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一种硅基MEMS超级电容器及其制备方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-27 12:14:18

本发明属于新能源材料技术领域,尤其涉及一种硅基mems超级电容器及其制备方法。

背景技术:

超级电容器具有较高的储能密度、较大的放电功率、较长的循环寿命等显著特点,作为一种新型储能元件,在能源动力、交通运输、航空航天、汽车工业、生物医疗等各个方面发挥出越来越大的作用。随着微电子技术和微加工技术的发展,微机电系统(mems)的开发逐渐成熟。由于微机电系统(mems)技术能够使器件做到微型化、智能化、多功能、高集成度和大批量生产,该技术越来越受到人们的重视和青睐。对于电容器来说,如何尽可能的提高储能密度一直是业内关注的热点。根据电容器的储能原理,增大电极的比表面积和选用高k介质是两种行之有效的方法;同时,如何有效的增大电极的比表面积是业内亟待解决的热点和难点。

技术实现要素:

针对上述现有技术中的不足,本发明提供了一种硅基mems超级电容器及其制备方法,以有效增大超级电容器电极的比表面积。

为实现上述目的,本发明的技术方案为:

一种硅基mems超级电容器的制备方法,包括以下步骤:

步骤1、在硅片上旋涂一层光刻胶,通过交替排列的掩蔽层模板曝光、显影,在硅片上得到交替排列的掩膜结构;

步骤2、在步骤1得到的具有掩膜结构的硅片上采用气体刻蚀,得到三维柱状阵列,并对气体刻蚀后的硅片进行清洗、烘干;

步骤3、在气体刻蚀后的硅片的表面制备高k介质层;

步骤4、在高k介质层上制备上电极层,得到整片电容结构;

步骤5、对整片电容结构进行切割分块,得到所述的硅基mems超级电容器。

进一步的,步骤1中交替排列的掩蔽层模板上包括若干方形结构,单方形结构的边长为5-20μm,相邻两个方形结构的间隔尺寸为5-20μm。

进一步的,步骤2中气体刻蚀过程中的刻蚀气体采用六氟化硫,刻蚀深度为50-200μm。

进一步的,步骤3中高k介质层为hfo2薄膜,hfo2薄膜的沉积厚度为20-100nm。

进一步的,hfo2薄膜通过气相沉积工艺制备得到;气相沉积工艺具体为:利用铪源和氧源作为前驱体源,铪源采用四二甲胺基铪,氧源采用臭氧或水;沉积温度为200℃-400℃;铪源载气为100-200sccm的高纯氮气,脉冲时间0.1-2s、清洗时间为7-12s;氧源的载气为150-300sccm的高纯氮气,脉冲时间为0.1-4s,清洗时间为7-12s。

进一步的,步骤4中上电极层为tin薄膜,tin薄膜的沉积厚度为100-1000nm。

进一步的,tin薄膜通过气相沉积工艺制备得到;气相沉积工艺具体为:利用四二甲胺基钛或四氯化钛作为钛源,高纯氨气作为氮源;沉积温度为200℃-400℃;钛源载气为100-200sccm的高纯氮气,脉冲时间0.1-2s、清洗时间为5-15s;氮源的载气为40-100sccm的高纯氩气,脉冲时间2-12s、清洗时间为8-20s。

本发明还提供了一种硅基mems超级电容器,包括硅片、高k介质层及上电极层,硅片上刻蚀有三维柱状阵列,三维柱状阵列包括若干柱状结构;单个柱状结构的横截面为方形结构,柱状结构的高度为50-200μm;三维柱状阵列中相邻两个柱状结构的间距为5-20μm;硅片的三维柱状阵列的表面上沉积有高k介质层;上电极层沉积在高k介质层的表面。

进一步的,硅片采用重掺杂双抛硅片,重掺杂双抛硅片采用晶面为<100>晶向,电阻率为0.0015ω/cm的重掺杂双抛硅片。

进一步的,每个柱状结构的粗糙度小于100nm,底切小于1%;柱状结构的侧壁陡直度90°±2°。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

本发明一种硅基mems超级电容器的制备方法,制备过程简单,容易实现,便于大规模批量生产,通过在硅片上刻蚀出高密度三维柱状阵列,能够极大的提高超级电容器的比表面积,有效增大了电容密度;同时,本发明将硅片作为超级电容器的衬底,能够很好的实现超级电容器的半导体集成。

