激光加工装置的制作方法

1.本发明涉及激光加工装置，其对具有由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片照射激光光线而实施加工。


背景技术：

2.晶片在正面上形成有由交叉的多条分割预定线划分ic、lsi等多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，该晶片在对背面进行磨削而形成为期望的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
3.当将晶片薄化时，晶片的搬送和追加加工变得困难，因此本技术人提出了如下的技术：对与器件区域对应的背面进行磨削而在与外周剩余区域对应的背面形成环状的增强部(例如参照专利文献1)。
4.在将晶片分割成各个器件芯片时，环状的增强部成为障碍，因此对器件区域与外周剩余区域的边界部照射激光光线而将环状的增强部去除。
5.专利文献1：日本特开2015-147231号公报
6.但是，有时进行在晶片的正面或背面上包覆金属膜等的追加加工，因此存在如下的问题：必须根据晶片的基板的材质、包覆于晶片的膜的材质等而适当调整向晶片照射的激光光线的功率，不胜其烦。


技术实现要素：

7.由此，本发明的目的在于提供激光加工装置，其能够容易地调整向晶片照射的激光光线的功率。
8.根据本发明，提供激光加工装置，其对具有由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片照射激光光线而实施加工，其中，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其对该晶片进行保持；激光光线照射单元，其对该卡盘工作台所保持的该晶片的该器件区域与该外周剩余区域的边界部照射激光光线；以及移动机构，其使该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对地移动，该激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出激光；聚光器，其使从该激光振荡器射出的激光光线会聚；以及等离子光检测器，其对从通过激光光线的照射而实施了加工的区域发出的等离子光进行检测。
9.优选该激光加工装置还包含分束器，该分束器配设于该聚光器与该激光振荡器之间，将等离子光分支而向分支路引导，该等离子光检测器配设于该分支路。优选在该晶片的正面或背面上包覆有金属膜，该激光光线照射单元还包含功率设定单元，该功率设定单元用于选择材质的种类而设定激光光线的功率。优选该激光光线照射单元还包含差错发送单元，该差错发送单元在根据该等离子光检测器所检测的等离子光而确定的材质的种类与利
用该功率设定单元而选择的材质的种类不同的情况下，发送差错。优选在该晶片的与该器件区域对应的背面上形成有凹部，在该晶片的与该外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的增强部，激光光线向该环状的增强部的根部照射。优选该激光光线照射单元在该等离子光检测器不再检测到等离子光时，停止激光光线的照射。
10.根据本发明，激光光线照射单元包含对等离子光进行检测的等离子光检测器，因此根据从通过激光光线的照射而实施了加工的区域发出的等离子光的检测结果，能够容易地调整向晶片照射的激光光线的功率。
附图说明
11.图1是包含本发明实施方式的激光加工装置在内的加工装置的立体图。
12.图2是通过图1所示的加工装置实施加工的晶片的立体图。
13.图3是图1所示的晶片盒台等的立体图。
14.图4是图1所示的手部的立体图。
15.图5是图1所示的框架收纳单元等的立体图。
16.图6的(a)是图1所示的框架台位于下降位置的状态下的带粘贴单元等的立体图，图6的(b)是图1所示的框架台位于上升位置的状态下的带粘贴单元等的立体图。
17.图7是图1所示的带压接单元的分解立体图。
18.图8是示出在带压接工序中开始按压辊对带的按压的状态的剖视图。
19.图9是示出在带压接工序中结束按压辊对带的按压的状态的剖视图。
20.图10是图1所示的增强部去除单元的立体图。
21.图11的(a)是图1所示的暂放台的强永久磁铁位于上升位置的情况下的框架支承部的剖视图，图11的(b)是图1所示的暂放台的强永久磁铁位于下降位置的情况下的框架支承部的剖视图。
22.图12的(a)是图1所示的激光加工装置的保持单元的立体图，图12的(b)是从下方观察图12的(a)所示的第一升降台的立体图。
23.图13是示出激光光线照射单元的结构的框图。
24.图14的(a)是示出输入至控制单元的信号的例子的曲线图，图14的(b)是示出等离子光的波长、实施了激光加工的区域的材质以及激光光线的功率之间的关系的表。
25.图15是示出在增强部去除工序中对晶片的根部照射激光光线的状态的示意图。
26.图16是图1所示的增强部去除单元的分离部的立体图。
27.图17是示出在增强部去除工序中将增强部从晶片分离的状态的示意图。
28.图18是图1所示的增强部去除单元的废弃部的立体图。
29.图19是图1所示的无环单元搬出单元的翻转机构的立体图。
30.图20是图1所示的无环单元搬出单元的无环单元支承部和推入部的立体图。
31.图21是示出实施无环单元收纳工序的状态的立体图。
32.标号说明
33.4：晶片；4a：晶片的正面；4b：晶片的背面；14：器件；16：分割预定线；18：器件区域；20：外周剩余区域；23：凹部；24：增强部；500：激光加工装置；502：保持单元；504：激光光线照射单元；506：移动机构；510：激光振荡器；512：聚光器；514：分支路；516：分束器；518：等
离子光检测器；526：功率设定单元；lb：激光光线；p：等离子光。
具体实施方式
34.以下，举出包含本发明的激光加工装置在内的加工装置为例，参照附图说明本发明实施方式的激光加工装置。
35.参照图1进行说明，将整体用标号2示出的加工装置具有：晶片盒台8，其载置有对多个晶片进行收纳的晶片盒6；晶片搬出单元10，其从载置于晶片盒台8的晶片盒6搬出晶片；以及晶片台12，其对通过晶片搬出单元10搬出的晶片的正面侧进行支承。
36.在图2中示出通过加工装置2实施加工的晶片4。晶片4的正面4a形成有由格子状的分割预定线16划分ic、lsi等多个器件14的器件区域18以及围绕器件区域18的外周剩余区域20。在图2中，为了便于说明，用双点划线示出器件区域18与外周剩余区域20的边界部22，但实际上示出边界部22的线是不存在的。在晶片4的与器件区域18对应的背面4b上形成有圆形状的凹部23，在晶片4的与外周剩余区域20对应的背面4b上呈凸状形成有环状的增强部24，外周剩余区域20的厚度大于器件区域18的厚度。另外，在晶片4的周缘形成有表示晶体取向的切口26。可以在晶片4的正面4a或背面4b上包覆铝、铜等金属膜。
37.如图3所示，在盒6中以正面4a朝上的状态沿上下方向隔开间隔而收纳有多张晶片4。本实施方式的晶片盒台8具有载置盒6的顶板28和支承顶板28的支承板30。另外，顶板28升降自如，也可以设置使顶板28升降而定位于任意的高度的升降机构。
38.参照图3继续进行说明，晶片搬出单元10具有在图3中箭头y所示的y轴方向上移动自如的y轴可动部件32以及使y轴可动部件32在y轴方向上移动的y轴进给机构34。y轴进给机构34具有与y轴可动部件32的下端连结且沿y轴方向延伸的滚珠丝杠36以及使滚珠丝杠36旋转的电动机38。y轴进给机构34通过滚珠丝杠36将电动机38的旋转运动转换成直线运动并传递至y轴可动部件32，使y轴可动部件32沿着在y轴方向上延伸的一对导轨40在y轴方向上移动。另外，图3中箭头x所示的x轴方向是与y轴方向垂直的方向，图3中箭头z所示的z轴方向是与x轴方向和y轴方向垂直的上下方向。x轴方向和y轴方向所限定的xy平面实质上是水平的。
39.如图3所示，本实施方式的晶片搬出单元10具有：搬送臂42；以及手部44，其配设于搬送臂42的前端，对收纳于晶片盒6的晶片4的背面4b进行支承，使晶片4的正面和背面翻转。搬送臂42设置于y轴可动部件32的上表面上，通过空气驱动源或电动驱动源等适当的驱动源(未图示)进行驱动。该驱动源驱动搬送臂42而将手部44在x轴方向、y轴方向和z轴方向的各个方向上定位于任意的位置，并且使手部44上下翻转。
40.参照图4进行说明，优选手部44是通过空气的喷出产生负压而以非接触的方式支承晶片4的伯努利垫。本实施方式的手部44整体上为c形状，在手部44的一个面上形成有与压缩空气提供源413连接的多个空气喷出口46。在手部44的外周缘沿周向隔开间隔而附设有多个引导销48。各引导销48构成为在手部44的径向上移动自如。
