一种MOSFET-TFET混合型的8TSRAM单元电路的制作方法

技术特征：
1.一种mosfet-tfet混合型的8t sram单元电路，其特征在于，所述电路包括四个ntfet晶体管，依次记为n1～n4；两个ptfet晶体管，依次记为p1、p2；两个nmosfet晶体管，依次记为n5、n6，其中：电源vdd和ptfet晶体管p1的源极电连接，同时电源vdd也与ptfet晶体管p2的源极电连接；ptfet晶体管p1的漏极与nmosfet晶体管n5的漏极、ptfet晶体管p2的栅极、ntfet晶体管n2的栅极、ntfet晶体管n1的漏极电连接；ptfet晶体管p2的漏极与ptfet晶体管p1的栅极、ntfet晶体管n1的栅极、ntfet晶体管n2的漏极、nmosfet晶体管n6的源极、ntfet晶体管n4的源极电连接；ntfet晶体管n3的漏极与nmosfet晶体管n5的源极、nmosfet晶体管n6的漏极电连接；ntfet晶体管n1的源极、ntfet晶体管n2的源极、ntfet晶体管n3的源极与gnd电连接；位线wl与ntfet晶体管n3的栅极电连接；字线bl与nmosfet晶体管n5的栅极电连接；字线blb与nmosfet晶体管n6的栅极电连接；读字线rwl与ntfet晶体管n4的栅极电连接；读位线rbl与ntfet晶体管n4的漏极电连接；基于上述电路结构，所述电路的读操作部分仅由ntfet晶体管n4构成；ptfet晶体管p1与ntfet晶体管n1、ptfet晶体管p2与ntfet晶体管n2构成两个反相器，这两个反相器又构成了sram单元中的锁存电路；ntfet晶体管n3与nmosfet晶体管n5、n6构成sram传输管部分。2.根据权利要求1所述mosfet-tfet混合型的8t sram单元电路，其特征在于，基于所述电路结构，在保持状态下，位线wl、字线bl、字线blb及读字线rwl为低电平，nmosfet晶体管n5、n6及ntfet晶体管n3、n4处于关闭状态，从而使锁存电路处于锁存状态，保证了单元在保持状态下的稳定性；且读位线rbl被预充为高电平，ntfet晶体管n4的漏极电压始终不低于源极电压，避免了tfet管出现的不受栅极控制的正偏p-i-n电流。3.根据权利要求1所述mosfet-tfet混合型的8t sram单元电路，其特征在于，基于所述电路结构，在读操作阶段，位线wl、字线bl、字线blb为低电平，读字线rwl置为高电平，读位线rbl被预充为高电平；若存储节点q的电压为“1”，qb的电压为“0”，则读位线rbl通过ntfet晶体管n4放电，完成读“1”操作；若存储节点q的电压为“0”，qb的电压为“1”，则读位线rbl始终保持高电平，完成读“0”操作；sram阵列中的灵敏放大器通过检测读位线rbl电平的变化实现对sram单元存储数据的读取，完成读操作。4.根据权利要求1所述mosfet-tfet混合型的8t sram单元电路，其特征在于，基于所述电路结构，在写操作阶段，读字线rwl置为低电平，读位线rbl被预充为高电平，位线wl为高电平；当字线bl置为1.2v，字线blb置为0v时，sram单元完成写“0”操作；当字线bl置为0v，字线blb置为1.2v时，sram单元完成写“1”操作。5.根据权利要求1所述mosfet-tfet混合型的8t sram单元电路，其特征在于，所述电路
在写操作时，mosfet晶体管的栅压采用单独供电方式，即开启状态时栅压电压为1.2v。