进一步的,通过采用hfo2薄膜作为介质层,该材料属于高k介质材料,温度稳定性好,介电性能优异。

本发明还提供了一种硅基mems超级电容器,超级电容器的三维柱状阵列有效提高了硅片比表面积,提高超级电容器器件的比能量和比功率;本发明结构简单,单元面积小,制备过程简单,容易实现,便于大规模批量生产。

进一步的,通过采用重掺杂硅片同时作为衬底和下电极,能很好的实现超级电容器的半导体集成,同时省去了制备下电极的过程。

附图说明

图1为本发明所述的超级电容器的整体结构示意图;

图2为本发明所述的超级电容器的制备方法流程图;

图3为本发明所述的交替排列的方形掩蔽层模板结构示意图;

图4为本发明实施例1所述的超级电容器的俯视sem图;

图5为本发明实施例1所述的超级电容器的截面sem图。

其中:1为硅片,2为高k介质层,3为上电极层,4为光刻胶,11柱状结构。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

参考附图1所示,本发明一种硅基mems超级电容器,包括硅片1、高k介质层2及上电极层3,硅片1采用晶面为<100>晶向,常温电阻率为0.0015ω/cm的重掺杂双抛硅片;硅片1的一面上刻蚀有三维柱状阵列,三维柱状阵列包括若干柱状结构11;单个柱状结构11的侧壁陡直度为90°±2°,粗糙度为<100nm,底切<1%;单个柱状结构11的横截面为方形结构,高度为50-200μm;三维柱状阵列中相邻两个柱状结构11的间距为5-20μm,为提供足够的比表面积。高k介质层2沉积在具有三维柱状阵列硅片1的表面,高k介质层为hfo2薄膜,hfo2薄膜的厚度为20-100nm;上电极层3设置在高k介质层2上,上电极层2为tin薄膜,tin薄膜的厚度为100-1000nm。

参考附图2所示,本发明一种硅基mems超级电容器制备方法,包括以下步骤:

步骤1、硅片清洗

硅片1选取重掺杂双抛硅片,用作超级电容器的下电极;重掺杂双抛硅片采用晶面为<100>晶向,常温电阻率在0.0015ω/cm的重掺杂双抛硅片;对硅片1进行清洗,以去除硅片1上的有机油、无机油、氧化膜和金属离子;硅片1清洗时,依次采用丙酮、酒精、去离子水及异丙醇超声清洗,并采用氮气吹干,置于烘箱烘干后,获得洁净的硅片1;

步骤2、光刻显影

在洁净的硅片1一面采用旋转涂胶方法均匀涂上一层光刻胶4,光刻胶4的旋涂厚度为10μm;在硅片1上旋涂光刻胶4时,采用匀胶机,在洁净的硅片的一面上旋涂ar-3210型紫外光刻胶,匀胶机的转速为2000r/min。

然后,通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影,在硅片1的一面获得交替排列的方形掩膜结构;交替排列的方形掩蔽层模板的尺寸特征为边长尺寸范围为5-20μm,间隔尺寸为5-20μm;曝光过程采用掩膜光刻机,以接触式曝光的方式得到方形结构;显影过程采用ar-300-26型显影液显影,最终在硅片1的一面得到交替排列的方形掩膜结构。

步骤3、深硅刻蚀

在步骤2中得到的具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上,采用干法刻蚀方式,得到三维柱状阵列,并对硅片1进行清洗、烘干;

气体刻蚀过程首先将具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上放入深硅刻蚀机反应室,通入流量为60sccm的刻蚀气体,刻蚀气体为六氟化硫,刻蚀功率为400w,在硅片1上刻蚀得到三维柱状阵列,三维柱状阵列包括若干柱状结构11;单个柱状结构11的横截面为方形结构,柱状结构11的高度为50-200μm;三维柱状阵列中相邻两个柱状结构11的间距为5-20μm;每个柱状结构11的粗糙度小于100nm,底切小于1%;柱状结构11的侧壁陡直度90°±2°。

硅片1刻蚀完成后对硅片进行清洗,清洗过程将具有三维柱状阵列的硅片1放入氧离子去胶机反应腔内,通入流量为25sccm的高纯氧气,高纯氧气纯度为99.7%,设定刻蚀功率为500w,刻蚀时间5min;取出硅片1后,分别采用boe溶液及浓酸混合溶液,对硅片1的表面进行清洗,浓酸混合溶液采用浓硫酸和双氧水的混合溶液;其中,boe溶液采用49%氢氟酸水溶液和40%氟化铵水溶液的按体积比为1:6-1:10的比例配置而成;浓酸混合溶液中浓硫酸和双氧水按体积比为4:1的比例配置而成;然后对硅片1采用氮气吹干、烘箱烘干,烘箱烘干温度为120℃。

