一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法与流程

1.本公开实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法。


背景技术：

2.有机发光二极管(oled)为主动发光器件，具有自发光、超薄、广视角、高亮度、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，oled显示技术越来越多地应用于透明显示中。透明显示是显示技术一个重要的个性化显示领域，是指在透明状态下进行图像显示，观看者不仅可以看到显示装置中的图像，而且可以看到显示装置背后的景象。如图1所示，图1为一些技术的透明显示装置的两个显示单元的结构示意图，每个显示单元(或称像素)包括透明区和发光区，透明区实现光线透过，发光区包括多个子像素(图1示意了p1、p2和p3三个子像素)并设置所述多个子像素的像素驱动电路和发光器件以实现图像显示，发光区不透光。为了确保显示装置的高透明度而最大化透明区时，发光区的面积就会减小，会造成显示装置的亮度及寿命减小的问题。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法，可以提高显示基板的亮度及透明度。
4.本公开实施例提供一种显示基板，包括多个显示单元，所述显示单元包括透明区和发光区，所述发光区包括多个子像素，所述子像素包括像素驱动电路和发光器件；所述发光区包括第一区域和第二区域，所述发光区的多个子像素的像素驱动电路设置在所述第一区域，所述第二区域设置为能够发光且在不发光时具有透明度。
5.本公开实施例还提供一种显示装置，包括所述的显示基板。
6.本公开实施例还提供一种制备所述显示基板的方法，包括：
7.在基底上形成发光区的驱动结构层，以及透明区的无机复合绝缘层和平坦层，所述驱动结构层包括设置在所述第一区域的像素驱动电路，所述平坦层设于所述无机复合绝缘层的远离所述基底一侧；
8.在发光区的所述驱动结构层上形成多个第一电极，位于所述第二区域的所述第一电极为透明材料形成；
9.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个像素开口，每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出；
10.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底的一侧形成有机功能层，位于所述第二区域的所述有机功能层为透明材料形成；
11.在所述有机功能层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二电极层，所述第二电极层为透明材料形成，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层
形成一个所述发光器件。
12.本公开实施例还提供另一种制备所述显示基板的方法，包括：
13.在基底上形成发光区的第一区域的薄膜晶体管，以及透明区的无机复合绝缘层，所述像素驱动电路包括所述薄膜晶体管；
14.在所述薄膜晶体管的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的平坦层，发光区和透明区的边界处的所述平坦层设有隔断槽；
15.在所述平坦层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的透明导电薄膜，对所述透明导电薄膜进行图案化处理形成位于发光区的多个第一电极和位于透明区的透明导电层，所述第一电极将所述隔断槽的朝向透明区的槽壁覆盖，所述透明导电层将所述隔断槽的朝向发光区的槽壁暴露出；
16.对所述隔断槽的朝向发光区的槽壁进行灰化处理，使所述透明导电层凸出于所述隔断槽的朝向发光区的槽壁；
17.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个像素开口，每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出，所述像素界定层部分地设置在所述隔断槽内；
18.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底的一侧形成有机功能层，位于所述第二区域的所述有机功能层为透明材料形成；
19.在所述有机功能层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二电极层，所述第二电极层在所述隔断槽处断开，所述第二电极层为透明材料形成，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个所述发光器件；
20.在所述第二电极层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第一封装层，所述第一封装层在所述隔断槽处断开，所述第一封装层为透明材料形成；
21.将透明区的所述平坦层，以及叠设于所述平坦层上的所述透明导电层、所述第二电极层和所述第一封装层去除；
22.在所述第一封装层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二封装层，所述第二封装层为透明材料形成。
