具有通过电磁致动控制的可倾斜悬置结构的MEMS设备的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月14日提交的第102018000011127号意大利专利申请的优先权权益，该申请的全部内容在法律允许的最大范围内通过引用的方式并入本文。

本申请涉及具有通过电磁致动控制的可倾斜悬置结构的mems(微机电系统)设备。尤其是，以下将参考微反射镜设备，而不暗示任何一般性的损失。

背景技术：

具有可倾斜结构并且承载反射性表面的mems设备是已知的，该可倾斜结构是使用半导体技术制造的。

例如，此类mems设备被使用在便携式电子设备中，诸如便携式计算机、膝上型计算机、笔记本计算机(包括超薄笔记本计算机)、pda、平板计算机、移动电话、智能电话、以及光学设备，并且被使用在用于引导光的特定设备中，该光由光源根据期望的形式生成。

凭借mems设备的减小的尺寸，可以满足有关面积消耗(包括面积以及厚度二者)的严格要求。

例如，mems反射镜设备被使用在小型化投影仪模块中，并且被使用在诸如微型投影仪和飞行时间测距系统的设备中，该小型化投影仪模块能够在一定距离处投影图像或生成期望的光图案，。

例如，与图像捕捉模块组合，这种投影仪模块使产生三维(3d)相片或允许捕捉三维图像的视频相机成为可能。备选地，投影仪模块可以被使用在三维场景识别系统中，该三维场景识别系统测量由通过微型投影仪发射的单色射线或光束击中表面、并朝向接收器反射回所使用的时间(因此形成飞行时间测距系统)。另一种应用测量被反射的射线或光束(例如红外类型的)在检测器阵列上的位置，其中被反射的射线或光束的位置取决于反射表面的距离(因此，利用结构化光变形方法)。

大体上，mems反射镜设备包括反射镜元件，该反射镜元件被悬置在腔体之上并且由半导体本体制成，以便是可移动的，通常具有倾斜或旋转移动(例如能够滚动和俯仰)，以便以期望的方式引导入射光束。

例如，图1是微型投影仪9的示意性图示，包括光源1(诸如激光源)，光源1生成由三个单色光束形成的光束2，对于每个基色(例如，红、绿、蓝)一个单色光束。光束2穿过示意性示出的光学系统3，由反射镜元件5朝向屏幕6偏转。在示出的示例中，反射镜元件5是二维类型的，其被控制以绕着竖直轴线a以及水平轴线b转动。如在图2中示出的，反射镜元件5绕着竖直轴线a的旋转生成快速水平扫描。反射镜元件5绕着水平轴线b(垂直于竖直轴线a)的旋转生成通常是锯齿类型的慢速竖直扫描。

所获得的整体扫描方案在图2中示出，并且由7来表示。

在图1的系统的变型中，微型投影仪可以具有两个微反射镜，该两个微反射镜顺序布置在光束2的路径上，每个微反射镜绕着自身的轴线转动；即，一个微反射镜绕着水平轴线b转动，并且另一个微反射镜绕着竖直轴线a转动，以便生成与图2中的扫描方案相同的扫描方案。

作为替代，在图3的场景识别系统中，光源11生成光射线12，光射线12穿过聚焦光学系统13(示意性示出)，由反射镜元件15朝向对象14偏转，并且由对象14朝向检测器16反射。此处，光射线12可以在可见光、不可见光的范围中，或者可以具有任何有用频率。

被连接到光源11、反射镜元件15、以及检测器16的控制器17确定飞行时间以便重建场景。

备选地，场景可以经由结构化光变形方法重建。在这种情况中，由微反射镜15偏转的光束12被用于在两个方向上扫描对象。例如，微型投影仪可以在对象上投影小条纹；对象的凸起或凹陷区域(由于其深度)在由照相机检测的光射线中生成变形，该变形可以由适当的电子设备处理以检测深度信息。