41.如图3和图4所示，晶片搬出单元10在将手部44定位于载置在晶片盒台8的晶片盒6内的晶片4的背面4b侧(下侧)之后，从手部44的空气喷出口46喷出压缩空气，通过伯努利效应在手部44的一个面侧生成负压，通过手部44以非接触的方式从背面4b侧吸引支承晶片4。吸引支承于手部44的晶片4的水平移动通过各引导销48进行限制。并且，晶片搬出单元10使
y轴可动部件32和搬送臂42移动，由此将手部44所吸引支承的晶片4从晶片盒6中搬出。
42.如图4所示，本实施方式的晶片搬出单元10具有对晶片4的切口26的位置进行检测的切口检测单元50。切口检测单元50例如可以构成为包含相互在上下方向上隔开间隔而配置的发光元件52和受光元件54以及使手部44的至少一个引导销48旋转的驱动源(未图示)。
43.发光元件52和受光元件54可以借助适当的托架(未图示)而附设于y轴可动部件32或搬送路径上。另外，当通过上述驱动源使引导销48旋转时，由于引导销48的旋转而使手部44所吸引支承的晶片4旋转。为了将旋转从引导销48可靠地传递至晶片4，优选通过驱动源进行旋转的引导销48的外周面由适当的合成橡胶形成。
44.切口检测单元50在通过手部44对晶片4进行吸引支承并且将晶片4的外周定位于发光元件52与受光元件54之间的状态下，利用驱动源借助引导销48而使晶片4旋转，由此能够检测切口26的位置。由此，能够将晶片4的朝向调整成任意的朝向。
45.如图3所示，晶片台12与晶片搬出单元10相邻地配置。本实施方式的晶片台12具有：环状支承部56，其对晶片4的外周剩余区域20进行支承，与比外周剩余区域20靠内侧的部分非接触；以及框架支承部58，其配设于环状支承部56的外周，对后述的环状框架64(参照图5)进行支承。在环状支承部56的上表面上形成有在周向上隔开间隔而配置的多个吸引孔60，各吸引孔60与吸引单元(未图示)连接。晶片台12中的比环状支承部56靠径向内侧的部分成为向下方凹陷的圆形的凹部62。
46.当手部44翻转180
°
而使晶片4的正面和背面翻转从而在晶片4的正面4a朝下的状态下将晶片4载置于晶片台12时，晶片4的外周剩余区域20被环状支承部56支承，晶片4的器件区域18位于凹部62。因此，即使在形成有器件14的正面4a朝下的状态下将晶片4载置于晶片台12，器件14与晶片台12也不接触，因此可防止器件14的损伤。另外，晶片台12在通过环状支承部56对外周剩余区域20进行支承之后，使吸引单元进行动作而在各吸引孔60产生吸引力，对外周剩余区域20进行吸引保持，由此防止晶片4的位置偏移。
47.参照图5进行说明，加工装置2还具有：框架收纳单元66，其对多个形成有收纳晶片4的开口部64a的环状的环状框架64进行收纳；框架搬出单元68，其将环状框架64从框架收纳单元66搬出；以及框架台70，其对通过框架搬出单元68搬出的环状框架64进行支承。
48.如图5所示，本实施方式的框架收纳单元66具有：壳体72；升降板74，其升降自如地配置在壳体72内；以及升降机构(未图示)，其使升降板74升降。在图5中，在壳体72的x轴方向里侧的侧面上配置有沿z轴方向延伸的z轴引导部件78。升降板74升降自如地支承于z轴引导部件78，使升降板74升降的升降机构配置于z轴引导部件78的内部。升降机构例如可以构成为具有与升降板74连结且沿z轴方向延伸的滚珠丝杠以及使该滚珠丝杠旋转的电动机。在图5中，在壳体72的x轴方向近前侧的侧面上设置有附设了把手76a的门76，在框架收纳单元66中，对把手76a进行把持而将门76打开，由此能够将环状框架64收纳于壳体72的内部。另外，在壳体72的上端设置有开口部80。
49.如图5所示，由强磁性体形成的环状框架64在壳体72的内部层叠于升降板74的上表面而被收纳。通过框架搬出单元68从壳体72的开口部80搬出所层叠的多张环状框架64中的最上层的环状框架64。另外，框架收纳单元66在从开口部80搬出环状框架64时，通过升降机构使升降板74适当地上升，将最上层的环状框架64定位于能够通过框架搬出单元68搬出的位置。
50.参照图5继续进行说明，框架搬出单元68包含：x轴引导部件82，其固定于适当的托架(未图示)，沿x轴方向延伸；x轴可动部件84，其在x轴方向上移动自如地支承于x轴引导部件82；x轴进给机构(未图示)，其使x轴可动部件84在x轴方向上移动；z轴可动部件86，其在z轴方向上移动自如地支承于x轴可动部件84；以及z轴进给机构(未图示)，其使z轴可动部件86在z轴方向上移动。框架搬出单元68的x轴进给机构可以构成为具有与x轴可动部件84连结且沿x轴方向延伸的滚珠丝杠以及使该滚珠丝杠旋转的电动机，z轴进给机构可以构成为具有与z轴可动部件86连结且沿z轴方向延伸的滚珠丝杠以及使该滚珠丝杠旋转的电动机。
51.框架搬出单元68的z轴可动部件86具有对环状框架64进行保持的保持部88。本实施方式的保持部88具有矩形状的基板90以及设置于基板90的下表面的多个吸引垫92，各吸引垫92与吸引单元(未图示)连接。
52.框架搬出单元68在利用保持部88的吸引垫92对收纳于框架收纳单元66的最上层的环状框架64进行吸引保持之后，使x轴可动部件84和z轴可动部件86移动，由此将所吸引保持的最上层的环状框架64从框架收纳单元66搬出。
53.如图5所示，框架台70在实线所示的下降位置与双点划线所示的上升位置之间升降自如地支承于z轴引导部件94。在z轴引导部件94附设有使框架台70在下降位置与上升位置之间升降的适当的驱动源(例如空气驱动源或电动驱动源)。在框架台70中，在下降位置接受通过框架搬出单元68搬出的环状框架64。
54.如图1和图5所示，加工装置2包含：带粘贴单元98(参照图1)，其配设于框架台70的上方，将带96粘贴于环状框架64；含带框架搬送单元100(参照图5)，其将粘贴有带96的环状框架64(以下有时称为“含带框架64
’”
)搬送至晶片台12，将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b而将含带框架64’载置于晶片台12；以及带压接单元102(参照图1)，其将含带框架64’的带96压接在晶片4的背面4b上。
55.参照图6进行说明，本实施方式的带粘贴单元98具有：卷带支承部104，其对卷绕使用前的带96而得的卷带96r进行支承；卷带取部106，其对使用完的带96进行卷取；带拉出部108，其从卷带96r拉出带96；压接部110，其将所拉出的带96压接在环状框架64上；以及切断部112，其将向环状框架64的外周探出的带96沿着环状框架64切断。
56.如图6所示，卷带支承部104包含以沿x轴方向延伸的轴线为中心而旋转自如地支承于适当的托架(未图示)的支承辊114。在支承辊114上支承有将用于对带96的粘接面进行保护的剥离纸116附设于带96的粘接面上并卷绕成圆筒状而得的卷带96r。
57.卷带取部106包含以沿x轴方向延伸的轴线为中心而旋转自如地支承于适当的托架(未图示)的卷取辊118以及使卷取辊118旋转的电动机(未图示)。如图6所示，卷带取部106通过电动机使卷取辊118旋转，由此对形成有相当于粘贴在环状框架64的部分的圆形的开口部120的使用完的带96进行卷取。
58.参照图6继续进行说明，带拉出部108包含：拉出辊122，其配置于卷带支承部104的支承辊114的下方；电动机(未图示)，其使拉出辊122旋转；以及从动辊124，其伴随拉出辊122的旋转而旋转。带拉出部108通过电动机使从动辊124与拉出辊122一起旋转，由此将利用拉出辊122和从动辊124夹持的带96从卷带96r拉出。
59.将剥离纸116从在拉出辊122与从动辊124之间通过的带96剥离，所剥离的剥离纸116通过剥离纸卷取部126进行卷取。本实施方式的剥离纸卷取部126具有配置于从动辊124
的上方的剥离纸卷取辊128以及使剥离纸卷取辊128旋转的电动机(未图示)。另外，剥离了剥离纸116的带96经由与拉出辊122在y轴方向上隔开间隔而配置的引导辊130而引导至卷取辊118。
60.压接部110包含在y轴方向上移动自如地配置的按压辊132以及使按压辊132在y轴方向上移动的y轴进给机构(未图示)。压接部110的y轴进给机构可以由适当的驱动源(例如空气驱动源或电动驱动源)构成。
61.如图6所示，切断部112包含：z轴引导部件134，其固定于适当的托架(未图示)，沿z轴方向延伸；z轴可动部件136，其在z轴方向上移动自如地支承于z轴引导部件134；以及z轴进给机构(未图示)，其使z轴可动部件136在z轴方向上移动。切断部112的z轴进给机构可以构成为具有与z轴可动部件136连结且沿z轴方向延伸的滚珠丝杠以及使该滚珠丝杠旋转的电动机。
62.另外，切断部112包含固定于z轴可动部件136的前端下表面的电动机138以及通过电动机138以沿z轴方向延伸的轴线为中心而旋转的臂片140。在臂片140的下表面上相互隔开间隔而附设有第一、第二垂下片142a、142b。在第一垂下片142a上以与z轴方向垂直的轴线为中心而旋转自如地支承有圆形的切割器144，在第二垂下片142b上以与z轴方向垂直的轴线为中心而旋转自如地支承有按压辊146。
