像素和具有该像素的显示装置的制作方法

像素和具有该像素的显示装置
1.本技术要求于2020年8月21日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0105607号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种像素和一种包括该像素的显示装置。


背景技术：

3.随着对信息显示的兴趣的增加以及对使用便携式信息介质的需求的增加，针对显示装置的需求和商业化正在成为焦点。


技术实现要素：

4.公开的方面是提供一种像素，该像素能够通过在每个像素区域的第一开口中形成虚设图案以固定保留在第一开口中的一些发光元件来防止或减少发光元件的偏离或未对准。
5.在实施例中，提供一种具有上述像素的显示装置。
6.根据公开的实施例的像素可以包括：基底；虚设绝缘图案，在基底上；第一电极，在基底上，并且包括第1-1电极和第1-2电极，第1-1电极和第1-2电极沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开；第二电极，在与第一方向不同的第二方向上与第一电极间隔开，并且包括第2-1电极和第2-2电极，第2-1电极和第2-2电极沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开；多个发光元件，电连接到第一电极和第二电极，并且发射光；以及第一绝缘层，在发光元件中的每个上。这里，虚设绝缘图案可以连接到沿着第一方向彼此对准的第1-1电极和第1-2电极中的至少一个电极的一端，或者可以位于第1-1电极与第1-2电极之间。
7.在实施例中，虚设绝缘图案和第一绝缘层可以位于同一层处，并且可以包括相同的材料。
8.在实施例中，所述多个发光元件可以包括：至少一个第一发光元件，位于第1-1电极与第2-1电极之间；至少一个第二发光元件，位于第1-2电极与第2-2电极之间；以及至少一个无效光源，位于沿着第一方向彼此对准的第1-1电极与第1-2电极之间。
9.在实施例中，第一绝缘层可以在至少一个第一发光元件和至少一个第二发光元件中的每个上，并且虚设绝缘图案可以在至少一个无效光源上。
10.在实施例中，虚设绝缘图案可以包括：第一虚设绝缘图案，从至少一个第一发光元件上的第一绝缘层延伸至第1-1电极的一端；以及第二虚设绝缘图案，从至少一个第二发光元件上的第一绝缘层延伸至第1-2电极的一端。这里，第一虚设绝缘图案和第二虚设绝缘图案可以彼此间隔开。
11.在实施例中，虚设绝缘图案可以包括：第一虚设绝缘图案，与至少一个第一发光元件上的第一绝缘层间隔开，并且位于第1-1电极与第1-2电极之间；以及第二虚设绝缘图案，与至少一个第二发光元件上的第一绝缘层间隔开，并且位于第1-1电极与第1-2电极之间。
12.在实施例中，像素还可以包括：虚设导电图案，在沿着第一方向彼此对准的第1-1电极与第1-2电极之间。这里，虚设绝缘图案可以在虚设导电图案上。
13.在实施例中，虚设绝缘图案和虚设导电图案可以具有相同的平面形状。
14.在实施例中，虚设导电图案可以包括：第一虚设导电图案，连接到第1-1电极的一端；以及第二虚设导电图案，连接到第1-2电极的一端。这里，第一虚设导电图案和第二虚设导电图案可以彼此间隔开。
15.在实施例中，虚设导电图案可以与第1-1电极的一端和第1-2电极的一端中的每个间隔开。
16.在实施例中，虚设绝缘图案可以包括：多个第一虚设绝缘图案，在第一方向上延伸；以及多个第二虚设绝缘图案，在与第一方向不同的第二方向上延伸。
17.在实施例中，第一虚设绝缘图案和第二虚设绝缘图案可以彼此连接。这里，虚设绝缘图案还可以包括在第一虚设绝缘图案与第二虚设绝缘图案之间的交叉处的多个腔体。虚设绝缘图案可以包括网格结构。
18.在实施例中，像素还可以包括：第三电极，在第二方向上与第二电极间隔开，并且包括沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开的第3-1电极和第3-2电极；以及第四电极，在第二方向上与第三电极间隔开，并且包括沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开的第4-1电极和第4-2电极。
19.在实施例中，所述多个发光元件还可以包括：至少一个第三发光元件，位于第3-2电极与第4-2电极之间；以及至少一个第四发光元件，位于第3-1电极与第4-1电极之间。这里，第一绝缘层可以在至少一个第三发光元件和至少一个第四发光元件中的每个上。
20.在实施例中，像素还可以包括：第二绝缘层，在第1-1电极至第4-1电极以及第1-2电极至第4-2电极上；第一接触电极，在第1-1电极上，并且通过第二绝缘层的第一通孔电连接到第1-1电极；第二接触电极，在第3-1电极上，并且通过第二绝缘层的第二通孔电连接到第3-1电极；第一中间电极，在第2-1电极和第1-2电极上；第二中间电极，在第2-2电极和第4-2电极上；以及第三中间电极，在第3-2电极和第4-1电极上。
21.在实施例中，第一中间电极、第二中间电极和第三中间电极可以与第一接触电极和第二接触电极在同一层处。这里，第一中间电极、第二中间电极和第三中间电极可以彼此间隔开。
22.根据公开的实施例的显示装置可以包括：基底，包括多个像素区域；以及像素，位于像素区域中的每个中。
23.在实施例中，像素可以包括：第一虚设绝缘图案和第二虚设绝缘图案，在基底上；第一电极，在基底上，并且包括沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开的第1-1电极和第1-2电极；第二电极，在与第一方向不同的第二方向上与第一电极间隔开，并且包括沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开的第2-1电极和第2-2电极；第三电极，在第二方向上与第二电极间隔开，并且包括沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开的第3-1电极和第3-2电极；第四电极，在第二方向上与第三电极间隔开，并且包括沿着第一方向彼此对准并彼此间隔开的第4-1电极和第4-2电极；多个发光元件，在来自第一电极至第四电极之中的相邻的两个电极之间；以及绝缘层，在发光元件中的每个的一个表面上。这里，第一虚设绝缘图案可以连接到沿着第一方向彼此对准的第1-1电极和第1-2电极中的至少一个电极的一端，或者可以位
于第1-1电极与第1-2电极之间。另外，第二虚设绝缘图案可以连接到沿着第一方向彼此对准的第4-1电极和第4-2电极中的至少一个电极的一端，或者可以位于第4-1电极与第4-2电极之间。
24.根据公开的实施例的像素和包括该像素的显示装置在每个像素区域的第一开口中形成虚设图案，以利用虚设图案固定保留在第一开口中的一些发光元件。因此，根据公开的实施例的像素和包括该像素的显示装置可以通过防止发光元件的偏离来防止由于发光元件导致的缺陷。
25.公开的实施例的方面不限于上面说明的内容，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
26.通过参照附图进一步详细描述公开的实施例，公开的以上和其他特征将变得更加明显，在附图中：
27.图1是示意性地示出根据公开的实施例的发光元件的透视图；
28.图2是图1的发光元件的剖视图；
29.图3是示出根据公开的实施例的显示装置(例如，使用图1和图2中示出的发光元件作为光源的显示装置)的示意性平面图；
30.图4是示出根据实施例的包括在图3中示出的一个像素中的组件之间的电连接关系的电路图；
31.图5是示意性地示出图3中示出的像素中的一个像素的平面图；
32.图6是沿着图5的线i-i’截取的剖视图；
33.图7是沿着图5的线ii-ii’截取的剖视图；
34.图8是根据另一实施例的作为图6的第一中间电极和第三中间电极的实施方式的与图5的线ii-ii’对应的剖视图；
35.图9是示意性地示出根据公开的另一实施例的像素的平面图；
36.图10是沿着图9的线iii-iii’截取的剖视图；
37.图11是根据另一实施例的作为图10的堤图案的实施方式的与图9的线iii-iii’对应的剖视图；
38.图12是图5的放大区域ea的示意性平面图；
39.图13a是仅示出图12的虚设导电图案、第4-1电极和第4-2电极的示意性平面图；
40.图13b是仅示出图12的第二绝缘层和虚设绝缘图案的示意性平面图；
41.图14a是沿着图12的线iv-iv’截取的示意性剖视图；
42.图14b和图14c是沿着图12的线v-v’截取的示意性剖视图；
43.图15a至图15c是顺序地示出制造图12的区域ea中所包括的构造的方法的示意性平面图；以及
44.图16a至图16d是根据另一实施例的作为图12的虚设图案的实施方式的与图12的区域ea对应的示意性平面图。
具体实施方式
45.公开可以以各种方式修改并且具有各种形式。因此，具体实施例将在附图中示出并且将在说明书中详细描述。然而，应理解的是，公开不旨在限于所公开的具体形式，并且公开包括在公开的精神和技术范围内的所有修改、等同物和替换物。
46.在描述每个附图时，类似的附图标记用于类似的组件。在附图中，为了公开的清楚的目的，由实际尺寸放大示出了结构的尺寸。“第一”和“第二”等的术语可以用于描述各种组件，但组件不应受术语限制。仅出于将一个组件与另一组件区进行区分的目的来使用术语。例如，在不脱离公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，类似地，第二组件也可以被称为第一组件。除非上下文另外清楚地指出，否则单数表达包括复数表达。
47.应理解的是，在本技术中，使用“包括”或“具有”等的术语来说明存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组件、部件和/或它们的组合，但是不排除预先存在或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、组件、部件和/或它们的组合的可能性。在层、膜、区域或板等的一部分被称为“在”另一部分“上”的情况下，其不仅包括该部分直接“在”所述另一部分“上”的情况，而且还包括该部分与所述另一部分之间存在另一部分的情况。在本公开中，当层、膜、区域或板等的一部分形成在另一部分上时，形成方向不限于上方向，而是包括在侧表面上或在下方向上形成该部分。相反，当层、膜、区域或板等的一部分形成“在”另一部分“下面”时，这不仅包括该部分“直接在”所述另一部分“之下”的情况，而且还包括在该部分与所述另一部分之间存在另一部分的情况。在本公开的一个或更多个实施例中，短语“形成和/或位于同一层中(或位于同一层处)”可以指其在同一工艺中形成并且由相同的材料形成。
48.在本技术中，在“组件”(例如，“第一组件”)与另一组件(例如，“第二组件”)可操作地或通信地结合/结合到或“连接到”另一组件(例如，“第二组件”)的情况下，该情况应当理解为该组件可以直接连接到所述另一组件，或者可以通过又一组件(例如，“第三组件”)连接到所述另一组件。相反，在组件(例如，“第一组件”)与另一组件(例如，“第二组件”)“直接结合”/“直接结合到”或“直接连接到”另一组件(例如，“第二组件”)的情况下，该情况可以被理解为在该组件与所述另一组件之间不存在又一组件(例如，“第三组件”)。
49.在下文中，将参照附图详细描述公开的实施例和本领域技术人员理解公开的其他必要细节。在以下描述中，除非上下文另外清楚地规定，否则单数表达包括复数表达。
50.图1是示意性地示出根据公开的实施例的发光元件的透视图，图2是图1的发光元件的剖视图。
51.在公开的实施例中，发光元件的类型和/或形状不限于图1和图2中示出的实施例。
52.参照图1和图2，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件ld可以实现其中顺序地堆叠有第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的发光堆叠件。
53.发光元件ld可以以在一个方向上延伸的形状设置。当发光元件ld的延伸方向被称为纵向方向时，发光元件ld可以包括沿着延伸方向的一端(或下端)和另一端(或上端)。第一半导体层11和第二半导体层13中的任何一个可以设置在发光元件ld的一端(或下端)处，第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件ld的另一端(或上端)处。例如，第一半导体层11可以设置在发光元件ld的一端(或下端)处，第二半导体层13可以
设置在发光元件ld的另一端(或上端)处。
54.发光元件ld可以以各种形状设置。例如，发光元件ld可以具有在纵向方向上是长的(即，纵横比大于1)的杆形形状或棒形形状。在公开的实施例中，发光元件ld在纵向方向上的长度l可以比发光元件ld的直径d(或剖面的宽度)大。发光元件ld可以包括例如被制造为足够小以具有约纳米级至微米级的直径d和/或长度l的发光二极管(led)。例如，led可以具有极小的尺寸。
55.发光元件ld的尺寸可以被改变以满足发光元件ld应用于其的照明装置或发光显示装置的需求条件(或设计条件)。
56.例如，第一半导体层11可以包括至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括来自inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的任何一种半导体材料，并且可以是掺杂有诸如si、ge或sn的第一导电掺杂剂(或n型掺杂剂)的n型半导体层。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此，其他各种材料可以构成第一半导体层11。在公开的实施例中，第一半导体层11可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(或n型掺杂剂)的氮化镓(gan)半导体材料。第一半导体层11可以包括沿着发光元件ld的长度l的方向接触活性层12的上表面和暴露于外部的下表面。第一半导体层11的下表面可以是发光元件ld的一端(或下端)。
57.活性层12可以设置在第一半导体层11上，并且可以以单量子阱结构或多量子阱结构形成。例如，当活性层12以多量子阱结构形成时，在活性层12中，势垒层、应变增强层和阱层可以作为一个单元周期性地且重复地堆叠。应变增强层可以具有比势垒层的晶格常数小的晶格常数，以进一步增强施加到阱层的应变(例如，压缩应变)。然而，活性层12的结构不限于上述实施例。
58.活性层12可以发射波长为400nm至900nm的光，并且可以使用双异质结构。在公开的实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层可以沿着发光元件ld的长度l的方向形成在活性层12上和/或下面。例如，包覆层可以由algan层或inalgan层形成。根据实施例，可以使用诸如algan或inalgan的材料来形成活性层12。在实施例中，其他各种材料可以构成活性层12。活性层12可以包括接触第一半导体层11的第一表面和接触第二半导体层13的第二表面。
