本发明涉及照明技术领域，具体而言，涉及一种框架及发光器件。
背景技术
LED具有寿命长、功耗低、响应速度快和环境友好等优点，除了在传统照明领域有着广泛的应用外，在智慧灯杆、植物照明、可见光通信等新兴领域也有着越来越大的应用。
随着LED产品的应用的不断拓展，市场对LED产品的可靠性能的要求也越来越高，现有技术中，由金属制成的金属框架与由塑料材料制成的模制结构之间存在物理性质的差异，这样，在金属框架和模制结构的连接处会产生应力，从而会发生金属框架与模制结构之间的不稳定结合，进而将芯片1与引线框架焊接时，会出现助焊剂侵入芯片放置区的问题，这样会降低发光器件的可靠性。
为解决上述问题，本提案提出一种能够提高发光器件的可靠性的框架及包含上述框架的发光器件。
技术实现要素：
本发明的主要目的在于提供一种框架及发光器件，上述框架能够提高发光器件的可靠性。
为了实现上述目的，本发明提供了一种框架，包括引线框架和与引线框架连接的模制结构，引线框架包括：第一引线部，包括第一基体；第二引线部，包括与第一基体间隔设置的第二基体，第一基体和第二基体之间的间隔形成通道，且第一引线部和第二引线部之间相互绝缘，部分模制结构填充于通道；阻隔结构，第一基体和第二基体中的至少一个的朝向通道的一侧设有阻隔结构，在通道的延伸方向上，阻隔结构位于第一基体和/或第二基体的相对设置的两个端部之间，且阻隔结构凸出于第一基体和/或第二基体，通道的相对两端的长度大于中间部分的长度，以形成“宽-窄-宽”型式。
进一步地，引线框架包括两个阻隔结构，第一基体和第二基体上分别设有一个阻隔结构，沿通道的延伸方向，两个阻隔结构错位布置，沿与通道的延伸方向垂直的第一方向，两个阻隔结构的长度相等。
进一步地，引线框架包括两个阻隔结构，第一基体和第二基体上分别设有一个阻隔结构，两个阻隔结构关于通道对称设置。
进一步地，阻隔结构的宽度≥第一基体或第二基体的宽度的0.25倍，且阻隔结构的宽度≤第一基体或第二基体的宽度的0.5倍；或者，通道的相对两端的长度≥第一基体、通道以及第二基体的长度之和的0.1倍，且通道的相对两端的长度≤第一基体、通道第二基体的长度之和的0.3倍。
进一步地，引线框架还包括位于第一基体的朝向通道的一侧的第一弧形结构，沿通道的延伸方向，第一基体上的阻隔结构的至少一侧设有第一弧形结构，阻隔结构通过第一弧形结构与第一引线部光滑过渡连接；或者，引线框架还包括位于第二基体的朝向通道的一侧的第一弧形结构，沿通道的延伸方向，第二基体上的阻隔结构的至少一侧设有第一弧形结构，阻隔结构通过第一弧形结构与第二引线部光滑过渡连接。
进一步地，第一基体和/或第二基体上设有通孔。
进一步地，通孔为长条孔，通孔的长度方向与通道的延伸方向之间具有夹角；或者，通孔为圆形通孔。
进一步地，引线框架还包括与通孔的内壁面连接的第一凸出部，第一凸出部朝向通孔的内侧延伸。
进一步地，引线框架还包括第二凸出部，第一基体和第二基体中的至少一个的外周边沿设有第二凸出部；和/或，引线框架还包括第三凸出部，引线框架的朝向通道的一侧设有第三凸出部。
进一步地，第一引线部还包括凸出于第一基体设置的多个第一引脚；第二引线部还包括凸出于第二基体设置的多个第二引脚，第一引脚的延伸方向和第二引脚的延伸方向均与通道的延伸方向呈夹角设置或平行设置，多个第一引脚位于第一基体的背离通道的一侧，多个第二引脚位于第二基体的背离通道的一侧。
进一步地，模制结构包括与引线框架的第一引脚连接的第二弧形结构，第一引脚的至少一侧设有第二弧形结构；和/或，模制结构包括与引线框架的第二引脚连接的第三弧形结构，第二引脚的至少一侧设有第三弧形结构。
本发明的另一目的在于提供一种发光器件，该发光器件包括上述的框架。
应用本发明的技术方案，通过设置阻隔结构，使通道形成“宽-窄-宽”型式，这样可以为引线框架与芯片之间的焊接提供足够的焊接面积，也可以降低助焊剂侵入芯片放置区的可能性，从而可以避免焊接时引线框架热形变引起的气密性降低的问题，这样可以提高发光器件的可靠性。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了本发明的实施例一的框架的结构示意图；
图2示出了图1的框架的后视图；
图3示出了本发明的实施例一的发光器件的结构示意图；
图4示出了图1的框架的右视图；
图5示出了图1的框架的引线框架的结构示意图；
图6示出了本发明的实施例二的框架的结构示意图；
