一种存储器件的测试方法、测试系统及测试设备与流程

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种存储器件的测试方法、测试系统及测试设备。

背景技术：

当前对于存储器件进行老化测试，可以对多个逻辑单元一一进行测试，以便得到存储器件随着使用时间的老化情况。每个逻辑单元都具有逻辑单元号(logicalunitnumber，lun)，lun是用来标识一个逻辑单元的数字。

由于当前对于存储器件进行老化测试，都是采用测试完毕一个lun之后继续测试另外一个lun，若该lun出现坏点，则进行记录，这样的老化测试方法测试时间较长。若采用并行两个lun进行测试，能够节省测试时间，但是无法做到输出是哪一个lun出现坏点，即在进行并行lun测试时，无法准确输出坏点信息。

也就是说，当前的存储器件老化测试方法，无法做到既能节省测试时间，又能准确输出lun坏块信息。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种存储器件的测试方法、测试系统及测试设备，既能节省测试时间，又能准确输出lun坏块信息。

本申请实施例提供了一种存储器件的测试方法，包括：

获取第一逻辑单元与第二逻辑单元的坏块信息；

利用同一使能信号对存储器件中的第一逻辑单元和第二逻辑单元进行老化测试；

根据所述坏块信息，编码所述使能信号得到所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元的掩码；

输出所述掩码。

可选的，所述老化测试包括循环进行的数据擦除、数据读取、数据写入和数据读取的过程；

还包括：

上一次对所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元进行老化测试得到的坏块信息进行存储；

所述获取第一逻辑单元与第二逻辑单元的坏块信息包括：

获取上一次老化测试存储的所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元的坏块信息。

可选的，所述掩码对应有波形。

可选的，所述输出所述掩码包括：

若所述第一逻辑单元存在坏块，则所述掩码在对应所述第一逻辑单元的位置输出为高电平，若所述第一逻辑单元不存在坏块，则所述掩码在对应所述第一逻辑单元的位置输出为低电平；

若所述第二逻辑单元存在坏块，则所述掩码在对应所述第二逻辑单元的位置输出为高电平，若所述第二逻辑单元不存在坏块，则所述掩码在对应所述第二逻辑单元的位置输出为低电平。

可选的，所述掩码和所述使能信号共同驱动所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元进行工作。

可选的，所述存储器件为nand器件。

本申请实施例提供了一种存储器件的测试系统，包括：掩码单元、控制单元、坏块信息存储单元、第一逻辑单元与第二逻辑单元；

所述掩码单元用于提供使能信号为所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元提供同一使能信号，以及进行所述同一使能信号的编码得到所述同一使能信号的掩码；

所述控制单元用于根据所述同一使能信号和所述掩码控制所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元进行工作；

所述坏块信息存储单元用于存储上一次老化测试得到的所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元的坏块信息。

可选的，所述掩码单元具体用于根据所述坏块信息存储单元存储的所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元的坏块信息，对所述同一使能信号编码得到所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元的掩码。

可选的，所述坏块信息存储单元具体用于存储所述第一逻辑单元的地址和坏块信息，存储所述第二逻辑单元的地址和坏块信息。

可选的，所述掩码的数量等于所述地址的数量。

本申请实施例提供了一种存储器件的测试设备，采用上述测试系统实施例中任意一项的测试系统对所述存储器件进行测试。

本申请实施例提供的存储器件的测试方法，包括：获取第一逻辑单元与第二逻辑单元的坏块信息；利用同一使能信号对存储器件中的第一逻辑单元和第二逻辑单元进行老化测试；根据所述坏块信息，编码所述使能信号得到所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元的掩码；输出所述掩码。

由此可见，本申请实施例提供的存储器件的测试方法，能够利用同一使能信号和坏块信息对使能信号进行编码，得到分别对应第一逻辑单元与第二逻辑单元的掩码，以掩码输出的结果就能直观的了解到是否第一逻辑单元与第二逻辑单元中存在坏点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1示出了现有技术中一种存储器件的测试方法的示意图；

图2示出了本申请实施例一种存储器件的测试方法的流程图；

图3示出了本申请实施例一种存储器件的测试方法的示意图；

图4示出了本申请实施例一种存储器件的测试系统的结构图。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

正如背景技术中所述，老化测试指的是针对存储器件重复进行数据擦除、数据读取、数据写入和数据读取的过程，以便观测随着时间的推移，存储器件的性能的变化。当前对于存储器件进行老化测试，可以对多个逻辑单元一一进行测试，以便得到存储器件随着使用时间的老化情况。每个逻辑单元都具有逻辑单元号(logicalunitnumber，lun)，lun是用来标识一个逻辑单元的数字。