59.当在发光元件ld的两端之间施加一定电压(例如，设定的或预定的电压)或更高的电场时，发光元件ld在电子-空穴对在活性层12中结合的同时发射光。通过使用这种原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作包括显示装置的像素的各种发光装置的光源(或发光源)。
60.第二半导体层13可以设置在活性层12的第二表面上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括来自inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如mg的第二导电掺杂剂(或p型掺杂剂)的p型半导体层。然而，构成第二半导体层13的材料不限于此，并且其他各种材料可以构成第二半导体层13。在公开的实施例中，第二半导体层13可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(或p型掺杂剂)的氮化镓(gan)半导体材料。第二半导体层13可以包括沿着发光元件ld的长度l的方向接触活性层12的第二表面的下表面和暴露于外部的上表面。这里，第二半导体层13的上表面可以是发光元件ld的另一端(或上端)。
61.在公开的实施例中，第一半导体层11和第二半导体层13可以在发光元件ld的长度
l的方向上具有彼此不同的厚度。例如，沿着发光元件ld的长度l的方向，第一半导体层11可以具有比第二半导体层13的厚度相对厚的厚度。因此，与邻近于第一半导体层11的下表面相比，发光元件ld的活性层12可以被定位为更邻近于第二半导体层13的上表面。
62.尽管第一半导体层11和第二半导体层13被示出为由一层构成，但是公开不限于此。在公开的实施例中，根据活性层12的材料，第一半导体层11和第二半导体层13中的每个还可以包括一个或更多个层，例如，包覆层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。tsbr层可以是设置在具有不同晶格结构的半导体层之间并且用作减小晶格常数的差异的缓冲件的应变消除层。tsbr层可以由p型半导体层(诸如p-gainp、p-alinp和p-algainp)构成，但是公开不限于此。
63.根据实施例，除了上述第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13之外，发光元件ld还可以包括设置在第二半导体层13上的附加电极(在下文中称为“第一附加电极”)。根据另一实施例，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11的一端处的另一附加电极(在下文中称为“第二附加电极”)。
64.第一附加电极和第二附加电极中的每个可以是欧姆接触电极，但是公开不限于此。根据实施例，第一附加电极和第二附加电极可以是肖特基(schottky)接触电极。第一附加电极和第二附加电极可以包括导电材料(或物质)。例如，第一附加电极和第二附加电极可以包括单独或组合使用铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)、其氧化物和其合金等的不透明金属，但是公开不限于此。根据实施例，第一附加电极和第二附加电极也可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)的透明导电氧化物。
65.包括在第一附加电极和第二附加电极中的材料可以彼此相同或彼此不同。第一附加电极和第二附加电极可以是基本上透明或半透明的。因此，由发光元件ld产生的光可以穿过第一附加电极和第二附加电极中的每个，并且可以发射到发光元件ld的外部。根据实施例，当由发光元件ld产生的光不穿过第一附加电极和第二附加电极而是通过除了发光元件ld的两端之外的区域发射到发光元件ld的外部时，第一附加电极和第二附加电极可以包括不透明金属。
66.在公开的实施例中，发光元件ld还可以包括绝缘层14。然而，根据实施例，绝缘层14可以被省略，并且可以被设置为仅覆盖第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的一部分。
67.绝缘层14可以防止当活性层12接触除第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料时可能发生的电短路。绝缘层14可以减少发光元件ld的表面缺陷或使发光元件ld的表面缺陷最小化，以改善发光元件ld的寿命和光发射效率。当多个发光元件ld紧密地设置时，绝缘层14可以防止在相邻的发光元件ld之间可能发生的不期望的短路。当活性层12可以防止与外部导电材料发生短路时，绝缘层14的存在或不存在不受限制。
68.绝缘层14可以以完全围绕包括第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的发光堆叠件的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)的形式设置。
69.在上述实施例中，绝缘层14完全围绕第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13中的每个的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)，但是公开不限于此。根据实施例，当发光元件ld包括第一附加电极时，绝缘层14可以完全围绕第一半导体层11、活性层12、第二
半导体层13和第一附加电极中的每个的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)。根据另一实施例，绝缘层14可以完全不围绕第一附加电极的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)，或者可以仅围绕第一附加电极的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)的一部分并且可以不围绕第一附加电极的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)的剩余部分。根据实施例，当第一附加电极设置在发光元件ld的另一端(或上端)并且第二附加电极设置在发光元件ld的一端(或下端)时，绝缘层14可以暴露第一附加电极和第二附加电极中的每个的至少一个区域。
70.绝缘层14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘层14可以包括选自包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio2)的组中选择的至少一种绝缘材料，但是公开不限于此，可以使用具有绝缘性质的各种材料作为绝缘层14的材料。
71.根据实施例，发光元件ld可以被实现为具有核-壳结构的发光图案。在这种情况下，上述第一半导体层11可以位于芯(即，发光元件ld的中间(或中心))中，活性层12可以以围绕第一半导体层11的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)的形式设置和/或形成，第二半导体层13可以以围绕活性层12的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)的形式设置和/或形成。当发光元件ld被实现为具有核-壳结构的发光图案时，发光元件ld还可以包括沿着第二半导体层13的边缘或外围围绕第二半导体层13的至少一侧的附加电极。根据实施例，发光元件ld还可以包括设置在核-壳结构的发光图案的外表面(例如，外周表面或外圆周表面)上并且包括透明绝缘材料的绝缘层14。可以通过生长方法制造被实现为具有核-壳结构的发光图案的发光元件ld。
72.上述发光元件ld可以用作各种显示装置的发光源。发光元件ld可以通过表面处理工艺制造。例如，当多个发光元件ld混合在流体溶液(或溶剂)中并供应到每个像素区域(例如，每个像素的发射区域或每个子像素的发射区域)时，可以对发光元件ld中的每个执行表面处理，使得发光元件ld可以均匀地喷射而不会在溶液中不均匀地聚集。
73.包括上面描述的发光元件ld的发光单元(或发光装置)可以用在需要光源的各种类型的电子装置(包括显示装置)中。例如，当多个发光元件ld设置在显示面板的每个像素的像素区域中时，发光元件ld可以用作每个像素的光源。然而，发光元件ld的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件ld可以用在需要光源的其他类型的电子装置(诸如照明装置)中。
74.图3是示出根据公开的实施例的显示装置(例如，使用图1和图2中示出的发光元件作为光源的显示装置)的示意性平面图。
75.在图3中，为了方便，基于显示图像的显示区域da简要地示出了显示装置的结构。
76.参照图1至图3，根据公开的实施例的显示装置可以包括基底sub、设置在基底sub上并且均包括至少一个发光元件ld的多个像素pxl、设置在基底sub上并驱动像素pxl的驱动器以及使像素pxl和驱动器彼此连接的线部分。
77.当显示装置是将显示表面应用于至少一个表面的电子装置(诸如智能电话、电视、平板pc、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式pc、膝上型pc、上网本计算机、工作站、服务器、pda、便携式多媒体播放器(pmp)、mp3播放器、医疗装置、相机或可穿戴装置)时，公开可以应用于显示装置。
78.显示装置可以根据驱动发光元件ld的方法被分类为无源矩阵型显示装置和有源矩阵型显示装置。例如，当显示装置被实现为有源矩阵型时，像素pxl中的每个可以包括控制供应到发光元件ld的电流量的驱动晶体管和向驱动晶体管传输数据信号的开关晶体管等。
79.显示装置可以以各种形状设置，例如，可以以具有彼此平行的两对边的矩形板形状设置，但是公开不限于此。当显示装置以矩形板形状设置时，两对边中的一对边可以被设置为比另一对边长。为了方便，显示装置具有拥有一对长边和一对短边的矩形形状。在实施例中，长边的延伸方向被表示为第二方向dr2，短边的延伸方向被表示为第一方向dr1，与长边和短边的延伸方向垂直的方向被表示为第三方向dr3。以矩形板形状设置的显示装置可以在一个长边和一个短边在其处接触(或交汇)的角部分中具有圆形形状，但是公开不限于此。
80.基底sub可以包括显示区域da和非显示区域nda。
81.显示区域da可以是在其处设置有显示图像的像素pxl的区域。非显示区域nda可以是在其处设置有用于驱动像素pxl的驱动器以及使像素pxl和驱动器彼此连接的线部分的一部分的区域。为了方便，在图3中仅示出了一个像素pxl，但是实质上多个像素pxl可以设置在基底sub的显示区域da中。
82.非显示区域nda可以设置在显示区域da的至少一侧上。非显示区域nda可以围绕显示区域da的外围(或边缘)。非显示区域nda可以设置有连接到像素pxl的线部分和连接到线部分并驱动像素pxl的驱动器。
83.线部分可以使驱动器和像素pxl彼此电连接。线部分可以向每个像素pxl提供信号，并且可以是连接到每个像素pxl的信号线(例如，连接到扫描线、数据线和发射控制线等的扇出线)。在实施例中，线部分可以是连接到每个像素pxl的信号线(例如，连接到控制线和感测线等的扇出线)，以便实时补偿每个像素pxl的电特性变化。
84.基底sub可以包括透明绝缘材料，并且可以透射光。基底sub可以是刚性基底或柔性基底。
85.基底sub上的一个区域可以被设置为显示区域da，因此可以设置像素pxl。基底sub上的剩余区域可以被设置为非显示区域nda。例如，基底sub可以包括包含其中设置有每个像素pxl的像素区域的显示区域da和沿着显示区域da的边缘或外围设置在显示区域da周围(或与显示区域da相邻)的非显示区域nda。
86.像素pxl中的每个可以在基底sub上设置在显示区域da中。在公开的实施例中，像素pxl可以以条带布置结构或布置结构布置在显示区域da中，但是公开不限于此。该布置结构可以被称为rgbg矩阵结构(例如，矩阵结构或rgbg结构(例如，结构))。是韩国三星显示有限公司(samsung display co.,ltd.,republic of korea)的注册商标。像素pxl中的每个可以包括通过对应的扫描信号和数据信号而被驱动的至少一个发光元件ld。发光元件ld可以具有小到纳米级至微米级的尺寸，并且可以与相邻的发光元件ld并联连接，但是公开不限于此。发光元件ld可以构成像素pxl中的每个的光源。
87.像素pxl中的每个可以包括通过信号(例如，设定的或预定的信号(例如，扫描信号
和数据信号等))和/或电力(例如，设定的或预定的电力(例如，第一驱动电力和第二驱动电力等))而被驱动的至少一个光源(例如，图1中示出的发光元件ld)。然而，可以用作像素pxl中的每个的光源的发光元件ld的类型不限于此。
88.驱动器可以通过线部分向每个像素pxl提供信号(例如，设定的或预定的信号)和电力(例如，设定的或预定的电力)，从而控制像素pxl的驱动。驱动器可以包括扫描驱动器、发射驱动器、数据驱动器和时序控制器。
89.图4是示出根据实施例的包括在图3中示出的一个像素中的组件的电连接关系的电路图。
90.例如，图4示出了包括在可以应用于根据实施例的有源显示装置的像素pxl中的组件的电连接关系。然而，包括在公开的实施例可以应用于其的像素pxl中的组件的类型不限于此。
91.在图4中，不仅包括在图3中示出的像素pxl中的每个中的组件称为像素pxl，而且在其处设置有组件的区域称为像素pxl。
92.参照图1至图4，一个像素pxl(在下文中称为“像素”)可以包括产生与数据信号对应的亮度的光的发光单元emu。像素pxl还可以选择性地包括用于驱动发光单元emu的像素电路pxc。
93.像素电路pxc可以连接到对应的像素pxl的扫描线si和数据线dj。例如，当像素pxl设置在显示区域da的第i(i是自然数)行第j(j是自然数)列时，像素pxl的像素电路pxc可以连接到显示区域da的第i扫描线si和第j数据线dj。在实施例中，像素电路pxc可以连接到显示区域da的第i控制线cli和第j感测线senj。
94.上面描述的像素电路pxc可以包括第一晶体管t1至第三晶体管t3以及存储电容器cst。
95.第二晶体管(例如，开关晶体管)t2的第一端子可以连接到第j数据线dj，第二晶体管t2的第二端子可以连接到第一节点n1。这里，第二晶体管t2的第一端子和第二端子可以是不同的端子。例如，当第一端子是源电极时，第二端子可以是漏电极。在实施例中，第二晶体管t2的栅电极可以连接到第i扫描线si。