图7示出了本发明的实施例三的框架的结构示意图；
图8示出了本发明的实施例四的框架的结构示意图；
图9示出了本发明的实施例五的框架的结构示意图；
图10示出了本发明的实施例六的框架的结构示意图；
图11示出了本发明的实施例七的框架的结构示意图；
图12示出了本发明的实施例八的框架的引线框架的结构示意图；
图13示出了本发明的实施例九的框架的结构示意图；
图14示出了本发明的实施例十的框架的结构示意图；以及
图15示出了本发明的实施例十的发光器件的结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
1、芯片；10、引线框架；11、第一基体；12、通道；13、第一凹入槽；14、压痕；15、第二凹入槽；151、第一槽段；152、第二槽段；153、第三槽段；16、通孔；17、第二基体；20、第一引脚；30、第二引脚；40、模制结构；42、第二弧形结构；43、第三弧形结构；50、阻隔结构；51、第一弧形结构；52、第一凸出部；53、第二凸出部；54、第三凸出部；61、芯片放置主体；62、避让槽；64、第一凸起；65、阻隔件；66、第二凸起；70、筒状结构；71、第一弧形面；72、第二弧形面；73、第三弧形面；74、内部通孔；80、容置槽；81、倾斜面。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
需要说明的是，本发明的实施例中，发光器件包括芯片1和用于安装芯片1的框架，框架包括引线框架10和与引线框架10连接的模制结构40，模制结构40包覆引线框架10的一侧形成反射结构，反射结构限定出用于露出部分引线框架10的避让槽62，芯片放置于反射结构的底部并与露出的部分引线框架10电连接。
需要说明的是，本发明的实施例中，图2中的第一方向与通道12的延伸方向垂直，第二方向是指与通道12的延伸方向平行的方向。
需要说明的是，本发明的实施例中，引线框架10由金属材料制成。
需要说明的是，本发明的实施例中，模制结构40由塑封料制成。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一提供了一种框架。框架包括引线框架10和与引线框架10连接的模制结构40，引线框架10包括第一引线部、第二引线部和阻隔结构。其中，第一引线部包括第一基体11；第二引线部包括与第一基体11间隔设置的第二基体17，第一基体11和第二基体17之间的间隔形成通道12，且第一引线部和第二引线部之间相互绝缘，部分模制结构40填充于通道12；第一基体11和第二基体17中的至少一个的朝向通道12的一侧设有阻隔结构50，在通道12的延伸方向上，阻隔结构50位于第一基体11和/或第二基体17的相对设置的两个端部之间，且阻隔结构50凸出于第一基体11和/或第二基体17，通道12的相对两端的长度大于中间部分的长度，以形成“宽-窄-宽”型式。
上述技术方案中，通过设置阻隔结构50，使通道12形成“宽-窄-宽”型式，这样可以为引线框架10与芯片1之间的焊接提供足够的焊接面积，也可以降低助焊剂侵入芯片放置区的可能性，从而可以避免焊接时引线框架10热形变引起的气密性降低的问题，这样可以提高发光器件的可靠性。
本发明及本发明的实施例中，上述框架优选为发光器件用的框架。
需要说明的是，本发明的实施例一中，通道12只包括三个依次沿第二方向相连通的槽段，上述相对两端的长度是指三个槽段中两端的槽段的在第一方向上的最大长度，中间部分的长度是指三个槽段中的中间的槽段在第一方向上的长度，这样，可以使通道12的中间长度较窄，两端的长度较宽，即可以形成图2中“宽-窄-宽”的型式。
优选地，本发明的实施例一中，两个引线部的朝向通道12的一侧均设有阻隔结构50，这样可以形成“工字型”的通道12。
优选地，本发明的实施例一中，阻隔结构50可以为凸出引线部设置的凸筋。
需要说明的是，本发明的实施例一中，第一基体11和第二基体17中的至少一个的朝向通道12的一侧设有阻隔结构50是指第一基体11上设有阻隔结构50，或者，第二基体17上设有阻隔结构50，或者，第一基体11和第二基体17上均设有阻隔结构50。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10包括两个阻隔结构50，第一基体11和第二基体17上分别设有一个阻隔结构50，沿通道12的延伸方向，两个阻隔结构50错位布置，沿与通道12的延伸方向垂直的第一方向，两个阻隔结构50的长度相等。