由于当前对于存储器件进行老化测试，都是采用测试完毕一个lun之后继续测试另外一个lun，若该lun出现坏点，则进行记录，这样的老化测试方法测试时间较长。参考图1所示，为现有技术中一种存储器件的测试方法的示意图，图1中的ce为使能信号，当使能信号为低电平时，信号有效，能够驱动逻辑单元lun进行工作。图1中的transfertime为将数据传输至缓冲区中的过程，programtime为将数据从缓冲区传输至存储区域的过程。在使能信号有效时，驱动的过程中会同步输出使能信号的掩码来输出lun是否存在坏块的信息，并记录此次的lun坏块信息以进行存储，在输出使能信号的掩码时，是利用上一次老化测试过程中记录和存储的坏块信息。

若采用并行两个lun进行测试，即将两个lun的programtime同时进行，能够节省测试时间，但是无法做到输出是哪一个lun出现坏点，即在进行并行lun测试时，使能信号的掩码无法准确输出坏点信息或使能信号的掩码无法区分哪一个lun出现坏点，此时也无法正确记录和存储lun的坏块信息。

也就是说，当前的存储器件老化测试方法，无法做到既能节省测试时间，又能准确输出和记录lun坏块信息。

基于此，本申请实施例提供了一种存储器件的测试方法，其特征在于，包括：获取第一逻辑单元与第二逻辑单元的坏块信息；利用同一使能信号对存储器件中的第一逻辑单元和第二逻辑单元进行老化测试；根据所述坏块信息，编码所述使能信号得到所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元的掩码；输出所述掩码。

由此可见，本申请实施例提供的存储器件的测试方法，能够利用同一使能信号和坏块信息对使能信号进行编码，得到分别对应第一逻辑单元与第二逻辑单元的掩码，以掩码输出的结果就能直观的了解到是否第一逻辑单元与第二逻辑单元中存在坏点，并能根据掩码正确记录和存储本次老化测试的坏块信息，以便利用本次的坏块信息指导下一次的掩码输出。

为了更好地理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。

参考图2所示，为本申请实施例提供的一种存储器件的测试方法的流程图，该方法可以包括：

s201，获取第一逻辑单元lun0与第二逻辑单元lun1的坏块信息。

在本申请的实施例中，老化测试是在一段时间内对存储器件进行循环的测试，老化测试包括循环进行的数据擦除、数据读取、数据写入和数据读取的过程，因此可以利用上一次老化测试得到的逻辑单元lun的坏块信息，指导下一次逻辑单元lun进行老化测试。若是初次进行老化测试，可以首先单独一一对每个逻辑单元进行测试，得到每个逻辑单元的坏块信息并进行记录和存储，利用初次存储的坏块信息，指导第二次的老化测试。当进行第二次老化测试时，可以将两个逻辑单元的programtime同时进行，即将两个lun的数据同时从缓冲区传输至存储区域，以便节省测试时间。具体的，可以利用两个lun的地址信息区分两个lun来进行不同的数据传输。

在实际应用中，可以利用坏块信息存储单元(badblockmanagement，bbm)对lun的坏块信息进行存储，在存储时是可以利用lun的地址信息存储lun对应的坏块信息。也就是lun0的地址对应lun0的坏块信息，lun1的地址对应lun1的坏块信息。bbm可以同时一次性记录多个lun的坏块信息。

在本申请的实施例中，存储器件可以是nand器件，例如可以是平面型nand器件，也可以是3dnand器件。本申请实施例不具体限定存储器件的种类。

s202，利用同一使能信号ce对存储器件中的第一逻辑单元lun0和第二逻辑单元lun1进行老化测试。

参考图3所示，本申请实施例一种存储器件的测试方法的示意图，可以将两个lun的programtime同时进行，即将两个lun的数据同时从缓冲区传输至存储区域。利用同一个使能信号对两个逻辑单元lun进行老化测试，使能信号ce在逻辑单元进行transfertime时就开始有效。同一个ce在不同的时刻分别驱动lun0的数据传输至缓冲区，驱动lun1的数据传输至缓冲区，之后在同一时刻驱动lun0和lun1的数据从缓冲区传输至存储区域。

s203，根据所述坏块信息，编码所述使能信号得到所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元的掩码。

在本申请的实施例中，根据上一次老化测试存储的坏块信息，可以对本次老化测试的使能信号进行编码，以得到分别对应第一逻辑单元lun的掩码(mask)和第二逻辑单元lun的掩码(mask)。也就是说，根据从bbm中存储的lun0和lun1的坏块信息，可以对ce进行编码，输出不同的cemask信号，以便根据不同的cemask信号得到lun0和lun1的坏块信息。

