显示设备的制作方法

技术特征：
1.一种显示设备，所述显示设备包括：第一层间绝缘层，布置在基底上；第一半导体层，布置在所述第一层间绝缘层上，并且包括氧化物半导体材料；第一栅电极，布置在所述第一半导体层上；第二层间绝缘层，布置在所述第一栅电极上；以及第一电极层，布置在所述第二层间绝缘层上，并且通过穿透所述第二层间绝缘层的第一接触孔电连接到所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层包括与所述第一接触孔对应的开口，并且所述第一电极层与所述开口的内表面接触。2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述基底的上表面与所述开口的所述内表面之间的角度为30
°
或更大。3.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述氧化物半导体材料是非晶氧化物半导体材料。4.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极层与所述第一层间绝缘层的通过所述开口暴露的至少一部分接触。5.如权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一层间绝缘层包括对应于所述开口的槽。6.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一接触孔的内表面的斜率和所述槽的内表面的斜率比所述开口的所述内表面的斜率陡。7.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一接触孔的内表面的斜率比所述开口的所述内表面的斜率陡。8.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述开口的所述内表面包括具有不同角度的至少两个表面。9.如权利要求8所述的显示设备，其中，所述开口的所述内表面包括具有不同角度的第一表面和第二表面，所述第一表面具有比所述第二表面的表面积大的表面积，并且所述第一表面与所述基底的上表面之间的角度为30
°
或更大。10.如权利要求9所述的显示设备，所述显示设备还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层设置在所述开口的所述内表面的所述第二表面与所述第一电极层之间的至少一部分上。11.如权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一半导体层包括与所述金属氧化物层接触的部分，并且所述第一半导体层的所述部分包括：上层部分，包括结晶金属氧化物；以及下层部分，包括非晶氧化物半导体材料。12.如权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一电极层包括：第一金属层和第三金属层，包括相同的材料；以及第二金属层，位于所述第一金属层与所述第三金属层之间，所述第二金属层包括与所
述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料不同的材料，其中，所述第一金属层的厚度和所述第三金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度，并且所述金属氧化物层的厚度小于所述第一金属层的所述厚度和所述第三金属层的所述厚度。13.如权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一表面延伸到所述第一接触孔的内表面，并且由所述第二表面形成的角度小于由所述第一表面形成的角度。14.如权利要求13所述的显示设备，其中，所述第二表面与所述基底的所述上表面之间的角度为30
°
或更小。15.如权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述第一层间绝缘层的边缘部分处的谷部，其中，所述谷部在所述基底的方向上凹进，并且所述第一层间绝缘层的所述边缘部分通过所述开口暴露。16.如权利要求15所述的显示设备，其中，从所述开口的所述内表面延伸的所述谷部的内表面的斜率比所述开口的所述内表面的斜率陡。17.如权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一电极层包括：第一金属层和第三金属层，包括相同的材料；以及第二金属层，位于所述第一金属层与所述第三金属层之间，所述第二金属层包括与所述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料不同的材料，并且所述第一金属层沿着所述谷部的内表面布置。18.如权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二金属层的至少一部分设置在所述谷部中。19.如权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：第二半导体层，布置在所述第一层间绝缘层上，并且包括氧化物半导体材料；第二栅电极，布置在所述第二半导体层上；以及第二电极层，布置在所述第二层间绝缘层上，并且通过穿透所述第二层间绝缘层的第二接触孔电连接到所述第二半导体层的接触部分，其中，所述第二半导体层的所述接触部分包括：上层部分，包括结晶金属氧化物；以及下层部分，包括非晶氧化物半导体材料。20.如权利要求19所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述第二半导体层的所述接触部分与所述第二电极层之间的金属氧化物层。

技术总结
提供了一种包括具有改善的特性并包含薄膜晶体管的电路的显示设备。所述显示设备包括：第一层间绝缘层，布置在基底上；第一半导体层，布置在第一层间绝缘层上，并且包括氧化物半导体材料；第一栅电极，布置在第一半导体层上；第二层间绝缘层，布置在第一栅电极上；以及第一电极层，布置在第二层间绝缘层上，并且通过穿透第二层间绝缘层的第一接触孔电连接到第一半导体层，其中，第一半导体层包括与第一接触孔对应的开口，并且第一电极层与开口的内表面接触。表面接触。表面接触。


技术研发人员：金宝花 朴英吉 金敏旭 禹星旭 安那璃
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.08.09
技术公布日：2022/2/23