非易失性存储器器件、包括其的存储设备及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种非易失性存储器器件的操作方法，包括：在所述非易失性存储器器件处接收暂停命令；响应于所述暂停命令，在所述非易失性存储器器件处暂停正被执行的编程操作；在所述非易失性存储器器件处接收恢复命令；以及响应于所述恢复命令，在所述非易失性存储器器件处恢复暂停的编程操作，其中，所述编程操作包括编程循环，所述编程循环中的每一个包括位线设置间隔、编程间隔和验证间隔，其中，在所述编程循环中的每一个的编程间隔中，要被施加到所述非易失性存储器器件的所选存储器单元的编程电压的电平增加第一电压，并且其中，在暂停所述编程操作之前最终施加到所选存储器单元的编程电压的电平和在恢复所述暂停的编程操作之后首先施加到所选存储器单元的编程电压的电平之间的差对应于不同于所述第一电压的第二电压。2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第二电压小于所述第一电压。3.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：对从暂停所述编程操作到恢复所述暂停的编程操作的时间计数，其中，所述第二电压基于经计数的时间来调整。4.根据权利要求3所述的操作方法，其中，随着经计数的时间增加，所述第二电压降低。5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在恢复所述暂停的编程操作之后第二次施加到所选存储器单元的编程电压的电平和第一次施加的所述编程电压的电平之间的差对应于所述第一电压。6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在恢复所述暂停的编程操作之后第二次施加到所选存储器单元的编程电压的电平和第一次施加的所述编程电压的电平之间的差对应于第三电压，并且其中，所述第三电压大于所述第二电压并且小于所述第一电压。7.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：对从暂停所述编程操作到恢复所述暂停的编程操作的时间计数；以及响应于所述恢复命令，在所述非易失性存储器器件处验证所选存储器单元的阈值电压，其中，所述第二电压基于经计数的时间和所述验证的结果来调整。8.根据权利要求7所述的操作方法，其中，所述验证不被包括在所述编程循环中。9.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第二电压基于机器学习来确定。10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述第二电压通过所述机器学习基于从暂停所述编程操作到恢复所述暂停的编程操作的时间、在恢复所述暂停的编程操作之后验证所选存储器单元的结果、与所选存储器单元相关联的编程/擦除周期的数量、温度、当暂停所述编程操作时的编程循环的间隔、直到暂停所述编程操作的时间为止执行的编程循环的数量、直到暂停所述编程操作的时间为止编程完成的状态的数量、所选存储器单元的物理位置以及所选存储器单元的地址来确定。11.一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元区域，包括存储器单元和第一金属焊盘；以及
外围区域，包括：第二金属焊盘；行解码器，通过字线与所述存储器单元连接，并且被配置为在编程操作的编程循环中的每一个的编程间隔中将编程电压施加到从所述字线中选择的字线，并且在所述编程循环中的每一个的验证间隔中将验证电压施加到所选字线；页面缓冲器，通过位线与所述存储器单元连接，并且被配置为在所述编程操作的编程循环中的每一个的位线设置间隔中将电压施加到所述位线；以及控制逻辑，被配置为响应于编程命令而控制所述行解码器和所述页面缓冲器，使得所述编程操作被启动，其中，在所述编程循环中的每一个的编程间隔中，所述行解码器将施加到所选字线的所述编程电压的电平增加第一电压，其中，所述控制逻辑控制所述行解码器和所述页面缓冲器响应于暂停命令而暂停所述编程操作并响应于恢复命令而恢复暂停的编程操作，其中，在暂停所述编程操作之前最终施加到所选字线的所述编程电压的电平和在恢复所述暂停的编程操作之后首先施加到所选字线的所述编程电压的电平之间的差对应于不同于所述第一电压的第二电压，其中，所述外围区域通过所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘垂直连接到所述存储器单元区域。12.根据权利要求11所述的非易失性存储器器件，其中，所述控制逻辑还被配置为：对从暂停所述编程操作到恢复所述暂停的编程操作的时间计数；以及基于经计数的时间来调整所述第二电压。13.根据权利要求12所述的非易失性存储器器件，其中，所述控制逻辑还被配置为：在恢复所述暂停的编程操作之后，控制所述行解码器和所述页面缓冲器验证与所选字线连接的所选存储器单元；以及进一步基于所述验证的结果来调整所述第二电压。14.根据权利要求11所述的非易失性存储器器件，其中，所述控制逻辑还被配置为：当暂停所述编程操作时，响应于另一命令而执行由所述另一命令指定的操作。15.根据权利要求11所述的非易失性存储器器件，其中，所述暂停命令包括读取命令，并且其中，所述控制逻辑还被配置为：在暂停所述编程操作之后，响应于所述读取命令而控制所述行解码器和所述页面缓冲器执行读取操作。16.根据权利要求11所述的非易失性存储器器件，其中，在所述编程循环中的每一个的编程间隔中，所述行解码器进一步将第二编程电压施加到所选字线，并且其中，在所述编程循环中的每一个的编程间隔中，所述行解码器将所述第二编程电压的电平增加第三电压。17.根据权利要求16所述的非易失性存储器器件，其中，在暂停所述编程操作之前最终施加到所选字线的所述第二编程电压的电平和在恢复所述暂停的编程操作之后首先施加到所选字线的所述第二编程电压的电平之间的差对应于不同于所述第三电压的第四电压。
18.一种存储设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器单元；以及控制器，被配置为将与从所述存储器单元中选择的存储器单元相关联的写入命令发送到所述非易失性存储器器件，在完成编程操作之前将用于暂停所述写入命令的暂停命令发送到所述非易失性存储器器件，以及将用于恢复所述写入命令的恢复命令发送到所述非易失性存储器器件，其中，响应于所述写入命令，所述非易失性存储器器件被配置为重复地将编程电压施加到所选存储器单元，同时将所述编程电压增加第一增量，其中，所述控制器将关于要被施加到所选存储器单元的所述编程电压的第二增量的信息与所述恢复命令一起发送到所述非易失性存储器器件，并且其中，所述非易失性存储器器件响应于所述恢复命令将所述编程电压增加所述第二增量。19.根据权利要求18所述的存储设备，其中，所述控制器还被配置为：对所述暂停命令和所述恢复命令之间的时间计数；以及基于经计数的时间来确定所述第二增量。20.根据权利要求18所述的存储设备，其中，所述控制器还被配置为：基于机器学习来确定所述第二增量。

技术总结
一种非易失性存储器器件的操作方法，包括：在非易失性存储器器件处接收暂停命令；响应于暂停命令，在非易失性存储器器件处暂停正被执行的编程操作；在非易失性存储器器件处接收恢复命令；以及响应于恢复命令，在非易失性存储器器件处恢复暂停的编程操作。编程操作包括编程循环，该编程循环中的每一个包括位线设置间隔、编程间隔和验证间隔。在编程循环中的每一个的编程间隔中，要被施加到非易失性存储器器件的所选存储器单元的编程电压的电平增加第一电压。暂停之前最终施加的编程电压的电平和恢复之后首先施加的编程电压的电平之间的差不同于第一电压。的差不同于第一电压。的差不同于第一电压。


技术研发人员：曹溶成 郑凤吉 郑韩吉
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.02.20
技术公布日：2021/11/4