半导体存储装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体存储装置，具备：多个存储单元；字线，连接于所述多个存储单元的栅极；位线，经由分别连接于所述多个存储单元的一端的多个选择栅极晶体管，电连接于所述多个存储单元的一端；2条外部选择栅极线，分别连接于区块两端的2个所述选择栅极晶体管的栅极；1条以上的内部选择栅极线，连接于所述区块的两端以外的1个以上的所述选择栅极晶体管的栅极；以及电压生成电路，在读出记录在所述多个存储单元中的数据时，能够个别地控制对所述外部选择栅极线与内部选择栅极线的电压供给。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述电压生成电路个别地控制对所述外部选择栅极线与内部选择栅极线供给的电压的电压上升率。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述电压生成电路具备：外部选择栅极线用驱动器，对所述外部选择栅极线供给电压；以及内部选择栅极线用驱动器，对所述内部选择栅极线供给电压；所述外部选择栅极线用驱动器的电压供给路径上的电阻值比内部选择栅极线用驱动器的电压供给路径上的电阻值大。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述电压生成电路个别地控制对所述外部选择栅极线与内部选择栅极线供给的过驱动电压的施加期间。5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述电压生成电路具备：外部选择栅极线用电压产生电路，产生供给至所述外部选择栅极线的电压；以及内部选择栅极线用电压产生电路，产生供给至所述内部选择栅极线的电压；所述外部选择栅极线用电压产生电路的所述过驱动电压的施加期间比所述内部选择栅极线用电压产生电路短。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述电压生成电路具有产生供给至所述外部选择栅极线的电压的外部选择栅极线用驱动器，所述外部选择栅极线用驱动器根据所述多个存储单元中与并非读出对象的存储单元对应的外部选择栅极线的数量，来控制电压供给。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述外部选择栅极线用驱动器在与并非所述读出对象的存储单元对应的外部选择栅极线的数量为1的情况与为2的情况下，使电压供给路径上的电阻值发生变化。8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述电压生成电路具有产生供给至所述内部选择栅极线的电压的内部选择栅极线用驱动器，所述内部选择栅极线用驱动器根据所述多个存储单元中与并非读出对象的存储单元
对应的内部选择栅极线的数量，来控制电压供给。9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述内部选择栅极线用驱动器中，与并非所述读出对象的存储单元对应的内部选择栅极线的数量越多，则电压供给路径上的电阻值越小。

技术总结
实施方式提供一种能够将选择栅极线高速地设定为所期望的电压的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个存储单元；字线，连接于所述多个存储单元的栅极；位线，经由分别连接于所述多个存储单元的一端的多个选择栅极晶体管电连接于所述多个存储单元的一端；2条外部选择栅极线，分别连接于区块两端的2个所述选择栅极晶体管的栅极；1条以上的内部选择栅极线，连接于所述区块的两端以外的1个以上的所述选择栅极晶体管的栅极；以及电压生成电路，在读出记录在所述多个存储单元中的数据时，能够个别地控制对所述外部选择栅极线与内部选择栅极线的电压供给。内部选择栅极线的电压供给。内部选择栅极线的电压供给。


技术研发人员：中川知己 加藤光司 桥本寿文
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2021.01.22
技术公布日：2022/3/18