一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器与流程

1.本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器。背景技术：2.扬声器广泛应用于可穿戴电子产品，如手机、智能家电、耳机、电脑和人机界面。随着可穿戴电子设备的发展需求，扬声器的发展趋向于小型化、轻量化、低功耗、高声压级。3.扬声器是一种常见的电声换能器件，目前一般通过机械加工的方法分别制造各个构件再进行组装与集成，作为扬声器中较为重要的腔体与电极结构也是通过机械加工的方法制备腔体和电极结构，再对腔体和电极结构进行组装集成，导致批量制备的腔体与电极结构一致性较差。技术实现要素：4.本发明的目的在于提供一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器，以解决现有批量制备的扬声器一致性较差的问题。5.第一方面，本发明提供一种腔体与电极结构的制作方法，所述方法包括：6.提供半导体衬底；7.刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；8.至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；9.在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；10.刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；11.在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；12.去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构。13.采用上述技术方案的情况下，本技术实施例提供的腔体与电极结构的制作方法，可以提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构，仅使用单一半导体基底，无需通过晶圆键合等技术就可以得到较深的腔体区域，同时在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有第一牺牲层和第二牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其他结构，提高了腔体与电极结构的一致性。14.在一种可能的实现方式中，所述刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构，包括：15.在所述半导体衬底的腔体区域形成第一光刻胶图案；16.基于所述第一光刻胶图案，在所述半导体衬底的腔体区域中形成所述微柱结构。17.在一种可能的实现方式中，所述将所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层，包括：18.采用热氧化工艺将所述微柱结构完全氧化，形成所述第一牺牲层，所述腔体区域内由所述第一牺牲层和所述微柱结构氧化后形成的空隙组成。19.在一种可能的实现方式中，所述刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽，包括：20.在所述第二牺牲层上方形成第二光刻胶图案；21.基于所述第二光刻胶图案，去除所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成所述环形沟槽。22.在一种可能的实现方式中，所述对所述腔体区域上方的所述电极结构层刻蚀孔洞结构，包括：23.在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成第三光刻胶图案；24.基于第三光刻胶图案，在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成所述孔洞结构。25.在一种可能的实现方式中，所述去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构，包括：26.通过所述孔洞结构，利用所述第二牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第二牺牲层；27.通过所述孔洞结构，利用所述第一牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第一牺牲层，释放所述腔体与电极结构。28.在一种可能的实现方式中，所述微柱结构包括多个按照预设间隔等间距设置的微柱。29.在一种可能的实现方式中，所述微柱的个数大于或者等于7。30.在一种可能的实现方式中，所述第二牺牲层的厚度范围为大于或者等于2微米，且小于或者等于4微米。31.第二方面，本发明还提供一种扬声器，其特征在于，包括第一方面任一所述的腔体与电极结构的制作方法所制作的所述腔体与电极结构。32.第二方面提供的扬声器的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的腔体与电极结构的制作方法的有益效果相同，此处不做赘述。附图说明33.此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：34.图1示出了本技术实施例提供的一种腔体与电极结构的制作方法的流程示意图；35.图2示出了本技术实施例提供的另一种腔体与电极结构的制作方法的流程示意图；36.图3示出了本技术实施例提供的一种半导体基底刻蚀形成微柱结构后的结构示意图；37.图4示出了本技术实施例提供的一种形成第一牺牲层后的腔体与电极结构的示意图；38.图5示出了本技术实施例提供的一种沉积第二牺牲层后的腔体与电极结构的结构示意图；39.图6示出了本技术实施例提供的一种刻蚀孔洞结构后的腔体与电极结构的结构示意图；40.图7示出了本技术实施例提供的一种去除第一牺牲层和第二牺牲层后的腔体与电极结构的结构示意图；41.图8为本发明实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图；42.图9为本发明实施例提供的芯片的结构示意图。具体实施方式43.为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。例如，第一阈值和第二阈值仅仅是为了区分不同的阈值，并不对其先后顺序进行限定。