23.本公开实施例的显示基板，发光区包括第一区域和第二区域，将发光区的多个子像素的像素驱动电路设置在所述第一区域，所述第二区域设置为能够发光且在不发光时具有透明度，这样，所述第二区域在不发光时可以实现光线透过，提高显示基板的透明度，所述第二区域在发光时可以提高显示基板的亮度。
附图说明
24.附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
25.图1为一些技术的透明显示装置的两个显示单元的结构示意图；
26.图2为一些示例性实施例的显示基板的两个显示单元的结构示意图；
27.图3为在一些示例性实施例中图2的显示基板的a-a剖面结构示意图；
28.图4为在另一些示例性实施例中图2的显示基板的a-a剖面结构示意图；
29.图5为在又一些示例性实施例中图2的显示基板的a-a剖面结构示意图；
30.图6a为一些示例性实施例的显示基板在形成第一电极后的局部剖面结构示意图；
31.图6b为一些示例性实施例的显示基板在形成像素界定层和有机功能层后的局部剖面结构示意图；
32.图6c为一些示例性实施例的显示基板在形成封装结构层或第一封装层后的局部剖面结构示意图；
33.图6d为一些示例性实施例的显示基板在将透明区的第一封装层和第二电极层去除后的局部剖面结构示意图；
34.图7a为另一些示例性实施例的显示基板在形成平坦层后的局部剖面结构示意图；
35.图7b为另一些示例性实施例的显示基板在形成第一电极后的局部剖面结构示意图；
36.图7c为另一些示例性实施例的显示基板在将隔离槽的朝向发光区的槽壁进行灰化处理后的局部剖面结构示意图；
37.图7d为另一些示例性实施例的显示基板在形成像素界定层和有机功能层后的局部剖面结构示意图；
38.图7e为另一些示例性实施例的显示基板在形成第二电极层和第一封装层后的局部剖面结构示意图；
39.图7f为另一些示例性实施例的显示基板在将透明区的平坦层、以及叠设于平坦层上的透明导电层、第二电极层和第一封装层去除后的局部剖面结构示意图。
40.附图标记为：10、基底，11、第一绝缘层、12、第二绝缘层、13、第三绝缘层，14、第四绝缘层，15、平坦层，21、第一电极、22、像素界定层，23、有机功能层、24、第二电极层，30、封装结构层，31、第一封装层，32、第二封装层，100、发光区，101、第一区域，102、第二区域，110、薄膜晶体管，120、存储电容，130、发光器件，151、隔断槽，152、过孔，200、透明区，211、反射层，212、透明导电层。
具体实施方式
41.本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。
42.本公开实施例提供一种显示基板，如图2所示，图2为一些示例性实施例的显示基板的两个显示单元的结构示意图，所述显示基板包括多个显示单元，所述显示单元包括透明区200和发光区100，所述发光区100包括多个子像素(图2示例性地示出了p1、p2和p3三个子像素)，所述子像素包括像素驱动电路和发光器件；所述发光区100包括第一区域101和第二区域102，所述发光区100的多个子像素的像素驱动电路设置在所述第一区域101，所述第二区域102设置为能够发光且在不发光时具有透明度。
43.本公开实施例的显示基板，发光区100包括第一区域101和第二区域102，将发光区100的多个子像素的像素驱动电路设置在所述第一区域101，所述第二区域102设置为能够发光且在不发光时具有透明度，这样，所述第二区域102在不发光时可以实现光线透过，提高显示基板的透明度，所述第二区域102在发光时可以提高显示基板的亮度。
44.在一些示例性实施例中，如图2所示，所述透明区200可以设于所述发光区100的一侧，所述第二区域102可以位于所述第一区域101的至少一侧。
45.本实施例的一个示例中，如图2所示，所述透明区200在第一方向x上设于所述发光区100的一侧，所述第二区域102可以在所述第一方向x上位于所述第一区域101的一侧或两侧，图2的示例中，所述第二区域102在所述第一方向上位于所述第一区域101的两侧。透明区200和发光区100的形状均可以为矩形。在其他实施方式中，所述第二区域102可以在第二方向y上位于所述第一区域101的一侧或两侧，所述第一方向x与所述第二方向y交叉。
46.本实施例的一个示例中，如图2所示，所述发光区100的多个子像素(图2示出了p1、p2和p3三个子像素)的发光器件130可以在第二方向y上可以并列设置，所述第一方向x与所述第二方向y交叉。所述发光区100的每个所述发光器件130的第一电极21均部分地(第一电极21的中间部分)位于第一区域101，且部分地(第一电极21的两端部分)位于第二区域102。
47.在其他实施方式中，所述发光区100的多个子像素的发光器件可以在第一方向x上可以并列设置。本公开实施例对发光区100的子像素的数量不作限制，可以是三个或四个等，本公开实施例对发光区100的多个子像素的排布方式不作限制，可以在第一方向x或第二方向y上并列设置，或者三个子像素可以呈“品”字型排布，四个子像素可以呈两行两列排布等。在其他实施方式中，所述发光区100的至少一个所述发光器件的第一电极21可以完全地位于第一区域101或第二区域102。
