一种MEMS晶圆真空贴膜装置的制作方法

本技术涉及晶圆贴膜，特别涉及一种mems晶圆真空贴膜装置。

背景技术：

1、随着半导体芯片技术的发展，ic封装技术也快速发展。mems芯片是一种比较特殊的半导体芯片，其不仅具有常规的ic电路部分，还在芯片上集成了微机械结构，因此相对常规的ic封装，mems芯片对封装的工艺要求更高。

2、由于常规的ic晶圆在切割前的贴膜过程中，可通过在芯片背面滚压的方式进行贴膜；而mems芯片因为有微机械结构(微机械结构不能受力)，从而无法直接通过常规的滚压方式进行贴膜，因此mems芯片通常采用手动贴膜或者真空吸附的方式进行贴膜，但是两者均存在不同程度的缺陷，手动贴膜效率较低，人为不可控因素较多；真空吸附会引入不同程度的气泡。

3、因此，需要设计一种改善上述问题的mems晶圆真空贴膜装置。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种mems晶圆真空贴膜装置。

2、本实用新型提供了一种mems晶圆真空贴膜装置，包括贴膜平台及片环；

3、所述贴膜平台包括基座及吸附盘，所述吸附盘安装在所述基座的上表面；

4、所述片环套设于所述吸附盘的外周壁上，所述片环用于将待贴的膜覆于所述吸附盘上；所述吸附盘上端设置有圆环状第一凸台，所述片环套设于所述第一凸台的外周壁上，用于将待贴的膜覆于所述吸附盘和所述片环上；所述第一凸台内设置有若干与mems晶圆正面的ic电路部分接触的圆柱状第二凸台，用于避开mems晶圆的mems且支撑mems晶圆，以使所述支撑mems晶圆的背面与所述膜的上表面接触；

5、进一步，所述第二凸台的高度为2-3mm，所述第二凸台直径为2-5mm；

6、进一步，所述第一凸台的高度高于所述第二凸台；

7、进一步，所述第二凸台为聚四氟乙烯凸台；

8、进一步，所述第一凸台设置有用于抽真空的气孔；

9、进一步，所述mems晶圆真空贴膜装置还包括抽真空机构，所述抽真空机构包括真空腔和真空泵；

10、所述贴膜平台、所述片环、所述膜和所述mems晶圆均设于所述真空腔内；所述真空泵用于抽取所述真空腔内的空气，以将所述膜与所述mems晶圆之间的空气抽出；

11、进一步，所述mems晶圆真空贴膜装置还包括位于所述真空腔上方的滚轮，所述滚轮为长筒状结构；用于对所述mems晶圆的背面进行滚压；

12、与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

13、(1)本实用新型贴膜装置设置贴膜平台，贴膜平台包括基座及吸附盘，吸附盘上端若干与mems晶圆正面的ic电路部分接触圆柱状第二凸台，用于避开mems晶圆的mems且支撑mems晶圆，避免了在贴膜时，mems晶圆中部mems受到压力，使所述支撑mems晶圆的背面与所述膜的上表面接触，使贴膜效率高；

14、(2)本实用新型设置抽真空机构，抽真空机构包括真空腔和真空泵，贴膜平台、皮环、膜和mems晶圆均设于真空腔内，真空泵用于抽取真空腔内的空气,以将膜与mems晶圆之间的空气抽出,从而使晶圆的正面与膜紧密贴合，使得贴膜时不会产生气泡。

技术特征：

1.一种mems晶圆真空贴膜装置，其特征在于，包括贴膜平台(1)及片环(2)；

2.根据权利要求1所述的一种mems晶圆真空贴膜装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的一种mems晶圆真空贴膜装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的一种mems晶圆真空贴膜装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的一种mems晶圆真空贴膜装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的一种mems晶圆真空贴膜装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的一种mems晶圆真空贴膜装置，其特征在于，

技术总结本技术涉及晶圆贴膜技术领域，特别涉及一种MEMS晶圆真空贴膜装置，包括贴膜平台及片环；所述贴膜平台包括基座及吸附盘，所述吸附盘安装在所述基座的上表面；所述吸附盘上端设置有圆环状第一凸台，所述片环套设于所述第一凸台的外周壁上，用于将待贴的膜覆于所述吸附盘和所述片环上；所述第一凸台内设置有若干与MEMS晶圆正面的IC电路部分接触的圆柱状第二凸台，用于避开MEMS晶圆的MEMS且支撑MEMS晶圆，以使所述支撑MEMS晶圆的背面与所述膜的上表面接触；本技术贴膜装置设置贴膜平台、片环和抽真空机构，贴膜时MEMS晶圆中部MEMS不会受到压力，贴膜效率高，且贴膜时不会产生气泡。技术研发人员：王莹受保护的技术使用者：西安英孚瑞科技有限公司技术研发日：20240329技术公布日：2024/11/7