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。44.需要说明的是，本发明中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本发明中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。45.本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b的结合，a和c的结合，b和c的结合，或a、b和c的结合，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。46.图1示出了本技术实施例提供的一种腔体与电极结构的制作方法的流程示意图，如图1所示，所述腔体与电极结构的制作方法包括：47.步骤101：提供半导体衬底。48.在本技术中，可以通过微电子机械系统(micro-electro-mechanical system，mems)完成腔体与电极结构的制作。49.其中，半导体衬底可以是硅衬底。50.步骤102：刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构。51.在本技术中，可以在所述半导体衬底的腔体区域形成第一光刻胶图案；基于所述第一光刻胶图案，在所述半导体衬底的腔体区域中形成所述微柱结构。52.步骤103：至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层。53.在本技术中，可以采用热氧化工艺将所述微柱结构完全氧化，形成所述第一牺牲层，所述腔体区域内由所述第一牺牲层和所述微柱结构氧化后形成的空隙组成。54.步骤104：在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方。55.步骤105：刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽。56.在本技术中，可以在所述第二牺牲层上方形成第二光刻胶图案；基于所述第二光刻胶图案，去除所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成所述环形沟槽。57.步骤106：在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构。58.在本技术中，在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成第三光刻胶图案；基于第三光刻胶图案，在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成所述孔洞结构。59.步骤107：去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构。60.具体的，可以通过所述孔洞结构，利用所述第二牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第二牺牲层；通过所述孔洞结构，利用所述第一牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第一牺牲层，释放所述腔体与电极结构。61.在本技术中，仅使用单一半导体基底，无需通过晶圆键合等技术就可以得到较深的腔体区域，同时在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其他结构，并且在牺牲层的去除过程中，由于腔体中保留了微柱间的微空隙结构，刻蚀剂可以快速扩散至腔体内部，显著节省了工艺时间。本技术的制作方法使用了光刻、刻蚀、薄膜沉积和硅微加工等多种微细加工技术，可以获得尺寸精度极佳的精细结构腔体和电极结构，以用于扬声器制造。62.综上所述，本技术实施例提供的腔体与电极结构的制作方法，可以提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构，仅使用单一半导体基底，无需通过晶圆键合等技术就可以得到较深的腔体区域，同时在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有第一牺牲层和第二牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其他结构，提高了腔体与电极结构的一致性。63.图2示出了本技术实施例提供的另一种腔体与电极结构的制作方法的流程示意图，如图2所示，所述腔体与电极结构的制作方法包括：64.步骤201：提供半导体衬底。65.在本技术中，可以通过微电子机械系统(micro-electro-mechanical system，mems)完成腔体与电极结构的制作。66.其中，半导体衬底可以是硅衬底。67.步骤202：在所述半导体衬底的腔体区域形成第一光刻胶图案。68.步骤203：基于所述第一光刻胶图案，在所述半导体衬底的腔体区域中形成所述微柱结构。69.在本技术中，图3示出了本技术实施例提供的一种半导体基底刻蚀形成微柱结构后的结构示意图，如图3所示，首先可以在硅衬底01上形成一层光刻胶，使用光刻技术在光刻胶上定义出预制图形掩膜，在光刻胶掩膜作用下，对硅衬底进行刻蚀形成腔体区域a，以及在所述腔体区域a中刻蚀微柱结构02。70.可选的，所述微柱结构包括多个按照预设间隔等间距设置的微柱。71.可选的，所述微柱的个数大于或者等于7，本技术实施例对此不作具体限定，可以根据实际应用场景做标记调整。72.其中，腔体区域对应的腔体结构的深度和微柱的宽度可以根据实际需要进行改动，腔体结构的深度和微柱的高度可以是100微米，微柱的宽度可以是5微米，还可以是其他具体数值，本技术实施例对此不作具体限定。73.步骤204：至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层。74.在本技术中，可以采用热氧化工艺将所述微柱结构完全氧化，形成所述第一牺牲层，所述腔体区域内由所述第一牺牲层和所述微柱结构氧化后形成的空隙组成。75.图4示出了本技术实施例提供的一种形成第一牺牲层后的腔体与电极结构的示意图，如图4所示，在氧化完成后，可以形成一个仅有第一牺牲层03和空隙b组成的腔体区域内的腔体结构。76.步骤205：在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方。77.所述第二牺牲层的厚度范围为大于或者等于2微米，且小于或者等于4微米。