一种新型氧化物薄膜晶体管器件

1.本实用新型涉及氧化物薄膜晶体管技术领域，具体为一种新型氧化物薄膜晶体管器件。


背景技术：

2.氧化物薄膜晶体管是场效应管的一种特殊类型，这种技术把半导体有源层和介电质以薄膜的形式沉积在制成衬底上，氧化物薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管的主要区别是电子通道的材料是氧化物而不是非晶硅，常用的衬底为二氧化硅，薄膜晶体管主要应用于液晶显示器和有机发光半导体中，薄膜晶体管是平板显示的核心器件。
3.现有的氧化物半导体浓度大，对源极和漏极电学性质产生影响，为此，我们提出一种新型氧化物薄膜晶体管器件。


技术实现要素：

4.鉴于上述和/或现有一种新型氧化物薄膜晶体管器件中存在的问题，提出了本实用新型。
5.因此，本实用新型的目的是提供一种新型氧化物薄膜晶体管器件，通过对氧化物半导体设置有隔离组件，对源极和漏极与氧化物半导体进行绝对隔离与防护，减少氧化物半导体对源极和漏极产生的影响，能够解决上述提出现有氧化物半导体浓度大，对源极和漏极电学性质产生影响的问题。
6.为解决上述技术问题，根据本实用新型的一个方面，本实用新型提供了如下技术方案：
7.一种新型氧化物薄膜晶体管器件，其包括：柔软衬底、缓冲层和氧化物半导体，所述缓冲层安装在柔软衬底上端，所述氧化物半导体安装在缓冲层上端内侧，还包括：支撑机构，所述支撑机构安装在氧化物半导体上侧；
8.所述支撑机构包括绝缘板一、绝缘板二和隔离组件，所述绝缘板一安装在氧化物半导体上端，所述绝缘板二安装在绝缘板一上端，所述绝缘板二的上表面设置有两组支撑筒和定位筒，所述定位筒安装在支撑筒的上端，一组所述定位筒内侧安装源极，另一组所述定位筒内侧安装漏极，所述隔离组件安装在绝缘板二的上表面，并位于两组支撑筒和定位筒之间。
9.作为本实用新型所述的一种新型氧化物薄膜晶体管器件的一种优选方案，其中：所述隔离组件包括下支撑座、隔离块一、隔离块二、连接膜和上支撑座，所述下支撑座安装在绝缘板二的上表面，所述下支撑座从下往上依次交替地安装有隔离块一和隔离块二，所述上支撑座安装在位于最上方的隔离块一上，所述下支撑座、隔离块一、隔离块二和上支撑座的左右两侧均安装有所述连接膜。
10.作为本实用新型所述的一种新型氧化物薄膜晶体管器件的一种优选方案，其中：所述支撑机构还包括防护隔离板，所述防护隔离板安装在连接膜和上支撑座的上端，所述
防护隔离板延伸至定位筒的上方。
11.与现有技术相比：
12.通过对氧化物半导体设置有隔离组件，对源极和漏极与氧化物半导体进行绝对隔离与防护，减少氧化物半导体对源极和漏极产生的影响。
附图说明
13.图1为本实用新型一种新型氧化物薄膜晶体管器件的结构图；
14.图2为本实用新型一种新型氧化物薄膜晶体管器件的主视图；
15.图3为本实用新型一种新型氧化物薄膜晶体管器件中隔离组件的结构图；
16.图4为本实用新型一种新型氧化物薄膜晶体管器件中支撑筒和定位筒连接的立体图。
17.图中：柔软衬底1、缓冲层2、氧化物半导体3、支撑机构100、绝缘板一101、绝缘板二102、支撑筒103、定位筒104、防护隔离板105、源极106、漏极107、隔离组件200、下支撑座201、隔离块一202、隔离块二203、连接膜204、上支撑座205。
具体实施方式
18.为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的实施方式作进一步地详细描述。
19.本实用新型提供一种新型氧化物薄膜晶体管器件，具有通过对氧化物半导体设置有隔离组件，对源极和漏极与氧化物半导体进行绝对隔离与防护，减少氧化物半导体对源极和漏极产生的影响的优点，请参阅图1-4，包括柔软衬底1、缓冲层2和氧化物半导体3，还包括：支撑机构100；