步骤4、高k介质层制备

在步骤3中具有三维柱状阵列的硅片1上,采用气相沉积的方法,制备一层高k介质层2,高k介质层2沉积在三维柱状阵列1的表面上;高k介质层2为hfo2薄膜,hfo2薄膜的厚度为20-100nm。

高k介质层2制备时,采用气相沉积法利用等离子体增强原子层沉积设备,将铪源和氧源作为前驱体源,在具有高密度三维柱状阵列的硅片1表面沉积厚度为20-100nm的三维均匀保形的hfo2薄膜;铪源采用四二甲胺基铪,氧源采用臭氧或水;沉积温度为200-400℃,铪源载气为100-200sccm的高纯氮气,脉冲时间0.1-2s、清洗时间为7-12s,氧源的载气为150-300sccm的高纯氮气、脉冲时间为0.1-4s、清洗时间为7-12s。

步骤5、上电极层制备

在步骤4中的高k介质层2上,采用气相沉积的方法制备上电极层3,得到整片电容结构;上电极层3为tin薄膜,tin薄膜的厚度为100-1000nm。

tin薄膜的沉积过程中采用等离子体增强原子层沉积设备,利用四二甲胺基钛或四氯化钛作为钛源,以高纯氨气作为氮源,在hfo2薄膜上沉积厚度为100-1000nm的tin薄膜作为超级电容器的上电极层,得到整片电容结构;沉积温度为200-400℃,钛源载气为100-200sccm的高纯氮气,脉冲时间0.1-2s、清洗时间为5-15s;氮源的载气为40-100sccm的高纯氩气,脉冲时间2-12s、清洗时间为8-20s。

步骤6、切割

将步骤5中得到整片电容结构利用切割机切割分块,按照预设不同的尺寸切割得到不同储能大小的超级电容器,超级电容器的尺寸大小为0.25-4mm2

实施例1

本发明一种硅基mems超级电容器制备方法,包括以下步骤:

步骤1、硅片清洗

硅片1选取重掺杂双抛硅片,用作超级电容器的下电极;重掺杂双抛硅片采用晶面为<100>晶向,常温电阻率在0.0015ω/cm的重掺杂双抛硅片;对硅片1进行清洗,以去除硅片1上的有机油、无机油、氧化膜和金属离子;硅片1清洗时,依次采用丙酮、酒精、去离子水及异丙醇分别超声清洗10min,获得洁净的硅片;

步骤2、光刻显影

在洁净的硅片1一面采用旋转涂胶方法均匀涂上一层光刻胶4,光刻胶4的旋涂厚度为10μm;在硅片1上旋涂光刻胶4时,采用匀胶机,在洁净的硅片的一面上旋涂ar-3210型紫外光刻胶,匀胶机的转速为2000r/min;

然后,通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影,在硅片1的一面获得交替排列的方形掩膜结构;交替排列的方形掩蔽层模板的尺寸特征为边长尺寸为5μm,间隔尺寸为5μm;曝光过程采用掩膜光刻机,以接触式曝光的方式得到方型结构;显影过程采用ar-300-26型显影液显影,最终在硅片1的一面得到交替排列的方形掩膜结构。

步骤3、深硅刻蚀

在步骤2中得到的具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上,采用气体刻蚀方式,得到三维柱状阵列,并对硅片1进行清洗、烘干;

气体刻蚀过程首先将具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上放入深硅刻蚀机反应室,通入流量为60sccm的刻蚀气体,刻蚀气体选用电子级六氟化硫,刻蚀功率为400w,在硅片1上刻蚀得到三维柱状阵列,三维柱状阵列包括若干柱状结构11;单个柱状结构11的横截面为方形结构,柱状结构11的高度为50μm;三维柱状阵列中相邻两个柱状结构11的间距为5μm;每个柱状结构(11)的粗糙度小于100nm,底切小于1%;柱状结构(11)的侧壁陡直度90°±2°;