图1和图3的反射镜元件5、15的旋转由致动系统控制，致动系统现有地是静电、电磁、或压电类型的。

例如，图4和图5示出了电磁致动微反射镜20。微反射镜20包括固定结构21以及悬置结构22，固定结构21和悬置结构22由半导体材料的本体24形成，本体24具有第一表面24a和第二表面24b(图5)。本体24可以由单片基板形成或由接合在一起的多个基板形成。腔体23(图5)在本体24中从第二表面24b延伸，在底部定界悬置结构22，并且由固定结构21横向定界。在实践中，悬置结构22由膜形成，因为腔体23的存在，所以膜具有小于固定结构21的厚度。

悬置结构22包括由框架28通过第一对扭臂或弹簧26承载的可倾斜结构25，框架28也被悬置并且在此具有包围可倾斜结构25的矩形框架的形状。转而，框架28经由第二对扭臂或弹簧29由固定结构21承载。

第一臂26沿着第一旋转轴线a延伸，并且被配置为使可倾斜结构25能够绕着第一旋转轴线转动。

第二臂29沿着第二旋转轴线b延伸，并且被配置为使框架28能够绕着第二旋转轴线b转动，第二旋转轴线b横切于、尤其是垂直于第一旋转轴线a。

在这种情况中，第一旋转轴线a可以形成快速轴线，并且在这种情况中绕着第一旋转轴线a的旋转引起悬置结构22的快速运动(例如，共振运动)；第二旋转轴线b可以形成慢速轴线，并且在这种状况中绕着第二旋转轴线b的旋转引起整个悬置结构22的慢速运动。

悬置结构22的旋转由施加在本体24的第一表面24a上的磁致动引起。为此，钝化层30(图5)在本体的第一表面24a之上延伸，并且在此由堆叠布置的第一和第二介电材料层31、32形成。线圈35在框架28上方的钝化层30上延伸，其形成至少一个匝36，此处是多个匝36。线圈35具有第一和第二端35a、35b，第一和第二端35a、35b经由相应的掩埋连接线37a、37b(在图5中只有掩埋连接线37a可见)耦合到相应的接触焊盘42a、42b(在图5中只有接触焊盘42a可见)。

线圈35由传导性材料制成，并且包括金属(诸如，铜)的质量块43以及种子层44(例如，也是铜的)，质量块43和种子层44被堆叠布置。

线圈35被设计为在使用中与例如在微反射镜20外部的致动设备46协作(图6与图7)。

例如，图6和图7示出了可能的实现方式，其中致动设备46由c形磁性元件形成，c形磁性元件具有第一和第二磁极47、48，第一和第二磁极47、48相互间隔开并且由支撑件49承载，支撑件49例如由铁磁性或甚至非磁性材料制成。尤其是如在图7中可见的，微反射镜20在磁极47、48之间由相同的支撑件49承载，并且被布置为相对于由致动设备46生成的磁场的方向呈45°。

利用所描述的设备，通过以预设频率供应a.c.电流，能够获得可倾斜结构绕着两个旋转轴线a、b的旋转。尤其是，通过同时向线圈35供应适当幅度且处于不同频率(其中之一接近谐振频率)的两个电流，线圈生成磁场，该磁场通过感应而引起框架28绕着第二旋转轴线b旋转以及可倾斜结构22绕着第一旋转轴线a旋转。

在微反射镜20中，线圈35通过电镀生长获得。为此，在沉积第一介电材料层31、形成掩埋连接线37a、37b、沉积并打开第二介电材料层32以形成去往掩埋连接线37a、37b的连接过孔之后，连续种子层41被形成(例如，经由溅射被沉积)，并且根据线圈所期望的螺旋形状被图案化，以形成种子层44。种子层也可以保持在钝化层30的其他部分上。

种子层44可以具有约100nm的厚度，并由铜、铜合金或金制成。例如，抗蚀剂的电镀生长掩模(未示出)可以形成在种子层44上，并且在框架28上方限定具有用于线圈35的期望形状开口以及不期望进行电镀生长的保护区域。