63.在从框架搬出单元68接受了环状框架64的框架台70从下降位置(图6的(a)所示的位置)定位于上升位置(图6的(b)所示的位置)之前，带粘贴单元98通过拉出辊122与从动辊124将未使用的带96拉出。并且，按照能够通过压接部110的按压辊132将带96按压至环状框架64的程度将框架台70定位于上升位置，使环状框架64隔着带96而与按压辊132接触。并且，一边利用按压辊132将带96的粘接面按压至环状框架64一边使按压辊132在y轴方向上转动移动。由此，能够将通过带拉出部108从卷带96r拉出的带96压接于环状框架64。
64.在将带96压接于环状框架64之后，带粘贴单元98通过z轴进给机构使切断部112的z轴可动部件136下降，使切割器144按压至环状框架64上的带96，并且利用按压辊146从带96上按压环状框架64。接着，通过电动机138使臂片140旋转，按照描绘圆的方式使切割器144和按压辊146沿着环状框架64移动。由此，能够将向环状框架64的外周探出的带96沿着环状框架64切断。另外，利用按压辊146从带96上按压环状框架64，因此在将带96切断时，可防止环状框架64或带96的位置偏移。并且，在使框架台70下降之后，形成有相当于粘贴在环状框架64的部分的圆形的开口部120的使用完的带96通过卷带取部106进行卷取。
65.如图5所示，含带框架搬送单元100包含：y轴引导部件148，其固定于适当的托架(未图示)，沿y轴方向延伸；y轴可动部件150，其在y轴方向上移动自如地支承于y轴引导部件148；y轴进给机构(未图示)，其使y轴可动部件150在y轴方向上移动；z轴可动部件152，其在z轴方向上移动自如地支承于y轴可动部件150；以及z轴进给机构(未图示)，其使z轴可动部件152在z轴方向上移动。含带框架搬送单元100的y轴进给机构可以构成为具有与y轴可动部件150连结且沿y轴方向延伸的滚珠丝杠以及使该滚珠丝杠旋转的电动机，z轴进给机构可以构成为具有与z轴可动部件152连结且沿z轴方向延伸的滚珠丝杠以及使该滚珠丝杠旋转的电动机。
66.含带框架搬送单元100的z轴可动部件152具有对含带框架64’进行保持的保持部154。本实施方式的保持部154具有矩形状的基板156以及设置于基板156的下表面的多个吸
引垫158，各吸引垫158与吸引单元(未图示)连接。
67.含带框架搬送单元100利用保持部154的各吸引垫158对以带96的粘接面朝下的状态支承于框架台70的含带框架64’的上表面进行吸引保持并使y轴可动部件150和z轴可动部件152移动，由此将保持部154所吸引保持的含带框架64’从框架台70搬送至晶片台12，将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b而将含带框架64’载置于晶片台12。
68.参照图7至图9，对带压接单元102进行说明。如图7所示，带压接单元102具有：上部腔室160，其配设于晶片台12的上方；下部腔室162，其对晶片台12进行收纳；升降机构164，其使上部腔室160升降而生成与下部腔室162接触的封闭状态和从下部腔室162离开的开放状态；真空部166，其在封闭状态下使上部腔室160和下部腔室162为真空；以及大气开放部168，其使上部腔室160和下部腔室162向大气开放。
69.如图7所示，本实施方式的上部腔室160包含圆形的顶板170以及从顶板170的周缘垂下的圆筒状的侧壁172。在顶板170的上表面上安装有可以由空气气缸等适当的致动器构成的升降机构164。在通过顶板170的下表面和侧壁172的内周面限定的收纳空间内配置有：按压辊174，其用于将含带框架64’的带96按压至晶片台12所支承的晶片4的背面4b；支承片176，其将按压辊174支承为旋转自如；以及y轴进给机构178，其使支承片176在y轴方向上移动。
70.y轴进给机构178具有与支承片176连结且沿y轴方向延伸的滚珠丝杠180以及使滚珠丝杠180旋转的电动机182。并且，y轴进给机构178通过滚珠丝杠180将电动机182的旋转运动转换成直线运动并传递至支承片176，使支承片176沿着在y轴方向上延伸的一对导轨184移动。
71.如图7所示，下部腔室162具有圆筒状的侧壁186，侧壁186的上部开放，侧壁186的下部封闭。在侧壁186上形成有连接开口188。在连接开口188上经由流路190而连接有可以由适当的真空泵构成的真空部166。在流路190上设置有可以由能够使流路190向大气开放的适当的阀构成的大气开放部168。
72.带压接单元102在将含带框架64’的带96定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b的状态下，通过升降机构164使上部腔室160下降，使上部腔室160的侧壁172的下端与下部腔室162的侧壁186的上端接触，使上部腔室160和下部腔室162成为封闭状态，并且使按压辊174与含带框架64’接触。
73.接着，带压接单元102在使构成大气开放部168的阀关闭的状态下使构成真空部166的真空泵进行动作，使上部腔室160和下部腔室162的内部成为真空，然后如图8和图9所示，利用y轴进给机构178使按压辊174在y轴方向上转动移动，由此将带96压接于晶片4的背面4b而生成框架单元u。
74.当通过按压辊174将带96压接于晶片4的背面4b时，在环状的增强部24的根部，在晶片4与带96之间形成略微的间隙，但在使上部腔室160和下部腔室162的内部成为真空的状态下将晶片4和带96压接，因此晶片4与带96之间的略微的间隙的压力比大气压低，当在将带96压接后使大气开放部168开放时，通过大气压将带96按压至晶片4。由此，增强部24的根部的晶片4与带96之间的间隙消失，带96沿着增强部24的根部紧贴于晶片4的背面4b。
75.如图1和图10所示，加工装置2还包含：框架单元搬出单元192，其将通过带压接单
元102将含带框架64’的带96和晶片4的背面4b压接而得的框架单元u从晶片台12搬出；增强部去除单元194，其从通过框架单元搬出单元192搬出的框架单元u的晶片4将环状的增强部24切断去除；无环单元搬出单元196(参照图1)，其将去除了环状的增强部24的无环单元从增强部去除单元194搬出；以及框架盒台200(参照图1)，其对收纳通过无环单元搬出单元196而搬出的无环单元的框架盒198进行载置。
76.如图10所示，本实施方式的框架单元搬出单元192具有：框架单元保持部202，其包含使晶片4的外周的全部或一部分露出而对晶片4进行保持的晶片保持部202a和对环状框架64进行保持的框架保持部202b；以及搬送部206，其将框架单元保持部202搬送至暂放台204。
77.框架单元保持部202的晶片保持部202a包含圆形状的基板208以及安装于基板208的下表面的吸附片210。在吸附片210的下表面上形成有多个吸引孔(未图示)，各吸引孔与吸引单元(未图示)连接。吸附片210的形状例如可以是比晶片4的直径小的圆形状。框架保持部202b包含从晶片保持部202a的基板208的周缘在周向上隔开间隔地向径向外侧突出的多个(在本实施方式中为四个)突出片212以及附设于突出片212的下表面的吸引垫214，各吸引垫214与吸引单元(未图示)连接。
78.搬送部206包含：x轴引导部件216，其固定于适当的托架(未图示)，沿x轴方向延伸；x轴可动部件218，其在x轴方向上移动自如地支承于x轴引导部件216；x轴进给机构(未图示)，其使x轴可动部件218在x轴方向上移动；z轴可动部件220，其在z轴方向上移动自如地支承于x轴可动部件218；z轴进给机构(未图示)，其使z轴可动部件220在z轴方向上移动；y轴可动部件222，其在y轴方向上移动自如地支承于z轴可动部件220；以及y轴进给机构(未图示)，其使y轴可动部件222在y轴方向上移动。在y轴可动部件222的前端连结有晶片保持部202a的基板208。搬送部206的x轴、y轴、z轴进给机构分别可以构成为具有滚珠丝杠和使滚珠丝杠旋转的电动机。
79.框架单元搬出单元192还具有：拍摄部224，其对框架单元保持部202所保持的框架单元u的晶片4的外周进行拍摄；以及照明部400，其配设于夹着晶片4而与拍摄部224对置的位置。本实施方式的拍摄部224配置于晶片台12与暂放台204之间，从晶片4的下方对框架单元保持部202所保持的框架单元u的晶片4的外周进行拍摄。
80.框架单元搬出单元192在利用晶片保持部202a的吸附片210从背面4b侧(带96侧)吸引保持晶片4并且利用框架保持部202b的吸引垫214吸引保持环状框架64的状态下使搬送部206进行动作，由此将框架单元保持部202所保持的框架单元u从晶片台12搬出。在晶片保持部202a的吸附片210吸引保持晶片4时，未通过吸附片210覆盖晶片4的整个背面4b侧，即在晶片4的背面4b上存在未被吸附片210吸附的部分，晶片4的外周的全部或一部分露出。
