分补复合开关电路的制作方法

本发明涉及开关电路，尤其涉及分补复合开关电路。

背景技术：

1、驱动开关电源电路晶体管开通时对容性负载充电/放电的瞬时电流很大，尤其是在热损耗温升较高时，容易造成开关晶体管烧毁。所以驱动电源一般需要风冷散热，也造成开关电源工作效率降低和散热成本增加，外壳不能密封，使用场合受限等问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本发明提供了分补复合开关电路，以解决现有技术中的技术问题。

2、为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

3、分补复合开关电路，包括mos管mosh、mosl、el器件和两个ir2110芯片，所述mosh的栅极分别通过二极管d2、电阻r5、r3与右侧所述ir2110芯片连接，所述mosh的漏极连接有可控硅scrh、电容c3，所述mosh的源极与mosl的漏极连接，所述mosl的栅极分别通过电阻r6、r4与右侧所述ir2110芯片连接，所述mosl的漏极连接有可控硅scrl，所述可控硅scrh与可控硅scrl首尾相接后与两个ir2110芯片相接。

4、作为本发明的优选技术方案，左侧的所述ir2110芯片通过电阻r1、r2分别与可控硅scrh、scrl相接。

5、作为本发明的优选技术方案，左侧所述ir2110芯片的vb引脚与vs引脚之间跨接有电容c2，左侧的所述ir2110芯片通过二极管d1接地。

6、作为本发明的优选技术方案，左侧的所述ir2110芯片的vb引脚与vs引脚之间跨接有电容c2，左侧的所述ir2110芯片的vcc引脚与com引脚之间跨接有电容c3，左侧的所述ir2110芯片的输入信号为s1、s2。

7、作为本发明的优选技术方案，右侧的所述ir2110芯片的vb引脚与vs引脚之间跨接有电容c5，右侧的所述vcc引脚与com引脚之间跨接有电容c6。

8、作为本发明的优选技术方案，右侧的所述ir2110芯片的输出信号为m1、m2。

9、作为本发明的优选技术方案，右侧的所述ir2110芯片vcc脚与com脚之间跨接有电容c6。

10、作为本发明的优选技术方案，两个所述ir2110芯片的电源端vdd分别设置有电容ci和c7。

11、本发明提供了分补复合开关电路，具备以下有益效果：

12、1、本发明设计了一种分补复合开关电路驱动电源，利用单向可控硅作为开关器件承担容性负载充放电的瞬时大电流，通过与mos管并联实现关断，由此提高开关电路的可靠性，且驱动这类容性负载满足大瞬时功率要求的开关电源，在雷达、电子对抗等系统中也得到广泛的应用；

13、2、本发明使用瞬时电流容量大的可控硅scr充当驱动电源电路的主开关管，在其阳极-阴极两端并联mos管延迟导通/关断，起到分流和短接可控硅的作用，从而使可控硅在开通之后能够关断，适当调节mos管延迟开关时间错开尖峰电流且使两种开关管的温升相等或相近，进一步提高这种可控硅-mos管复合开关电路的可靠性。

技术特征：

1.分补复合开关电路，其特征在于，包括mos管mosh、mosl、el器件和两个ir2110芯片，所述mosh的栅极分别通过二极管d2、电阻r5、r3与右侧所述ir2110芯片连接，所述mosh的漏极连接有可控硅scrh、电容c3，所述mosh的源极与mosl的漏极连接，所述mosl的栅极分别通过电阻r6、r4与右侧所述ir2110芯片连接，所述mosl的漏极连接有可控硅scrl，所述可控硅scrh与可控硅scrl首尾相接后与两个ir2110芯片相接。

2.根据权利要求1所述的分补复合开关电路，其特征在于，左侧的所述ir2110芯片通过电阻r1、r2分别与可控硅scrh、scrl相接。

3.根据权利要求1所述的分补复合开关电路，其特征在于，左侧所述ir2110芯片的vb引脚与vs引脚之间跨接有电容c2，左侧的所述ir2110芯片通过二极管d1接地。

4.根据权利要求1所述的分补复合开关电路，其特征在于，左侧的所述ir2110芯片的vb引脚与vs引脚之间跨接有电容c2，左侧的所述ir2110芯片的vcc引脚与com引脚之间跨接有电容c3，左侧的所述ir2110芯片的输入信号为s1、s2。

5.根据权利要求1所述的分补复合开关电路，其特征在于，右侧的所述ir2110芯片的vb引脚与vs引脚之间跨接有电容c5，右侧的所述vcc引脚与com引脚之间跨接有电容c6。

6.根据权利要求1所述的分补复合开关电路，其特征在于，右侧的所述ir2110芯片的输出信号为m1、m2。

7.根据权利要求1所述的分补复合开关电路，其特征在于，右侧的所述ir2110芯片vcc脚与com脚之间跨接有电容c6。

8.根据权利要求1所述的分补复合开关电路，其特征在于，两个所述ir2110芯片的电源端vdd分别设置有电容ci和c7。

技术总结本发明公开了分补复合开关电路，包括MOS管MOSH、MOSL、EL器件和两个IR2110芯片，所述MOSH的栅极分别通过二极管D2、电阻R5、R3与右侧所述IR2110芯片连接，所述MOSH的漏极连接有可控硅SCRH、电容C3，所述MOSH的源极与MOSL的漏极连接，所述MOSL的栅极分别通过电阻R6、R4与右侧所述IR2110芯片连接，本发明利用单向可控硅作为开关器件承担容性负载充放电的瞬时大电流，通过与MOS管并联实现关断，由此提高开关电路的可靠性，且驱动这类容性负载满足大瞬时功率要求的开关电源，在雷达、电子对抗等系统中也得到广泛的应用。技术研发人员：胡伟波,石方敏受保护的技术使用者：江苏谷泰微电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18