硅片1刻蚀完成后对硅片进行清洗,清洗过程将具有三维柱状阵列的硅片放入氧离子去胶机反应腔内,通入流量为25sccm的高纯氧气,设定刻蚀功率为500w,刻蚀时间5min;取出硅片1后,分别采用boe溶液及浓酸混合溶液,对硅片1的表面进行清洗,浓酸混合溶液采用浓硫酸和双氧水的混合溶液;其中,boe溶液采用49%氢氟酸水溶液和40%氟化铵水溶液的按体积比为1:6的比例配置而成;浓酸混合溶液中浓硫酸和双氧水按体积比为4:1的比例配置而成;然后对硅片1采用氮气吹干、烘箱烘干,烘箱烘干温度为120℃。

步骤4、高k介质层制备

在步骤3中具有三维柱状阵列的硅片1上,采用气相沉积的方法,制备一层高k介质层2,高k介质层2沉积在三维柱状阵列1的表面上;高k介质层2为hfo2薄膜,hfo2薄膜的厚度为20nm。

高k介质层2制备时,采用等离子体增强原子层沉积设备,利用铪源和氧源作为前驱体源,在具有高密度三维柱状阵列的硅片1表面沉积厚度为20nm的三维均匀保形的hfo2薄膜;铪源采用四二甲胺基铪,氧源采用臭氧;沉积温度为200℃,铪源载气为100sccm的高纯氮气,脉冲时间0.1s、清洗时间为7s,氧源的载气为150sccm的高纯氮气、脉冲时间为0.1s、清洗时间为7s。

步骤5、上电极层制备

在步骤4中的高k介质层2上,采用气相沉积的方法,制备上电极层3,得到整片电容结构;上电极层3为tin薄膜,tin薄膜的厚度为100nm。tin薄膜的沉积过程中采用等离子体增强原子层沉积设备,利用四二甲胺基钛或四氯化钛作为钛源,以高纯氨气作为氮源,在hfo2薄膜上沉积厚度为100nm的tin薄膜作为超级电容器的上电极层,得到整片电容结构;沉积温度为200℃,钛源载气为100sccm的高纯氮气,脉冲时间0.1s、清洗时间为5s;氮源的载气为40sccm的高纯氩气,脉冲时间2s、清洗时间为8s。

步骤6、切割

将步骤5中得到整片电容结构利用切割机切割,按照预设不同的尺寸切割得到不同储能大小的超级电容器模块,尺寸在0.25-4mm2之间。

实施例2

本发明一种硅基mems超级电容器制备方法,包括以下步骤:

步骤1、硅片清洗

硅片1选取重掺杂双抛硅片,用作超级电容器的下电极;重掺杂双抛硅片采用晶面为<100>晶向,常温电阻率在0.0015ω/cm的重掺杂双抛硅片;对硅片1进行清洗,以去除硅片1上的有机油、无机油、氧化膜和金属离子;硅片1清洗时,依次采用丙酮、酒精、去离子水及异丙醇分别超声清洗10min,获得洁净的硅片;

步骤2、光刻显影

在洁净的硅片1一面采用旋转涂胶方法均匀涂上一层光刻胶4,光刻胶4的旋涂厚度为10μm;在硅片1上旋涂光刻胶4时,采用匀胶机,在洁净的硅片的一面上旋涂ar-3210型紫外光刻胶,匀胶机的转速为2000r/min;

然后,通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影,在硅片1的一面获得交替排列的方形掩膜结构;交替排列的方形掩蔽层模板的尺寸特征为边长尺寸为15μm,间隔尺寸为15μm;曝光过程采用掩膜光刻机,以接触式曝光的方式得到方型结构;显影过程采用ar-300-26型显影液显影,最终在硅片1的一面得到交替排列的方形掩膜结构。

步骤3、深硅刻蚀

在步骤2中得到的具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上,采用干法刻蚀方式,得到三维柱状阵列,并对硅片1进行清洗、烘干;

气体刻蚀过程首先将具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上放入深硅刻蚀机反应室,通入流量为60sccm的刻蚀气体,刻蚀气体选用电子级六氟化硫,刻蚀功率为400w,在硅片1上刻蚀得到三维柱状阵列,三维柱状阵列包括若干柱状结构11;单个柱状结构11的横截面为方形结构,柱状结构11的高度为100μm;三维柱状阵列中相邻两个柱状结构11的间距为15μm;每个柱状结构11的粗糙度小于100nm,底切小于1%;柱状结构11的侧壁陡直度90°±2°。