上述技术方案中，第一基体11和第二基体17上分别设有一个阻隔结构50，相对于只设置一个阻隔结构50而言，这样可以尽可能地增加引线框架10与模制结构40之间的连接面积，从而可以使引线框架10与模制结构40之间能够稳定结合，进而可以提高发光器件的可靠性。
需要说明的是，本发明的实施例一中，两个阻隔结构50错位布置是指：在通道的延伸方向上，第一基体11上的阻隔结构50的至少一端相对于第二基体17上的阻隔结构50凸出设置，即在通道的延伸方向上，第一基体11上的阻隔结构50的一端可以相对于第二基体17上的阻隔结构50的一端凸出，第二基体17上的阻隔结构50的另一端相对于第一基体11上的阻隔结构50的另一端凸出；或者，第一基体11上的阻隔结构50的相对两端均相对于第二基体17上的阻隔结构50凸出设置。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10包括两个阻隔结构50，第一基体11和第二基体17上分别设有一个阻隔结构50，两个阻隔结构50关于通道12对称设置。
由于芯片1的两个电极为对称设置，而通过上述设置，可以使两个阻隔结构50更好地与芯片1的两个电极进行焊接，并且上述设置结构简单，便于加工。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，阻隔结构50的宽度大于或等于第一基体11或第二基体17的宽度的0.25倍且小于或等于第一基体11或第二基体17的宽度的0.5倍。
上述技术方案中，阻隔结构50的宽度大于或等于第一基体11或第二基体17的宽度的0.25倍，这样可以保证芯片1和引线框架10之间有足够的焊接面积；阻隔结构50的宽度小于或等于第一基体11或第二基体17的宽度的0.5倍，这样可以避免通道12的宽度(即通道12在其延伸方向上的长度)减少，从而可以避免第一引线部和第二引线部之间在焊接时发生短路。
优选地，本发明的实施例一中，阻隔结构50的宽度等于第一基体11或第二基体17的宽度的0.3倍。
需要说明的是，本发明的实施例一中，阻隔结构50的宽度是指阻隔结构50在通道12的延伸方向上的长度。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，通道12的相对两端的长度大于或等于第一基体11、通道12以及第二基体17的最大长度之和的0.1倍且小于或等于第一基体11、通道12第二基体17的最大长度之和的0.3倍。
上述技术方案中，通道12的相对两端的长度大于或等于第一基体11、通道12以及第二基体17的最大长度之和的0.1倍，这样可以在焊接时避免第一引线部和第二引线部之间发生短路；通道12的相对两端的长度小于或等于第一基体11、通道12第二基体17的最大长度之和的0.3倍，这样可以保证引线框架10与模制结构40之间具有足够的接触面积，从而可以保证引线框架10和模制结构40之间具有足够的结合力，还可以提高发光器件的气密性，以及避免阻隔结构50发生形变，也可以提高散热效果。
优选地，本发明的实施例一中，通道12的相对两端的长度等于第一基体11、通道12以及第二基体17的最大长度之和的0.15倍。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，部分模制结构40位于引线框架10的一侧，模制结构40上设有与阻隔结构50对应设置的避让槽62，以使阻隔结构50从避让槽62露出。
通过上述设置，避让槽62可以使阻隔结构50露出，从而方便芯片1与阻隔结构50进行焊接，进而提高芯片1与引线框架10连接的稳定性。
如图2所示，本发明的实施例一中，引线框架10还包括位于第一基体11的朝向通道12的一侧的第一弧形结构51，沿通道12的延伸方向，阻隔结构50的至少一侧设有第一弧形结构51，阻隔结构50通过第一弧形结构51与引线部光滑过渡连接；引线框架10还包括位于第二基体17的朝向通道12的一侧的第一弧形结构51，沿通道12的延伸方向，第二基体17上的阻隔结构50的至少一侧设有第一弧形结构51，阻隔结构50通过第一弧形结构51与第二引线部光滑过渡连接。
通过上述设置，可以减少阻隔结构50与引线部的连接处的集中应力，从而提高引线框架10的强度，进一步地，上述结构简单，便于加工。