81.另外，本实施方式的框架单元搬出单元192使搬送部206进行动作，利用拍摄部224对框架单元保持部202所保持的框架单元u的晶片4的外周露出的部分(未被吸附片210覆盖的部分)中的至少三处进行拍摄，由此测量晶片4的外周的至少三点的坐标，根据所测量的三点的坐标，求出晶片4的中心坐标。在本实施方式中，吸附片210所吸引保持的晶片4的外周的全部或一部分露出，因此通过照明部400从晶片4的上方对晶片4的外周的露出部分进行照明，通过拍摄部224从晶片4的下方对晶片4的外周的露出部分进行拍摄，由此能够清楚地拍摄晶片4的轮廓，能够精密地求出晶片4的中心坐标。并且，框架单元搬出单元192使晶
片4的中心与暂放台204的中心一致而将框架单元u暂放于暂放台204。
82.如图10所示，暂放台204与晶片台12在x轴方向上隔开间隔而配置。本实施方式的暂放台204具有：环状支承部226，其对框架单元u的晶片4的外周剩余区域20进行支承，与比外周剩余区域20靠内侧的部分非接触；以及框架支承部228，其配设于环状支承部226的外周，对环状框架64进行支承。框架支承部228包含：强永久磁铁402，其具有比后述的第一升降台420的永久磁铁424强的磁力；以及脱离部404，其使磁性吸附于强永久磁铁402的环状框架脱离。
83.如图10所示，强永久磁铁402在周向上隔开间隔而收纳于框架支承部228的框体406的上端。参照图11进行说明，本实施方式的强永久磁铁402具有：圆柱状的主部402a，其利用上端面磁性吸附环状框架；以及环状的凸缘部402b，其从主部402a的下端向径向外侧延伸。另外，强永久磁铁402在图11的(a)所示的上升位置与图11的(b)所示的下降位置之间沿上下方向移动自如地收纳于框体406的收纳孔406a。参照图11可理解，在上升位置，强永久磁铁402的上表面与框体406的上表面为同一平面，在下降位置，强永久磁铁402的上表面位于比框体406的上表面靠下方例如5mm左右的位置。另外，框体406由非磁性体形成。
84.如图11所示，在框体406的收纳孔406a的上下方向中间部设置有分隔壁408，通过该分隔壁408将框体406的收纳孔406a分隔成对强永久磁铁402进行收纳的上侧收纳室410和对脱离部404进行收纳的下侧收纳室412。在分隔壁408的中央部形成有贯通开口408a。
85.在上侧收纳室410的上端侧形成有向径向内侧突出的突出部410a。如图11的(a)所示，在从脱离部404对强永久磁铁402施加朝上的力时，强永久磁铁402的凸缘部402b的上端卡在突出部410a的下端，由此将强永久磁铁402定位于上升位置。另一方面，当从脱离部404对强永久磁铁402施加朝下的力时，如图11的(b)所示，强永久磁铁402的下表面与分隔壁408的上表面接触，将强永久磁铁402定位于下降位置。另外，在下侧收纳室412沿上下方向隔开间隔而形成有上部开口412a和下部开口412b。
86.参照图11继续进行说明，本实施方式的脱离部404具有：杆414，其从强永久磁铁402的下端通过贯通开口408a而向下方延伸；活塞416，其固定于杆414的下端，配置于下侧收纳室412；螺旋弹簧418，其配置于活塞416的下方；以及压缩空气提供源413，其与下侧收纳室412的上部开口412a连接。
87.在脱离部404中，停止从压缩空气提供源413向下侧收纳室412提供压缩空气并通过螺旋弹簧418将活塞416向上方推起，由此对强永久磁铁402施加朝上的力，使强永久磁铁402相对于框体406上升，将强永久磁铁402定位于能够利用强永久磁铁402磁性吸附载置于框架支承部228的环状框架64的上升位置。另外，脱离部404中，从压缩空气提供源413向下侧收纳室412提供压缩空气而将活塞416向下方压下，由此对强永久磁铁402施加朝下的力，使强永久磁铁402相对于框体406下降，将强永久磁铁402定位于能够使载置于框架支承部228的环状框架64从强永久磁铁402脱离的下降位置。另外，将活塞416向下方压下，由此将空气从下部开口412b排出。
88.如图10所示，在暂放台204的环状支承部226的上表面上形成有在周向隔开间隔而配置的多个吸引孔229，各吸引孔229与吸引单元(未图示)连接。另外，环状支承部226构成为在环状支承部226的上表面与框架支承部228的上表面为同一平面的上升位置(图10所示的位置)和环状支承部226的上表面位于比框架支承部228的上表面靠下方例如5mm～10mm
左右的位置的下降位置之间升降自如。使环状支承部226升降的升降机构(未图示)可以是空气气缸等适当的致动器。比环状支承部226靠径向内侧的部分为向下方凹陷的圆形的凹部230。优选暂放台204的框架支承部228具有加热器(未图示)，通过加热器对暂放于暂放台204的框架单元u的带96进行加热而使带96软化，通过大气压使带96更加紧贴于环状的增强部24的根部。
89.本实施方式的加工装置2包含在y轴方向上搬送暂放台204的暂放台搬送部232。暂放台搬送部232具有：y轴引导部件234，其沿y轴方向延伸；y轴可动部件236，其在y轴方向上移动自如地支承于y轴引导部件234；以及y轴进给机构238，其使y轴可动部件236在y轴方向上移动。在y轴可动部件236的上部固定有暂放台204。y轴进给机构238具有与y轴可动部件236连结且沿y轴方向延伸的滚珠丝杠240以及使滚珠丝杠240旋转的电动机242。并且，暂放台搬送部232通过滚珠丝杠240将电动机242的旋转运动转换成直线运动并传递至y轴可动部件236，在y轴方向上与y轴可动部件236一起搬送暂放台204。
90.如图1所示，增强部去除单元194具有：激光加工装置500，其朝向形成于晶片4的外周的环状的增强部24的根部照射激光光线而形成切断槽；以及分离部248，其从切断槽将环状的增强部24分离。激光加工装置500具有：保持单元502，其对晶片4进行保持；激光光线照射单元504，其对保持单元502所保持的晶片4的器件区域18与外周剩余区域20的边界部22照射激光光线；以及移动机构506，其使保持单元502和激光光线照射单元504相对地移动。
91.如图1所示，激光加工装置500的保持单元502配置成在暂放台204的上方沿x轴方向移动自如且沿z轴方向移动自如。参照图12进行说明，保持单元502包含：x轴引导部件258，其固定于适当的托架(未图示)，沿x轴方向延伸；x轴可动部件260，其在x轴方向上移动自如地支承于x轴引导部件258；以及z轴可动部件262，其在z轴方向上移动自如地支承于x轴可动部件260。在z轴可动部件262的前端下表面上旋转自如地支承有向下方延伸的支承轴264，在支承轴264的下端固定有圆形状的第一升降台420。
92.如图12的(b)所示，第一升降台420具有：小直径的晶片保持部422，其比晶片4的外径小，使环状的增强部24露出；框架支承部426，其具有对环状框架64进行磁性吸附的永久磁铁424；以及空间428，其设置于晶片保持部422与框架支承部426之间，使激光光线的漏光扩散。
93.参照图12的(b)继续进行说明，晶片保持部422配置于第一升降台420的下表面中央部，晶片保持部422的直径比晶片4的器件区域18(圆形状的凹部23)的直径略小。在晶片保持部422的下端设置有由多孔质材料形成的圆形的吸附卡盘430，吸附卡盘430与吸引单元(未图示)连接。
94.框架支承部426配置于第一升降台420的外周部。在框架支承部426的下端在周向上隔开间隔而设置有多个(在本实施方式中为四个)永久磁铁424。永久磁铁424的磁力比暂放台204的强永久磁铁402的磁力弱。另外，第一升降台420的下表面的晶片保持部422与框架支承部426之间成为向上方凹陷的环状的凹部，通过该凹部构成使激光光线的漏光扩散的空间428。
95.参照图12的(a)进行说明，激光加工装置500的移动机构506包含：x轴进给机构(未图示)，其使保持单元502的x轴可动部件260在x轴方向上移动；z轴进给机构(未图示)，其使保持单元502的z轴可动部件262在z轴方向上移动；以及电动机266，其安装于z轴可动部件
262的前端上表面上，使保持单元502的支承轴264以沿z轴方向延伸的轴线为中心而旋转。移动机构506的x轴、z轴进给机构分别可以构成为具有滚珠丝杠以及使滚珠丝杠旋转的电动机。并且，在移动机构506中，当通过激光加工装置500的保持单元502对暂放于暂放台204的框架单元u进行保持时，使保持单元502上升并且在x轴方向上移动，从而将框架单元u定位于激光光线照射单元504的上方。