96.第二晶体管t2可以在从第i扫描线si供应第二晶体管t2可以导通的电压(例如，高电平电压)的扫描信号时导通，以使第j数据线dj和第一节点n1彼此电连接。此时，对应帧的数据信号供应到第j数据线dj，因此数据信号传输到第一节点n1。传输到第一节点n1的数据信号充入存储电容器cst中(即，存储电容器cst被充入与来自第j数据线dj的数据信号对应的电压)。
97.第一晶体管(例如，驱动晶体管)t1的第一端子可以连接到第一驱动电力vdd，第二端子可以电连接到发光元件ld中的每个的第一电极el1。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于第一节点n1的电压来控制供应到发光元件ld的驱动电流的量。
98.第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的第二端子与第j感测线senj之间。例如，第三晶体管t3的第一端子可以连接到第一晶体管t1的与第一电极el1连接的第二端子(例如，源电极)，第三晶体管t3的第二端子可以连接到第j感测线senj。第三晶体管t3的栅电极可以连接到第i控制线cli。第三晶体管t3在感测时段(例如，设定的或预定的感测时段)期
间通过供应到第i控制线cli的栅极导通电压(例如，高电平电压)的控制信号而导通，以使第j感测线senj和第一晶体管t1彼此电连接。
99.感测时段可以是用于提取设置在显示区域da中的像素pxl中的每个的特性信息(例如，第一晶体管t1的阈值电压等)的时段。
100.存储电容器cst的一个电极可以连接到第一晶体管t1的与第一电极el1连接的第二端子，另一个电极可以连接到第一节点n1。存储电容器cst可以被充入与供应到第一节点n1的数据信号对应的电压并保持该被充入的电压，直到下一帧的数据信号被供应。
101.发光单元emu可以包括在第一驱动电力vdd的电压施加于其的第一电力线pl1与第二驱动电力vss的电压施加于其的第二电力线pl2之间并联(和/或串联)连接的多个发光元件ld。例如，发光单元emu可以包括经由像素电路pxc和第一电力线pl1连接到第一驱动电力vdd的第一电极el1(或“第一对准电极”)、经由第二电力线pl2连接到第二驱动电力vss的第二电极el2(或“第二对准电极”)以及在第一电极el1与第二电极el2之间在同一方向上并联(或串联)连接的多个发光元件ld。
102.包括在发光单元emu中的发光元件ld中的每个可以包括通过第一电极el1连接到第一驱动电力vdd的一端和通过第二电极el2连接到第二驱动电力vss的另一端。第一驱动电力vdd和第二驱动电力vss可以具有不同的电位。例如，第一驱动电力vdd可以被设定为高电位电力，并且第二驱动电力vss可以被设定为低电位电力。此时，在像素pxl的发射时段期间，第一驱动电力vdd与第二驱动电力vss之间的电位差可以被设定为发光元件ld的阈值电压或更高。
103.如上所述，在第一电极el1与第二电极el2之间在同一方向(例如，正向方向)上并联连接的各个发光元件ld可以构成各个有效光源，不同电位的电压分别供应到第一电极el1和第二电极el2。可以聚集这样的有效光源以构成像素pxl的发光单元emu。
104.发光单元emu的发光元件ld可以以与通过对应的像素电路pxc供应的驱动电流对应的亮度发射光。例如，像素电路pxc可以在每个帧时段期间向发光单元emu供应与对应帧数据的灰度值对应的驱动电流。供应到发光单元emu的驱动电流可以被分流并流到发光元件ld中的每个。因此，发光元件ld中的每个可以以与流过发光元件ld的电流对应的亮度发射光，因此发光单元emu可以发射与驱动电流对应的亮度的光。
105.根据实施例，除了构成每个有效光源的发光元件ld之外，发光单元emu还可以包括至少一个无效光源(例如，反向发光元件ldr)。反向发光元件ldr可以在第一电极el1与第二电极el2之间与构成有效光源的发光元件ld一起并联连接，并且可以以与发光元件ld相反的方向连接在第一电极el1与第二电极el2之间。即使在第一电极el1与第二电极el2之间施加驱动电压(例如，设定的或预定的驱动电压(例如，正向方向的驱动电压))，反向发光元件ldr也保持非激活状态，因此电流基本上不流过反向发光元件ldr。
106.每个发光单元emu可以被构造为包括包含彼此并联连接的多个发光元件ld的至少一个串联级。例如，发光单元emu可以被构造为如图4中示出的串联/并联混合结构。
107.发光单元emu可以包括在第一驱动电力vdd与第二驱动电力vss之间顺序地连接的第一串联级set1至第四串联级set4。第一串联级set1至第四串联级set4中的每个可以包括两个电极，例如，el1和cte1_1、cte1_2和cte2_1、cte2_2和cte3_1或cte3_2和el2。每个级中的两个电极可以被构造为串联级set1、set2、set3和set4中的对应的一个的电极对。多个发
光元件ld可以在串联级set1、set2、set3和set4的两个电极el1和cte1_1、cte1_2和cte2_1、cte2_2和cte3_1或cte3_2和el2之间在同一方向上并联连接。
108.第一串联级set1可以包括第一电极el1、第1-1中间电极cte1_1和连接在第一电极el1与第1-1中间电极cte1_1之间的至少一个第一发光元件ld1。第一串联级set1可以包括在第一电极el1与第1-1中间电极cte1_1之间以与第一发光元件ld1相反的方向连接的反向发光元件ldr。
109.第二串联级set2可以包括第1-2中间电极cte1_2、第2-1中间电极cte2_1和连接在第1-2中间电极cte1_2与第2-1中间电极cte2_1之间的至少一个第二发光元件ld2。第二串联级set2可以包括在第1-2中间电极cte1_2与第2-1中间电极cte2_1之间以与第二发光元件ld2相反的方向连接的反向发光元件ldr。
110.第一串联级set1的第1-1中间电极cte1_1和第二串联级set2的第1-2中间电极cte1_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第1-1中间电极cte1_1和第1-2中间电极cte1_2可以构成使连续的第一串联级set1和第二串联级set2电连接的第一中间电极cte1。当第1-1中间电极cte1_1和第1-2中间电极cte1_2一体地设置时，第1-1中间电极cte1_1和第1-2中间电极cte1_2可以是第一中间电极cte1的不同区域。
111.第三串联级set3可以包括第2-2中间电极cte2_2、第3-1中间电极cte3_1和连接在第2-2中间电极cte2_2与第3-1中间电极cte3_1之间的至少一个第三发光元件ld3。第三串联级set3可以包括在第2-2中间电极cte2_2与第3-1中间电极cte3_1之间以与第三发光元件ld3相反的方向连接的反向发光元件ldr。
112.第二串联级set2的第2-1中间电极cte2_1和第三串联级set3的第2-2中间电极cte2_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第2-1中间电极cte2_1和第2-2中间电极cte2_2可以构成使连续的第二串联级set2和第三串联级set3电连接的第二中间电极cte2。当第2-1中间电极cte2_1和第2-2中间电极cte2_2一体地设置时，第2-1中间电极cte2_1和第2-2中间电极cte2_2可以是中间电极cte2的不同区域。
113.第四串联级set4可以包括第3-2中间电极cte3_2、第二电极el2和连接在第3-2中间电极cte3_2与第二电极el2之间的至少一个第四发光元件ld4。第四串联级set4可以包括在第3-2中间电极cte3_2与第二电极el2之间以与第四发光元件ld4相反的方向连接的反向发光元件ldr。
114.第三串联级set3的第3-1中间电极cte3_1和第四串联级set4的第3-2中间电极cte3_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第3-1中间电极cte3_1和第3-2中间电极cte3_2可以构成使连续的第三串联级set3和第四串联级set4电连接的第三中间电极cte3。当第3-1中间电极cte3_1和第3-2中间电极cte3_2一体地设置时，第3-1中间电极cte3_1和第3-2中间电极cte3_2可以是第三中间电极cte3的不同区域。
115.在上述实施例中，第一串联级set1的第一电极el1可以是每个像素pxl的发光单元emu的阳极电极，第四串联级set4的第二电极el2可以是发光单元emu的阴极电极。
116.图4公开了其中第一晶体管t1至第三晶体管t3中的全部是n型晶体管的实施例，但是公开不限于此。例如，上述第一晶体管t1至第三晶体管t3中的至少一个可以改变为p型晶体管。图4公开了其中发光单元emu连接在像素电路pxc与第二驱动电力vss之间的实施例，但是发光单元emu可以连接在第一驱动电力vdd与像素电路pxc之间。
117.像素电路pxc的结构可以不同地改变。例如，像素电路pxc还可以包括至少一个晶体管元件(诸如用于使第一节点n1初始化的晶体管元件和/或用于控制发光元件ld的发射时间的晶体管元件)和其他电路元件(诸如用于升压第一节点n1的电压的升压电容器)。
118.可以应用于公开的像素pxl的结构不限于图4中示出的实施例，对应的像素pxl可以具有各种结构。例如，每个像素pxl可以被构造在无源发光显示装置等内部。在这种情况下，可以省略像素电路pxc，包括在发光单元emu中的发光元件ld的两端可以直接连接到第i扫描线si、第j数据线dj、第一驱动电力vdd施加于其的第一电力线pl1、第二驱动电力vss施加于其的第二电力线pl2和/或控制线(例如，设定的或预定的控制线)等。
119.图5是示意性地示出图3中示出的像素中的一个像素的平面图，图6是沿着图5的线i-i’截取的剖视图，图7是沿着图5的线ii-ii’截取的剖视图，图8是根据另一实施例的作为图6的第一中间电极和第三中间电极的实施方式的与图5的线ii-ii’对应的剖视图。
120.在图5中，为了方便，省略了电连接到发光元件ld的晶体管t和连接到晶体管t的信号线。
121.在图6至图8中，一个像素pxl被简化并被示出(诸如将每个电极示出为单层的电极并且将每个绝缘层示出为单层的绝缘层)，但是公开不限于此。
122.在公开的实施例中，两个(种/者)构造之间的“连接”可以指使用电连接和物理连接两者。
123.在公开的实施例中，为了便于描述，平面上的横向(或水平方向)表示为第一方向dr1，平面上的纵向(或竖直方向)表示为第二方向dr2，基底sub的在剖面上的厚度方向表示为第三方向dr3。
124.参照图5至图8，根据实施例的显示装置可以包括设置在基底sub上的多个像素pxl。每个像素pxl可以在基底sub上设置在像素区域pxa中。
125.基底sub可以包括透明绝缘材料并且可以透射光。基底sub可以是刚性基底或柔性基底。
126.例如，刚性基底可以是玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和结晶玻璃基底中的一种。
127.柔性基底可以是包括聚合物有机材料的膜基底和塑料基底中的一种。例如，柔性基底可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。
128.在显示装置的制造工艺中，应用于基底sub的材料可以优选地对高温工艺具有耐受性(或耐热性)。
129.像素区域pxa可以包括其中发射光的发射区域ema1和ema2以及与发射区域ema1和ema2相邻(或围绕发射区域的外围)的外围区域。这里，外围区域可以包括其中不发射光的非发射区域。在公开的实施例中，为了方便，像素区域pxa被示出为被划分为两个发射区域ema1和ema2，但是公开不限于此。根据实施例，像素区域pxa可以包括一个发射区域。
130.电连接到像素pxl的线部分可以位于基底sub上。线部分可以包括用于向每个像素pxl传输信号(例如，设定的或预定的信号)或电压(例如，设定的或预定的电压)的多条信号线。信号线可以包括向每个像素pxl传输扫描信号的第i扫描线si、向每个像素pxl传输数据
信号的第j数据线dj以及向每个像素pxl传输驱动电力的电力线pl1和dvl。根据实施例，线部分还可以包括向每个像素pxl传输发射控制信号的发射控制线。根据另一实施例，线部分还可以包括连接到每个像素pxl的感测线和控制线。
131.每个像素pxl可以包括像素电路层pcl和显示元件层dpl。
132.为了方便，首先描述像素电路层pcl，然后描述显示元件层dpl。
133.像素电路层pcl可以包括缓冲层bfl、像素电路pxc和钝化层psv。
134.缓冲层bfl可以防止杂质扩散到包括在像素电路pxc中的晶体管t中。缓冲层bfl可以是包括无机材料的无机绝缘层。缓冲层bfl可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)的无机材料中的至少一种。缓冲层bfl可以被设置为单层，但也可以被设置为至少两层的多层。当缓冲层bfl被设置为多层时，每个层可以由相同的材料形成或者可以由不同的材料形成。可以根据基底sub的材料和工艺条件等省略缓冲层bfl。
135.像素电路pxc可以包括至少一个晶体管t和存储电容器cst。晶体管t可以包括控制发光元件ld的驱动电流的驱动晶体管tdr和连接到驱动晶体管tdr的开关晶体管tsw。然而，公开不限于此，像素电路pxc还可以包括除了驱动晶体管tdr和开关晶体管tsw之外的执行其他功能的电路元件。在以下实施例中，驱动晶体管tdr和开关晶体管tsw统称为一个或多个晶体管t。驱动晶体管tdr可以具有与参照图4描述的第一晶体管t1的构造相同的构造，开关晶体管tsw可以具有与参照图4描述的第二晶体管t2的构造相同的构造。
136.根据实施例，单独的晶体管可以位于驱动晶体管tdr与发光元件ld之间，以实质上调整发光元件ld的发射时间。因此，驱动晶体管tdr与发光元件ld之间的连接不仅可以包括直接连接，而且可以包括经由单独的晶体管的间接连接。
137.驱动晶体管tdr和开关晶体管tsw中的每个可以包括半导体图案scl、栅电极ge、第一端子se和第二端子de。第一端子se可以是源电极和漏电极中的任何一个，第二端子de可以是源电极和漏电极之中的另一电极。例如，当第一端子se是源电极时，第二端子de可以是漏电极。
138.半导体图案scl可以设置和/或形成在缓冲层bfl上。半导体图案scl可以包括与第一端子se接触的第一接触区域和与第二端子de接触的第二接触区域。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区。沟道区可以与对应的晶体管t的栅电极ge叠置。半导体图案scl可以是由多晶硅、非晶硅或氧化物半导体等形成的半导体图案。例如，沟道区可以是未掺杂有杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。
