自我老化方法、装置、设备及存储介质与流程

本发明涉及芯片老化，特别是涉及一种自我老化方法、装置、设备及存储介质。

背景技术：

1、目前，对于市面主流的电子存储装置(如usb闪存盘、sd卡、固态硬盘等)而言，其主要是由存储控制芯片、闪存颗粒、pcb部件组成。存储控制芯片作为管理闪存颗粒的核心单元，用于执行对闪存颗粒的数据写入、读取、擦除等操作，存储控制芯片的稳定性关乎着电子存储装置的耐用性，因此，存储控制芯片正式量产前，会进行老化测试，老化测试目的是测试存储控制芯片在极端环境下，还能否执行长时间不间断地读写操作。

2、相关技术中，老化测试需要主机、存储控制芯片、闪存颗粒同时置入高温环境中，由于主机无法长时间耐受高温环境，容易对主机造成严重损坏。另外，由于需要主机、闪存颗粒参与，老化测试的成本也会相应增加。

技术实现思路

1、本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种自我老化方法、装置、设备及存储介质，能够避免对主机造成严重损坏，同时降低老化测试成本。

2、本申请的第一方面提供了一种自我老化方法，包括：

3、将需要进行老化测试的存储控制芯片连接；

4、从若干所述存储控制芯片中选择其中一个作为主设备，其余所述存储控制芯片作为从设备；

5、对所有所述存储控制芯片进行初始化，其中作为主设备的所述存储控制芯片负责对所有作为从设备的所述存储控制芯片进行初始化，其中一个作为从设备的所述存储控制芯片负责对作为主设备的所述存储控制芯片进行初始化；

6、按照初始化顺序两两配对所述存储控制芯片，已配对的所述存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试。

7、在其中一个实施例中，所述已配对的所述存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试，包括：

8、其中一个所述存储控制芯片产生随机数，并发送写入命令至另一个所述存储控制芯片，将所述随机数写入至另一个所述存储控制芯片中；

9、产生所述随机数的所述存储控制芯片发送读取命令至另一个所述存储控制芯片中，将已写入所述随机数读取出来并进行校验；

10、上述步骤已配对的所述存储控制芯片两两依次交替执行，直至所述随机数校验通过失败。

11、在其中一个实施例中，按如下方式执行对所述存储控制芯片的初始化：

12、发送复位命令至所述存储控制芯片中，将所述存储控制芯片复位成空闲状态；

13、发送读取电压命令至所述存储控制芯片中，获取所述存储控制芯片的电压范围；

14、发送准备就绪命令至所述存储控制芯片中，将所述存储控制芯片调整成准备就绪状态；

15、发送读取id命令至所述存储控制芯片中，获取所述存储控制芯片的id；

16、发送读取设备地址命令至所述存储控制芯片中，获取所述存储控制芯片的设备地址。

17、在其中一个实施例中，所述将需要进行老化测试的存储控制芯片连接，包括：

18、以共用一套总线的方式将需要进行老化测试的存储控制芯片连接。

19、本申请的第二方面提供了一种自我老化装置，包括：

20、连接模块，用于将需要进行老化测试的存储控制芯片连接；

21、主从标记模块，用于从若干所述存储控制芯片中选择其中一个作为主设备，其余所述存储控制芯片作为从设备；

22、初始化模块，用于对所有所述存储控制芯片进行初始化，其中作为主设备的所述存储控制芯片负责对所有作为从设备的所述存储控制芯片进行初始化，其中一个作为从设备的所述存储控制芯片负责对作为主设备的所述存储控制芯片进行初始化；

23、老化模块，用于两两配对所述存储控制芯片，已配对的所述存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试。

24、在其中一个实施例中，所述老化模块用于对已配对的所述存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试时，包括：其中一个所述存储控制芯片产生随机数，并发送写入命令至另一个所述存储控制芯片，将所述随机数写入至另一个所述存储控制芯片中；