96.如图10所示，激光加工装置500的激光光线照射单元504包含在x轴方向上与暂放台204相邻地配置的壳体508。参照图13进行说明，在壳体508中安装有：激光振荡器510，其振荡出激光；聚光器512，其使从激光振荡器510射出的激光光线lb会聚；分束器516，其配设于聚光器512与激光振荡器510之间，将从通过激光光线lb的照射而实施了加工的区域发出的等离子光p分支而引导至分支路514；以及等离子光检测器518，其配设于分支路514，对等离子光p进行检测。如图13所示，本实施方式的激光光线照射单元504包含：衰减器520，其对从激光振荡器510射出的激光光线lb的功率进行调整；以及反射镜522，其对通过衰减器520调整了功率且透过了分束器516的激光光线lb进行反射而向聚光器512引导。另外，在图13中，为了便于说明，以聚光透镜的方式示出聚光器512。
97.激光振荡器510和衰减器520与由计算机构成的控制单元524电连接，通过控制单元524对动作进行控制。如图13所示，在控制单元524上电连接有用于选择材质的种类而设定激光光线lb的功率的功率设定单元526。功率设定单元526例如设置于用于操作加工装置2的操作面板(未图示)，通过设置于操作面板的功率设定单元526，操作者能够选择材质的种类而设定激光光线lb的功率。
98.例如在操作者通过功率设定单元526选择硅作为材质的种类的情况下，通过功率设定单元526将对硅进行适当的激光加工的功率设定为1.0w，在选择铝的情况下，将功率设定为2.0w，在选择铜的情况下，将功率设定为2.5w。另外，材质的种类与激光光线lb的功率的组合可任意地确定，并不限于上述的组合。
99.并且，控制单元524对衰减器520进行控制而按照成为功率设定单元526所设定的功率的方式调整激光光线lb的功率。另外，可以如上所述，功率设定单元526根据由操作者选择的材质而设定功率，但也可以是操作者能够通过功率设定单元526与材质一起设定任意的功率。
100.分束器516可以由分色镜构成，分色镜透过具有从激光振荡器510射出的激光光线lb的波长(例如355nm)的光，并且反射具有激光光线lb的波长以外的波长的光(例如等离子光p)而向分支路514引导。
101.等离子光检测器518包含：衍射光栅528，其使通过分束器516向分支路514引导的等离子光p按照波长向不同的方向分散；以及图像传感器530，其接受通过衍射光栅528按照波长向不同的方向分散的等离子光p。
102.图像传感器530具有呈直线状配置的多个受光元件。各个受光元件接受按照波长向不同的方向分散的等离子光p，根据受光元件的位置，所接受的等离子光p的波长不同。图像传感器530与控制单元524电连接，将示出通过各受光元件接受的等离子光p的光强度的信号输出至控制单元524。另外，该等离子光检测器518未必构成为对利用分束器516向分支路514引导的等离子光p进行检测。即，等离子光检测器518可以不配设于分支路514。例如等离子光检测器518有时配置于能够立即检测到从通过激光光线lb的照射而实施了加工的区
域发出的等离子光p的位置。并且，在该情况下，可以从激光光线照射单元504中省略分束器516。
103.当从等离子光检测器518的图像传感器530向控制单元524输出信号时，控制单元524根据图像传感器530所检测到的等离子光p，确定通过激光光线lb的照射而实施了激光加工的区域的材质。例如如图14的(a)和图14的(b)所示，在输出了所检测的等离子光p中的波长251nm的成分的光强度高的信号s1的情况下，实施了激光加工的区域的材质是硅，在输出了波长395nm的成分的光强度高的信号s2的情况下，控制单元524将材质确定为铝，在输出了波长515nm的成分的光强度高的信号s3的情况下，控制单元524将材质确定为铜。另外，将示出等离子光p的波长与实施了激光加工的区域的材质的关系的表预先保存于控制单元524。
104.并且，控制单元524在根据等离子光检测器518所检测的等离子光p而确定的材质的种类与利用功率设定单元526而选择的材质的种类不同的情况下，使差错发送单元532(参照图13)进行动作而发送差错。差错发送单元532与控制单元524电连接，例如可以是显示差错信息的监视器、发出与差错相关的警告声的扬声器、在差错的情况下点亮或闪烁的警告灯。
105.或者，在根据等离子光检测器518所检测的等离子光p而确定的材质的种类与利用功率设定单元526而选择的材质的种类不同的情况下，也可以代替发送差错的方式，由控制单元524对衰减器520进行控制而将激光光线lb的功率调整为适合材质的适当的值(例如图14的(b)的表所示的值)。
106.参照图10进行说明，激光加工装置500包含：吸引喷嘴534，其吸引对晶片4照射激光光线lb时所产生的碎屑；以及吸引单元(未图示)，其与吸引喷嘴534连接。如图10所示，聚光器512从壳体508的上表面朝向上方向吸引喷嘴534侧倾斜地延伸，由此抑制激光光线lb的照射时所产生的碎屑落在聚光器512上。另外，吸引喷嘴534从壳体508的上表面朝向上方向聚光器512侧倾斜地延伸。
107.并且，在激光加工装置500中，利用第一升降台420的框架支承部426的永久磁铁424对通过暂放台204的框架保持部228的加热器对带96进行加热从而带96紧贴于环状的增强部24的根部上的框架单元u的环状框架64进行保持，并且利用晶片保持部422的吸附卡盘430对晶片4进行吸引保持，然后使z轴可动部件262和x轴可动部件260移动，使第一升降台420所保持的框架单元u上升，并且在x轴方向上移动，定位于激光光线照射单元504的上方。
108.另外，在利用保持单元502的第一升降台420对框架单元u进行保持时，将暂放台204的框架保持部228的强永久磁铁402定位于下降位置，由此使强永久磁铁402从环状框架64离开，对于载置于暂放台204的环状框架64，与从暂放台204的强永久磁铁402作用的磁力相比，从与环状框架64接触的第一升降台420的永久磁铁424作用的磁力更强。
109.另外，如图13和图15所示，激光加工装置500一边通过移动机构506的电动机266使第一升降台420所保持的框架单元u旋转，一边朝向形成于晶片4的外周的环状的增强部24的根部照射激光光线lb，通过烧蚀加工沿着增强部24的根部形成环状的切断槽256。另外，激光加工装置500通过吸引喷嘴534对因烧蚀加工而产生的碎屑进行吸引。
110.并且，控制单元524在等离子光检测器518不再检测到等离子光p时(未从图像传感器530输出信号时)，判断为在晶片4上形成了切断槽256(晶片4被完全切断)，停止激光光线
lb的照射。因此，防止尽管晶片4已经被切断仍照射激光光线lb的情况。
111.另外，激光加工装置500的移动机构506使在增强部24的根部形成有切断槽256的框架单元u在x轴方向、z轴方向上移动而移动至暂放台204。另外，由于激光光线lb的照射而在晶片4的外周附着有碎屑，在将框架单元u从第一升降台420交接至暂放台204时，优选仅使强永久磁铁402进行作用，停止暂放台204对环状支承部226的吸引。由此，防止在环状支承部226的吸引孔229附着碎屑。另外，从防止在吸引孔229附着碎屑的观点出发，优选预先将环状支承部226定位于下降位置。
112.如图1所示，分离部248在暂放台204的y轴方向的可动范围内与保持单元502在y轴方向上隔开间隔而配置。参照图16和图18进行说明，分离部248具有：紫外线照射部270(参照图16)，其对与切断槽256对应的带96照射紫外线而使带96的粘接力降低；第二升降台272(参照图16)，其使环状的增强部24在外周露出而对晶片4的内侧进行吸引保持，并且对环状框架64进行支承；分离器274(参照图16)，其对环状的增强部24的外周进行作用而将环状的增强部24分离；以及废弃部276(参照图18)，其将所分离的环状的增强部24废弃。
113.如图16所示，本实施方式的分离部248包含：z轴引导部件278，其固定于适当的托架(未图示)，沿z轴方向延伸；z轴可动部件280，其在z轴方向上移动自如地支承于z轴引导部件278；以及z轴进给机构(未图示)，其使z轴可动部件280在z轴方向上移动。z轴进给机构可以构成为具有与z轴可动部件280连结且沿z轴方向延伸的滚珠丝杠以及使该滚珠丝杠旋转的电动机。
114.在z轴可动部件280的前端下表面上支承有支承片282，并且旋转自如地支承有支承轴286，在该支承轴286上连结有上述第二升降台272。在z轴可动部件280的前端上表面上安装有使第二升降台272与支承轴286一起旋转的电动机284。在本实施方式的支承片282上在y轴方向上隔开间隔而附设有一对上述紫外线照射部270。
115.第二升降台272是圆形，第二升降台272的直径比晶片4的器件区域18(圆形状的凹部23)的直径略小。在第二升降台272的下表面上形成有多个吸引孔(未图示)，各吸引孔与吸引单元连接。
116.另外，在支承片282上安装有上述分离器274。分离器274包含：一对可动片288，它们隔开间隔且在支承片282的长度方向上移动自如地配置于支承片282的下表面上；以及一对进给单元290，它们使一对可动片288移动。一对进给单元290分别可以由空气气缸或电动气缸等适当的致动器构成。