139.栅电极ge可以设置和/或形成在栅极绝缘层gi上，以便与半导体图案scl的沟道区对应。栅电极ge可以设置在栅极绝缘层gi上并且与半导体图案scl的沟道区叠置。栅电极ge可以形成为选自铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、铝钕(alnd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其合金的其单独的或混合物的单层，或者形成为作为低电阻材料的钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或银(ag)的两层或多层结构以降低线电阻。
140.栅极绝缘层gi可以设置在缓冲层bfl上以覆盖(例如，完全覆盖)缓冲层bfl和半导体图案scl。栅极绝缘层gi可以是包括无机材料的无机绝缘层。例如，栅极绝缘层gi可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)的无机材料中的至
少一种。然而，栅极绝缘层gi的材料不限于上述实施例。根据实施例，栅极绝缘层gi可以由包括有机材料的有机绝缘层形成。栅极绝缘层gi可以被设置为单层，或者可以被设置为两层或更多层的多层。
141.第一端子se和第二端子de可以设置和/或形成在层间绝缘层ild上，并且可以通过顺序地穿过栅极绝缘层gi和层间绝缘层ild的接触孔分别与半导体图案scl的第一接触区域和第二接触区域接触。例如，第一端子se可以与半导体图案scl的第一接触区域接触，并且第二端子de可以与半导体图案scl的第二接触区域接触。第一端子se和第二端子de中的每个可以包括与栅电极ge的材料相同的材料，或者可以包括从上面关于栅电极ge讨论的材料中选择的一种或更多种材料。
142.层间绝缘层ild可以设置在栅极绝缘层gi上以覆盖(例如，完全覆盖)栅极绝缘层gi和栅电极ge。层间绝缘层ild可以包括与栅极绝缘层gi的材料相同的材料，或者可以包括从上面关于栅极绝缘层gi讨论的材料中选择的一种或更多种材料。层间绝缘层ild可以被设置为单层，但是也可以被设置为至少两层的多层。
143.在上述实施例中，驱动晶体管tdr和开关晶体管tsw中的每个的第一端子se和第二端子de被描述为通过顺序地穿过栅极绝缘层gi和层间绝缘层ild的接触孔电连接到半导体图案scl的单独的电极，但是公开不限于此。根据实施例，驱动晶体管tdr和开关晶体管tsw中的每个的第一端子se可以是与对应的半导体图案scl的沟道区相邻的第一接触区域，驱动晶体管tdr和开关晶体管tsw中的每个的第二端子de可以是与对应的半导体图案scl的沟道区相邻的第二接触区域。在这种情况下，驱动晶体管tdr的第一端子se可以通过诸如桥接电极的单独连接方式电连接到对应的像素pxl的发光元件ld。
144.在公开的实施例中，包括在像素电路pxc中的晶体管t可以由低温多晶硅薄膜晶体管构成，但是公开不限于此。根据实施例，包括在像素电路pxc中的晶体管t可以由氧化物半导体薄膜晶体管构成。例如，这里描述了晶体管t是顶栅结构的薄膜晶体管的情况，但是公开不限于此。晶体管t的结构可以不同地改变。
145.像素电路层pcl可以包括设置和/或形成在层间绝缘层ild上的驱动电压线dvl。驱动电压线dvl可以具有与参照图4描述的第二电力线pl2的构造相同的构造。因此，第二驱动电力vss的电压可以施加到驱动电压线dvl。像素电路层pcl还可以包括连接到第一驱动电力vdd的第一电力线pl1。尽管未在图中直接示出，但是第一电力线pl1可以与驱动电压线dvl设置在同一层处，或者可以设置在与驱动电压线dvl的层不同的层处。在上述实施例中，驱动电压线dvl与晶体管t的第一端子se和第二端子de设置在同一层处，但是公开不限于此。根据实施例，驱动电压线dvl可以与设置在像素电路层pcl中的导电层中的任何一个导电层设置在同一层处。换言之，像素电路层pcl中的驱动电压线dvl的位置可以不同地改变。
146.第一电力线pl1和驱动电压线dvl中的每条可以包括导电材料。例如，第一电力线pl1和驱动电压线dvl中的每条可以形成为选自铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、铝钕(alnd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其合金的其单独的或混合物的单层，或者形成为作为低电阻材料的钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或银(ag)的两层或多层结构以降低线电阻。例如，第一电力线pl1和驱动电压线dvl中的每条可以由其中顺序地堆叠有钛(ti)/铜(cu)的两层形成。
147.第一电力线pl1可以电连接到显示元件层dpl的一部分(例如，第一电极el1)，驱动电压线dvl可以电连接到显示元件层dpl的另一构造(例如，第三电极el3)。第一电力线pl1
和驱动电压线dvl可以向第一电极el1至第四电极el4传输对准信号(或对准电压)，以使发光元件ld在像素pxl中的每个的像素区域pxa中对准。在实施例中，第一电力线pl1和驱动电压线dvl中的每条可以在发光元件ld的对准之后向每个像素pxl传输对应的驱动电力的电压，以驱动发光元件ld。
148.钝化层psv可以设置和/或形成在晶体管t、层间绝缘层ild和驱动电压线dvl上。
149.钝化层psv可以以包括有机绝缘层、无机绝缘层或设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的形式设置。例如，无机绝缘层可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)的无机材料中的至少一种。例如，有机绝缘层可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
150.钝化层psv可以包括暴露驱动晶体管tdr的第一端子se的第一接触孔ch1和暴露驱动电压线dvl的第二接触孔ch2。
151.显示元件层dpl可以设置在钝化层psv上。
152.显示元件层dpl可以包括堤bnk、第一电极el1至第四电极el4、发光元件ld、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2、第一中间电极cte1至第三中间电极cte3以及第一绝缘层ins1至第三绝缘层ins3。
153.堤bnk可以位于围绕像素pxl中的每个的发射区域ema1和ema2的至少一侧的外围区域中。堤bnk可以是限定(或分隔)对应的像素pxl的像素区域pxa或发射区域ema1和ema2以及与对应的像素pxl相邻的像素pxl中的每个的结构，并且可以是例如像素限定层。堤bnk可以被构造为包括至少一种光阻挡材料和/或反射材料，以防止光(或光线)在对应的像素pxl和与所述对应的像素pxl相邻的像素pxl之间泄漏的光泄漏缺陷。在上述实施例中，其中设置有每个像素pxl的像素区域pxa通过堤bnk被划分为多个发射区域ema1和ema2，但是公开不限于此。根据实施例，其中设置有像素pxl中的每个像素pxl的像素区域pxa可以通过堤bnk被分隔为包括一个发射区域。可选地，如参照图4描述的，当每个像素pxl包括包括四个串联级set1至set4的发光单元emu时，其中设置有对应的像素pxl的像素区域pxa可以被分隔为四个发射区域。
154.堤bnk可以包括暴露位于堤bnk下面的元件的第一开口op1和第二开口op2。每个像素pxl的像素区域pxa可以包括彼此间隔开的第一发射区域ema1和第二发射区域ema2，且第一开口op1在第一发射区域ema1与第二发射区域ema2之间。第二开口op2可以在像素pxl中的每个的像素区域pxa中被定位为与第一开口op1间隔开，并且可以被定位为与像素区域pxa的一侧(例如，下侧或上侧)相邻。
155.第一电极el1至第四电极el4中的每个可以包括在像素区域pxa中位于同一列中的两个电极。例如，第一电极el1可以包括位于同一列中并且在第二方向dr2上彼此间隔开的第1-1电极el1_1和第1-2电极el1_2，第二电极el2可以包括位于同一列中并且在第二方向dr2上彼此间隔开的第2-1电极el2_1和第2-2电极el2_2，第三电极el3可以包括位于同一列中并且在第二方向dr2上彼此间隔开的第3-1电极el3_1和第3-2电极el3_2，第四电极el4可以包括位于同一列中并且在第二方向dr2上彼此间隔开的第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2。
156.第1-1电极el1_1、第2-1电极el2_1、第3-1电极el3_1和第4-1电极el4_1可以位于
乙撑二氧噻吩)(pedot))等。当第一电极el1至第四电极el4包括透明导电材料时，可以添加由用于使从发光元件ld发射的光反射从而在显示装置的图像显示方向上行进的不透明金属形成的单独的导电层。然而，第一电极el1至第四电极el4的材料不限于上述材料。
163.在实施例中，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以被设置和/或形成为单层，但是公开不限于此。根据实施例，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以被设置和/或形成为其中堆叠有金属、合金、导电氧化物和导电聚合物中的两种或更多种材料的多层。第一电极el1至第四电极el4中的每个可以由两层或更多层的多层形成，以在向发光元件ld中的每个的两端传输信号(或电压)时减少由信号延迟引起的失真或使由信号延迟引起的失真最小化。例如，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以由其中顺序地堆叠有氧化铟锡(ito)/银(ag)/氧化铟锡(ito)的多层形成。
164.第一电极el1至第四电极el4中的每个在第一方向dr1上的宽度可以与发光元件ld中的每个的长度l相同或不同。例如，第一电极el1至第四电极el4中的每个在第一方向dr1上的宽度可以比发光元件ld中的每个的长度l大。然而，公开不限于此，根据实施例，相反的情况可以是可能的。
165.位于第一发射区域ema1中的第1-1电极el1_1可以通过钝化层psv的第一接触孔ch1电连接到像素电路层pcl的驱动晶体管tdr，位于第一发射区域ema1中的第3-1电极el3_1可以通过钝化层psv的第二接触孔ch2电连接到像素电路层pcl的驱动电压线dvl。
166.第一电极el1至第四电极el4中的每个可以通过从像素电路层pcl的对应的局部构造接收对准信号(例如，设定的或预定的对准信号)(或对准电压)来用作用于发光元件ld的对准的对准电极(或对准线)。例如，第一电极el1可以从像素电路层pcl的局部构造接收第一对准信号(或第一对准电压)并用作第一对准电极(或第一对准线)，第二电极el2可以从像素电路层pcl的另一构造接收第二对准信号(或第二对准电压)并用作第二对准电极(或第二对准线)，第三电极el3可以从像素电路层pcl的另一构造接收第三对准信号(或第三对准电压)并用作第三对准电极(或第三对准线)，第四电极el4可以从像素电路层pcl的另一构造接收第四对准信号(或第四对准电压)并用作第四对准电极(或第四对准线)。此时，施加到第二电极el2的第二对准信号(或第二对准电压)和施加到第三电极el3的第三对准信号(或第三对准电压)可以是相同的信号。第一对准信号至第四对准信号(或对准电压)可以是具有发光元件ld可以在第一电极el1至第四电极el4之间对准的程度的电压差和/或相位差的信号。第一对准信号至第四对准信号(或对准电压)之中的至少一个对准信号(或对准电压)可以是ac信号(或电压)，但是公开不限于此。
167.在第一发射区域ema1的第1-1发射区域ema1_1中，第1-1电极el1_1和第2-1电极el2_1可以与在它们之间并联连接的多个发光元件ld(例如，ld1)一起构成第一串联级set1。在第一发射区域ema1的第1-2发射区域ema1_2中，第3-1电极el3_1和第4-1电极el4_1可以与在它们之间并联连接的多个发光元件ld(例如，ld4)一起构成第四串联级set4。
168.在第二发射区域ema2的第2-1发射区域ema2_1中，第1-2电极el1_2和第2-2电极el2_2可以与在它们之间并联连接的多个发光元件ld(例如，ld2)一起构成第二串联级set2。在第二发射区域ema2的第2-2发射区域ema2_2中，第3-2电极el3_2和第4-2电极el4_2可以与在它们之间并联连接的多个发光元件ld(例如，ld3)一起构成第三串联级set3。
169.在公开的实施例中，第一串联级set1至第四串联级set4可以设置在每个像素pxl
的像素区域pxa中，第一串联级set1至第四串联级set4可以构成像素pxl的发光单元emu。
170.包括在第一串联级set1中的第1-1电极el1_1可以是每个像素pxl的发光单元emu的阳极电极，包括在第四串联级set4中的第3-1电极el3_1可以是阴极电极。
171.第一电极el1至第四电极el4之中的第一电极el1和第四电极el4中的每个的一端可以包括在第一方向dr1上延伸的突起prt。第一电极el1和第四电极el4中的每个的突起prt可以被定位为与堤bnk的第一开口op1对应。第一电极el1的突起prt可以在第一方向dr1上从每个像素pxl的像素区域pxa朝向堤bnk突出。可以在像素区域pxa的第一发射区域ema1与第二发射区域ema2之间通过增加第一电极el1和与第一电极el1相邻的第二电极el2之间的距离或使所述距离最大化来设置第一电极el1的突起prt，以减少未对准的发光元件ld的数量或使未对准的发光元件ld的数量最小化。第四电极el4的突起prt可以在第一方向dr1上从像素区域pxa朝向堤bnk突出。可以在像素区域pxa的第一发射区域ema1和第二发射区域ema2之间通过增加第四电极el4和与第四电极el4相邻的第三电极el3之间的距离或使所述距离最大化来设置第四电极el4的突起prt，以减少未对准的发光元件ld的数量或使未对准的发光元件ld的数量最小化。根据实施例，即使设置了第一电极el1和第四电极el4中的每个的突起prt，至少一个未对准的发光元件ld也可能位于每个像素pxl的像素区域pxa中。例如，至少一个未对准的发光元件ld可以定位在堤bnk的第一开口op1中。