78.图5示出了本技术实施例提供的一种沉积第二牺牲层后的腔体与电极结构的结构示意图，如图5所示，采用沉积工艺在第一牺牲层03的表面继续沉积第二牺牲层04直至腔体上方空隙b完全闭合。此时，腔体区域中仍保留有微柱结构02之间的极微小空隙，使得在去除第一牺牲层和第二牺牲层的工艺中，刻蚀剂可以快速扩散进入腔体内部，加快整体的刻蚀速率，刻蚀掉第二牺牲层材料。79.可选的，第二牺牲层材料需要与后续形成的结构层材料间具有既定的刻蚀选择比，示例的，第二牺牲层材料可以是二氧化硅，第二牺牲层的厚度可以是3微米。80.步骤206：刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽。81.在本技术中，可以在所述第二牺牲层上方形成第二光刻胶图案；基于所述第二光刻胶图案，去除所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成所述环形沟槽。82.步骤207：在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构。83.在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成第三光刻胶图案；84.基于第三光刻胶图案，在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成所述孔洞结构。85.图6示出了本技术实施例提供的一种刻蚀孔洞结构后的腔体与电极结构的结构示意图，如图6所示，首先在第二牺牲层04上方形成一层光刻胶，采用光刻工艺对光刻胶进行曝光和显影，在光刻胶图形掩膜遮挡作用下，选择性刻蚀掉腔体边缘外围的第一牺牲层03和第二牺牲层04，形成环形沟槽l，而后沉积电极结构层05材料。在腔体上方的电极结构层05上形成一层光刻胶，再次使用光刻技术定义出预制图形的光刻胶掩膜，在光刻胶掩膜作用下刻蚀出孔洞结构06。86.其中，环形沟槽中填充的结构层材料可以起到物理隔绝作用，防止后续去除牺牲层材料过程中刻蚀反应扩展至腔体外。87.电极结构层中刻蚀的孔洞结构可以作为后续牺牲层去除过程中刻蚀剂进入腔体及副产物排出的通过孔，同时作为扬声器中的电极结构层，在器件中可以承担腔体中空气的通过孔作用。88.可选的，对于电极结构层材料的选择，应具有较好的电导率，同时与牺牲层材料具有一定刻蚀选择比。对于结构层厚度不做具体要求；例如：结构层材料可以选择为多晶硅，结构层厚度可以为3μm。89.步骤208：去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构。90.在本技术中，可以通过所述孔洞结构，利用所述第二牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第二牺牲层；91.通过所述孔洞结构，利用所述第一牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第一牺牲层，释放所述腔体与电极结构。92.图7示出了本技术实施例提供的一种去除第一牺牲层和第二牺牲层后的腔体与电极结构的结构示意图，如图7所示，去除第一牺牲层、第二牺牲层，释放完整的腔体和电极层结构30。93.在实际应用场景中，根据第一、第二牺牲层材料的选择不同，可以使用不同刻蚀剂，并选择分次释放，先刻蚀第二牺牲层结构，再刻蚀第一牺牲层。例如：当第一、第二牺牲层材料均为二氧化硅时，可以采用氟化氢(hf)蒸汽作为刻蚀剂，去除牺牲层结构。94.在本技术中，仅使用单一半导体基底，无需通过晶圆键合等技术就可以得到较深的腔体区域，同时在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其他结构，并且在牺牲层的去除过程中，由于腔体中保留了微柱间的微空隙结构，刻蚀剂可以快速扩散至腔体内部，显著节省了工艺时间。本技术的制作方法使用了光刻、刻蚀、薄膜沉积和硅微加工等多种微细加工技术，可以获得尺寸精度极佳的精细结构腔体和电极结构，以用于扬声器制造。95.综上所述，本技术实施例提供的腔体与电极结构的制作方法，可以提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构，仅使用单一半导体基底，无需通过晶圆键合等技术就可以得到较深的腔体区域，同时在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有第一牺牲层和第二牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其他结构，提高了腔体与电极结构的一致性。96.本技术实施例还提供了一种扬声器，包括图1至图x任一所述的腔体与电极结构的制作方法所制作的所述腔体与电极结构。97.综上所述，本技术实施例提供的扬声器，包括本技术提供的腔体与电极结构的制作方法所制作的所述腔体与电极结构，腔体与电极结构的制作方法，可以提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构，仅使用单一半导体基底，无需通过晶圆键合等技术就可以得到较深的腔体区域，同时在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有第一牺牲层和第二牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其他结构，提高了腔体与电极结构的一致性。98.本发明提供的一种扬声器，可以实现如图1至图7任一所示的腔体与电极结构的制作方法，为避免重复，这里不再赘述。99.本发明实施例中的电子设备可以是装置，也可以是终端中的部件、集成电路、或芯片。该装置可以是移动电子设备，也可以为非移动电子设备。示例性的，移动电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，umpc)、上网本或者个人数字助理(personal digital assistant，pda)等，非移动电子设备可以为服务器、网络附属存储器(network atached storage，nas)、个人计算机(personal computer，pc)、电视机(television，tv)、柜员机或者自助机等，本发明实施例不作具体限定。100.本发明实施例中的电子设备可以为具有操作系统的装置。该操作系统可以为安卓(android)操作系统，可以为ios操作系统，还可以为其他可能的操作系统，本发明实施例不作具体限定。