25、产生所述随机数的所述存储控制芯片发送读取命令至另一个所述存储控制芯片中，将已写入所述随机数读取出来并进行校验；

26、上述步骤已配对的所述存储控制芯片两两依次交替执行，直至所述随机数校验通过失败。

27、在其中一个实施例中，所述初始化模块按如下方式执行对所述存储控制芯片的初始化：

28、发送复位命令至所述存储控制芯片中，将所述存储控制芯片复位成空闲状态；

29、发送读取电压命令至所述存储控制芯片中，获取所述存储控制芯片的电压范围；

30、发送准备就绪命令至所述存储控制芯片中，将所述存储控制芯片调整成准备就绪状态；

31、发送读取id命令至所述存储控制芯片中，获取所述存储控制芯片的id；

32、发送读取设备地址命令至所述存储控制芯片中，获取所述存储控制芯片的设备地址。

33、在其中一个实施例中，所述连接模块用于将需要进行老化测试的存储控制芯片连接，包括：

34、以共用一套总线的方式将需要进行老化测试的存储控制芯片连接。

35、本申请的第三方面提供了一种电子设备，包括：

36、处理器，以及

37、存储器，存储有可执行代码，当所述可执行代码被所述处理器执行时，使所述处理器执行如上述所述的自我老化方法。

38、本申请的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上述所述的自我老化方法。

39、本申请的技术方案，包括：将需要进行老化测试的存储控制芯片连接；从若干存储控制芯片中选择其中一个作为主设备，其余存储控制芯片作为从设备；对所有存储控制芯片进行初始化，其中作为主设备的存储控制芯片负责对所有作为从设备的存储控制芯片进行初始化，其中一个作为从设备的存储控制芯片负责对作为主设备的存储控制芯片进行初始化；两两配对存储控制芯片，已配对的存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试。本申请省去主机、闪存颗粒参与，仅依靠存储控制芯片与存储控制芯片之间通信交互即可实现老化，能够很好地避免主机长时间处于极端环境下对其造成损坏。另外省去主机、闪存颗粒也能够降低老化测试成本。

技术特征：

1.一种自我老化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的自我老化方法，其特征在于，所述已配对的所述存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试，包括：

3.根据权利要求1所述的自我老化方法，其特征在于，按如下方式执行对所述存储控制芯片的初始化：

4.根据权利要求1所述的自我老化方法，其特征在于，所述将需要进行老化测试的存储控制芯片连接，包括：

5.一种自我老化装置，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的自我老化装置，其特征在于，所述老化模块用于对已配对的所述存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试时，包括：其中一个所述存储控制芯片产生随机数，并发送写入命令至另一个所述存储控制芯片，将所述随机数写入至另一个所述存储控制芯片中；

7.根据权利要求5所述的自我老化装置，其特征在于，所述初始化模块按如下方式执行对所述存储控制芯片的初始化：

8.根据权利要求5所述的自我老化装置，其特征在于，所述连接模块用于将需要进行老化测试的存储控制芯片连接，包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如权利要求1-4中任意一项所述的自我老化方法。

技术总结本发明公开了一种自我老化方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：将需要进行老化测试的存储控制芯片连接；从若干存储控制芯片中选择其中一个作为主设备，其余存储控制芯片作为从设备；对所有存储控制芯片进行初始化，其中作为主设备的存储控制芯片负责对所有作为从设备的存储控制芯片进行初始化，其中一个作为从设备的存储控制芯片负责对作为主设备的存储控制芯片进行初始化；两两配对存储控制芯片，已配对的存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试。本申请省去主机、闪存颗粒参与，仅依靠存储控制芯片与存储控制芯片之间通信交互即可实现老化，避免主机长时间处于极端环境下对其造成损坏。省去主机、闪存颗粒也能够降低老化测试成本。技术研发人员：曾庆聪,陈向兵,张辉,张如宏,胡来胜受保护的技术使用者：深圳三地一芯电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/24