半导体存储器装置及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储块，所述存储块与多条字线和多条位线联接；外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储块执行编程操作和读取操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以使得在所述编程操作和所述读取操作中的至少一个期间的位线预充电操作中，字线过驱动时段与位线过驱动时段交叠。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述字线过驱动时段期间向所述多条字线当中的被选字线施加高于第一目标电压的第一过驱动电压。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述位线过驱动时段期间向所述多条位线中的每条位线施加第一量的电流。4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述位线过驱动时段已经终止之后向所述多条位线中的每条位线施加第二量的电流，并且其中，所述第二量的电流小于所述第一量的电流。5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述位线过驱动时段期间向所述多条位线中的每条位线施加第二过驱动电压，并且其中，所述第二过驱动电压低于所述第一过驱动电压。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为在所述字线过驱动时段与所述位线过驱动时段交叠的时段期间，将所述多条位线中的每条位线预充电至低于第二目标电压的电压电平。7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为，在所述字线过驱动时段与所述位线过驱动时段交叠的时段终止时，将所述多条位线中的每条位线预充电至所述第二目标电压。8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路包括：电压发生电路，所述电压发生电路被配置为向所述多条字线当中的所述被选字线施加所述第一过驱动电压；以及位线预充电电路，所述位线预充电电路被配置为向所述多条位线中的每条位线施加所述第二过驱动电压，其中，所述位线预充电电路被配置为：在所述位线过驱动时段期间响应于具有过驱动电位电平的控制信号而向所述多条位线中的每条位线施加所述第二过驱动电压，并且在所述位线过驱动时段终止之后，响应于减小至低于所述过驱动电位电平的目标电平的所述控制信号而将所述多条位线中的每条位线的电位控制为所述第二目标电压。9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以使得所述位线过驱动时段在所述字线过驱动时段开始之后且所述字线过驱动时段终止之前开始。10.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储块，所述存储块与多条字线和多条位线联接；外围电路，所述外围电路被配置为向所述多条字线和所述多条位线中的每一者施加设
定电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以使得在位线预充电操作期间，向所述多条字线当中的被选字线施加第一过驱动电压的字线过驱动时段与向所述多条位线中的每条位线施加第二过驱动电压的位线过驱动时段部分交叠。11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以使得在所述字线过驱动时段期间向所述被选字线施加高于第一目标电压的所述第一过驱动电压，并且在所述字线过驱动时段终止之后向所述被选字线施加所述第一目标电压。12.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述位线过驱动时段期间向所述多条位线中的每条位线施加具有第一量的电流的所述第二过驱动电压。13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述位线过驱动时段已经终止之后，将所述第二过驱动电压的电流的量减小为小于所述第一量的电流的第二量的电流。14.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述第二过驱动电压低于所述第一过驱动电压。15.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为在所述字线过驱动时段与所述位线过驱动时段交叠的时段期间，将所述多条位线中的每条位线预充电至低于第二目标电压的电压电平，并且在所述位线过驱动时段终止时，将所述多条位线中的每条位线预充电到所述第二目标电压。16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路包括：电压发生电路，所述电压发生电路被配置为向所述被选字线施加所述第一过驱动电压；以及位线预充电电路，所述位线预充电电路被配置为向所述多条位线中的每条位线施加所述第二过驱动电压，其中，所述位线预充电电路被配置为在所述位线过驱动时段期间响应于具有过驱动电位电平的控制信号而向所述多条位线中的每条位线施加所述第二过驱动电压，并在所述位线过驱动时段终止之后，响应于减小至低于所述过驱动电位电平的目标电平的控制信号而将所述多条位线中的每条位线的电位控制为所述第二目标电压。17.一种操作半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：在字线过驱动时段期间向被选字线施加第一过驱动电压；在位线过驱动时段期间向多条位线中的每条位线施加第二过驱动电压；在所述字线过驱动时段之后，向所述被选字线施加第一目标电压；以及在所述位线过驱动时段之后，将所述多条位线预充电到第二目标电压，其中，所述字线过驱动时段与所述位线过驱动时段部分交叠。18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一过驱动电压高于所述第二过驱动电压。19.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述位线过驱动时段期间，在所述第一目标电压的施加期间将所述位线预充电到低于所述第二目标电压的预位线
电压。20.根据权利要求19所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述位线过驱动时段已经终止之后，将所述位线的电压从所述预位线电压增加到所述第二目标电压。