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一种MEMS基板的压合治具的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 14:10:50

本技术涉及mems麦克风制造领域,尤其涉及一种mems基板的压合治具。

背景技术:

1、mems的英文全称为micro-electro-mechanicalsystem,中文名称为微机电系统,是指尺寸在几毫米甚至更小的高科技装置,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。mems技术因具有微型化、智能化、高度集成化和可批量生产的优点,已广泛应用于电子、医学、工业、汽车和航空航天系统等领域。

2、如图1所示,目前mems基板采用的压合治具中,中间镂空的上压板使用4格固定螺丝固定在两侧固定板上,使用过程是:通过马达带动底部垫块向下活动到设置位置,此时上压板与底部垫块中产生较大空间,通过皮带传送mems基板到上压板与底部垫块中间位置,传感器感应基板到达指定位置后,底部垫块向上活动到设置位置,此次mems基板被上压板和底部垫块压合,被底部垫块压合固定后进行画锡作业。

3、但实际应用中,因为mems基板厚度较薄,在压合时中部可能被底部垫块定期而导致存在形变的情况,无法满足对应的画锡水平度要求,水平度不一致时会导致画锡针嘴与基板间的高度存在明显差异,连续作业会导致大量断笔、甩锡等质量异常,大幅降低画锡良率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种可以改善mems基板画锡良率的压合治具。

2、本实用新型实施例中,提供了一种mems基板的压合治具,其包括设置于镂空送料轨道上方两侧的两个固定板、两侧分别搭载于所述两个固定板上且中部镂空的上压板、设置于送料轨道下方的底部垫块,所述固定板与所述上压板通过磁吸的方式进行固定。

3、本实用新型实施例中,所述固定板上设置有多个第一磁铁嵌块,所述上压板两侧上设置有与所述多个第一磁铁嵌块相应的第二磁铁嵌块,所述第一磁铁嵌块和所述第二磁铁嵌块相互吸合,将所述上压板固定于所述固定板上。

4、本实用新型实施例中,所述固定板上设置有多个磁铁嵌块,所述上压板为磁性材料。

5、本实用新型实施例中,所述固定板为磁性材料,所述上压板两侧设置有多个磁铁嵌块。

6、本实用新型实施例中,所述固定板上还设置有定位销钉,所述上压板上设置有与所述定位销钉相应的定位孔,所述定位销钉穿过所述定位孔,对所述固定板和所述上压板的相对位置进行限定。

7、本实用新型实施例中,所述底部垫块底部设置有顶升气缸。

8、本实用新型实施例中,所述底部垫块的上表面上还设置有与气泵相连接的真空孔。

9、与现有技术相比较,采用本实用新型的mems基板的压合治具,所述固定板与所述上压板通过磁吸的方式进行固定,在将mems基板与底部垫块进行压合时,基板会随底部垫块上升到顶部设置位置,由于磁吸力远小于底部垫块的顶升力,mems基板的上升过程会一直持续将上压板顶起,从而不会导致mems基板的边缘固定而中部受力导致变形,在此过程中,底部垫块通过真空压力将mems基板固定,从而实现弹性压合,避免了基板变形而导致底部垫块的真空压力丧失对mems基板固定不牢,也防止了基板变形而降低画锡良率。

技术特征:

1.一种mems基板的压合治具,其特征在于,包括设置于镂空送料轨道上方两侧的两个固定板、两侧分别搭载于所述两个固定板上且中部镂空的上压板、设置于送料轨道下方的底部垫块,所述固定板与所述上压板通过磁吸的方式进行固定。

2.如权利要求1所述的mems基板的压合治具,其特征在于,所述固定板上设置有多个第一磁铁嵌块,所述上压板两侧上设置有与所述多个第一磁铁嵌块相应的第二磁铁嵌块,所述第一磁铁嵌块和所述第二磁铁嵌块相互吸合,将所述上压板固定于所述固定板上。

3.如权利要求1所述的mems基板的压合治具,其特征在于,所述固定板上设置有多个磁铁嵌块,所述上压板为磁性材料。

4.如权利要求1所述的mems基板的压合治具,其特征在于,所述固定板为磁性材料,所述上压板两侧设置有多个磁铁嵌块。

5.如权利要求1所述的mems基板的压合治具,其特征在于,所述固定板上还设置有定位销钉,所述上压板上设置有与所述定位销钉相应的定位孔,所述定位销钉穿过所述定位孔,对所述固定板和所述上压板的相对位置进行限定。

6.如权利要求1所述的mems基板的压合治具,其特征在于,所述底部垫块底部设置有顶升气缸。

7.如权利要求1所述的mems基板的压合治具,其特征在于,所述底部垫块的上表面上还设置有与气泵相连接的真空孔。

技术总结本技术提供了一种MEMS基板的压合治具,其包括设置于镂空送料轨道上方两侧的两个固定板、两侧分别搭载于所述两个固定板上且中部镂空的上压板、设置于送料轨道下方的底部垫块,所述固定板与所述上压板通过磁吸的方式进行固定。采用本技术的MEMS基板的压合治具,可以减少MEMS基板与底部垫块进行压合时的形变。技术研发人员:张怡,李凤珍,潘英明,胡伟,任勇军,王仁怀,孙少林受保护的技术使用者:广东气派科技有限公司技术研发日:20231201技术公布日:2024/7/23

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