进一步地，通过设置第一弧形结构51可以增加引线框架10与模制结构40之间的结合力，从而使引线框架10与模制结构40之间的连接能够更加稳定。
优选地，本发明的实施例一中，通过设置第一弧形结构51可以实现第一弧形结构51与引线部之间的光滑连接。优选地，即第一弧形结构51为弧形倒角，便于加工。
优选地，本发明的实施例一中，阻隔结构50的相对两侧均设有第一弧形结构51，这样，可以使阻隔结构50的相对两端都能够与引线部光滑连接。
当然，在附图未示出的替代实施例中，也可以只在阻隔结构50的一侧设有第一弧形结构51。
如图2和图5所示，本发明的实施例一中，第一基体11和/或第二基体17上设有通孔16，模制结构40的一侧设有第二凸起66，第二凸起66与通孔16的形状和大小相匹配。
通过上述设置，通孔16的内壁可以与第二凸起66的外壁结合，从而可以提高引线框架10与模制结构40之间的结合力。
优选地，本发明的实施例一中，第一基体11和第二基体17上均设有通孔16，第二凸起66与通孔16对应设置，这样可以使引线框架10与模制结构40之间的结合力更大。
当然，在附图未示出的替代实施例中，也可以只在第一基体11和第二基体17中的一个上设置通孔16。
如图2和图5所示，本发明的实施例一中，通孔16为长条孔，通孔16的长度方向与通道12的延伸方向之间具有夹角。
上述技术方案中，通过设置长条孔还可以减小引线框架10的铜层面积，从而可以降低焊接受热时的引线框架10的膨胀，从而增加框架的气密性。
进一步地，通孔16的长度方向与通道12的延伸方向之间具有夹角，这样，既可以增加通孔16与模制结构40在第一方向上的结合力，又可以增加通孔16与模制结构40在第二方向上的结合力。
优选地，如图2所示，本发明的实施例一中，长条孔的长度方向与通道12的延伸方向之间具有夹角，且长条孔的上端与通道12的中线之间的距离要大于长条孔的下端与通道12的中线之间的距离。
当然，在附图未示出的替代实施例中，通孔16也可以为椭圆形通孔。
如图2和图5所示，本发明的实施例一中，通孔16为多个，多个通孔16沿通道12的延伸方向间隔设置。
上述技术方案中，通过增加通孔16的个数，可以增加引线框架10与模制结构40的连接面积，从而可以提高引线框架10与模制结构40之间的结合力。
优选地，如图2和图5所示，本发明的实施例一中，沿通道12的延伸方向，通孔16的数量为两个。当然，在附图未示出的替代实施例中，通孔16的个数可以为三个或者四个等等。
如图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10还包括与通孔16的内壁面连接的第一凸出部52，第一凸出部52朝向通孔16的内侧延伸，以增大引线框架10与模制结构40之间的结合面积。
上述技术方案中，通过在通孔16的内壁面设置第一凸出部52，这样，通孔16的内壁面和第一凸出部52之间可以形成台阶面，从而能够增加通孔16与模制结构40之间的接触面积，进而可以增加引线框架10和模制结构40之间的连接面积，这样可以有效地提高引线框架10与模制结构40之间的连接稳定性。
优选地，本发明的实施例一中，第一凸出部52包括环形凸筋。这样，第一凸出部的结构较为简单，便于加工。
当然，在替代实施例中，第一凸出部52还可以包括沿通孔的周向侧壁间隔设置的多个凸筋段。
如图5所示，本发明的实施例一中，框架还包括第二凸出部53，第一基体11和第二基体17中的至少一个的外周边沿设有第二凸出部53。
上述技术方案中，通过在部分第一基体11和/或第二基体17的外周边沿设置第二凸出部53，这样可以增加引线框架10与模制结构40之间的接触面积，同理，上述第二凸出部53可以达到和第一凸出部52相同的效果，此处不再赘述。
优选地，本发明的实施例一中，第二凸出部53包括长条凸筋，这样便于加工。
当然，在替代实施例中，第二凸出部53还可以包括沿第一基体11和第二基体17的外周边沿间隔设置的多个凸筋段。
如图1、图3和图5所示，框架还包括第三凸出部54，引线框架10的朝向通道12的一侧设有第三凸出部54。
上述技术方案中，通过在引线框架10的朝向通道12的一侧设置第三凸出部54，这样可以在引线框架10的朝向通道12的一侧和第三凸出部54之间形成台阶面，从而能够增加引线框架10与模制结构40之间的接触面积，这样可以有效地提高引线框架10与模制结构40之间的连接稳定性；进一步地，通过设置第三凸出部54也可以增加引线框架10和模制结构40之间的气密性。