硅片1刻蚀完成后对硅片进行清洗,清洗过程将具有三维柱状阵列的硅片放入氧离子去胶机反应腔内,通入流量为25sccm的高纯氧气,设定刻蚀功率为500w,刻蚀时间5min;取出硅片1后,分别采用boe溶液及浓酸混合溶液,对硅片1的表面进行清洗,浓酸混合溶液采用浓硫酸和双氧水的混合溶液;其中,boe溶液采用49%氢氟酸水溶液和40%氟化铵水溶液的按体积比为1:8的比例配置而成;浓酸混合溶液中浓硫酸和双氧水按体积比为4:1的比例配置而成;然后对硅片1采用氮气吹干、烘箱烘干,烘箱烘干温度为120℃。

步骤4、高k介质层制备

在步骤3中具有三维柱状阵列的硅片1上,采用气相沉积的方法,制备一层高k介质层2,高k介质层2沉积在三维柱状阵列1的表面上;高k介质层2为hfo2薄膜,hfo2薄膜的厚度为60nm;高k介质层2制备时,采用等离子体增强原子层沉积设备,利用铪源和氧源作为前驱体源,在具有高密度三维柱状阵列的硅片1表面沉积厚度为60nm的三维均匀保形的hfo2薄膜;铪源采用四(二甲胺基)铪,氧源采用臭氧;沉积温度为300℃,铪源载气为150sccm的高纯氮气,脉冲时间0.15s、清洗时间为9s,氧源的载气为230sccm的高纯氮气、脉冲时间为2s、清洗时间为9s。

步骤5、上电极层制备

在步骤4中的高k介质层2上,采用气相沉积的方法,制备上电极层3,得到整片电容结构;上电极层3为tin薄膜,tin薄膜的厚度为600nm。tin薄膜的沉积过程中采用等离子体增强原子层沉积设备,利用四(二甲胺基)钛或四氯化钛作为钛源,以高纯氨气作为氮源,高纯氨气的纯度为99.9995%,在hfo2薄膜上沉积厚度为600nm的tin薄膜作为超级电容器的上电极层,得到整片电容结构;沉积温度为300℃,钛源载气为150sccm的高纯度氮气,脉冲时间0.15s、清洗时间为10s;氮源的载气为70sccm的高纯氩气,脉冲时间8s、清洗时间为14s。

步骤6、切割

将步骤5中得到整片电容结构利用切割机切割,按照预设不同的尺寸切割得到不同储能大小的超级电容器模块,尺寸在0.25-4mm2之间。

实施例3

本发明一种硅基mems超级电容器制备方法,包括以下步骤:

步骤1、硅片清洗

硅片1选取重掺杂双抛硅片,用作超级电容器的下电极;重掺杂双抛硅片采用晶面为<100>晶向,常温电阻率在0.0015ω/cm的重掺杂双抛硅片;对硅片1进行清洗,以去除硅片1上的有机油、无机油、氧化膜和金属离子;硅片1清洗时,依次采用丙酮、酒精、去离子水及异丙醇分别超声清洗10min,获得洁净的硅片;

步骤2、光刻显影

在洁净的硅片1一面采用旋转涂胶方法均匀涂上一层光刻胶4,光刻胶4的旋涂厚度为10μm;在硅片1上旋涂光刻胶4时,采用匀胶机,在洁净的硅片的一面上旋涂ar-3210型紫外光刻胶,匀胶机的转速为2000r/min;

然后,通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影,在硅片1的一面获得交替排列的方形掩膜结构;交替排列的方形掩蔽层模板的尺寸特征为边长尺寸为20μm,间隔尺寸为20μm;曝光过程采用掩膜光刻机,以接触式曝光的方式得到方型结构;显影过程采用ar-300-26型显影液显影,最终在硅片1的一面得到交替排列的方形掩膜结构。

步骤3、深硅刻蚀

在步骤2中得到的具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上,采用干法刻蚀方式,得到三维柱状阵列,并对硅片1进行清洗、烘干;

气体刻蚀过程首先将具有交替排列的方形掩膜结构的硅片1上放入深硅刻蚀机反应室,通入流量为60sccm的刻蚀气体,刻蚀气体选用电子级六氟化硫,刻蚀功率为400w,在硅片1上刻蚀得到三维柱状阵列,三维柱状阵列包括若干柱状结构11;单个柱状结构11的横截面为方形结构,柱状结构11的高度为200μm;三维柱状阵列中相邻两个柱状结构11的间距为20μm;每个柱状结构11的粗糙度小于100nm,底切小于1%;柱状结构11的侧壁陡直度90°±2°。