117.分离器274包含：一对夹持辊292a、292b，它们在上下方向上隔开间隔而支承于各可动片288；以及z轴进给机构294，其使上侧的夹持辊292a在z轴方向上移动。z轴进给机构294可以由空气气缸或电动气缸等适当的致动器构成。各夹持辊292a、292b以沿x轴方向延伸的轴线为中心而旋转自如地支承于可动片288。在上侧的夹持辊292a上借助支承轴296而安装有按压辊298。
118.参照图18进行说明，废弃部276包含：带式输送机300，其对所分离的环状的增强部24进行搬送；以及集尘箱302，其对通过带式输送机300搬送的环状的增强部24进行收纳。带式输送机300通过适当的致动器(未图示)定位于实质上水平延伸的回收位置(图18中实线所示的位置)和实质上铅垂延伸的待机位置(图18中双点划线所示的位置)。在图18中，在集尘箱302的x轴方向近前侧的侧面上设置有附设有把手304a的门304。在集尘箱302的内部安
装有使所回收的环状的增强部24破碎的破碎机(未图示)。在集尘箱302中，对把手304a进行把持而将门304打开，由此能够将收纳于集尘箱302的环状的增强部24的破碎屑取出。
119.当暂放有在增强部24的根部形成有切断槽256的框架单元u的暂放台204通过暂放台搬送部232定位于分离部248的下方时，如图17所示，分离部248通过第二升降台272对框架单元u的晶片4的背面4b侧进行吸引保持，并且利用分离器274的夹持辊292a、292b夹持环状框架64，然后从一对紫外线照射部270照射紫外线而使粘贴于环状的增强部24的带96的粘接力降低，并且通过按压辊298向下方按压环状的增强部24，同时通过电动机284使框架单元u与支承轴286和第二升降台272一起相对于分离器274旋转，由此将环状的增强部24从框架单元u分离。所分离的增强部24通过带式输送机300搬送至集尘箱302而进行回收。另外，在将增强部24分离时，也可以使分离器274相对于框架单元u旋转。
120.如图1所示，无环单元搬出单元196与增强部去除单元194相邻而配置。参照图19和图20进行说明，本实施方式的无环单元搬出单元196具有：翻转机构308(参照图20)，其具有与第二升降台272所支承的无环单元面对而对环状框架64进行保持的框架保持部306，翻转机构308朝向框架盒台200移动并且使框架保持部306翻转；无环单元支承部310(参照图18)，其对通过翻转机构308翻转而使晶片4的正面4a朝上的无环单元进行支承；以及推入部312(参照图20)，其使无环单元支承部310所支承的无环单元进入载置于框架盒台200的框架盒198而进行收纳。
121.如图19所示，翻转机构308包含：y轴引导部件314，其沿y轴方向延伸；y轴可动部件316，其在y轴方向上移动自如地支承于y轴引导部件314；y轴进给机构(未图示)，其使y轴可动部件316在y轴方向上移动；臂318，其在z轴方向上移动自如地支承于y轴可动部件316；以及z轴进给机构(未图示)，其使臂318在z轴方向上移动。翻转机构308的y轴、z轴进给机构分别可以构成为具有滚珠丝杠和使滚珠丝杠旋转的电动机。
122.在臂318上上下翻转自如地支承有上述框架保持部306，并且安装有使框架保持部306上下翻转的电动机320。本实施方式的框架保持部306包含：基板324，其借助一对旋转轴322而旋转自如地支承于臂318；以及多个吸引垫326，它们附设于基板324的一个面上，各吸引垫326与吸引单元(未图示)连接。另外，一方的旋转轴322与电动机320连结。
123.翻转机构308在使吸引垫326朝上的状态下利用吸引垫326对第二升降台272所支承的无环单元u’的环状框架64的下表面进行吸引保持，从第二升降台272接受无环单元u’。另外，翻转机构308通过电动机320使框架保持部306翻转而使晶片4的正面4a朝上，然后使y轴可动部件316移动，由此使框架保持部306所保持的无环单元u’朝向框架盒台200移动。
124.如图20所示，本实施方式的无环单元支承部310包含：一对支承板328，它们借助适当的托架(未图示)支承为在x轴方向上移动自如；以及间隔调整单元(未图示)，其对一对支承板328的x轴方向的间隔进行调整。间隔调整单元可以由空气气缸或电动气缸等适当的致动器构成。
125.在对无环单元u’进行支承的一对支承板328上安装有加热器(未图示)。在一对支承板328的间隔窄的状态下，一对支承板328通过加热器对无环单元u’的带96进行加热，由此使由于去除增强部24而产生的带96的松弛、褶皱伸展。
126.参照图20继续进行说明，本实施方式的推入部312包含：y轴引导部件330，其沿y轴方向延伸；y轴可动部件332，其在y轴方向上移动自如地支承于y轴引导部件330；以及y轴进
给机构(未图示)，其使y轴可动部件332在y轴方向上移动。y轴可动部件332具有：基部334，其支承于y轴引导部件330；支柱336，其从基部334的上表面向上方延伸；以及按压片338，其附设于支柱336的上端。推入部312的y轴进给机构可以构成为具有与y轴可动部件332连结且沿y轴方向延伸的滚珠丝杠和使该滚珠丝杠旋转的电动机。
127.如图21所示，无环单元支承部310在接受无环单元u’之前通过间隔调整单元将一对支承板328之间的间隔扩展，然后接受吸引垫326所保持的无环单元u’。并且，推入部312在无环单元支承部310接受无环单元u’时通过y轴进给机构使y轴可动部件332在y轴方向上移动，由此通过按压片338使无环单元支承部310所支承的无环单元u’进入载置于框架盒台200的框架盒198而进行收纳。
128.在图1和图21所示的框架盒198中在晶片4的正面4a朝上的状态下沿上下方向隔开间隔而收纳有多张无环单元u’。如图20和图21所示，框架盒台200包含：载置部340，其载置框架盒198；以及升降部342，其使载置部340升降而定位于任意的高度。升降部342可以构成为具有与载置部340连结且沿z轴方向延伸的滚珠丝杠和使该滚珠丝杠旋转的电动机。
129.接着，对如下的加工方法进行说明：使用如上所述的加工装置2，将划片带96粘贴于在与外周剩余区域20对应的背面4b上呈凸状形成有环状的增强部24的晶片4的背面4b而与环状框架64成为一体，并且将环状的增强部24切断而从晶片4去除。
130.在本实施方式中，首先如图1和图3所示，实施将收纳有多张晶片4的晶片盒6载置于晶片盒台8的晶片盒载置工序。在盒6中在正面4a朝上的状态下沿上下方向隔开间隔而收纳有多张晶片4。
131.另外，如图1和图5所示，实施将多个形成有收纳晶片4的开口部64a的环状的环状框架64收纳于框架收纳单元66的框架收纳工序。框架收纳工序可以在晶片盒载置工序之前实施，也可以在晶片盒载置工序之后实施。
132.在框架收纳工序中，在使框架收纳单元66的升降板74下降至任意的位置之后，对把手76a进行把持而将门76打开，在升降板74的上表面上层叠多个环状框架64而进行收纳。另外，适当地调整升降板74的高度，将最上层的环状框架64定位于能够通过框架搬出单元68搬出的位置。
133.在实施了晶片盒载置工序和框架收纳工序之后，实施将晶片4从载置于晶片盒台8的晶片盒6搬出的晶片搬出工序。
134.参照图3进行说明，在晶片搬出工序中，首先使晶片搬出单元10的y轴进给机构34进行动作，将y轴可动部件32定位于晶片盒台8的附近。接着，使搬送臂42进行驱动，将空气喷出口46朝上的手部44定位于晶片盒6内的晶片4的背面4b侧(下侧)。在将手部44定位于晶片4的背面4b侧时，预先在晶片4的背面4b与手部44之间设置间隙，并且将各引导销48定位于径向外侧。
135.接着，从手部44的空气喷出口46喷出压缩空气而通过伯努利效应在手部44的一个面侧产生负压，通过手部44以非接触的方式从背面4b侧吸引支承晶片4。接着，使各引导销48向径向内侧移动，通过各引导销48限制手部44所吸引支承的晶片4的水平移动。并且，使晶片搬出单元10的y轴可动部件32和搬送臂42移动，将手部44所吸引支承的晶片4从晶片盒6搬出。
136.在实施了晶片搬出工序之后，优选实施对晶片4的切口26的位置进行检测的切口
检测工序。在切口检测工序中，如图4所示，将手部44所吸引支承的晶片4的外周定位于切口检测单元50的发光元件52与受光元件54之间。接着，利用驱动源，借助引导销48而使晶片4旋转，由此对晶片4的切口26的位置进行检测。由此，能够将晶片4的朝向调整成任意的朝向。
137.在实施了切口检测工序之后，实施利用晶片台12对通过晶片搬出单元10搬出的晶片4的正面4a侧进行支承的晶片支承工序。
138.参照图3进行说明，在晶片支承工序中，首先使晶片搬出单元10的手部44上下翻转而使晶片4的正面4a朝下。接着，使晶片搬出单元10的y轴可动部件32和搬送臂42移动，使手部44所吸引支承的晶片4的正面4a的外周剩余区域20与晶片台12的环状支承部56接触。此时，晶片4的正面4a的器件区域18定位于晶片台12的凹部62，因此器件14和晶片台12不接触，防止器件14的损伤。