优选地，如图1所示，本发明的实施例一中，第三凸出部54包括长条凸筋。这样便于加工。
当然，在附图替代实施例中，第三凸出部54还可以包括沿引线框架10的边沿间隔设置的多个凸筋段。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，第一引线部还包括凸出于第一基体11设置的多个第一引脚20，第二引线部还包括凸出于第二基体17设置的多个第二引脚30。其中，第一引脚20的延伸方向和第二引脚30的延伸方向均与通道12的延伸方向呈夹角设置，多个第一引脚20位于第一基体11的背离通道12的一侧，多个第二引脚30位于第二基体17的背离通道12的一侧。
上述技术方案中，通过将多个第一引脚20设置于第一基体11的背离通道12的一侧，多个第二引脚30设置于第二基体17的背离通道12的一侧，且第一引脚20的延伸方向和第二引脚30的延伸方向均与通道12的延伸方向呈夹角设置，这样，可以使多个第一引脚20均位于第一基体11的同一侧，并且使多个第二引脚30也位于第二基体17的同一侧，且第一引脚20和第二引脚30位于引线框架10的不同侧，即具有相同电性的引脚可以位于引线框架10的同一侧，这样可以更加方便技术人员对发光器件的后续测试。
进一步地，通过将具有相同电性的引脚位于引线框架10的同一侧，不同电性的引脚位于引线框架10的不同侧，这样方便技术人员区分电极的正负极，从而方便技术人员后期对发光器件进行焊接和返修。
进一步地，通过上述设置可以减少侧面电极的面积，减少锡上铜层，避免助焊剂高温下侵入框架内部。
具体地，如图2所示，本发明的实施例一中，第一引脚20的底面与第一基体11的底面共面设置；第二引脚30的底面与第二基体17的底面共面设置，这样，可以更加方便安装发光器件。
具体地，本发明的实施例一中，多个第一引脚20和多个第二引脚30关于通道对称设置，这样，可以更方便后期检测。
具体地，本发明的实施例一中，第一引线部包括两个第一引脚20，两个第一引脚20对称设置；且第二引线部包括两个第二引脚30，两个第二引脚30对称设置。这样相对于单独中间的电极(传统电极)可以减少焊接时的偏移。
如图2所示，本发明的实施例一中，第一引脚20的延伸方向与通道12的延伸方向之间具有夹角A，夹角A满足：A＝90°±10°；或者，第二引脚30的延伸方向与通道12的延伸方向之间具有夹角B，夹角B满足：B＝90°±10°。
通过上述设置，第一引脚20可以朝背离通道12的方向延伸，第二引脚30可朝背离通道12的方向延伸，且多个第一引脚20可以朝相同的方向延伸，多个第二引脚30也可以朝相同的方向延伸，这样，更加方便技术人员对发光器件进行后续的测试。
如图2和图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10还包括第一凹入槽13，沿通道12的延伸方向(即第二方向)，第一基体11和/或第二基体17的至少一侧设有第一凹入槽13。
上述技术方案中，通过在第一基体11和/或第二基体17的至少一侧设置第一凹入槽13，可以增加引线框架10的边沿长度，从而，从而可以有效地增加引线框架10与模制结构40之间连接面积，以使引线框架10和模制结构40之间的连接更加稳定，从而提高发光器件的稳定性。
进一步地，通过设置第一凹入槽13可以降低焊接时大块铜层的热变形，即可以降低第一基体和/或第二基体的热变形。
优选地，本发明的实施例一中，沿通道12的延伸方向(即第二方向)，第一基体11和第二基体17的相对两侧均设有第一凹入槽13，相对于只设置一个第一凹入槽13而言，上述设置能够使引线框架10与模制结构40之间结合的面积更大，以使发光器件更加稳定。
需要说明的是，本发明的实施例一中，沿通道12的延伸方向，第一基体11和/或第二基体17的至少一侧设有第一凹入槽13是指在图2中，沿通道12的延伸方向，第一基体11和/或第二基体17的上侧和/或下侧设有第一凹入槽13，即可以是第一基体11和第二基体17中的一个的至少一侧设有第一凹入槽13，也可以是第一基体11和第二基体17的至少一侧均设有第一凹入槽13。
当然，在附图未示出的替代实施例中，也可以只在第一基体11或第二基体17的上下两侧设置第一凹入槽13，这样，也可以增加引线框架10与模制结构40之间接触面积。