硅片1刻蚀完成后对硅片进行清洗,清洗过程将具有三维柱状阵列的硅片放入氧离子去胶机反应腔内,通入流量为25sccm的高纯氧气,设定刻蚀功率为500w,刻蚀时间5min;取出硅片1后,分别采用boe溶液及浓酸混合溶液,对硅片1的表面进行清洗,浓酸混合溶液采用浓硫酸和双氧水的混合溶液;其中,boe溶液采用49%氢氟酸水溶液和40%氟化铵水溶液的按体积比为1:10的比例配置而成;浓酸混合溶液中浓硫酸和双氧水按体积比为4:1的比例配置而成;然后对硅片1采用氮气吹干、烘箱烘干,烘箱烘干温度为120℃。

步骤4、高k介质层制备

在步骤3中具有三维柱状阵列的硅片1上,采用气相沉积的方法,制备一层高k介质层2,高k介质层2沉积在三维柱状阵列1的表面上;高k介质层2为hfo2薄膜,hfo2薄膜的厚度为100nm;高k介质层2制备时,采用等离子体增强原子层沉积设备,利用铪源和氧源作为前驱体源,在具有高密度三维柱状阵列的硅片1表面沉积厚度为100nm的三维均匀保形的hfo2薄膜;铪源采用四二甲胺基铪,氧源采用臭氧;沉积温度为400℃,铪源载气为200sccm的高纯氮气,脉冲时间2s、清洗时间为12s,氧源的载气为300sccm的高纯氮气、脉冲时间为4s、清洗时间为12s。

步骤5、上电极层制备

在步骤4中的高k介质层2上,采用气相沉积的方法,制备上电极层3,得到整片电容结构;上电极层3为tin薄膜,tin薄膜的厚度为1000nm。tin薄膜的沉积过程中采用等离子体增强原子层沉积设备,利用四(二甲胺基)钛或四氯化钛作为钛源,以高纯氨气作为氮源,高纯氨气的纯度为99.9995%,在hfo2薄膜上沉积厚度为1000nm的tin薄膜作为超级电容器的上电极层,得到整片电容结构;沉积温度为400℃,钛源载气为200sccm的高纯度氮气,脉冲时间2s、清洗时间为15s;氮源的载气为100sccm的高纯氩气,脉冲时间12s、清洗时间为20s。

步骤6、切割

将步骤5中得到整片电容结构利用切割机切割,按照预设不同的尺寸切割得到不同储能大小的超级电容器模块,尺寸在0.25-4mm2之间。

参考附图3所示,附图3给出了本发明所述的交替排列的方形掩蔽层模板结构示意图,交替排列的方形掩蔽层模板采用,方形掩蔽层模板上包括若干方形结构,方形结构的边长为20μm,相邻两个方形结构的间隔尺寸为10μm,有效增大了超级电容器电极的比表面积。

参考附图4所示,附图4给出了本发明所述的超级电容器的俯视sem图,从附图4中可以看出,制备完成后,方形柱状结构的形状与预设尺寸一致,结构完整;方形柱状结构上覆盖的介质层薄膜和上电极层薄膜表面平整。

参考附图5所示,附图5给出了本发明所述的超级电容器的截面sem图,从附图5中可以看出,方形柱状结构的顶部、底部及侧面光滑;介质层薄膜和上电极薄膜均匀覆盖,有效保证了超级电容器的性能。

本发明一种硅基mems超级电容器的制备方法,制备过程简单,容易实现,便于大规模批量生产,通过在硅片上刻蚀出高密度三维柱状阵列,能够极大的提高超级电容器的比表面积,有效增大了电容密度。本发明一种硅基mems超级电容器,超级电容器的三维柱状阵列有效提高了硅片比表面积,提高超级电容器器件的比能量和比功率。通过采用重掺杂硅片同时作为衬底和下电极,能很好的实现超级电容器的半导体集成,同时省去了制备下电极的过程。通过采用hfo2薄膜作为介质层,该材料属于高k介质材料,温度稳定性好,介电性能优异。

以上述依据本发明的实施例为启示,通过上述的说明内容,本领域技术人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

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