技术总结
一种单闸极多次写入非挥发性内存阵列及其操作方法，此单闸极多次写入非挥发性内存阵列包含多个位元线、多组共源线与多个子内存阵列，于每一子内存阵列中，第一记忆晶胞连接第一位元线与第一组共源线的一共源线，第二记忆晶胞连接第一位元线与第一组共源线的另一共源线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并位于第一位元线的同一侧。藉由本发明对应元件提出的操作条件，可以使用最少的控制电压种类及最少的元件，能够大幅缩短控制线路的长度，达到缩小整体面积的效果，从而减少生产成本。从而减少生产成本。从而减少生产成本。
技术研发人员：吴政颖 骆玮彤 黄文谦
受保护的技术使用者：亿而得微电子股份有限公司
技术研发日：2019.10.25
技术公布日：2021/4/27
一种单闸极多次写入非挥发性内存阵列及其操作方法，此单闸极多次写入非挥发性内存阵列包含多个位元线、多组共源线与多个子内存阵列，于每一子内存阵列中，第一记忆晶胞连接第一位元线与第一组共源线的一共源线，第二记忆晶胞连接第一位元线与第一组共源线的另一共源线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并位于第一位元线的同一侧。藉由本发明对应元件提出的操作条件，可以使用最少的控制电压种类及最少的元件，能够大幅缩短控制线路的长度，达到缩小整体面积的效果，从而减少生产成本。从而减少生产成本。从而减少生产成本。
技术研发人员：吴政颖 骆玮彤 黄文谦
受保护的技术使用者：亿而得微电子股份有限公司
技术研发日：2019.10.25
技术公布日：2021/4/27
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