然后，通过将本体24引入包含金属离子(例如，铜离子)的电镀浴中，并且对种子层施加合适的电压，来执行电镀生长。电镀生长被持续直到达到用于线圈35的期望厚度；此后，将本体24从电镀浴中取出，并且去除抗蚀剂掩模。

如在具有磁驱动悬置结构的类似设备中，在微反射镜20中，线圈35具有较大的厚度(大于20-25μm)，以最小化电阻性路径并减小在操作期间的功率消耗。

然而，已经注意到的是非常长的线圈35在整个长度之上以不均匀的方式生长，如在图8中示出的，图8在沿图4的线viii-viii截取的截面中示出了线圈35的匝36的高度的图，图8所示的线圈35。

如可以从图8注意到的，其中波动对应于每个匝36的厚度，匝36的厚度在线圈35的最外匝附近(最接近于端35a、35b)最大，并朝向中央匝减小。例如，在这种情况中，厚度减小到少于一半，从针对外匝的约25μm减小到针对中央匝的小于10μm。然而，该厚度减小是不期望的，因为其引起更高的电流通道电阻并因此引起在操作期间的消耗增加。

上述现象可以被归因于种子层的电阻率，当在电镀生长期间将相同的阴极电压施加到线圈35的端35a和35b时，种子层的电阻率在种子层被偏置时会引起沿着种子层的电压降。以此方式，在实践中，因为种子材料的电阻率，所以跨种子层(并且因此经历电镀生长的线圈35)的电势从端部35a、35b朝向线圈35的中心逐渐降低。较低电势区域的存在引起电镀生长的对应减小，并且因此引起沿着线圈35的匝36的厚度均匀性不足。

线圈的尺寸(尤其是其长度)越大，则上述问题越明显，线圈的长度与框架28的侧部的长度(其转而与可倾斜结构25的大小相关)以及匝的数目二者成正比。在当前应用中，因为期望所考虑类型的微机电设备具有日益增加的较大尺寸、线圈具有多达5-6mm的侧部以及日益增大的匝的数目(多达30)，所以匝厚度不均匀的问题变得日益严重。

相同的问题(尽管程度较小)也影响在连续种子层上生长的线圈，该连续种子层在电镀生长之前未被限定并且随后被图案化。事实上，种子层具有较小的厚度以及不可忽略的电阻率，使得最远离偏置点的区域受到比最接近阴极电压施加区域的种子层点更低的电势，并且导致降低的电镀生长。

在另一方面，用于减小线圈35的厚度不均匀性的已知解决方案不利地影响其他性能或参数。例如，更好的厚度均匀性可以通过减小电镀生长速率来获得。然而，这额外地涉及针对制造时间增加的更高成本，引起线圈的缺陷恶化，并因此引起操作效率的恶化。

在本领域中存在对于提供克服现有技术的缺点的微机电设备的需要。

技术实现要素：

根据本公开，提供了一种mems设备以及对应的制造过程。

一个方面涉及一种mems设备，包括：固定结构；悬置结构，由固定结构承载；支撑结构，将悬置结构耦合到固定结构，并且被配置为允许悬置结构相对于固定结构具有至少一个自由度；致动线圈，在悬置结构上延伸，致动线圈包括第一端匝、第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间；以及虚设偏置结构，包括虚设偏置区域，虚设偏置区域与第一端匝相邻并且被电耦合到中间匝。

另一方面涉及一种用于制造mems设备的方法，该方法包括：在半导体本体上形成临时偏置结构；在半导体本体上形成致动线圈，致动线圈具有第一端匝、第二端匝、以及中间匝，中间匝被布置在第一端匝和第二端匝之间，并且通过临时偏置结构被电耦合至第一端匝；选择性地去除临时偏置结构的部分，从而将第一端匝与中间匝电分离，并且与虚设偏置区域电分离，虚设偏置区域与第一端匝相邻；以及选择性地去除半导体本体的部分，以限定固定结构、悬置结构和支撑结构，悬置结构承载致动线圈并且由固定结构承载，支撑结构将悬置结构耦合到固定结构，并且被配置为允许悬置结构相对于固定结构具有至少一个自由度。

