降低铜箔粗糙度方法及其铜箔制品与流程

技术特征：
1.一种降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：其包括以下步骤：(1)配制抛光液：将浓磷酸和分析纯乙二醇按体积配比为2～5：1进行混合，制得无水磷酸-乙二醇抛光液；(2)待抛光铜箔处理：将多晶铜箔置于高温退火炉中进行退火得到大晶粒尺寸铜箔，并用夹具夹持；(3)电化学抛光：将步骤(2)中的大晶粒尺寸铜箔作为阳极，另选取金属板为阴极，一并置入抛光槽的抛光液中进行电化学抛光；(4)清洗：将完成电化学抛光的大晶粒尺寸铜箔进行清洗，然后进行干燥处理，获得降低粗糙度的铜箔制品。2.根据权利要求1所述的降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：所述浓磷酸的浓度为80～90％。3.根据权利要求1所述的降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：所述铜箔制品的平均晶粒尺寸为100μm～20cm。4.根据权利要求1所述的降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：所述多晶铜箔为压延铜箔或电解铜箔。5.根据权利要求1所述的降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：所述步骤(3)中的金属板为铅板、铬板、石墨板、镍板、锡板、铅锡板、不锈钢、锌板或磷铜板。6.根据权利要求1所述的降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：所述步骤(3)中的电化学抛光参数电压为1～4v，电流密度5～20a/dm2，抛光时间0.5～3min。7.根据权利要求1所述的降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：所述步骤(4)采用无水乙醇和去离子水对完成电化学抛光的大晶粒尺寸铜箔进行多次清洗，清洗过程中保持空气湿度低于55％。8.根据权利要求1所述的降低铜箔粗糙度方法，其特征在于：所述步骤(4)采用压缩空气或惰性干燥性气体对完成清洗的大晶粒尺寸铜箔进行干燥。9.一种采用权利要求1-8中任意一项所述的降低铜箔粗糙度方法制得的铜箔制品，其特征在于，其的表面粗糙度为1～2nm，平均晶粒尺寸为100μm～20cm。10.根据权利要求9所述的铜箔制品，其特征在于：其的厚度为3～100μm。

技术总结
本发明公开了一种降低铜箔粗糙度方法及其铜箔制品，本发明方法包括以下步骤：1)配制抛光液；2)待抛光铜箔处理；3)电化学抛光；4)清洗：将完成电化学抛光的大晶粒尺寸铜箔进行清洗，然后进行干燥处理，获得降低粗糙度的铜箔制品；本发明提供的降低铜箔粗糙度方法工艺简单，操作简单、有效，通过电化学抛光技术，将多晶铜箔退火而成的大晶粒尺寸铜箔作抛光处理，而且抛光液由浓磷酸和乙二醇混合而成，不仅所用原材料种类少，成本低，环境污染小，而且抛光效果好。采用本发明降低铜箔粗糙度方法抛光获得的铜箔制品，其的表面粗糙度可达1～2nm，相比处理前降低了10倍以上，光洁度高，具有较好的镜面效果，满足超光滑铜箔市场的应用。满足超光滑铜箔市场的应用。满足超光滑铜箔市场的应用。


技术研发人员：寇金宗 刘科海 何梦林 王恩哥
受保护的技术使用者：松山湖材料实验室
技术研发日：2020.07.13
技术公布日：2022/1/14