139.接着，使晶片台12的吸引单元进行动作，在各吸引孔60产生吸引力，由此对晶片4的正面4a的外周剩余区域20进行吸引保持。接着，解除手部44对晶片4的吸引支承，并且使手部44从晶片台12离开。这样，将晶片4从晶片搬出单元10交接至晶片台12。交接至晶片台12的晶片4被各吸引孔60吸引保持，因此晶片4的位置不会偏移。
140.另外，在实施了晶片盒载置工序和框架收纳工序之后，与晶片搬出工序及晶片支承工序并行地实施将环状框架64从框架收纳单元66搬出的框架搬出工序。
141.参照图5进行说明，在框架搬出工序中，首先使框架搬出单元68的x轴可动部件84和z轴可动部件86移动，使保持部88的吸引垫92与收纳于框架收纳单元66的最上层的环状框架64的上表面接触。接着，使框架搬出单元68的吸引单元进行动作，在吸引垫92上产生吸引力，由此利用吸引垫92对最上层的环状框架64进行吸引保持。并且，使框架搬出单元68的x轴可动部件84和z轴可动部件86移动，将保持部88的吸引垫92所吸引保持的最上层的环状框架64从框架收纳单元66搬出。
142.在实施了框架搬出工序之后，实施利用框架台70对通过框架搬出单元68搬出的环状框架64进行支承的框架支承工序。
143.参照图5继续进行说明，在框架支承工序中，首先使框架搬出单元68的x轴可动部件84和z轴可动部件86移动，使吸引垫92所吸引保持的环状框架64与框架台70的上表面接触。此时，预先将框架台70定位于下降位置(图5中实线所示的位置)。接着，解除框架搬出单元68的吸引垫92的吸引力，将框架64载置于框架台70。并且，使框架搬出单元68的x轴可动部件84和z轴可动部件86移动，使保持部88从框架台70的上方离开。
144.在实施了框架支承工序之后，实施将带96粘贴于环状框架64的带粘贴工序。
145.参照图6进行说明，在带粘贴工序中，首先在使框架台70从下降位置(图6的(a)所示的位置)移动至能够将带96粘贴于环状框架64的上升位置(图6的(b)所示的位置)之前，预先从卷带96r拉出带96并且将剥离了剥离纸116的带96定位于框架台70的上方。另外，位于框架台70的上方的带96的粘接面朝下。
146.接着，按照能够通过带粘贴单元98的压接部110的按压辊132从上方将带96按压至环状框架64的程度使框架台70上升。并且，一边利用按压辊132将带96的粘接面按压至环状框架64一边使按压辊132在y轴方向上转动移动。由此，能够将通过带拉出部108从卷带96r拉出的带96压接在环状框架64。
147.接着，使带粘贴单元98的切断部112的切割器144和按压辊146下降，将切割器144按压至环状框架64上的带96上，并且利用按压辊146从带96上按压环状框架64。接着，通过电动机138使臂片140旋转，使切割器144和按压辊146按照沿着环状框架64描绘圆的方式移动。由此，能够将向环状框架64的外周探出的带96沿着环状框架64切断。另外，利用按压辊146从带96上按压环状框架64，因此在将带96切断时可防止环状框架64、带96的位置偏移。另外，形成有圆形的开口部120的使用完的带96通过卷带取部106进行卷取。
148.在实施了带粘贴工序之后，实施含带框架搬送工序：将粘贴有带96的环状框架64搬送至晶片台12，将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b而将含带框架64’载置于晶片台12。
149.在含带框架搬送工序中，首先使框架台70从上升位置移动至下降位置。接着，使含带框架搬送单元100(参照图5)的y轴可动部件150和z轴可动部件152移动，使含带框架搬送单元100的保持部154的各吸引垫158与以带96的粘接面朝下的状态支承于框架台70的含带框架64’(参照图7)的上表面接触。
150.接着，使含带框架搬送单元100的吸引单元进行动作，在吸引垫158上产生吸引力，由此利用吸引垫158对含带框架64’的上表面进行吸引保持。接着，使含带框架搬送单元100的y轴可动部件150和z轴可动部件152移动，将吸引垫158所吸引保持的含带框架64’从框架台70搬出。
151.接着，将含带框架搬送单元100的吸引垫158所吸引保持的含带框架64’搬送至晶片台12，如图7所示，将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b而使含带框架64’与晶片台12的框架支承部58接触。此时，含带框架64’的带96的粘接面朝下，晶片4的背面4b朝上而与带96的粘接面面对。
152.接着，解除含带框架搬送单元100的吸引垫158的吸引力，将含带框架64’载置于晶片台12的框架支承部58。并且，使含带框架搬送单元100的y轴可动部件150和z轴可动部件152移动，使保持部154从晶片台12的上方离开。
153.在实施了含带框架搬送工序之后，实施将含带框架64’的带96压接于晶片4的背面4b的带压接工序。
154.参照图7至图9进行说明，在带压接工序中，首先通过带压接单元102的升降机构164使上部腔室160下降，使上部腔室160的侧壁172的下端与下部腔室162的侧壁186的上端接触。由此，使上部腔室160和下部腔室162成为封闭状态，并且使按压辊174与含带框架64’接触。于是，如图8所示，将晶片4的环状的增强部24的上端粘贴于含带框架64’的带96的粘接面。
155.接着，在将带压接单元102的大气开放部168封闭的状态下使真空部166进行动作，使上部腔室160和下部腔室162的内部成为真空。接着，如图8和图9所示，使带压接单元102的按压辊174在y轴方向上转动移动，由此将带96压接于晶片4的背面4b。由此，能够生成将晶片4的背面4b和带96压接而得的框架单元u。接着，使大气开放部168开放，通过大气压沿着环状的增强部24的根部使带96紧贴于晶片4的背面4b。并且，通过升降机构164使上部腔室160上升。另外，使上部腔室160和下部腔室162的内部成为真空，由此晶片台12对晶片4的吸引力消失，但在使上部腔室160和下部腔室162为封闭状态时，晶片4的环状的增强部24的上端粘贴于含带框架64’的带96的粘接面，因此在带压接工序中，晶片4的位置不会偏移。
156.在实施了带压接工序之后，实施将框架单元u从晶片台12搬出的框架单元搬出工序，该框架单元u是将含带框架64’的带96和晶片4的背面4b压接而得的。
157.参照图5进行说明，在框架单元搬出工序中，首先使框架单元搬出单元192的搬送部206进行动作，使框架单元保持部202的晶片保持部202a的吸附片210的下表面与晶片4的背面4b侧的带96接触，并且使框架保持部202b的吸引垫214与环状框架64接触。
158.接着，在晶片保持部202a的吸附片210和框架保持部202b的吸引垫214上产生吸引力，在使晶片4的外周的全部或一部分露出的状态下，通过晶片保持部202a的吸附片210从背面4b侧(带96侧)对晶片4进行吸引保持，并且利用框架保持部202b的吸引垫214对环状框架64进行吸引保持。接着，解除晶片台12对晶片4的吸引保持。并且，使搬送部206进行动作，将框架单元保持部202所保持的框架单元u从晶片台12搬出。
159.在实施了框架单元搬出工序之后，实施使晶片4的中心与暂放台204的中心一致而将框架单元u暂放于暂放台204的暂放工序。
160.参照图10进行说明，在暂放工序中，首先将框架单元保持部202所保持的框架单元u定位于拍摄部224的上方。接着，使框架单元搬出单元192的搬送部206进行动作，利用拍摄部224对框架单元保持部202所保持的框架单元u的晶片4的外周的露出部分的至少三处进行拍摄。在利用拍摄部224从下方对晶片4进行拍摄时，通过照明部400从晶片4的上方对晶片4进行照明。由此，对晶片4的外周的至少三点的坐标进行测量。接着，根据所测量的三点的坐标，求出晶片4的中心坐标。通过晶片保持部202a的吸附片210吸引保持的晶片4的外周的全部或一部分露出，因此通过照明部400从上方对晶片4的外周的露出部分进行照明，通过拍摄部224从下方对晶片4的外周的露出部分进行拍摄，由此能够清晰地拍摄晶片4的轮廓，能够精密地求出晶片4的中心坐标。
161.接着，使搬送部206进行动作，将晶片4的中心定位于暂放台204的环状支承部226的中心，使晶片4的正面4a的外周剩余区域20与暂放台204的环状支承部226的上表面接触，并且使环状框架64的下表面与暂放台204的框架支承部228的上表面接触，利用强永久磁铁402的磁力对环状框架64进行保持。此时，预先将强永久磁铁402和环状支承部226分别定位于上升位置。接着，使暂放台204的吸引单元进行动作，在各吸引孔229产生吸引力，由此对晶片4的正面4a的外周剩余区域20进行吸引保持。另外，此时晶片4的正面4a朝下，但器件区域18位于暂放台204的凹部230，因此器件14和暂放台204不接触，防止器件14的损伤。