48.在一些示例性实施例中，如图3所示，图3为在一些示例性实施例中图2的显示基板的a-a剖面结构示意图，所述发光区100包括依次叠设于基底10上的驱动结构层、发光结构层和封装结构层30；所述驱动结构层包括所述像素驱动电路，所述发光结构层包括设于所述驱动结构层上的多个所述发光器件，所述发光器件包括依次叠设的第一电极21、有机功能层23和第二电极层24；位于所述第二区域102的所述第一电极21和所述有机功能层23，以及所述第二电极层24和所述封装结构层30均为透明材料形成。这样，可以保证所述第二区域102在不发光时具有透明度，可以实现光线透过。
49.如图3所示，所述发光结构层还包括像素界定层22，所述像素界定层22设于所述多个第一电极21的远离所述基底10一侧并设有多个像素开口，每个像素开口将对应的一个第一电极21的远离所述基底10的表面暴露出。示例性地，所述有机功能层23包括发光层，还可以包括叠设于所述第一电极和所述发光层之间的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述有机功能层23还可以包括叠设于所述发光层和所述第二电极层之间的以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。
50.示例性地，所述发光层包括多个子发光层，每个子发光层可以设置在对应的一个像素开口内。示例性地，所述发光区可以包括红、绿、蓝三个子像素，所述发光层可以包括红色子发光层、绿色子发光层和蓝色子发光层，每个子像素的发光器件的子发光层在第一电极和第二电极层的电压作用下发射相应颜色的光。所述发光器件可以为oled器件。可多次采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺分别形成红色子发光层、绿色子发光层和蓝色子发光层，每种颜色子像素的子发光层在蒸镀过程中可以采用精细金属掩膜板(fmm)，形成在相应颜色子像素的像素开口内。所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任一个膜层可作为公共层设置在发光区的多个子像素内，可以采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺形成，形成在发光区的第一区域和第二区域。有机功能层的每个膜
层可以均为透明材料形成。
51.本实施例的一个示例中，如图3所示，位于所述第一区域101的所述第一电极21可以包括反射层211和设于所述反射层211的远离所述基底10一侧的透明导电层212；位于所述第二区域102的所述第一电极21包括所述透明导电层212。所述反射层211可以对发光器件发射的光线进行反射，提高显示基板的发光效率。
52.示例性地，所述发光区100的至少一个所述发光器件的第一电极21可以部分地位于第一区域101，且部分地位于第二区域102。比如，图2的示例中，所述发光区100的每个所述发光器件的第一电极21均部分地(第一电极21的中间部分)位于第一区域101，且部分地(第一电极21的两端部分)位于第二区域102。如图3所示，每个所述发光器件的第一电极21可以均包括反射层211和设于所述反射层211的远离所述基底10一侧的透明导电层212，反射层211位于第一区域101且不位于第二区域102，透明导电层212的中间部分覆盖在反射层211上且位于第一区域101，透明导电层212的两端部分位于第二区域102。由于发光区100的多个子像素的像素驱动电路均位于第一区域101，每个发光器件的第一电极21可以通过反射层211与对应的一个像素驱动电路连接。
53.在一些示例性实施例中，如图3所示，所述反射层211的材料可以包括银(ag)、铝(al)、铜(cu)中的任一种或多种，可以是单质材料或合金材料。所述透明导电层212的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)中的任一种或多种，所述透明导电层212可以设置为一层或多层。所述第二电极层24的材料可以采用ito、izo、银纳米线(agnw)或碳纳米管(cnt)等高透明度且电阻较低的材料。
54.在一些示例性实施例中，如图3所示，所述驱动结构层可以包括设于所述基底10上的薄膜晶体管110和设于所述薄膜晶体管110的远离所述基底10一侧的平坦层15，所述像素驱动电路包括所述薄膜晶体管110；所述透明区200可以包括依次叠设于所述基底10上的无机复合绝缘层、所述平坦层15、所述第二电极层24和所述封装结构层30。所述封装结构层30可以为单层结构或多层复合结构。
55.在另一些示例性实施例中，如图4所示，图4为在另一些示例性实施例中图2的显示基板的a-a剖面结构示意图，所述发光区100中，所述驱动结构层可以包括设于所述基底10上的薄膜晶体管110和设于所述薄膜晶体管110的远离所述基底10一侧的平坦层15，所述像素驱动电路包括所述薄膜晶体管110；所述封装结构层30可以包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一封装层31和第二封装层32。
56.本实施例的一个示例中，如图4所示，所述透明区200可以包括依次叠设于所述基底10上的无机复合绝缘层、所述平坦层15和所述第二封装层32，且不包括所述第二电极层24和所述第一封装层31。