附图说明

为了更好地理解本发明，现在参考附图，仅通过非限制性示例的方式描述本发明的实施例，其中：

图1是现有技术的微型投影仪的示意性表示；

图2示出了由图1的微型投影仪生成的图像在屏幕上的投影方案；

图3示出了使用mems微反射镜的现有技术场景或手势检测系统的原理图；

图4是现有技术的磁致动微反射镜设备的示意性俯视图；

图5是沿着图4的剖面线v-v截取的截面；

图6和图7分别是包括图5的微反射镜设备的系统的侧视图和俯视图；

图8示出了在现有技术的mems设备的线圈的相邻匝上测量的厚度图；

图9是本公开的mems设备的俯视图；

图10是图9的mems设备的细节的放大图；

图11示出了沿着图10的剖面线xi-xi截取的图9的mems设备的一部分的截面；

图12是在电镀生长期间图9的mems设备的俯视图；

图12a是突出显示种子层布局的图12的放大细节的俯视图；

图13示出了与图9类似的、在电镀生长期间沿着剖面线xiii-xiii截取的图12的mems设备的一部分的截面；

图13a示出了根据不同实施例的与图13类似的、在电镀生长期间沿着剖面线xiii-xiii截取的截面；

图14示出了在电镀生长期间沿着剖面线xiv-xiv截取的图12的mems设备的一部分的截面；

图15示出了在图9的mems设备的线圈上测量的厚度图；

图16示出了使用图9的微反射镜设备的微型投影仪的框图；以及

图17和图18示出了在图16的微型投影仪和便携式电子装置之间的不同耦合。

具体实施方式

图9至图11示出了mems设备60的实施例，例如微反射镜，其包括固定结构61和悬置结构62。如在下文指示的，悬置结构62能够关于两个方向倾斜。mems设备60形成在与图4至图5的微反射镜20的本体24类似并且在本文中部分示出的半导体材料的本体64中。尤其是，本体64具有顶部表面64a(图11)并且可以由单片基板形成或由接合在一起的多个基板形成。腔体63(图11)在本体64中延伸，在底部定界悬置结构62，并且转而由固定结构61定界(以未示出的方式，与在图5中针对腔体23所示出的方式类似)。在实践中，悬置结构62由膜形成，膜具有比固定结构61更小的厚度。

在图9至11的实施例中，悬置结构62包括平台65，平台65被第一沟槽67a包围，并且通过第一对扭臂或弹簧66a、66b由框架68承载，框架68还形成悬置结构62的部分，并且在此具有矩形框架的形状，相距一定距离包围平台65。转而，框架68通过第二对扭臂或弹簧69a、69b由固定结构61承载，并且由第二沟槽67b包围。

第一臂66a、66b沿着第一旋转轴线a延伸，并且被配置为使平台65能够绕着第一旋转轴线a转动。第二臂69a、69b沿着垂直于第一旋转轴线a的第二旋转轴线b延伸，并且被配置为使框架68能够绕着第二旋转轴线b转动。如同针对图4和图5的微反射镜20，旋转轴线a和b可以分别形成快速轴线和慢速轴线，以引起平台65的双轴旋转，以及生成图2中所示类型的扫描。

钝化层70在本体64的顶部表面64a上延伸(图11)，并且由堆叠布置的第一和第二介电材料层71、72形成。例如，介电材料层71、72可以由相同或不同的介电材料制成，诸如氧化硅、氮化硅等。如在下文中详细讨论的，电连接线和区域在第一和第二介电材料层71、72之间延伸。