162.接着，解除晶片保持部202a对晶片4的吸引保持，并且解除框架保持部202b对环状框架64的吸引保持，将框架单元u从框架单元搬出单元192交接至暂放台204。接着，使框架支承部228的加热器进行动作，通过加热器对暂放于暂放台204的框架单元u的带96进行加热。由此，带96发生软化，使带96紧贴于晶片4的环状的增强部24的根部。
163.在实施了暂放工序之后，实施从通过框架单元搬出单元192搬出的框架单元u的晶片4将环状的增强部24切断去除的增强部去除工序。
164.参照图1、图10和图12进行说明，在增强部去除工序中，首先使激光加工装置500的保持单元502的x轴可动部件260和z轴可动部件262移动，使第一升降台420的永久磁铁424的下表面与暂放于暂放台204的框架单元u的环状框架64的上表面接触，利用永久磁铁424的磁力对环状框架64进行保持，并且使吸附卡盘430的下表面与晶片4的背面4b侧(带96侧)接触，利用吸附卡盘430的吸引力对晶片4进行保持。
165.接着，将暂放台204的强永久磁铁402定位于下降位置，并且解除环状支承部226的吸引力，然后使吸引保持着框架单元u的第一升降台420上升。如上所述，第一升降台420的永久磁铁424的磁力小于暂放台204的强永久磁铁402的磁力，当将强永久磁铁402定位于下降位置时，强永久磁铁402从环状框架64离开，因此作用于环状框架64的强永久磁铁402的磁力减弱，能够使框架单元u从暂放台204容易脱离。
166.接着，使保持单元502的x轴可动部件260和z轴可动部件262进行动作，如图13和图15所示，将第一升降台420所保持的框架单元u定位于激光光线照射单元504的上方。接着，将激光光线lb的聚光点定位于框架单元u的晶片4的环状的增强部24的根部。
167.接着，一边通过移动机构506的电动机266使第一升降台420和框架单元u旋转，一边对晶片4的环状的增强部24的根部照射利用功率设定单元526设定为适当的功率的激光光线lb。由此，能够对晶片4的环状的增强部24的根部实施烧蚀加工而形成环状的切断槽256。透过了晶片4和带96的激光光线lb的漏光在晶片保持部422与框架支承部426之间的空间428扩散，因此可降低由于上述漏光引起的对晶片4的器件14的不良影响。另外，在对晶片4照射激光光线lb时，使激光光线照射单元504的吸引单元进行动作而在吸引喷嘴534产生吸引力，通过吸引喷嘴534对由于烧蚀加工而产生的碎屑进行吸引。并且，控制单元524在等离子光检测器518不再检测到等离子光p时，判断为在晶片4上形成了切断槽256，停止激光光线lb的照射。因此，防止尽管晶片4已经被切断还照射激光光线lb的情况。
168.在对晶片4照射激光光线lb时，例如可以设定成以下的加工条件。
169.激光光线的波长：355nm
170.激光光线的功率：1w～2.5w
171.激光光线的重复频率：100khz
172.电动机的旋转速度：60rpm
173.在对晶片4照射激光光线lb时，在根据等离子光检测器518而检测的等离子光p而由控制单元524确定的材质的种类与利用功率设定单元526选择的材质的种类不同的情况下，从差错发送单元532发送差错。由此，操作者能够通过功率设定单元526将激光光线lb的功率修正成适合实施激光加工的区域的材质的适当的值。或者，可以由控制单元524将激光光线lb的功率调整成适当的值。
174.作为发送差错的情况，例如是在晶片4的材质为硅而在晶片4的正面4a上包覆有铝或铜的金属膜的情况下操作者利用功率设定单元526选择了硅时。并且，当激光光线lb照射至晶片4的正面4a的金属膜时，根据等离子光检测器518所检测的等离子光p而由控制单元524确定的材质(铝或铜)的种类与利用功率设定单元526选择的材质(硅)的种类不同，因此发送差错。
175.在晶片4上形成了切断槽256之后，使保持单元502的x轴可动部件260和z轴可动部件262移动，使第一升降台420所保持的框架单元u的环状框架64的下表面与暂放台204的框架支承部228的上表面接触，由此通过定位于上升位置的强永久磁铁402的磁力对环状框架64进行保持。此时，为了防止附着于晶片4的外周的碎屑附着于吸引孔229，优选不在环状支承部226的吸引孔229产生吸引力而预先将环状支承部226定位于下降位置。
176.接着，在解除第一升降台420的吸附卡盘430的吸引力之后，使第一升降台420上升。如上所述，第一升降台420的永久磁铁424的磁力比暂放台204的强永久磁铁402的磁力
弱，因此将环状框架64从永久磁铁424交接至强永久磁铁402。并且，当使第一升降台420上升时，框架单元u保持于暂放台204，从第一升降台420离开。这样，将框架单元u从第一升降台420交接至暂放台204。
177.接着，通过暂放台搬送部232将接受了框架单元u的暂放台204定位于增强部去除单元194的分离部248的下方(参照图10)。另外，此时预先将废弃部276的带式输送机300定位于待机位置。接着，使分离部248的第二升降台272下降，使第二升降台272的下表面与晶片4的背面4b部分的带96接触。接着，在第二升降台272的下表面上产生吸引力，利用第二升降台272对框架单元u的晶片4的背面4b侧进行吸引保持。
178.接着，在将暂放台204的强永久磁铁402定位于下降位置之后，使吸引保持着框架单元u的晶片4的第二升降台272上升。接着，在使暂放台204移动至第一升降台420的下方之后，如图17所示，使分离器274的一对进给单元290和z轴进给机构294进行动作，利用上下的夹持辊292a、292b在上下方向上夹持环状框架64。另外，将废弃部276的带式输送机300从待机位置定位于回收位置。
179.接着，从一对紫外线照射部270照射紫外线而使粘贴于环状的增强部24的带96的粘接力降低，并且一边通过按压辊298将环状的增强部24向下方按压，一边通过电动机284使框架单元u与支承轴286和第二升降台272一起相对于分离器274旋转。由此，能够将环状的增强部24从框架单元u分离。从框架单元u落下的增强部24通过带式输送机300搬送至集尘箱302而进行回收。另外，在将增强部24分离时，也可以使分离器274相对于框架单元u旋转。
180.在实施了增强部去除工序之后，实施将去除了环状的增强部24的无环单元u’从增强部去除单元194搬出的无环单元搬出工序。
181.在无环单元搬出工序中，首先将增强部去除单元194的废弃部276的带式输送机300从回收位置定位于待机位置。接着，将无环单元搬出单元196的翻转机构308(参照图19)的框架保持部306定位于第二升降台272所吸引保持的无环单元u’的下方。
182.接着，在使框架保持部306的吸引垫326朝上的状态下使臂318上升，使框架保持部306的吸引垫326与第二升降台272所支承的晶片4的正面4a朝下的状态的无环单元u’的环状框架64的下表面侧接触。
183.接着，在框架保持部306的吸引垫326产生吸引力，利用吸引垫326对无环单元u’的环状框架64进行吸引保持。接着，解除第二升降台272对无环单元u’的吸引保持。由此，将无环单元u’从增强部去除单元194的第二升降台272交接至无环单元搬出单元196的框架保持部306。
184.在实施了无环单元搬出工序之后，实施对通过无环单元搬出单元196搬出的无环单元u’进行收纳的无环单元收纳工序。
185.在无环单元收纳工序中，首先使无环单元搬出单元196的翻转机构308上下翻转，使框架保持部306所吸引保持的无环单元u’上下翻转。由此，无环单元u’位于框架保持部306的下方，晶片4的正面4a朝上。
186.接着，使翻转机构308的y轴可动部件316和臂318移动，使无环单元u’与无环单元支承部310的一对支承板328的上表面接触。此时，通过间隔调整单元使一对支承板328之间的间隔狭窄，一对支承板328相互紧贴。接着，解除框架保持部306对无环单元u’的吸引保
持，将无环单元u’载置于一对支承板328。接着，使安装于各支承板328的加热器进行动作，对无环单元u’的带96进行加热，由此使由于去除了增强部24而产生的带96的松弛、褶皱伸展。并且，再次利用框架保持部306吸引保持无环单元u’并使无环单元u’上升。
187.接着，在通过间隔调整单元使一对支承板328之间的间隔扩展之后，将无环单元u’载置于支承板328的上表面上。并且，如图21所示，通过推入部312的按压片338推动无环单元支承部310所支承的无环单元u’，使无环单元u’进入至载置于框架盒台200的框架盒198而进行收纳。这样，在加工装置2中，将划片带96粘贴于在与外周剩余区域20对应的背面4b呈凸状形成有环状的增强部24的晶片4的背面4b而与环状框架64成为一体的作业容易，并且将环状的增强部24切断而从晶片4去除容易，生产率变得良好。
188.如上所述，在加工装置2的激光加工装置500中，根据从通过激光光线lb的照射而实施了加工的区域发出的等离子光p的检测结果，能够容易地调整向晶片4照射的激光光线lb的功率。