57.一些技术的透明显示基板的透明区的透过率在透明阴极(izo或ito)有10％左右的降低，在薄膜封装层有2％至10％左右的降低，导致透明显示基板的透明度降低。一般的透明oled显示基板的透明区很难确保80％以上的透过率。本示例中，透明区200不包括所述第二电极层24和所述第一封装层31，这样可以使透明区200的透过率提高12％至16％，可以使透明区200的透过率在95％以上。
58.本实施例的另一个示例中，如图5所示，图5为在又一些示例性实施例中图2的显示基板的a-a剖面结构示意图，所述透明区200可以包括依次叠设于所述基底10上的无机复合
绝缘层和所述第二封装层32，且不包括所述平坦层15、所述第二电极层24和所述第一封装层31。本示例中，透明区200不包括所述平坦层15、所述第二电极层24和所述第一封装层31，这样可以提高透明区200的透过率，提高显示基板的透明度。
59.下面示例性地说明本公开显示基板的制备方法。本文所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本文中所说的“a和b同层设置”是指，a和b通过同一次构图工艺同时形成。“a的正投影包含b的正投影”是指，b的正投影落入a的正投影范围内，或者a的正投影覆盖b的正投影。
60.在一些示例性实施例中，本公开实施例的显示基板的制备方法可以包括如下步骤：
61.1)在基底10上形成发光区100的驱动结构层，以及透明区200的无机复合绝缘层和平坦层15，可以包括：
62.在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案至少包括发光区100的每个子像素的有源层。
63.随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案可以包括发光区100的每个子像素的栅电极和第一电容电极。
64.随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案可以包括发光区100的每个子像素的第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。第一电容电极和第二电容电极组成存储电容120。
65.随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14图案，每个子像素的第四绝缘层14上开设有至少两个过孔，两个过孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出每个子像素的有源层的表面。
66.随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层14上形成源漏金属层图案，源漏金属层可以包括每个子像素的源电极和漏电极，源电极和漏电极通过穿过第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12的两个过孔均与有源层连接。
67.随后，在形成前述图案的基底10上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，在每个子像素的平坦薄膜上形成过孔，该过孔内的平坦薄膜被显影掉，暴露出漏电极的表面，从而形成覆盖前述图案的平坦层15(pln)。
68.本示例中，如图6a所示，图6a为一些示例性实施例的显示基板在形成第一电极21
后的局部剖面结构示意图，驱动结构层中，有源层、栅电极、源电极和漏电极可以形成像素驱动电路的驱动薄膜晶体管110，第一电容电极和第二电容电极可以形成像素驱动电路的存储电容120。像素驱动电路对每个子像素的发光器件的驱动可以采用有源矩阵驱动方式，像素驱动电路包括多个薄膜晶体管和存储电容120，像素驱动电路可以为3t1c、5t1c或7t1c等结构。所述像素驱动电路形成在发光区100的第一区域101。
69.所述第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14可以采用无机材料，比如硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层11可称为缓冲(buffer)层，用于提高基底10的抗水氧能力，第二绝缘层12和第三绝缘层13可称为栅绝缘(gi)层，第四绝缘层14可称为层间绝缘(ild)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)或钼铌合金(monb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如ti/al/ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-igzo)、氮氧化锌(znon)、氧化铟锌锡(izto)、非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、六噻吩、聚噻吩等材料，即本公开实施例适用于基于氧化物oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的薄膜晶体管。所述基底10可以为玻璃材质或者透明塑料材质，比如聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚乙烯(pe)等。