在实际应用中，掩码mask可以是波形，以波形的电平高低来具体显示第一逻辑单lun0元或第二逻辑单元lun1是否存在坏块信息。具体的，掩码mask的输出的数量和逻辑单元lun的地址数量相等，即一个lun对应一个mask信号。

在本申请实施例中，掩码mask和使能信号ce共同驱动第一逻辑单元lun0与第二逻辑单元lun1进行工作，即掩码mask和使能信号ce共同使得第一逻辑单元lun0与第二逻辑单元lun1进入transfertime和programtime。

s204，输出所述掩码mask。

在本申请的实施例中，在每个逻辑单元lun对应的位置或时间段输出其对应的掩码mask，例如在每个逻辑单元lun对应的transfertime输出其对应的波形，该波形的高低电平能够反映每个逻辑单元lun是否有坏块信息。

在实际应用中，参考图3所示，若第一逻辑单元lun0存在坏块，则掩码mask在对应第一逻辑单元lun的位置或时间段，例如第一逻辑单元lun0的transfertime，输出为高电平，若第一逻辑单元lun0不存在坏块，则掩码mask在对应第一逻辑单元lun0的位置或时间段，例如第一逻辑单元lun0的transfertime，输出为低电平。

若第二逻辑单元lun1存在坏块，则掩码mask在对应第二逻辑单元lun1的位置或时间段，例如第二逻辑单元lun1的transfertime，输出为高电平，若第二逻辑单元lun1不存在坏块，则掩码mask在对应第二逻辑单元lun1的位置或时间段，例如第二逻辑单元lun1的transfertime，输出为低电平。

本申请实施例不限定在输出mask信号时，具体是低电平还是高电平代表有坏块信息，本领域技术人员可以自行设置。

本申请实施例提供了一种存储器件的测试方法，其特征在于，包括：获取第一逻辑单元与第二逻辑单元的坏块信息；利用同一使能信号对存储器件中的第一逻辑单元和第二逻辑单元进行老化测试；根据所述坏块信息，编码所述使能信号得到所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元的掩码；输出所述掩码。

由此可见，本申请实施例提供的存储器件的测试方法，能够利用同一使能信号和坏块信息对使能信号进行编码，得到分别对应第一逻辑单元与第二逻辑单元的掩码，以掩码输出的结果就能直观的了解到是否第一逻辑单元与第二逻辑单元中存在坏点，并能根据掩码正确记录和存储本次老化测试的坏块信息，以便利用本次的坏块信息指导下一次的掩码输出。

基于上述实施例提供的存储器件的测试方法，本申请实施例还提供一种存储器件的测试系统，包括：掩码单元、控制单元、坏块信息存储单元、第一逻辑单元与第二逻辑单元。

在本申请的实施例中，掩码单元用于提供使能信号ce为第一逻辑单元lun0与第二逻辑单元lun1提供同一使能信号，以及进行同一使能信号ce的编码得到同一使能信号的掩码mask。掩码单元可以根据坏块信息存储单元存储的第一逻辑单元lun0和第二逻辑单元lun1的坏块信息，对同一使能信号ce编码得到第一逻辑单元lun0和第二逻辑单元lun1的掩码。每一个lun都有其地址进行区分，mask输出的数量等于lun地址的数量。

在实际应用中，掩码单元可以是硬件单元中的一部分，例如掩码单元可以是directmask模块中的一部分。可以直接在硬件层面实现多个lun的mask功能，降低测试时间，提高测试效率。

坏块信息存储单元bbm用于存储每一次老化测试得到的第一逻辑单元lun0和第二逻辑单元lun1的坏块信息，以便可以利用上一次老化测试得到的lun0和lun1的坏块信息指导下一次进行老化测试。坏块信息存储单元bbm可以存储第一逻辑单元的地址和坏块信息，存储第二逻辑单元的地址和坏块信息，也就是lun0的地址对应lun0的坏块信息，lun1的地址对应lun1的坏块信息。bbm可以同时一次性记录多个lun的坏块信息。

控制单元用于根据同一使能信号和掩码控制第一逻辑单元与第二逻辑单元进行工作，即控制单元控制lun0和lun1完成数据传输。

在本申请的实施例中，掩码单元根据bbm存储的坏块信息连续输出对应lun0和lun1的mask信号，在输出mask信号的时间段内，控制单元完成lun0和lun1的数据传输，实现两个lun的并行操作。

基于上述实施例提供的存储器件的测试系统，本申请实施例还提供一种存储器件的测试设备，采用上述测试系统实施例中任意一项的测试系统对所述存储器件进行测试。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，虽然本申请已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。