线圈75在框架68上方延伸，其形成多个匝76，包括内匝76a和外匝76b(在此，术语“内”和“外”参考线圈75的螺旋形状，其中外匝76b具有比内匝76a更大的直径)。线圈75具有内端75a和外端75b，内端75a和外端75b分别由内匝76a和外匝76b形成，并且经由示意性示出的相应掩埋连接区域80a、80b被连接到相应的接触焊盘85a、85b。如在图5中针对微反射镜20的掩埋连接线37a、37b所示出的，掩埋连接区域80a、80b形成在钝化层70内。在所示出的实施例中，每个掩埋连接区域80a、80b具有沿着第二臂69a延伸的狭窄的延展。另外，掩埋连接区域80a具有宽部分(在图9中由通过80c指示的虚线区域示意性地示出)，其在第二臂69a和内端75a之间延伸，以减小在该区域中的电阻。

线圈75由堆叠布置的种子区域84和传导性质量块83形成，种子区域84例如由铜合金制成，传导性质量块83由金属(例如铜)制成。如同针对图4至图5的微反射镜，线圈75被设计为在使用中与外致动结构协作，外致动结构诸如图6至图7的致动设备46。

mems设备60还包括至少一个虚设偏置结构88，虚设偏置结构88在电镀生长期间有效，而在mems设备60的操作期间基本上功能性地无效并且从线圈75操作性地断开连接。尤其可以在图10的放大细节中见到的以及在下文中描述的，在从上方的投影中，每个虚设偏置结构88部分地覆盖线圈75。在图9中示出的实施例中，示出了四个虚设偏置结构88，被布置在框架68的与第二旋转轴线b平行的的侧部上，特别是针对框架68的每个侧部，在相对于第一臂66a、66b的相对侧部上布置两个虚设偏置结构88。从进行的模拟已经证明这种布置特别有效，如还在下文中讨论的，但是虚设偏置结构88的具体数目、其布置、以及其沿着线圈75的路径的长度，可以基于mems设备60的布局和特性变化。

具体而言，在所示出的实施例中，每个虚设偏置结构88包括掩埋区域91、电连接部分92、93、以及虚设种子部分84a。另外，在所示出的实施例中，每个虚设偏置结构88还包括传导性质量块83a，传导性质量块83a与虚设种子部分84一起形成虚设匝区域94。

每个虚设偏置结构88的虚设匝区域94被布置在线圈75的旁边，具有与匝76类似的结构，并且针对其一部分长度与框架68的侧部平行延伸。例如，在图9中示出的实施例中，虚设偏置结构88的虚设匝区域94在框架68的内侧(面向平台65的一侧)上延伸，虚设匝区域94与第二旋转轴线b平行(虽然这不是必需的)，并且考虑到布局并且将掩埋连接区域80a、80b的位置纳入考虑，虚设偏置结构88也可以还在或仅在内部或外部、在平行于第一旋转轴线a的侧部上形成。

与掩埋连接区域80a、80b类似，每个虚设偏置结构88的掩埋区域91在钝化层70中在第一介电材料层71上延伸。尤其是，每个虚设偏置结构88的掩埋区域91在相应虚设匝区域94的虚设种子部分84a与中央匝之间横向延伸(此处，与第二旋转轴线b平行)，中央匝由图10和图11中的76c指示并且被布置在内匝76a和外匝76b之间。另外，每个虚设偏置结构88的掩埋区域91纵向延伸比框架68的对应侧部的长度稍小。掩埋区域91与掩埋连接区域80a、80b在相同的层(在图11的截面中不可见)中形成，并且被形成为比种子区域84更加导电。为此，掩埋区域91具有更大的厚度(例如，大3至7倍)。例如，种子区域84可以具有50-500nm的厚度，尤其是大约200nm；匝76可以具有约10-25μm的宽度，以及(在与第二旋转轴线b平行的长侧部上)介于1mm和5-6mm之间的长度；掩埋区域91可以具有300-700nm的厚度，介于100μm和2mm之间的宽度，以及介于100μm和2.5mm之间的长度。另外，掩埋区域91是比种子区域88电阻更小的材料(例如金、铜、或铝)。

