ic型号设计的soc，适配性强。

14、以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。

技术特征：

1.一种gamma/vcom电压值存储方法，其特征在于，应用于片上系统或时序控制器tconic，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的gamma/vcom电压值存储方法，其特征在于，所述将所述电压值包含的每一位数字转换为对应的四位二进制数字，并依次存储所述二进制数至预设位置的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的gamma/vcom电压值存储方法，其特征在于，所述读取所述二进制数，并将每4bits的二进制数字转换为一个十进制数字的步骤，包括：

技术总结本发明公开了一种Gamma/Vcom电压值存储方法，包括：接收第一Gamma IC产生的多个电压值，将电压值包含的每一位数字转换为对应的四位二进制数字，并依次存储二进制数至预设位置，读取二进制数，并将每4bits的二进制数字转换为一个十进制数字，利用转换得到的十进制数字组成电压值后由第二Gamma IC输出。对于客户所需的Gamma/Vcom电压值，本发明无需进行两颗Gamma IC间的转换，只需将XB板的EEP或FLASH中存储的Gamma\Vcom电压值输出即可，具备普适性和通用性，并且还可以利用各种不同Gamma IC型号设计的SoC，适配性强。技术研发人员：毛照星,孙磊,朱姣受保护的技术使用者：咸阳彩虹光电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/9