70.至此，在基底10上制备完成发光区100的驱动结构层，以及透明区200的无机复合绝缘层和平坦层15。本示例中，所述透明区200的无机复合绝缘层包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。
71.2)在发光区100的所述驱动结构层上形成多个第一电极21，可以包括：
72.在所述平坦层15上沉积反射薄膜，通过构图工艺对反射薄膜进行构图形成位于第一区域101的多个反射层211。每个反射层211通过平坦层15设置的对应的一个过孔与漏电极连接。如图6a所示。
73.在多个反射层211的远离基底10一侧沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图形成位于发光区100的第一区域101和第二区域102的多个透明导电层212。每个透明导电层212设置在对应的一个反射层211的远离基底10的一侧，每个透明导电层212的中间部分位于第一区域101并覆盖在对应的一个反射层211上，每个透明导电层212的两端部分位于第二区域102。每个第一电极21包括一个反射层211和设置在该反射层211的远离基底10的一侧透明导电层212，由于反射层211位于第一区域101且不位于第二区域102，因此每个第一电极21的位于第二区域102的部分可以只有透明导电层212且为透明材料形成。如图6a所示。
74.3)在发光区100的所述多个第一电极21的远离所述基底10一侧形成像素界定层22和有机功能层23，可以包括：
75.在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，形成位于发光区100的像素界定层22。所述像素界定层22设有多个像素开口，每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极21的远离所述基底10的表面暴露出。像素定义层的材料可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
76.采用蒸镀工艺在发光区100的多个所述第一电极21的远离所述基底10的一侧依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入
层，从而形成所述有机功能层23，所述有机功能层23的每个膜层均为透明材料形成。如图6b所示，图6b为一些示例性实施例的显示基板在形成像素界定层22和有机功能层23后的局部剖面结构示意图。
77.4)形成第二电极层24和封装结构层30，可以包括：
78.一些示例中，可以采用蒸镀或溅射工艺在形成前述图案的基底10上沉积第二电极薄膜，形成位于发光区100和透明区200的第二电极层24。所述第二电极层24为透明材料形成，每个所述第一电极21、所述有机功能层23和所述第二电极层24形成一个所述发光器件。随后，在第二电极层24的远离基底10一侧形成位于发光区100和透明区200的封装结构层30，所述封装结构层30为透明材料形成，所述封装结构层30可以单层结构或多层结构。如图3所示。随后，可以在封装结构层30的背离基底10一侧贴合盖板。
79.另一些示例中，可以采用蒸镀或溅射工艺在形成前述图案的基底10上沉积第二电极薄膜，形成位于发光区100和透明区200的第二电极层24，所述第二电极层24为透明材料形成。随后，在第二电极层24的远离基底10一侧形成位于发光区100和透明区200的第一封装层31，所述第一封装层31为透明材料形成，如图6c所示，图6c为一些示例性实施例的显示基板在形成封装结构层30或第一封装层31后的局部剖面结构示意图。随后，可以采用掩膜、曝光、显影、刻蚀等工序，将透明区200的所述第一封装层31和所述第二电极层24刻蚀去除，如图6d所示，图6d为一些示例性实施例的显示基板在将透明区200的第一封装层31和第二电极层24去除后的局部剖面结构示意图。随后，在所述第一封装层31的远离所述基底10一侧形成位于发光区100和透明区200的第二封装层32，所述第二封装层32为透明材料形成，如图4所示。本示例的显示基板，透明区200不包括第二电极层24和第一封装层31，可以提高透明区200的光透过率。
80.本公开实施例还提供另一种制备显示基板的方法，所述显示基板包括多个显示单元，如图5所示，所述显示单元包括透明区200和发光区100，所述发光区100包括多个子像素，所述子像素包括像素驱动电路和发光器件；所述发光区100包括第一区域101和第二区域102，所述发光区100的多个子像素的像素驱动电路设置在所述第一区域101，所述第二区域102设置为能够发光且在不发光时具有透明度。所述像素驱动电路包括薄膜晶体管110。所述制备方法，可以包括如下步骤：
81.1)在基底10上形成发光区100的第一区域101的薄膜晶体管110，以及透明区200的无机复合绝缘层。本步骤的制备过程可以参考前文内容。
82.2)在所述薄膜晶体管110的远离所述基底10一侧形成位于发光区100和透明区200的平坦层15，可以包括：