172.在发光元件ld在每个像素pxl的像素区域pxa中对准之后，为了独立于(或单独于)相邻的像素pxl来驱动像素pxl，位于在一个方向(例如，第二方向dr2)上相邻的像素pxl之间的第一电极el1至第四电极el4中的每个的一部分可以被去除，因此其一端可以位于堤bnk的第二开口op2中。在发光元件ld对准之后，第一电极el1至第四电极el4中的每个的另一部分可以被去除，因此第一电极el1至第四电极el4中的每个可以以包括位于同一列中并彼此间隔开的两个电极的形式设置。例如，第一电极el1的与堤bnk的第一开口op1对应的部分可以在发光元件ld的对准之后被去除或断开，因此第一电极el1可以以包括位于同一列中且彼此间隔开的第1-1电极el1_1和第1-2电极el1_2的形式设置。第二电极el2的与堤bnk的第一开口op1对应的部分可以在发光元件ld的对准之后被去除或断开，因此第二电极el2可以以包括位于同一列中并彼此间隔开的第2-1电极el2_1和第2-2电极el2_2的形式设置。第三电极el3的与堤bnk的第一开口op1对应的部分可以在发光元件ld的对准之后被去除或断开，因此第三电极el3可以以包括位于同一列中并彼此间隔开的第3-1电极el3_1和第3-2电极el3_2的形式设置。第四电极el4的与堤bnk的第一开口op1对应的部分可以在发光元件ld的对准之后被去除或断开，因此第四电极el4可以以包括位于同一列中并彼此间隔开的第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2的形式设置。
173.在发光元件ld在每个像素pxl的像素区域pxa中对准之后，第一电极el1至第四电极el4中的每个的一部分可以被去除，因此第一电极el1至第四电极el4中的每个可以以包括位于同一列中并彼此间隔开的两个电极的形式设置。像素区域pxa可以包括根据位于同一列中并彼此间隔开的两个电极的位置而分隔的第一发射区域ema1和第二发射区域ema2。例如，定位有位于同一列中并彼此间隔开的两个电极中的一个的区域可以是第一发射区域ema1，定位有另一个电极的区域可以是第二发射区域ema2。第一发射区域ema1可以是其中通过第1-1电极el1_1至第4-1电极el4_1以及设置在它们之间的发光元件ld来发射光的区域，第二发射区域ema2可以是其中通过第1-2电极el1_2至第4-2电极el4_2以及设置在它们
之间的发光元件ld来发射光的区域。第一发射区域ema1可以包括其中通过设置在第1-1电极el1_1与第2-1电极el2_1之间的发光元件ld(例如，ld1)来发射光的第1-1发射区域ema1_1和其中通过设置在第3-1电极el3_1与第4-1电极el4_1之间的发光元件ld(例如，ld4)来发射光的第1-2发射区域ema1_2。第二发射区域ema2可以包括其中通过设置在第1-2电极el1_2与第2-2电极el2_2之间的发光元件ld(例如，ld2)来发射光的第2-1发射区域ema2_1和其中通过设置在第3-2电极el3_2与第4-2电极el4_2之间的发光元件ld(例如，ld3)来发射光的第2-2发射区域ema2_2。
174.发光元件ld中的每个可以是使用无机晶体结构材料的超小发光二极管(例如，小到纳米级至微米级的尺寸)。发光元件ld中的每个可以是通过蚀刻方法制造的超小发光二极管或通过生长方法制造的超小发光二极管。
175.两个至数十个发光元件ld可以对准和/或设置在每个像素pxl的像素区域pxa中，但是发光元件ld的数量不限于此。根据实施例，在像素区域pxa中对准和/或设置的发光元件ld的数量可以不同地改变。
176.发光元件ld中的每个可以发射彩色光和/或白光中的任何一种。发光元件ld中的每个可以在第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间在第一绝缘层ins1上对准，使得在平面图或剖视图中延伸方向(或长度l的方向)与第一方向dr1平行。发光元件ld可以以在溶液中喷射的形式设置，以输入到每个像素pxl的像素区域pxa。
177.发光元件ld可以通过喷墨印刷方法、狭缝涂覆方法或其他各种方法输入到每个像素pxl的像素区域pxa。例如，发光元件ld可以与挥发性溶剂混合并通过喷墨印刷方法或狭缝涂覆方法供应到像素区域pxa。此时，当施加与设置在像素区域pxa中的第一电极el1至第四电极el4中的每个对应的对准信号时，可以在第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间形成电场。因此，发光元件ld可以在第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间对准。如上所述，因为相同的对准信号(或对准电压)施加到第二电极el2和第三电极el3中的每个，所以发光元件ld可以不在第二电极el2与第三电极el3之间对准。然而，公开不限于此。根据实施例，当对准信号施加到第二电极el2和第三电极el3中的每个时，由于两个电极的线电阻和在相邻的电极之间引入的电场的影响等，在施加到第二电极el2的对准信号与施加到第三电极el3的对准信号之间可能发生电位差。在这种情况下，发光元件ld可能在第二电极el2与第三电极el3之间对准。
178.在发光元件ld对准之后，通过使溶剂挥发或以其他方法去除溶剂，发光元件ld可以最终对准和/或设置在每个像素pxl的像素区域pxa中。
179.在图5中，长度l的方向与第一方向dr1平行的发光元件ld在第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间对准，但是公开不限于此。根据实施例，发光元件ld中的长度l的方向与第二方向dr2平行和/或相对于第二方向dr2倾斜的方向的一些发光元件ld可以在两个相邻电极之间对准。在实施例中，还可以在两个相邻电极之间设置以反向方向连接的至少一个反向发光元件ldr。根据另一实施例，还可以设置位于除了两个相邻电极之间的区域之外的区域中并且不连接到两个相邻电极的至少一个有缺陷的发光元件(例如，无效光源ld5)。无效光源ld5可以是位于对应的像素pxl的堤bnk的第一开口op1中的未对准的发光元件。
180.在图5中，为了方便，第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间的距离
比设置在两个电极之间的发光元件ld中的每个的长度l小(或窄)，但是公开不限于此。根据实施例，两个电极之间的距离可以比发光元件ld中的每个的长度l大(或宽)。例如，第1-1电极el1_1与第2-1电极el2_1之间的距离可以比位于第1-1电极el1_1与第2-1电极el2_1之间的发光元件ld(例如，ld1)中的每个的长度l小(或窄)，但是公开不限于此，根据实施例，第1-1电极el1_1与第2-1电极el2_1之间的距离可以比发光元件ld(例如，ld1)中的每个的长度l大(或宽)。
181.在公开的实施例中，当发光元件ld设置在第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间时，发光元件ld可以在平面图中与所述两个电极部分地叠置，但是公开不限于此。根据实施例，发光元件ld可以设置在两个电极之间，且不与所述两个电极中的每个叠置。例如，设置在第1-1电极el1_1和第2-1电极el2_1之间的发光元件ld(例如，ld1)可以与第1-1电极el1_1和第2-1电极el2_1中的每个部分地叠置，但是公开不限于此，根据实施例，发光元件ld(例如，ld1)可以不与第1-1电极el1_1和第2-1电极el2_1中的每个叠置。
182.在公开的实施例中，发光元件ld可以包括多个第一发光元件ld1、多个第二发光元件ld2、多个第三发光元件ld3和多个第四发光元件ld4。
183.第一发光元件ld1可以在第1-1发射区域ema1_1中设置在第1-1电极el1_1与第2-1电极el2_1之间。第二发光元件ld2可以在第2-1发射区域ema2_1中设置在第1-2电极el1_2与第2-2电极el2_2之间。第三发光元件ld3可以在第2-2发射区域ema2_2中设置在第3-2电极el3_2与第4-2电极el4_2之间。第四发光元件ld4可以在第1-2发射区域ema1_2中设置在第3-1电极el3_1与第4-1电极el4_1之间。
184.第一发光元件ld1可以在第1-1电极el1_1与第2-1电极el2_1之间在同一方向上对准。例如，第一发光元件ld1中的每个的一端可以连接到第1-1电极el1_1，第一发光元件ld1中的每个的另一端可以连接到第2-1电极el2_1。在公开的实施例中，第1-1电极el1_1和第2-1电极el2_1可以与在第1-1电极el1_1和第2-1电极el2_1之间在同一方向上并联连接的第一发光元件ld1一起构成第一串联级set1。
185.第二发光元件ld2可以在第1-2电极el1_2与第2-2电极el2_2之间在同一方向上对准。例如，第二发光元件ld2中的每个的一端可以连接到第1-2电极el1_2，第二发光元件ld2中的每个的另一端可以连接到第2-2电极el2_2。第1-2电极el1_2和第2-2电极el2_2可以与在第1-2电极el1_2和第2-2电极el2_2之间在同一方向上并联连接的第二发光元件ld2一起构成第二串联级set2。
186.第三发光元件ld3可以在第4-2电极el4_2与第3-2电极el3_2之间在同一方向上对准。例如，第三发光元件ld3中的每个的一端可以连接到第4-2电极el4_2，第三发光元件ld3中的每个的另一端可以连接到第3-2电极el3_2。第4-2电极el4_2和第3-2电极el3_2可以与在第4-2电极el4_2和第3-2电极el3_2之间在同一方向上并联连接的第三发光元件ld3一起构成第三串联级set3。
187.第四发光元件ld4可以在第4-1电极el4_1与第3-1电极el3_1之间在同一方向上对准。例如，第四发光元件ld4中的每个的一端可以连接到第4-1电极el4_1，第四发光元件ld4中的每个的另一端可以连接到第3-1电极el3_1。第4-1电极el4_1和第3-1电极el3_1可以与在第4-1电极el4_1和第3-1电极el3_1之间在同一方向上并联连接的第四发光元件ld4一起构成第四串联级set4。
188.上面描述的第一发光元件ld1至第四发光元件ld4可以设置和/或形成在第一绝缘层ins1上。
189.第一绝缘层ins1可以包括由无机材料形成的无机绝缘层或由有机材料形成的有机绝缘层。在公开的实施例中，第一绝缘层ins1可以由适合于保护发光元件ld免受每个像素pxl的像素电路层pcl的影响的无机绝缘层形成。例如，第一绝缘层ins1可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)的无机材料中的至少一种，但是公开不限于此。根据实施例，第一绝缘层ins1可以由适合于使发光元件ld的支撑表面平坦化的有机绝缘层形成。
190.第一绝缘层ins1可以包括暴露第1-1电极el1_1的一个区域的第一通孔vih1和暴露第3-1电极el3_1的一个区域的第二通孔vih2。第一绝缘层ins1可以覆盖除了第1-1电极el1_1的所述一个区域和第3-1电极el3_1的所述一个区域之外的区域。
191.第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个上。第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在发光元件ld上，部分地覆盖发光元件ld中的每个的外表面(例如，外周表面或外圆周表面(或表面))，并且使发光元件ld中的每个的两端暴露于外部。
192.第二绝缘层ins2可以由单层或多层构成，并且可以包括包含至少一种无机材料的无机绝缘层或包含至少一种有机材料的有机绝缘层。第二绝缘层ins2还可以固定发光元件ld中的每个。第二绝缘层ins2可以包括适合于保护发光元件ld的每个活性层12免受外部氧和湿气等影响的无机绝缘层。然而，公开不限于此。第二绝缘层ins2可以根据发光元件ld应用于其的显示装置的设计条件等由包括有机材料的有机绝缘层构成。
193.在公开的实施例中，通过在像素pxl中的每个的像素区域pxa中完成发光元件ld的对准之后在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2，可以防止发光元件ld偏离对准位置。当在形成第二绝缘层ins2之前在第一绝缘层ins1与发光元件ld之间存在空的间隙(或空间)时，可以在形成第二绝缘层ins2的工艺中用第二绝缘层ins2填充空的间隙。因此，第二绝缘层ins2可以由适合于填充第一绝缘层ins1与发光元件ld之间的空的间隙的有机绝缘层构成。
194.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以设置和/或形成在第一电极el1至第四电极el4上。
195.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以是使第一电极el1至第四电极el4与发光元件ld更稳定地电连接的构造。
196.第一接触电极cne1可以设置和/或形成在第1-1电极el1_1上。第一接触电极cne1可以通过第一通孔vih1直接接触第1-1电极el1_1，以连接到第1-1电极el1_1。根据实施例，当覆盖层设置在第1-1电极el1_1上时，第一接触电极cne1可以设置在覆盖层上，并且可以通过覆盖层连接到第1-1电极el1_1。上述覆盖层可以保护第1-1电极el1_1免受在显示装置的制造工艺期间产生的缺陷等的影响，并且还可以增强第1-1电极el1_1与位于第1-1电极el1_1下面的像素电路层pcl之间的粘合。覆盖层可以包括诸如氧化铟锌(izo)的透明导电材料(或物质)。
197.在实施例中，第一接触电极cne1可以设置和/或形成在第一发光元件ld1中的每个的一端上，以连接到第一发光元件ld1中的每个的所述一端。因此，第1-1电极el1_1和第一发光元件ld1中的每个的所述一端可以通过第一接触电极cne1彼此电连接。
198.第二接触电极cne2可以设置和/或形成在第3-1电极el3_1上。第二接触电极cne2
可以通过第二通孔vih2直接接触第3-1电极el3_1，以连接到第3-1电极el3_1。根据实施例，当覆盖层设置在第二电极el2上时，第二接触电极cne2可以设置在覆盖层上并通过覆盖层连接到第3-1电极el3_1。
199.在实施例中，第二接触电极cne2可以设置和/或形成在第四发光元件ld4中的每个的另一端上，以连接到第四发光元件ld4中的每个的另一端。因此，第3-1电极el3_1和第四发光元件ld4中的每个的另一端可以通过第二接触电极cne2彼此电连接。
200.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种透明导电材料构成，以使从发光元件ld中的每个发射并被第1-1电极el1_1和第3-1电极el3_1反射的光在显示装置的图像显示方向上行进而没有损失。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)等的各种透明导电材料(或物质)中的至少一种，并且可以被构造为基本上透明或半透明以满足合适的透射率(例如，设定的或预定的透射率)。然而，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的材料不限于上述实施例。根据实施例，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种不透明导电材料(或物质)构成。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由单层或多层形成。