101.图8示出了本发明实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图。如图8所示，该电子设备400包括处理器410。102.如图8所示，上述处理器410可以是一个通用中央处理器(central processing unit，cpu)，微处理器，专用集成电路(application-specific integrated circuit，asic)，或一个或多个用于控制本发明方案程序执行的集成电路。103.如图8所示，上述电子设备400还可以包括通信线路440。通信线路440可包括一通路，在上述组件之间传送信息。104.可选的，如图4所示，上述电子设备还可以包括通信接口420。通信接口420可以为一个或多个。通信接口420可使用任何收发器一类的装置，用于与其他设备或通信网络通信。105.可选的，如图8所示，该电子设备还可以包括存储器430。存储器430用于存储执行本发明方案的计算机执行指令，并由处理器来控制执行。处理器用于执行存储器中存储的计算机执行指令，从而实现本发明实施例提供的方法。106.如图8所示，存储器430可以是只读存储器(read-only memory，rom)或可存储静态信息和指令的其他类型的静态存储设备，随机存取存储器(random access memory，ram)或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory，eeprom)、只读光盘(compact disc read-only memory，cd-rom)或其他光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质或者其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其他介质，但不限于此。存储器430可以是独立存在，通过通信线路440与处理器410相连接。存储器430也可以和处理器410集成在一起。107.可选的，本发明实施例中的计算机执行指令也可以称之为应用程序代码，本发明实施例对此不作具体限定。108.在具体实现中，作为一种实施例，如图8所示，处理器410可以包括一个或多个cpu，如图8中的cpu0和cpu1。109.在具体实现中，作为一种实施例，如图8所示，终端设备可以包括多个处理器，如图8中的处理器。这些处理器中的每一个可以是一个单核处理器，也可以是一个多核处理器。110.图9是本发明实施例提供的芯片的结构示意图。如图9所示，该芯片500包括一个或两个以上(包括两个)处理器410。111.可选的，如图9所示，该芯片还包括通信接口420和存储器430，存储器430可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器提供操作指令和数据。存储器的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器(non-volatile random access memory，nvram)。112.在一些实施方式中，如图9所示，存储器430存储了如下的元素，执行模块或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集。113.在本发明实施例中，如图9所示，通过调用存储器存储的操作指令(该操作指令可存储在操作系统中)，执行相应的操作。114.如图9所示，处理器410控制终端设备中任一个的处理操作，处理器410还可以称为中央处理单元(central processing unit，cpu)。115.如图9所示，存储器430可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器提供指令和数据。存储器430的一部分还可以包括nvram。例如应用中存储器、通信接口以及存储器通过总线系统耦合在一起，其中总线系统除包括数据总线之外，还可以包括电源总线、控制总线和状态信号总线等。但是为了清楚说明起见，在图9中将各种总线都标为总线系统540。116.如图9所示，上述本发明实施例揭示的方法可以应用于处理器中，或者由处理器实现。处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器(digital signal processing，dsp)、asic、现成可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。117.一方面，提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有指令，当指令被运行时，实现上述实施例中由终端设备执行的功能。118.一方面，提供一种芯片，该芯片应用于终端设备中，芯片包括至少一个处理器和通信接口，通信接口和至少一个处理器耦合，处理器用于运行指令，以实现上述实施例中由腔体与电极结构的制作方法执行的功能。119.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机程序或指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序或指令时，全部或部分地执行本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、终端、用户设备或者其它可编程装置。所述计算机程序或指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机程序或指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线或无线方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是集成一个或多个可用介质的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，例如，软盘、硬盘、磁带；也可以是光介质，例如，数字视频光盘(digital video disc，dvd)；还可以是半导体介质，例如，固态硬盘(solid state drive，ssd)。120.尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。121.尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。