一种MOSFET-TFET混合型的8TSRAM单元电路的制作方法

2021-02-03 13:26:00 来源：中国专利 TAG：电路混合型单元集成电路设计 mosfet

技术总结
本发明公开了一种MOSFET

技术研发人员：卢文娟李露彭春雨高珊赵强吴秀龙蔺智挺陈军宁
受保护的技术使用者：安徽大学
技术研发日：2020.11.20
技术公布日：2021/2/2

再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。

相关文献