201.在平面图中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个可以具有在第二方向dr2上延伸的棒形形状，但是公开不限于此。根据实施例，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的形状可以在其中第一接触电极cne1和第二接触电极cne2稳定地电连接到发光元件ld中的每个的范围内不同地改变。在实施例中，考虑到与设置在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个下面的电极的连接关系，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个的形状可以不同地改变。
202.第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以是信号(例如，设定的或预定的信号(或电压))不从外部直接传输到其的电极。
203.第一中间电极cte1可以设置在第2-1电极el2_1和第1-2电极el1_2中的每个上，并且可以在平面图中与第2-1电极el2_1和第1-2电极el1_2叠置。在平面图中，第一中间电极cte1可以以其中第一中间电极cte1从每个像素pxl的第一发射区域ema1开始、横穿第一发射区域ema1与第二发射区域ema2之间的区域并延伸至第二发射区域ema2的形式设置。这里，第一发射区域ema1与第二发射区域ema2之间的区域可以与堤bnk的第一开口op1对应。在公开的实施例中，第一开口op1由发射区域ema和堤bnk分隔，但是公开不限于此。根据实施例，第一开口op1可以包括在发射区域ema中。换言之，发射区域ema和第一开口op1可以一体地设置。
204.第一中间电极cte1可以在第2-1电极el2_1和第1-2电极el1_2上设置在第一绝缘层ins1上，并且可以与第2-1电极el2_1和第1-2电极el1_2电绝缘。
205.第一中间电极cte1可以在每个像素pxl的第一发射区域ema1中设置在第一发光元件ld1中的每个的另一端上，并且可以电连接和/或物理连接到第一发光元件ld1。在实施例中，第一中间电极cte1可以在对应的像素pxl的第二发射区域ema2中设置在第二发光元件ld2中的每个的一端上，并且可以电连接和/或物理连接到第二发光元件ld2。第一中间电极cte1可以用作使第一发光元件ld1和第二发光元件ld2连接的第一桥接电极(或第一连接电极)。换言之，第一中间电极cte1可以是使第一串联级set1和第二串联级set2连接的第一桥
接电极(或第一连接电极)。
206.第一中间电极cte1可以被设置为与第2-1电极el2_1、堤bnk的第一开口op1和第1-2电极el1_2叠置，并且可以具有至少弯曲一次的棒形形状，但是公开不限于此。根据实施例，第一中间电极cte1可以在使连续的第一串联级set1和第二串联级set2稳定地连接的范围内被改变为各种形状。
207.第二中间电极cte2可以设置在第2-2电极el2_2和第4-2电极el4_2中的每个上，并且可以在平面图中与第2-2电极el2_2和第4-2电极el4_2叠置。在平面图中，第二中间电极cte2可以设置在每个像素pxl的第二发射区域ema2中。
208.第二中间电极cte2可以在第2-2电极el2_2和第4-2电极el4_2上设置在第一绝缘层ins1上，并且可以与第2-2电极el2_2和第4-2电极el4_2电绝缘。
209.第二中间电极cte2可以在每个像素pxl的第二发射区域ema2中设置在第二发光元件ld2中的每个的另一端上，并且可以电连接和/或物理连接到第二发光元件ld2。在实施例中，第二中间电极cte2可以在第二发射区域ema2中设置在第三发光元件ld3的一端上，并且可以电连接和/或物理连接到第三发光元件ld3。第二中间电极cte2可以用作使第二发光元件ld2和第三发光元件ld3连接的第二桥接电极(或第二连接电极)。换言之，第二中间电极cte2可以是使第二串联级set2和第三串联级set3连接的第二桥接电极(或第二连接电极)。
210.第二中间电极cte2可以被设置为与第2-2电极el2_2和第4-2电极el4_2叠置，并且可以在平面图中具有至少弯曲一次并至少部分地凹陷的闭合电路形状，但是公开不限于此。根据实施例，第二中间电极cte2可以在使连续的第二串联级set2和第三串联级set3稳定地连接的范围内被改变为各种形状。
211.第三中间电极cte3可以设置在第3-2电极el3_2和第4-1电极el4_1中的每个上，并且可以在平面图中与第3-2电极el3_2和第4-1电极el4_1叠置。在平面图中，第三中间电极cte3可以以其中第三中间电极cte3从每个像素pxl的第二发射区域ema2开始、横穿第二发射区域ema2与第一发射区域ema1之间的区域并延伸至第一发射区域ema1的形式设置。这里，第二发射区域ema2与第一发射区域ema1之间的区域可以与堤bnk的第一开口op1对应。
212.第三中间电极cte3可以在第3-2电极el3_2和第4-1电极el4_1上设置在第一绝缘层ins1上，并且可以与第3-2电极el3_2和第4-1电极el4_1电绝缘。
213.第三中间电极cte3可以在每个像素pxl的第二发射区域ema2中设置在第三发光元件ld3中的每个的另一端上，并且可以电连接和/或物理连接到第三发光元件ld3。在实施例中，第三中间电极cte3可以在对应的像素pxl的第一发射区域ema1中设置在第四发光元件ld4中的每个的一端上，并且可以电连接和/或物理连接到第四发光元件ld4。第三中间电极cte3可以用作使第三发光元件ld3和第四发光元件ld4连接的第三桥接电极(或第三连接电极)。换言之，第三中间电极cte3可以是使第三串联级set3和第四串联级set4连接的第三桥接电极(或第三连接电极)。
214.第三中间电极cte3可以被设置为与第3-2电极el3_2、堤bnk的第一开口op1和第4-1电极el4_1叠置，并且可以具有至少弯曲一次的棒形形状，但是公开不限于此。根据实施例，第三中间电极cte3可以在使连续的第三串联级set3和第四串联级set4稳定地连接的范围内被改变为各种形状。
215.在像素pxl中的每个的像素区域pxa中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以
及第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以在平面图和剖视图中彼此间隔开。
216.第一接触电极cne1可以面对第一中间电极cte1的一个区域。第一中间电极cte1的所述一个区域和第一接触电极cne1可以在同一方向上延伸，例如，在第二方向dr2上延伸。第一中间电极cte1的所述一个区域和第一接触电极cne1可以在第一方向dr1上间隔开。
217.第一中间电极cte1的另一区域可以面对第二中间电极cte2的一个区域。第一中间电极cte1的所述另一区域和第二中间电极cte2的所述一个区域可以在第二方向dr2上延伸。第一中间电极cte1的所述另一区域和第二中间电极cte2的所述一个区域可以在第一方向dr1上间隔开。
218.第二中间电极cte2的另一区域可以面对第三中间电极cte3的一个区域。第二中间电极cte2的所述另一区域和第三中间电极cte3的所述一个区域可以在第二方向dr2上延伸。第二中间电极cte2的所述另一区域和第三中间电极cte3的所述一个区域可以在第一方向dr1上间隔开。
219.第三中间电极cte3的另一区域可以面对第二接触电极cne2。第三中间电极cte3的所述另一区域和第二接触电极cne2可以在第二方向dr2上延伸。第三中间电极cte3的所述另一区域和第二接触电极cne2可以在第一方向dr1上间隔开。
220.第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以由各种透明导电材料构成，以使从发光元件ld中的每个发射并被第一电极el1至第四电极el4反射的光在显示装置的图像显示方向上行进而无损失。
221.第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以与第一接触电极cne1和第二接触电极cne2设置在同一层处，并且与第一接触电极cne1和第二接触电极cne2通过同一工艺形成。例如，第一中间电极cte1至第三中间电极cte3以及第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置和/或形成在第二绝缘层ins2上。然而，公开不限于此，根据实施例，第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以设置在与第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的层不同的层上，并且可以通过与第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的工艺不同的工艺形成。在这种情况下，如图8中所示，可以在第一接触电极cne1与第一中间电极cte1之间以及在第二接触电极cne2与第三中间电极cte3之间设置和/或形成辅助绝缘层auins。辅助绝缘层auins可以设置在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个上，以覆盖第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。此时，辅助绝缘层auins可以包括与第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2的材料相同的材料，或者可以包括从关于第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2讨论的材料中选择的一种或更多种。例如，辅助绝缘层auins可以由包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层构成。如上所述，当辅助绝缘层auins设置在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上时，第一中间电极cte1至第三中间电极cte3可以设置在辅助绝缘层auins上。
222.第三绝缘层ins3可以设置和/或形成在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及第一中间电极cte1至第三中间电极cte3上。第三绝缘层ins3可以是包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。例如，第三绝缘层ins3可以具有其中交替地堆叠有至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层的结构。第三绝缘层ins3可以完全覆盖显示元件层dpl以阻挡水或湿气等输入到包括发光元件ld的显示元件层dpl。
223.根据实施例，显示元件层dpl可以被构造为除了第三绝缘层ins3之外还选择性地
包括光学层。第三绝缘层ins3可以包括包含将从发光元件ld发射的光转换为特定颜色的光的颜色转换颗粒的颜色转换层。
224.假设驱动电流通过每个像素pxl中所包括的像素电路层pcl的驱动晶体管tdr从第一电力线pl1流到驱动电压线dvl，则驱动电流可以通过第一接触孔ch1流入每个像素pxl的发光单元emu。
225.例如，驱动电流通过第一接触孔ch1供应到第1-1电极el1_1，驱动电流通过第一接触电极cne1经由第一发光元件ld1流到第一中间电极cte1，第一接触电极cne1通过第一通孔vih1直接接触(或连接到)第1-1电极el1_1。因此，第一发光元件ld1可以以与分给第一串联级set1中的第一发光元件ld1中的每个的电流对应的亮度发射光。
226.流到第一中间电极cte1的驱动电流经由第一中间电极cte1和第二发光元件ld2流到第二中间电极cte2。因此，第二发光元件ld2可以以与分给第二串联级set2中的第二发光元件ld2中的每个的电流对应的亮度发射光。
227.流到第二中间电极cte2的驱动电流经由第二中间电极cte2和第三发光元件ld3流到第三中间电极cte3。因此，第三发光元件ld3可以以与分给第三串联级set3中的第三发光元件ld3中的每个的电流对应的亮度发射光。
228.流到第三中间电极cte3的驱动电流经由第三中间电极cte3和第四发光元件ld4流到第二接触电极cne2。因此，第四发光元件ld4可以以与分给第四串联级set4中的第四发光元件ld4中的每个的电流对应的亮度发射光。
229.在上述方法中，每个像素pxl的驱动电流可以顺序地流过第一串联级set1的第一发光元件ld1、第二串联级set2的第二发光元件ld2、第三串联级set3的第三发光元件ld3和第四串联级set4的第四发光元件ld4。因此，每个像素pxl可以在每个帧周期期间以与供应的数据信号对应的亮度发射光。
230.第一接触电极cne1和第一中间电极cte1可以与第一发光元件ld1、第1-1电极el1_1和第2-1电极el2_1一起构成第一串联级set1。第一中间电极cte1和第二中间电极cte2可以与第二发光元件ld2、第1-2电极el1_2和第2-2电极el2_2一起构成第二串联级set2。第二中间电极cte2和第三中间电极cte3可以与第三发光元件ld3、第4-2电极el4_2和第3-2电极el3_2一起构成第三串联级set3。第三中间电极cte3和第二接触电极cne2可以与第四发光元件ld4、第4-1电极el4_1和第3-1电极el3_1一起构成第四串联级set4。
231.在实施例中，在堤bnk的第一开口op1中，可以设置作为无效光源的至少一个第五发光元件ld5和与第五发光元件ld5叠置的虚设导电图案cp。稍后参照图12描述第五发光元件ld5和虚设导电图案cp。
232.图9是示意性地示出根据公开的另一实施例的像素的平面图，图10是沿着图9的线iii-iii’截取的剖视图，图11是根据另一实施例的作为图10的堤图案的实施方式的与图9的线iii-iii’对应的剖视图。
233.除了在钝化层psv与第一电极el1至第四电极el4中的每个之间设置堤图案bnkp之外，图9至图11中示出的像素可以具有与图5至图7中示出的像素的构造基本上相同或相似的构造。
234.因此，关于图9至图11的像素，主要描述与图5至图8的上述实施例的像素的差异，以避免重复描述。
