技术特征：
1.一种存储器的读取电路，其特征在于，包括：
预充模块、存储单元和放大器模块；
所述预充模块或放大器模块中，通过之前至少一个读取周期的读取结果控制当前读取周期的数据读取过程，以提高数据读取的准确度。
2.根据权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述预充模块中，通过之前至少一个读取周期的读取结果控制位线充放电过程，以实现对当前周期的数据读取过程的控制。
3.根据权利要求2所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述位线连接通过之前至少一个读取周期的读取结果控制的上拉支路，用于对位线进行充电，以调节当前读取周期中位线的充电速度。
4.根据权利要求3所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述位线还连接通过预设的控制电压控制的充电管，用于对所述位线共同充电。
5.根据权利要求2所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述位线连接通过之前至少一个读取周期的读取结果控制的下拉支路，用于对位线进行放电，以调节当前周期中位线的放电速度。
6.根据权利要求2所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述读取电路还包括：钳位电路；所述位线连接所述钳位电路，用于对所述位线进行钳位，以限制所述位线的最低电压。
7.根据权利要求6所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述钳位电路包括第一nmos管和第二nmos管；
所述第一nmos管的源极与所述位线中的第一位线连接；
所述第二nmos管的源极与所述位线中的第二位线连接；
所述第一nmos管和第二nmos管的栅极共同连接于钳位控制电压；
所述第一nmos管和第二nmos管的漏极共同连接于第三电位；
当所述第一位线的电压低于所述钳位控制电压与所述第一nmos管的阈值电压的差值时，所述第一nmos管导通以将所述第一位线的电压上拉至所述钳位控制电压与所述第一nmos管的阈值电压的差值；
当所述第二位线的电压低于所述钳位控制电压与所述第二nmos管的阈值电压的差值时，所述第二nmos管导通以将所述第二位线的电压上拉至所述钳位控制电压与所述第二nmos管的阈值电压的差值。
8.根据权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述放大器模块连接通过之前至少一个读取周期的读取结果控制的反馈控制模块，用于实现对当前周期的数据读取过程的控制。
9.根据权利要求8所述的存储器的读取电路，其特征在于，由所述读取结果控制的反馈控制模块通过电容连接到所述放大器模块的输入节点，实现对放大器模块的输入节点电压的控制。
10.一种存储器的读取电路，其特征在于，包括：
预充电模块、位线、多个存储单元、放大器模块和反馈控制模块；
所述反馈控制模块，适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，控制当前读取周期的数据读取过程，以提高数据读取的准确度。
11.根据权利要求10所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述读取结果还包括读取地址。
12.根据权利要求10所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述反馈控制模块，还适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，控制所述位线的充放电过程，以实现对当前读取周期的数据读取过程的控制。
13.根据权利要求10所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述反馈控制模块，还适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，控制当前读取周期中对所述位线进行充放电的速度和/或时间。
14.根据权利要求10所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述反馈控制模块包括至少两个pmos管；
每个pmos管的源极与所述预充电模块中的电源连接；
每个pmos管的漏极与所述位线连接；
所述预充电模块通过所述至少两个pmos管对所述位线进行充电；
所述反馈控制模块还适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，通过所述至少两个pmos管控制对所述位线进行充电的速度。
15.根据权利要求10所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述反馈控制模块包括至少两个nmos管；
每个nmos管的漏极与所述位线连接；
每个nmos管的源极共同连接于第一电位；
所述反馈控制模块还适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，通过所述至少两个nmos管控制对所述位线进行放电的速度。
16.根据权利要求10所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述反馈控制模块包括至少两个cmos反相器；
每个cmos反相器中的pmos管的源极与所述预充电模块中的电源连接；
每个cmos反相器中的pmos管和nmos管的漏极与所述位线连接；
每个cmos反相器中的nmos管的源极共同连接于第二电位；
所述反馈控制模块还适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，通过所述至少两个cmos反相器控制对所述位线进行充放电的速度。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述反馈控制模块包括：钳位电路；
所述钳位电路适于对所述位线进行钳位，以限制所述位线的最低电压。
18.根据权利要求10所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述放大器模块与所述反馈控制模块连接；
所述反馈控制模块还适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，控制所述放大器模块的相关参数，以控制当前读取周期的数据读取过程。
19.根据权利要求18所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述反馈控制模块通过电容连接到所述放大器模块的输入节点；
所述反馈控制模块还适于基于之前至少一个读取周期的读取结果，控制所述放大器模块的输入节点电压，以控制当前读取周期的数据读取过程。
技术总结
本实用新型提供了存储器的读取电路。该读取电路包括：预充模块、存储单元和放大器模块；所述预充模块或放大器模块中，通过之前至少一个读取周期的读取结果控制当前读取周期的数据读取过程，以提高数据读取的准确度。本实用新型通过利用之前至少一个读取周期的读取结果，对当前读取周期的相关参数进行调节，可以提高数据读取的准确度。
技术研发人员：赵立新;乔劲轩;魏经纬;黄诗剑
受保护的技术使用者：格科微电子(上海)有限公司
技术研发日：2020.08.24
技术公布日：2021.06.22
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