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热熔装置与热熔机的制作方法

2022-04-09 03:25:22 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种热熔装置,其特征在于,包括:一上模块件,包括一壳体与一上模板,所述壳体的上方内壁具有多个导引柱,所述上模板具有多个贯孔,所述上模板抵靠于所述壳体的相对的两侧壁,所述壳体与所述上模板之间形成一腔体;多个弹性元件,设置在所述腔体内,各所述弹性元件的一端套设在各所述导引柱且连接在所述壳体的上方内壁;多个第一热熔柱,设置在所述腔体内,各所述第一热熔柱活动地穿设于各所述贯孔;以及一导引板,活动地设置在多个所述弹性元件与多个所述第一热熔柱之间,所述导引板的一上表面与多个所述弹性元件的另一端相接触,所述导引板的一下表面与多个所述第一热熔柱相接触。2.如权利要求1所述的热熔装置,其特征在于,包括一固定柱与一第二热熔柱,所述第二热熔柱固定在其中一所述贯孔,所述固定柱相邻所述弹性元件而设置在所述腔体内,所述固定柱的一端抵靠于所述壳体的上方内壁,所述固定柱的另一端抵接于所述第二热熔柱。3.如权利要求1所述的热熔装置,其特征在于,相邻两个所述弹性元件之间相隔一间距,以使所述弹性元件接触所述导引板的所述上表面时,多个所述弹性元件平均分布于所述导引板的所述上表面。4.一种热熔机,其特征在于,包括:一主体,所述主体内部具有一容置空间;一热熔装置,设置在所述容置空间,所述热熔装置包括一上模块件、多个弹性元件、多个第一热熔柱以及一导引板,所述上模块件包括一壳体与一上模板,所述壳体的上方内壁具有多个导引柱,所述上模板具有多个贯孔,所述上模板抵靠于所述壳体的相对的两侧壁,所述壳体与所述上模板之间形成一腔体,所述弹性元件设置在所述腔体内,各所述弹性元件的一端套设在各所述导引柱且连接在所述壳体的上方内壁,多个所述第一热熔柱设置在所述腔体内,各所述第一热熔柱活动地穿设于各所述贯孔,所述导引板活动地设置在多个所述弹性元件与多个所述第一热熔柱组件之间,所述导引板的一上表面与多个所述弹性元件的另一端相接触,所述导引板的一下表面与多个所述第一热熔柱相接触;以及一下模块件,设置在所述容置空间,且所述下模块件相对设置在所述热熔装置下方,所述下模块件用以承载一第一工件与具有多个熔接部的一第二工件。5.如权利要求4所述的热熔机,其特征在于,所述热熔装置包括一固定柱与一第二热熔柱,所述第二热熔柱固定在其中一所述贯孔,所述固定柱相邻所述弹性元件而设置在所述腔体内,所述固定柱的一端抵靠于所述壳体的上方内壁,所述固定柱的另一端抵接于所述第二热熔柱。6.如权利要求5所述的热熔机,其特征在于,进一步包括一气动组件,所述气动组件设置在所述容置空间,所述气动组件包括一气缸轴承件、一压板、多个套筒及多个支撑柱,所述套筒活动地套设在所述支撑柱上,多个所述套筒连接所述压板,所述气缸轴承件用以对所述压板施加一下压力时,所述压板通过所述套筒套设在所述支撑柱而沿着所述支撑柱移动。
7.如权利要求6所述的热熔机,其特征在于,所述热熔装置固定在所述压板上,并且随着所述压板向下移动,使多个所述第一热熔柱与所述第二热熔柱下压所述第一工件的多个所述熔接部以及所述第二工件,进而使多个所述熔接部熔化且熔接所述第一工件与所述第二工件。8.如权利要求7所述的热熔机,其特征在于,包括多个固定件,多个所述固定件用以将加热组件与所述热熔装置固定在所述压板。9.如权利要求6所述的热熔机,其特征在于,包括一加热组件,所述加热组件设置在所述压板与所述热熔装置之间,所述加热组件用以加热所述热熔装置。10.如权利要求9所述的热熔机,其特征在于,包括一压力感测组件,设置在所述气缸轴承件与所述压板之间,所述弹性元件中的多个弹性元件会于多个所述第一热熔柱下压在所述第一工件的多个所述熔接部以及所述第二工件时对应产生一形变,所述压力感测组件用以感测所述弹性元件依据所述形变时产生的一回复力,并据以发出一压力信号。11.如权利要求10所述的热熔机,其特征在于,进一步包括一控制模块,所述控制模块电性连接所述气动组件、所述加热组件以及所述压力感测组件,所述控制模块包括设置在所述主体的触孔显示面板,所述控制模块用以接收所述压力信号,并将所述压力信号转换为一输出结果显示在触控显示面板。

技术总结
本发明公开一种热熔装置与热熔机。热熔装置包括上模块件、多个弹性元件、多个第一热熔柱以及导引板。上模块件包括壳体与上模板。壳体的上方内壁具有多个导引柱,上模板具有多个贯孔。上模板抵靠于壳体的相对的两侧壁,且在壳体与上模板之间形成腔体。多个弹性元件及多个第一热熔柱设置在腔体内。各弹性元件的一端套设在各导引柱且连接在壳体的上方内壁。各第一热熔柱活动地穿设于各贯孔。导引板活动地设置在多个弹性元件与多个第一热熔柱之间,导引板的上表面与多个弹性元件的另一端相接触,导引板的下表面与多个第一热熔柱相接触。引板的下表面与多个第一热熔柱相接触。引板的下表面与多个第一热熔柱相接触。


技术研发人员:冯胜杉 窦宏凯
受保护的技术使用者:和硕联合科技股份有限公司
技术研发日:2021.08.06
技术公布日:2022/4/8
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