235.参照图9至图11，支撑构件可以位于第一电极el1至第四电极el4中的每个与钝化层psv之间。例如，如图9、图10和图11中所示，堤图案bnkp可以位于第一电极el1至第四电极el4中的每个与钝化层psv之间。
236.堤图案bnkp可以位于在每个像素pxl的像素区域pxa中发射光的第一发射区域ema1和第二发射区域ema2中。堤图案bnkp可以是支撑第一电极el1至第四电极el4的支撑构件，以便改变第一电极el1至第四电极el4中的每个的表面轮廓(或形状)，从而在显示装置的图像显示方向上引导从发光元件ld发射的光。
237.堤图案bnkp可以在对应的像素pxl的第一发射区域ema1和第二发射区域ema2中设置在钝化层psv与第一电极el1至第四电极el4之间。
238.堤图案bnkp可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。根据实施例，堤图案bnkp可以包括单层的有机绝缘层和/或单层的无机绝缘层，但是公开不限于此。根据实施例，堤图案bnkp可以以其中堆叠有至少一个有机绝缘层和至少一个无机绝缘层的多层的形式设置。然而，堤图案bnkp的材料不限于上述实施例，根据实施例，堤图案bnkp可以包括导电材料。
239.堤图案bnkp可以具有其中宽度在第三方向dr3上从钝化层psv的一个表面(例如，上表面)朝向上部变窄的梯形形状的剖面，但是公开不限于此。根据实施例，如图11中所示，堤图案bnkp可以包括具有其中宽度在第三方向dr3上从钝化层psv的一个表面朝向上部变窄的半椭圆形形状或半圆形形状(或半球形形状)等的剖面的弯曲表面。在剖视图中，堤图案bnkp的形状不限于上述实施例，并且可以在能够改善从发光元件ld中的每个发射的光的效率的范围内不同地改变。在平面图中，堤图案bnkp可以具有沿着第二方向dr2延伸的棒形形状，但是公开不限于此。
240.第一电极el1至第四电极el4中的每个可以设置和/或形成在堤图案bnkp上。因此，因为第一电极el1至第四电极el4中的每个具有与设置在其下面的堤图案bnkp的形状对应的表面轮廓，所以从发光元件ld发射的光可以被第一电极el1至第四电极el4中的每个反射并且可以进一步在显示装置的图像显示方向上行进。堤图案bnkp和第一电极el1至第四电极el4中的每个可以用作在期望的方向上引导从发光元件ld发射的光的反射构件，以改善显示装置的光效率。因此，可以进一步改善发光元件ld的光发射效率。
241.根据上述实施例，在形成第一串联级set1的第一接触电极cne1和第四串联级set4的第二接触电极cne2的步骤中，使第一串联级set1和第二串联级set2连接的第一中间电极cte1、使第二串联级set2和第三串联级set3连接的第二中间电极cte2、以及使第三串联级set3和第四串联级set4连接的第三中间电极cte3可以并发地形成(例如，同时地形成)。因此，可以简化每个像素pxl和包括该像素pxl的显示装置的制造工艺，从而改善产品良率。
242.根据上述实施例，在减小被对准电极占据的区域或使被对准电极占据的区域最小化(或不增加对准电极的数量)的同时，发光单元emu可以被构造为包括四个串联级set1至set4的串联/并联混合结构，因此可以实现高分辨率和精细间距的显示装置。
243.此外，根据上述实施例，通过构造串联/并联混合结构的发光单元emu，每个像素pxl可以被稳定地驱动，以减小流过显示装置的显示面板的驱动电流，从而改善功耗效率。
244.图12是图5的放大区域ea的示意性平面图，图13a是仅示出图12的虚设导电图案、第4-1电极和第4-2电极的示意性平面图，图13b是仅示出图12的第二绝缘层和虚设绝缘图
案的示意性平面图，图14a是沿着图12的线iv-iv’截取的示意性剖视图，图14b和图14c是沿着图12的线v-v’截取的示意性剖视图。
245.主要描述与上述实施例的点不同的点，以避免相对于上述实施例的描述重复的描述。
246.参照图5以及图12至图14c，至少一个第五发光元件ld5和与第五发光元件ld5叠置的虚设图案dmp可以设置在堤bnk的第一开口op1中。
247.当与第一电极el1至第四电极el4中的每个对应的对准信号(或对准电压)施加到第五发光元件ld5并且在两个相邻电极之间形成电场时，上述第五发光元件ld5可能是在所述两个电极之间未对准、在不期望的区域中对准并且不电连接到所述两个电极的有缺陷的发光元件。
248.虚设图案dmp可以设置在堤bnk的第一开口op1中，并且可以与第五发光元件ld5叠置。在平面图中，虚设图案dmp可以设置于在第二方向dr2上彼此间隔开并彼此面对的第1-1电极el1_1与第1-2电极el1_2之间。在平面图中，虚设图案dmp可以设置于在第二方向dr2上彼此间隔开并彼此面对的第4-1电极el4_1与第4-2电极el4_2之间。在实施例中，虚设图案dmp可以是固定第五发光元件ld5使得第五发光元件ld5不偏离对准位置的固定构件。
249.虚设图案dmp可以包括虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp。
250.虚设导电图案cp可以连接到第一电极el1和第四电极el4中的每个。例如，虚设导电图案cp可以连接到第1-1电极el1_1的一端(例如，突起prt)，可以连接到第1-2电极el1_2的一端(例如，突起prt)，可以连接到第4-1电极el4_1的一端(例如，突起prt)，并且可以连接到第4-2电极el4_2的一端(例如，突起prt)。连接到第1-1电极el1_1和第4-1电极el4_1中的每个的突起prt的虚设导电图案cp可以与连接到在第二方向dr2上相邻的电极的突起prt的虚设导电图案cp间隔开。例如，连接到第1-1电极el1_1的突起prt的虚设导电图案cp可以与连接到第1-2电极el1_2的突起prt的虚设导电图案cp间隔开。连接到第4-1电极el4_1的突起prt的虚设导电图案cp可以与连接到第4-2电极el4_2的突起prt的虚设导电图案cp间隔开。
251.连接到第1-1电极el1_1的虚设导电图案cp和连接到第4-1电极el4_1的虚设导电图案cp可以具有基本上相似或相同的结构。因此，用连接到第4-1电极el4_1的虚设导电图案cp的描述代替连接到第1-1电极el1_1的虚设导电图案cp的描述。类似地，连接到第1-2电极el1_2的虚设导电图案cp和连接到第4-2电极el4_2的虚设导电图案cp可以具有基本上相似或相同的结构。因此，用连接到第4-2电极el4_2的虚设导电图案cp的描述代替连接到第1-2电极el1_2的虚设导电图案cp的描述。
252.虚设绝缘图案insp可以在在第二方向dr2上彼此面对的第4-1电极el4_1与第4-2电极el4_2之间设置在连接到第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2中的每个的虚设导电图案cp上。上面描述的虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp可以构成虚设图案dmp。
253.虚设导电图案cp可以设置和/或形成在钝化层psv上。虚设导电图案cp可以与第一电极el1至第四电极el4设置在同一层处。连接到第4-1电极el4_1的虚设导电图案cp可以与第4-1电极el4_1一体地设置，并且连接到第4-2电极el4_2的虚设导电图案cp可以与第4-2电极el4_2一体地设置。在下文中，为了便于描述，与第4-1电极el4_1一体地设置的虚设导电图案cp被称为第一虚设导电图案cp1，与第4-2电极el4_2一体地设置的虚设导电图案cp
被称为第二虚设导电图案cp2。
254.第一虚设导电图案cp1可以包括一个或更多个虚设导电图案。例如，第一虚设导电图案cp1可以包括第1-1虚设导电图案cp1_1至第1-5虚设导电图案cp1_5。第1-1虚设导电图案cp1_1至第1-5虚设导电图案cp1_5可以在第二方向dr2上从第4-1电极el4_1分支。第1-1虚设导电图案cp1_1至第1-5虚设导电图案cp1_5中的每个可以与在第一方向dr1上相邻的虚设导电图案间隔开间距d1(例如，设定的或预定的间距d1)(在下文中，称为“第一间距d1”)。此时，第一虚设导电图案cp1可以被形成为使第一间距d1与比第五发光元件ld5的直径d和/或长度l小的范围对应。然而，公开不限于此，根据实施例，第一虚设导电图案cp1可以被形成为使得第一间距d1比第五发光元件ld5的直径d和/或长度l大。
255.第二虚设导电图案cp2可以包括一个或更多个虚设导电图案。例如，第二虚设导电图案cp2可以包括第2-1虚设导电图案cp2_1至第2-5虚设导电图案cp2_5。第2-1虚设导电图案cp2_1至第2-5虚设导电图案cp2_5可以在第二方向dr2上从第4-2电极el4_2分支。第2-1虚设导电图案cp2_1至第2-5虚设导电图案cp2_5中的每个可以与在第一方向dr1上相邻的虚设导电图案cp间隔开一定间距(例如，设定的或预定的间距)。此时，间距(例如，设置的或预定的间距)可以与第一间距d1相同。
256.第一虚设导电图案cp1和第二虚设导电图案cp2可以位于同一列中并且彼此间隔开。例如，第1-1虚设导电图案cp1_1和第2-1虚设导电图案cp2_1可以位于同一列中并且彼此间隔开，第1-2虚设导电图案cp1_2和第2-2虚设导电图案cp2_2可以位于同一列中并且彼此间隔开，第1-3虚设导电图案cp1_3和第2-3虚设导电图案cp2_3可以位于同一列中并且彼此间隔开，第1-4虚设导电图案cp1_4和第2-4虚设导电图案cp2_4可以位于同一列中并且彼此间隔开，第1-5虚设导电图案cp1_5和第2-5虚设导电图案cp2_5可以位于同一列中并且彼此间隔开。
257.如上所述，第一虚设导电图案cp1和第二虚设导电图案cp2可以在第4-1电极el4_1与第4-2电极el4_2之间彼此间隔开，以彼此电分离和/或物理分离。因此，与第一虚设导电图案cp1一体地设置的第4-1电极el4_1和与第二虚设导电图案cp2一体地设置的第4-2电极el4_2可以保持其中与第一虚设导电图案cp1一体地设置的第4-1电极el4_1和与第二虚设导电图案cp2一体地设置的第4-2电极el4_2彼此电分离和/或物理分离的状态。
258.虚设绝缘图案insp可以设置和/或形成在虚设导电图案cp上。在实施例中，虚设绝缘图案insp可以位于在第二方向dr2上彼此面对的第4-1电极el4_1与第4-2电极el4_2之间。虚设绝缘图案insp可以设置和/或形成在第一虚设导电图案cp1和第二虚设导电图案cp2中的每个上。虚设绝缘图案insp可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层构成。在公开的实施例中，虚设绝缘图案insp可以与第二绝缘层ins2设置在同一层处，并且可以包括与第二绝缘层ins2的材料相同的材料。
259.在实施例中，虚设绝缘图案insp可以与第二绝缘层ins2一体地设置。例如，虚设绝缘图案insp可以以从第四发光元件ld4上的第二绝缘层ins2延伸至堤bnk的与第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2之间的区域对应的第一开口op1的形式设置。在实施例中，虚设绝缘图案inps可以以从第三发光元件ld3上的第二绝缘层ins2延伸至堤bnk的与第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2之间的区域对应的第一开口op1的形式设置。此时，从第四发光元件ld4上的第二绝缘层ins2延伸的虚设绝缘图案insp可以与从第三发光元件ld3上的第二
绝缘层ins2延伸的虚设绝缘图案insp间隔开。根据实施例，虚设绝缘图案insp可以与第四发光元件ld4上的第二绝缘层ins2间隔开，并且可以设置在堤bnk的第一开口op1中。在实施例中，虚设绝缘图案insp可以与第三发光元件ld3上的第二绝缘层ins2间隔开，并且可以设置在堤bnk的第一开口op1中。在这种情况下，与第四发光元件ld4上的第二绝缘层ins2间隔开的虚设绝缘图案insp可以与同第三发光元件ld3上的第二绝缘层ins2间隔开的虚设绝缘图案insp间隔开。
260.当第二绝缘层ins2设置和/或形成在第三发光元件ld3和第四发光元件ld4中的每个上时，虚设绝缘图案insp可以并发地(或同时地)设置和/或形成在堤bnk的第一开口op1中。此时，虚设绝缘图案insp可以设置在第一开口op1中，以与位于堤bnk的第一开口op1周围的第二绝缘层ins2间隔开间距d3(例如，设定的或预定的间距d3(或距离d3))。
261.在公开的实施例中，虚设绝缘图案insp可以设置和/或形成在位于堤bnk的第一开口op1中的第五发光元件ld5上，并且可以用作固定第五发光元件ld5的固定构件。换言之，虚设绝缘图案insp可以形成在第五发光元件ld5上以固定第五发光元件ld5，使得第五发光元件ld5不偏离对准位置。
262.虚设绝缘图案insp可以在平面图中与虚设导电图案cp叠置。例如，虚设绝缘图案insp可以具有与虚设导电图案cp的平面形状相同的平面形状。例如，当虚设绝缘图案insp具有在第二方向dr2上延伸的棒形形状的平面形状时，设置在虚设绝缘图案insp下面的虚设导电图案cp也可以具有与其对应的平面形状。设置在第一虚设导电图案cp1上的虚设绝缘图案insp可以与设置在第二虚设导电图案cp2上的虚设绝缘图案insp间隔开。当虚设绝缘图案insp和虚设导电图案cp具有相同的平面形状时，虚设绝缘图案insp在第一方向dr1上的宽度w和虚设导电图案cp在第一方向dr1上的宽度w可以相同。
263.虚设导电图案cp可以在形成虚设绝缘图案insp的工艺中形成。虚设绝缘图案insp可以用作虚设导电图案cp的蚀刻掩模。稍后参照图15a至图15c描述虚设绝缘图案insp和虚设导电图案cp的制造工艺。
264.可以不在虚设绝缘图案insp与虚设导电图案cp之间设置绝缘层。例如，如图14a和图14b中所示，虚设绝缘图案insp可以直接设置在虚设导电图案cp上以接触虚设导电图案cp。然而，公开不限于此。根据实施例，如图14c中所示，辅助绝缘图案auinsp可以位于虚设绝缘图案insp与虚设导电图案cp之间。辅助绝缘图案auinsp可以包括与第一绝缘层ins1的材料相同的材料。当在堤bnk的第一开口op1中形成虚设图案dmp时，可以并发地(或同时地)形成辅助绝缘图案auinsp。
265.与虚设导电图案cp一起构成虚设图案dmp的虚设绝缘图案insp可以在与堤bnk的第一开口op1对应的第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2之间设置在第五发光元件ld5上，以防止第五发光元件ld5偏离。