83.在形成前述图案的基底10上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，形成覆盖前述图案的平坦层15(pln)。所述平坦层15在每个子像素内设有暴露出漏电极的表面的过孔152，以及在发光区100和透明区200的边界处形成有隔断槽151，隔断槽151可以将透明区200的平坦层15与发光区100的平坦层15隔断开。示例性地，所述隔断槽151的剖面形成可以为倒梯形，即所述隔断槽151的远离基底10的一端在基底10上的正投影包含所述隔断槽151的靠近基底10的一端在基底10上的正投影，所述隔断槽151的侧壁为斜面。如图7a所示，图7a为另一些示例性实施例的显示基板在形成平坦层15后的局部剖面结构示意图。
84.3)形成位于发光区100的多个第一电极21和位于透明区200的透明导电层212，可以包括：
85.在形成前述图案的基底10上沉积反射薄膜，通过构图工艺对反射薄膜进行构图形成位于第一区域101的多个反射层211。每个反射层211通过平坦层15设置的对应的一个过孔152与漏电极连接。
86.在形成前述图案的基底10上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图形成位于发光区100的第一区域101和第二区域102的多个透明导电层212，以及位于透明区200的透明导电层212。其中，发光区100内，每个透明导电层212设置在对应的一个反射层211的远离基底10的一侧，每个透明导电层212的中间部分位于第一区域101并覆盖在对应的一个反射层211上，每个透明导电层212的两端部分位于第二区域102。每个第一电极21包括一个反射层211和设置在该反射层211的远离基底10的一侧透明导电层212，由于反射层211位于第一区域101且不位于第二区域102，因此每个第一电极21的位于第二区域102的部分可以只有透明导电层212且为透明材料形成。此外，每个透明导电层212的位于第二区域102的两端部分将所述隔断槽151的朝向透明区200的槽壁覆盖，所述透明区200的透明导电层212将所述隔断槽151的朝向发光区100的槽壁暴露出，如图7b所示，图7b为另一些示例性实施例的显示基板在形成第一电极21后的局部剖面结构示意图。
87.4)对所述隔断槽151的朝向发光区100的槽壁进行灰化处理，使所述透明导电层212凸出于所述隔断槽151的朝向发光区100的槽壁。可以包括：
88.利用所述透明导电层212作用掩膜，可以采用刻蚀工艺对所述隔断槽151的朝向发光区100的槽壁进行刻蚀，使透明区200的所述透明导电层212凸出于所述隔断槽151的朝向发光区100的槽壁，以使后续形成的第二电极层24和第一封装层31可以在隔断槽151处断开。如图7c所示，图7c为另一些示例性实施例的显示基板在将隔离槽的朝向发光区100的槽壁进行灰化处理后的局部剖面结构示意图。
89.5)在发光区100的所述多个第一电极21的远离所述基底10一侧形成像素界定层22和有机功能层23，可以包括：
90.在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，形成位于发光区100的像素界定层22。所述像素界定层22设有多个像素开口，每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极21的远离所述基底10的表面暴露出。所述像素界定层22可以部分地设置在所述隔断槽151内，所述像素界定层22在基底10上的正投影可以包含所述隔断槽151的朝向透明区200的槽壁在所述基底10上的正投影。像素定义层的材料可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
91.采用蒸镀工艺在发光区100的多个所述第一电极21的远离所述基底10的一侧依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，从而形成所述有机功能层23，所述有机功能层23的每个膜层均为透明材料形成。如图7d所示，图7d为另一些示例性实施例的显示基板在形成像素界定层22和有机功能层23后的局部剖面结构示意图。
92.6)在形成前述图案的基底10上依次形成位于发光区100和透明区200的第二电极层24和第一封装层31，可以包括：
93.可以采用蒸镀或溅射工艺在形成前述图案的基底10上沉积第二电极薄膜，形成位
于发光区100和透明区200的第二电极层24。所述第二电极层24在所述隔断槽151处断开，所述第二电极层24为透明材料形成。每个所述第一电极21、所述有机功能层23和所述第二电极层24形成一个发光器件。
94.在所述第二电极层24的远离所述基底10一侧形成位于发光区100和透明区200的第一封装层31，所述第一封装层31在所述隔断槽151处断开，所述第一封装层31为透明材料形成。如图7e所示，图7e为另一些示例性实施例的显示基板在形成第二电极层24和第一封装层31后的局部剖面结构示意图。
95.7)将透明区200的所述平坦层15，以及叠设于所述平坦层15上的所述透明导电层212、所述第二电极层24和所述第一封装层31去除，如图7f所示，图7f为另一些示例性实施例的显示基板在将透明区200的平坦层15、以及叠设于平坦层15上的透明导电层212、第二电极层24和第一封装层31去除后的局部剖面结构示意图。
96.8)在所述第一封装层31的远离所述基底10一侧形成位于发光区100和透明区200的第二封装层32，所述第二封装层32为透明材料形成。如图5所示。本示例的显示基板中，透明区200不包括平坦层15、第二电极层24和第一封装层31，可以提高透明区200的光透过率。