电连接部分92、93在形成在第二介电材料层71中的接触开口95中延伸，并且将每个掩埋区域91连接到中央匝76c(精确地说，连接到其种子区域，由84c指示)以及相应的虚设匝区域94的虚设种子部分84a，以便将相应的中央匝76a带到与虚设种子部分84a相同的电势，并且在电镀生长期间针对线圈75的整个长度使传导性质量块83的生长能够足够均匀，正如在下文中参考图12至图14详细描述的。

特别地，图12至图14示出了晶片99，晶片99集成了旨在形成对应的mems设备20的多个结构，并且示出了在执行初步步骤之后的晶片99的一部分，包括：提供第一介电材料层71；形成包括掩埋连接区域80a、80b、80c的电连接区域以及掩埋区域91；形成第二介电材料层72；打开第二介电材料层72以形成第二接触过孔(包括接触开口95)；在第二接触过孔中以及在接触开口95中形成触点(以形成电连接部分92、93)；在第二介电材料层72上沉积种子层97；如下文所述的，图案化种子层97；以及形成电镀生长掩模98。

在图12(其中为了清楚而未示出电镀生长掩模98)中将注意的是，因为悬置结构62还未被限定，所以悬置结构62的几何轮廓由两点划线表示。如可以注意到的，在图案化步骤结束时以及在后续的电镀生长期间，除了经由种子区域84限定线圈75的形状，种子层97还在所示出的晶片部分99的外围部分上延伸(由97a指示)，并且在晶片部分99的内部分上延伸(由97b指示)。在实践中，外围部分97a以及内部分97b(在外部和内部)包围旨在生长线圈75的区域。在该步骤中，种子层97的内部分97b延伸到将生长虚设匝区域94的虚设种子部分84a，并且与虚设种子部分84a连续(没有中断)。另外，种子层97的内部分97b延伸到内匝76a(与掩埋连接区域80a相邻且连续的部分)的初始部分(在图12a中由84d指示)，并且与内匝76a的初始部分连续(没有中断)。

然后，mems设备20的晶片99被浸没在电镀浴中并且被偏置。尤其是，偏置阴极电压vk通过在晶片99的边缘处的偏置端子(在图中未示出)被施加到种子层97，种子层97被沉积在偏置端子上并且偏置端子被连接到掩埋连接区域80a、80b。凭借在掩埋连接区域80a的宽部分80c与种子层97的内部分97b之间的电连接，还被连接到内匝76a的种子区域84(图13)，偏置阴极电压vk还凭借着这些区域的宽区域而在没有经历相当大的下降的情况下，也到达种子层97的内部分97b。额外地，因为通过虚设结构88的虚设种子部分84a(仍未与种子层97的内部分97b分离)、掩埋区域91以及电连接部分92、93(见图12和图14)的连接，所以偏置阴极电压vk以几乎不变的值到达中央匝76c。以此方式，沿着种子层97的螺旋部分(匝76的种子区域84)避免了不可忽略的电压降，如果中央匝76c只沿着线圈75被连接到内端和外端75a、75b，则将会发生不可忽略的电压降。

在实践中，种子层97的内部分97b将内匝76a和虚设种子部分84a电连接到一起并且短路，尤其是在图12a的放大细节中可见的，其中种子层97的区域(外围部分97a、内部分97b、以及匝76的种子区域84)被染成浅灰色。

在电镀生长结束时，掩模38被去除，并且种子层97的暴露部分被蚀刻。尤其是，在该步骤中，外围部分97a和内部分97b被去除。然后，种子层97因此仅保留在传导性质量块83、83a(其被电镀地生长)下方。虚设匝区域94与内端75a电分离并且仅保持连接至中央匝76c而不具有电功能。

在提供最终结构(包括在平台65上形成触点以及反射表面)之后，腔体63以及沟槽67a、67b被形成，并且晶片99被切割以形成单个mems设备20。

在mems设备20的操作期间，由于通过掩埋区域91和电连接部分92、93在虚设匝区域94与中心匝76c之间的电连接，所以存在较小的电流泄漏。然而，模拟已经示出该泄漏在局部约为10％，对应于针对整个线圈的1％，并因此可忽略。