266.如上所述，第五发光元件ld5可以是不位于两个相邻电极之间并且不连接到两个相邻电极的有缺陷的发光元件，例如，第五发光元件ld5可以是未对准的发光元件。当第五发光元件ld5保留在每个像素pxl的像素区域pxa中时，第五发光元件ld5可能在执行后续工艺时偏离对准位置。偏离对准位置的第五发光元件ld5可能被识别为外来物质，可能在执行检查工艺等时引起缺陷确定，并且可能降低显示装置的产品良率。此外，当执行后续工艺时，偏离的第五发光元件ld5可能引起对应的工艺应用于其的设备的污染。
267.因此，在公开的实施例中，可以通过在堤bnk的第一开口op1中设置虚设绝缘图案insp来固定作为有缺陷的发光元件(或未对准的发光元件)的第五发光元件ld5，从而防止第五发光元件ld5偏离。即使第五发光元件ld5保留在每个像素pxl的像素区域pxa中，形成在第五发光元件ld5上的虚设绝缘图案insp也可以充分地固定第五发光元件ld5，从而防止第五发光元件ld5偏离。因此，可以减少由于第五发光元件ld5被识别为外来物质而可能发生的缺陷。此外，通过稳定地固定位于堤bnk的第一开口op1中的第五发光元件ld5，可以在后续工艺中防止由于保留在第一开口op1中的第五发光元件ld5而导致的设备的污染。
268.在上述实施例中，描述了其中第一电极el1至第四电极el4设置在每个像素pxl的像素区域pxa中的实施例，但是公开不限于此。根据实施例，可以在像素区域pxa中设置仅两个电极，每个电极包括在第一方向dr1上彼此间隔开并且在第二方向dr2上彼此面对的两个子电极。在这种情况下，包括虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp的虚设图案dmp可以被设置为与在第二方向dr2上面对的两个子电极之间的区域对应。此时，彼此面对的两个子电极中的每个的一端可以包括在面对堤bnk的第一开口op1的方向上突出的突起，虚设图案dmp的虚设导电图案cp可以从对应电极的突起分支。
269.在上述实施例中，描述了其中虚设导电图案cp连接到第4-1电极el4_1的一端和第4-2电极el4_2的一端的实施例，但是公开不限于此。根据实施例，虚设导电图案cp不连接到第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2中的每个的一端，并且可以与第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2中的每个的一端间隔开。稍后参照图16a至图16d对此进行描述。
270.图15a至图15c是顺序地示出制造图12的区域ea中所包括的构造的方法的示意性平面图。作为参考，图15a至图15c是顺序地示出使发光元件ld对准并固定在每个像素pxl的像素区域pxa中时制造位于堤bnk的第一开口op1中的构造的方法的平面图。
271.在图15a至图15c中，主要描述与上述实施例的点不同的点，以避免重复描述。
272.参照图12和图15a，第一电极el1至第四电极el4可以位于堤bnk的第一开口op1中。在堤bnk的第一开口op1中，第一电极el1至第三电极el3以及第四电极el4可以具有基本上相似或相同的结构。因此，用第四电极el4的描述代替位于堤bnk的第一开口op1中的第一电极el1至第三电极el3的描述。
273.在每个像素pxl的像素区域pxa中可以不去除第四电极el4的一部分，可以使第四电极el4与位于在第二方向dr2上与对应的像素pxl相邻的像素pxl中的第四电极el4一体地设置。例如，位于对应的像素pxl的像素区域pxa中的第四电极el4可以连接到位于在第二方向dr2上相邻的像素pxl中的每个中的第四电极el4。
274.当将发光元件ld供应到像素区域pxa并且施加与第一电极el1至第四电极el4中的每个对应的对准信号(或对准电压)时，可以在两个相邻电极之间形成电场，可以使发光元件ld在两个相邻电极之间对准。发光元件ld可以在像素区域pxa的发射区域ema1和ema2中对准。此时，至少一个第五发光元件ld5可以在堤bnk的第一开口op1中对准。第五发光元件ld5可以是不连接到两个相邻电极的有缺陷的发光元件。在实施例中，第五发光元件ld5可以是在不期望的区域(例如，堤bnk的第一开口op1)中对准的未对准的发光元件。
275.参照图12、图15a和图15b，在第四电极el4上形成绝缘材料层insm。此时，可以不在第四电极el4的与堤bnk的第一开口op1对应的一个区域中设置第一绝缘层ins1。因此，可以在第四电极el4的与堤bnk的第一开口op1对应的一个区域中直接形成绝缘材料层insm，并
且绝缘材料层insm接触第四电极el4的所述一个区域。绝缘材料层insm可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。
276.可以在位于像素区域pxa的发射区域ema1和ema2中对准的发光元件ld上形成绝缘材料层insm。
277.参照图12和图15a至图15c，在绝缘材料层insm上设置掩模之后，可以顺序地执行一系列工艺以去除绝缘材料层insm的一部分并形成虚设绝缘图案insp和第二绝缘层ins2。虚设绝缘图案insp可以位于堤bnk的第一开口op1中，第二绝缘层ins2可以位于第一发射区域ema1和第二发射区域ema2中以及第一开口op1周围。此时，在第一方向dr1上相邻的虚设绝缘图案insp和第二绝缘层ins2可以彼此间隔开间距d3(例如，设定的或预定的间距d3)。
278.虚设绝缘图案insp可以位于第四电极el4的位于堤bnk的第一开口op1中的一个区域中。在实施例中，可以在位于第一开口op1中的第五发光元件ld5上形成虚设绝缘图案insp，以固定第五发光元件ld5，使得第五发光元件ld5不偏离对准位置。
279.第二绝缘层ins2可以位于在第一发射区域ema1中的第一发光元件ld1和第四发光元件ld4中的每个的一个表面上，以使第一发光元件ld1和第四发光元件ld4中的每个的两端暴露于外部。在实施例中，第二绝缘层ins2可以位于在第二发射区域ema2中的第二发光元件ld2和第三发光元件ld3中的每个的一个表面上，以使第二发光元件ld2和第三发光元件ld3中的每个的两端暴露于外部。
280.在实施例中，执行使用虚设绝缘图案insp作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，以去除第四电极el4的在第一开口op1中被虚设绝缘图案insp暴露的部分(即，保留第四电极el4的位于虚设绝缘图案insp下面的一个区域)，从而形成虚设导电图案cp。通过上述蚀刻工艺形成的虚设导电图案cp可以具有与位于其上的虚设绝缘图案insp的平面形状相同的平面形状。在上述工艺中，由于虚设绝缘图案insp用作蚀刻掩模，因此虚设导电图案cp可以具有与虚设绝缘图案insp的形状对应的形状。
281.在上述工艺中，可以去除第四电极el4的与堤bnk的第一开口op1对应的一个区域，因此可以形成位于同一列中且彼此间隔开的第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2。在实施例中，在上述工艺中，可以去除第四电极el4的位于堤bnk的第二开口op2中的一个区域，以使对应的像素pxl的第四电极el4和在第二方向dr2上相邻的像素pxl中的每个的第四电极el4彼此电分离和/或物理分离。因此，每个像素pxl可以与相邻的像素pxl独立地(或单独地)驱动。
282.结果，可以通过上述工艺在堤bnk的第一开口op1中形成包括具有相同平面形状的虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp的虚设图案dmp。同时，可以去除第四电极el4的与第一开口op1对应的一个区域，以形成彼此间隔开的第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2。
283.图16a至图16d是根据另一实施例的作为图12的虚设图案的实施方式的与图12的区域ea对应的示意性平面图。
284.在图16a至图16d中，为了方便，虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp不完全叠置，但是公开不限于此，虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp基本上完全叠置并具有相同的平面形状。
285.关于图16a至图16d的虚设图案，主要描述与上述实施例的特征不同的特征，以避免重复描述。在公开中未具体描述的部分遵循上述实施例，并且相同的标号指示相同的组
件，类似的标号指示类似的组件。
286.首先，参照图12和图16a，虚设图案dmp可以包括虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp。
287.虚设绝缘图案insp可以位于第一开口op1中，以与位于堤bnk的第一开口op1周围的第二绝缘层ins2间隔开间距d3(例如，设定的或预定的间距(或距离)d3)。这里，第二绝缘层ins2可以是与位于在每个像素pxl的第一发射区域ema1和第二发射区域ema2中对准的第一发光元件ld1至第四发光元件ld4上的绝缘层ins2的构造相同的构造。
288.虚设绝缘图案insp可以包括在第一方向dr1上延伸的多个第一虚设绝缘图案insp1和在第二方向dr2上延伸的多个第二虚设绝缘图案insp2。虚设绝缘图案insp可以通过第一虚设绝缘图案insp1和第二虚设绝缘图案insp2而具有网格结构。网格结构的虚设绝缘图案insp可以包括多个第一腔体cvt1。第一腔体cvt1中的每个可以是通过使第一虚设绝缘图案insp1和第二虚设绝缘图案insp2交叉而形成的空的空间。此时，在第一方向dr1上相邻的两个第二虚设绝缘图案insp2之间的间距d1可以与每个第一腔体cvt1在第一方向dr1上的宽度相同。另外，在第二方向dr2上相邻的两个第一虚设绝缘图案insp1之间的间距d2可以与每个第一腔体cvt1在第二方向dr2上的宽度相同。第一腔体cvt1中每个可以被设计为具有足以防止位于堤bnk的第一开口op1中的第五发光元件ld5偏离的尺寸(或面积)。例如，每个第一腔体cvt1的尺寸可以被设计为比第五发光元件ld5的直径d和/或长度l小，但是公开不限于此。根据实施例，每个第一腔体cvt1的尺寸可以被设计为等于或大于第五发光元件ld5的直径d和/或长度l。
289.在公开的实施例中，虚设绝缘图案insp可以是设置和/或形成在第五发光元件ld5上以稳定地固定第五发光元件ld5的固定构件。
290.虚设导电图案cp可以在堤bnk的第一开口op1中与第4-1电极el4_1和第4-2电极rl4_2中的每个间隔开。虚设导电图案cp可以具有与虚设绝缘图案insp的平面形状相同的平面形状。例如，虚设导电图案cp可以包括在第一方向dr1上延伸的第一虚设导电图案cp1、在第二方向dr2上延伸的第二虚设导电图案cp2以及多个第二腔体cvt2。
291.第一虚设导电图案cp1可以与第一虚设绝缘图案insp1对应，第二虚设导电图案cp2可以与第二虚设绝缘图案insp2对应，第二腔体cvt2可以与虚设绝缘图案insp的第一腔体cvt1对应。因为虚设导电图案cp具有与虚设绝缘图案insp的平面形状相同的平面形状，所以虚设导电图案cp也可以具有网格结构。
292.包括上面描述的虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp的虚设图案dmp可以在堤bnk的第一开口op1中具有网格结构，以稳定地固定保留在堤bnk的第一开口op1中的第五发光元件ld5，从而防止第五发光元件ld5偏离。
293.如图12和图16b至图16d中所示，虚设图案dmp可以包括虚设绝缘图案insp和虚设导电图案cp。这里，虚设绝缘图案insp和虚设导电图案cp可以具有相同的平面形状。
294.虚设绝缘图案insp可以包括在第一方向dr1上延伸的多个第一虚设绝缘图案insp1和在与第一方向dr1不同的第二方向dr2上延伸的多个第二虚设绝缘图案insp2。如图16b和图16c中所示，第一虚设绝缘图案insp1和第二虚设绝缘图案insp2可以位于堤bnk的第一开口op1中，以便彼此间隔开，但是公开不限于此。根据实施例，如图16d中所示，第一虚设绝缘图案insp1和第二虚设绝缘图案insp2可以以其中第一虚设绝缘图案insp1和第二虚
设绝缘图案insp2彼此连接并且第一虚设绝缘图案insp1和第二虚设绝缘图案insp2可以位于堤bnk的第一开口op1中的状态设置。
295.此时，如图16b和图16c中所示，第一虚设绝缘图案insp1中的每个可以被定位为与在第二方向dr2上相邻的第二虚设绝缘图案insp2中的每个间隔开间距d2(例如，设定的或预定的间距(或距离)d2)。在实施例中，第二虚设绝缘图案insp2中的每个可以被定位为与在第一方向dr1上相邻的一个第二虚设绝缘图案insp2间隔开间距d1(设定的或预定的间距(或距离)d1)。第一虚设绝缘图案insp1和第二虚设绝缘图案insp2可以被设计为充分调节它们之间的间距，以防止保留在堤bnk的第一开口op1中的第五发光元件ld5偏离(或稳定地固定第五发光元件ld5)。
296.如图16d中所示，当第一虚设绝缘图案insp1和第二虚设绝缘图案insp2彼此连接并设置时，第二虚设绝缘图案insp2中的一些可以彼此面对，并且均可以包括位于同一条线上的至少一个表面。在这种情况下，包括彼此面对并且均位于同一条线上的至少一个表面的第二虚设绝缘图案insp2可以间隔开间距d4(例如，设定的或预定的间距d4)。间距d4(例如，设定的或预定的间距d4)可以比第五发光元件ld5的直径d小。例如，间距d4(例如，设定的或预定的间距d4)可以是1μm，但是公开不限于此。根据实施例，间距d4(例如，设定的或预定的间距d4)可以比第五发光元件ld5的直径d大。
297.虚设导电图案cp可以在堤bnk的第一开口op1中与第4-1电极el4_1和第4-2电极el4_2中的每个间隔开。虚设导电图案cp可以具有与虚设绝缘图案insp的平面形状相同的平面形状。例如，可以包括在第一方向dr1上延伸的第一虚设导电图案cp1和在第二方向dr2上延伸的第二虚设导电图案cp2。
298.第一虚设导电图案cp1可以与第一虚设绝缘图案insp1对应，第二虚设导电图案cp2可以与第二虚设绝缘图案insp2对应。
299.包括上面描述的虚设导电图案cp和虚设绝缘图案insp的虚设图案dmp可以稳定地固定保留在堤bnk的第一开口op1中的第五发光元件ld5，从而防止第五发光元件ld5偏离。虚设绝缘图案insp的形状不限于上述实施例，并且可以在能够充分固定保留在堤bnk的第一开口op1中的第五发光元件ld5的范围内改变为各种形状。
300.尽管已经参照上面的实施例描述了公开，但是本领域技术人员或具有本领域公知常识的技术人员将理解的是，在不脱离权利要求中描述的公开的精神和技术领域的情况下，可以对公开进行各种修改和改变。
301.因此，公开的技术范围不应限于说明书的具体实施方式中描述的内容，而应由权利要求及其等同物限定。