97.基于上文内容，本公开实施例提供一种制备显示基板的方法，包括：
98.在基底上形成发光区的驱动结构层，以及透明区的无机复合绝缘层和平坦层，所述驱动结构层包括设置在所述第一区域的像素驱动电路，所述平坦层设于所述无机复合绝缘层的远离所述基底一侧；
99.在发光区的所述驱动结构层上形成多个第一电极，位于所述第二区域的所述第一电极为透明材料形成；
100.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个像素开口，每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出；
101.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底的一侧形成有机功能层，位于所述第二区域的所述有机功能层为透明材料形成；
102.在所述有机功能层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二电极层，所述第二电极层为透明材料形成，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个所述发光器件。
103.本实施例的一些示例中，所述制备方法，还可以包括：
104.在所述第二电极层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第一封装层，所述第一封装层为透明材料形成；
105.将透明区的所述第一封装层和所述第二电极层去除；
106.在所述第一封装层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二封装层，所述第二封装层为透明材料形成。
107.基于上文内容，本公开实施例还提供另一种制备所述显示基板的方法，包括：
108.在基底上形成发光区的第一区域的薄膜晶体管，以及透明区的无机复合绝缘层，所述像素驱动电路包括所述薄膜晶体管；
109.在所述薄膜晶体管的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的平坦层，发光区和透明区的边界处的所述平坦层设有隔断槽；
110.在所述平坦层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的透明导电薄膜，对所述透明导电薄膜进行图案化处理形成位于发光区的多个第一电极和位于透明区的透明导电层，所述第一电极将所述隔断槽的朝向透明区的槽壁覆盖，所述透明导电层将所述隔断槽的朝向发光区的槽壁暴露出；
111.对所述隔断槽的朝向发光区的槽壁进行灰化处理，使所述透明导电层凸出于所述隔断槽的朝向发光区的槽壁；
112.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个像素开口，每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出，所述像素界定层部分地设置在所述隔断槽内；
113.在发光区的所述多个第一电极的远离所述基底的一侧形成有机功能层，位于所述第二区域的所述有机功能层为透明材料形成；
114.在所述有机功能层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二电极层，所述第二电极层在所述隔断槽处断开，所述第二电极层为透明材料形成，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个所述发光器件；
115.在所述第二电极层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第一封装层，所述第一封装层在所述隔断槽处断开，所述第一封装层为透明材料形成；
116.将透明区的所述平坦层，以及叠设于所述平坦层上的所述透明导电层、所述第二电极层和所述第一封装层去除；
117.在所述第一封装层的远离所述基底一侧形成位于发光区和透明区的第二封装层，所述第二封装层为透明材料形成。
118.本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
119.在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了一些例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
120.在本文描述中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10
°
以上且10
°
以下的状态，因此，包括该角度为-5
°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态，因此，包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
121.在本文描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
122.在本文描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，或是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。