因此，凭借虚设偏置结构88，所有匝76被偏置至几乎相同的值。在这种情况下，电镀生长针对所有匝76以基本上均匀的方式发生，如在图15的模拟中示出的，其与图8类似但利用虚设偏置结构88获得。如可以注意到的，虚设偏置结构88引起匝76的厚度变化被包含在1nm内，并因此小于4％。

当在电镀生长之前未限定种子层97以形成螺旋形的种子区域84时，获得了类似的结果但增益更低。该情况在图13a中示出，其与图13类似。

因此，本mems设备彻底减少了致动线圈的匝的不均匀生长的问题，并且因此改善了操作效率。

虚设偏置结构88包括使用相同操作步骤以及已经被用于mems设备的相同材料和层形成的结构，并且仅设想修改限定掩模。因此，对制造过程或布局无需进行实质修改或增加，并且因此，虚设偏置结构88不会带来额外的成本，并确保了良好的可靠性。

线圈生长过程不受影响且不需要任何特殊测量。尤其是，可以基于其他参数以最优方式选择生长速率，并且生长速率不涉及任何缺陷的恶化。因此，获得了mems设备的更大的产量以及更好的工作性。

如在下文参考图16至图18所示出的，微机电设备20可以被使用在微型投影仪101中，微型投影仪101适于被功能性耦合到便携式电子装置100。

详细地，图16的微型投影仪101包括光源102(例如激光类型的)，被配置为生成光束103；微机电设备600，被配置为接收光束103并且将光束103朝向屏幕或显示表面105(在微型投影仪101外部并被布置在距其一定距离)引导；第一驱动电路106，被配置为将适当的控制信号供应至光源102，用于基于待投影的图像生成光束103；第二驱动电路108，被配置为供应驱动信号(例如，到在图6和图7中示出的类型的致动设备46)，用于旋转mems设备60的平台65(图9)；以及通信接口109，被配置为从其外部的控制单元110(例如包括在便携式装置100中)接收关于待生成图像的光信息(例如，以像素阵列的形式)。光信息被输入，用于驱动光源102。

另外，控制单元110可以包括用于控制mems设备20的反射镜的角位置的单元。为此，控制单元110可以接收由光检测器(未在图16中示出)通过接口109生成的信号，并因此控制第二驱动电路108。

如在图17中示出的，微型投影仪108可以被形成为相对于相关便携式电子装置100(例如，移动电话或智能电话)分离且独立的附件。在此，微型投影仪101通过适当的电和机械连接元件(未详细示出)被耦合到便携式电子装置100。在此，微型投影仪101具有外壳141，外壳141具有对来自mems设备60的光束103透明的至少一部分141’；微型投影仪101的外壳141以可释放的方式被耦合到便携式电子装置100的相应的外壳142。

备选地，如在图18中示出的，微型投影仪101可以被集成在便携式电子装置100内，并且被布置在便携式电子装置100的外壳142内。在该情况中，便携式电子装置100具有对来自mems设备60的光束103透明的相应部分142’；例如，在该情况中，微型投影仪101被耦合到便携式电子装置100的外壳142中的印刷电路。

最后，清楚的是，在不脱离如所附权利要求所限定的本发明的范围的情况下，可以对本文所描述和示出的mems设备以及制造方法进行修改和变型。

例如，作为对所示出的方案的备选方案，悬置结构62可以由仅具有一个自由度、并且承载线圈的悬置平台形成。

另外，代替被布置在内匝76a和中央匝76c之间，或者除了被布置在内匝76a和中央匝76c之间之外，虚设偏置结构88可以被布置在外匝76b和中央匝76c之间。例如，一些虚设偏置结构88可以被连接到内匝76a，并且其他虚设偏置结构88被连接到外匝76b。

尤其是在匝数很高的情况中，例如当多于一个虚设偏置结构88被提供时，虚设偏置结构88也可以被耦合到不同于中央匝76c的中间匝(在内匝76a和外匝76b之间)；在该情况中，每个虚设偏置结构88可以被耦合到不同的中间匝。