20.缓冲层2安装在柔软衬底1上端，缓冲层2具有沉积在柔软衬底1上，缓冲层2更容易对柔软衬底1贴附，在缓冲层2安装在柔软衬底1上时进行烘烤，增加缓冲层2的利用率，氧化物半导体3安装在缓冲层2上端内侧，氧化物半导体3是驱动超高精细液晶面板的材料，支撑机构100安装在氧化物半导体3上侧，支撑机构100具有支撑源极106和漏极107的作用，支撑机构100包括绝缘板一101、绝缘板二102和隔离组件200，绝缘板一101和绝缘板二102具有支撑隔离组件200和支撑筒103的作用，隔离组件200具有对源极106和漏极107隔离的作用，绝缘板一101安装在氧化物半导体3上端，绝缘板二102安装在绝缘板一101上端，绝缘板二102的上表面设置有两组支撑筒103和定位筒104，支撑筒103具有支撑定位筒104的作用，定位筒104安装在支撑筒103的上端，定位筒104具有在内部装配源极106和漏极107的作用，一组定位筒104内侧安装源极106，源极106为场效应管，晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而fet仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管，另一组定位筒104内侧安装漏极107，漏极107在两个高掺杂的p区中间，夹着一层低掺杂的n区，n区一般做得很薄，形成了两个pn结，在n区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个p区上也做上欧姆电极，并把这两p区连起来，就构成了一个场效应管，隔离组件200安装在绝缘板二102的上表面，并位于两组支撑筒103和定位筒104之间。
21.隔离组件200包括下支撑座201、隔离块一202、隔离块二203、连接膜204和上支撑
座205，下支撑座201安装在绝缘板二102的上表面，下支撑座201具有支撑隔离块一202和隔离块二203的作用，下支撑座201从下往上依次交替地安装有隔离块一202和隔离块二203，隔离块一202和隔离块二203具有隔离源极106和漏极107的作用，上支撑座205安装在位于最上方的隔离块一202上，上支撑座205和下支撑座201具有固定隔离块一202和隔离块二203的作用，下支撑座201、隔离块一202、隔离块二203和上支撑座205的左右两侧均安装有连接膜204，连接膜204具有连接固定隔离块一202和隔离块二203的作用。
22.支撑机构100还包括防护隔离板105，防护隔离板105安装在连接膜204和上支撑座205的上端，防护隔离板105延伸至定位筒104的上方，防护隔离板105具有隔离源极106和漏极107的作用。
23.在具体使用时，柔软衬底1上端安装缓冲层2，缓冲层2上端内侧安装氧化物半导体3，氧化物半导体3是驱动超高精细液晶面板的材料，氧化物半导体3上端安装绝缘板一101，绝缘板一101上端安装绝缘板二102，绝缘板二102上端安装支撑筒103，支撑筒103设置两组，两组的支撑筒103内侧安装有下支撑座201，下支撑座201上端卡接隔离块一202，隔离块一202上端卡接隔离块二203，隔离块一202和隔离块二203交叉安装，隔离块一202上端卡接上支撑座205，下支撑座201、隔离块一202、隔离块二203和上支撑座205两端均安装连接膜204，通过下支撑座201、隔离块一202、隔离块二203和上支撑座205隔离源极106和漏极107，通过绝缘板一101和绝缘板二102支撑隔绝源极106和漏极107，上支撑座205上端安装防护隔离板105，绝缘板二102上端安装支撑筒103，支撑筒103上端安装支撑筒103，支撑筒103设置有两组，支撑筒103和定位筒104设置有两组，一组定位筒104内侧安装源极106，源极106为场效应管，晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而fet仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管，另一组定位筒104内侧安装漏极107，漏极107在两个高掺杂的p区中间，夹着一层低掺杂的n区，n区一般做得很薄，形成了两个pn结，在n区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个p区上也做上欧姆电极，并把这两p区连起来，就构成了一个场效应管。
24.虽然在上文中已经参考实施方式对本实用新型进行了描述，然而在不脱离本实用新型的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，本实用新型所披露的实施方式中的各项特征均可通过任意方式相互结合起来使用，在本说明书中未对这些组合的情况进行穷举性的描述仅仅是出于省略篇幅和节约资源的考虑。因此，本实用新型并不局限于文中公开的特定实施方式，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。