如图3和图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10还包括多个压痕14，多个压痕14间隔设置于第一基体11和/或第二基体17的朝向模制结构40的表面，第一基体11和/或第二基体17的表面是指在图3的竖直方向上第一基体11和/或第二基体17的上表面。
上述技术方案中，通过在第一基体11和/或第二基体17的表面设置多个压痕14，这样部分模制结构40可以填充在压痕14内，从而可以增加引线框架10与模制结构40之间的连接面积，以增加引线框架10与模制结构40之间的气密性；进一步地，也可以有效地提高引线框架10和模制结构40之间的结合力。
具体地，本发明的实施例一中，多个压痕14设置于第一基体11和/或第二基体17的朝向模制结构40的一侧，此处第一基体11和/或第二基体17朝向模制结构40的一侧是指在图3的竖直方向上第一基体11和/或第二基体17的上侧。
具体地，本发明的实施例一中，多个压痕14沿第一方向间隔设置在第一基体11和/或第二基体17的表面。当然，在附图未示出的替代实施例中，多个压痕14也可以沿第二方向间隔设置在第一基体11和/或第二基体17的表面。
具体地，如图3所示，本发明的实施例一中，模制结构包括芯片放置主体61以及围设在芯片放置主体61的外周的反射结构，其中，芯片放置主体61限定出避让槽62。而压痕14设置在反射结构和引线框架10的结合处，优选在避让槽62和引线框架10的边缘之间的中央区域。
优选地，本发明的实施例一中，压痕14为凹槽，这样便于加工。当然，在附图未示出的替代实施例中，压痕14也可以为凸条，但是凸条加工难度大。
如图3和图5所示，本发明的实施例一中，压痕14沿第二方向延伸，在与通道12的延伸方向垂直的第一方向上，压痕14位于第一基体11或第二基体17的远离通道12的一端。
上述技术方案中，因第一基体11或第二基体17的远离通道12的一端与模制结构40之间的连接面积较大，所以将压痕14设置在第一基体11或第二基体17的远离通道12的一端可以较大地增加引线框架10与模制结构40之间的结合力，降低引线框架10在高温下的变形能力，从而提高引线框架10的可靠性。
如图2和图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10还包括第二凹入槽15，第一基体11的背离通道12的一侧设有第二凹入槽15，和/或，第二基体17的背离通道12的一侧设有第二凹入槽15，模制结构40还包括与反射结构连接的第一凸起64，第二凹入槽15与第一凸起64的形状和大小相匹配。
上述技术方案中，第二凹入槽15的内壁和第一凸起64的外壁可以相结合，可以使第一基体11和/或第二基体17更好地与模制结构40结合，从而提高引脚处与模制结构之间的连接稳定性，并且可以增加引线框架10与模制结构40之间的气密性。
优选地，本发明的实施例一中，第一基体11上设有第二凹入槽15，第二基体17上也设有第二凹入槽15，且两个第二凹入槽15内均设有第一凸起64。
如图2所示，本发明的实施例一中，第二凹入槽15包括相连通的至少两个槽段，且沿第一方向，自靠近通道12的方向，至少两个槽段的宽度依次减小。
通过上述设置，不仅可以有效地增加引线框架10与模制结构40之间的连接稳定性，而且也可以降低焊接时大块铜层的热变形，即可以降低第一基体和/或第二基体的热变形，从而提高引线框架10与模制结构40之间的气密性。
具体地，本发明的实施例一中，相邻两个所述槽段的宽度比值在1至2之间。
如图2所示，本发明的实施例一中，至少两个槽段包括依次相连通的第一槽段151、第二槽段152和第三槽段153，且自靠近通道12的方向，第一槽段151、第二槽段152和第三槽段153的宽度依次减小。
通过上述设置，不仅可以有效地增加引线框架10与模制结构40之间的连接稳定性，还可以增加引脚与基体之间的连接强度，从而避免引脚发生变形。
上述技术方案中，第一槽段151、第二槽段152和第三槽段153的宽度依次减小，这样便于对引线框架10进行加工。
需要说明的是，本发明的实施例一中，第一槽段151、第二槽段152和第三槽段153的宽度是指第一槽段151、第二槽段152和第三槽段153在第二方向上的长度。
当然，在附图未示出的替代实施中，也可以设置为第一槽段151的宽度大于第二槽段152的宽度，且第二槽段152的宽度小于第三槽段153的宽度。
优选地，如图1所示，本发明的实施例一中，反射结构和芯片放置主体61在第一平面内的投影完全覆盖在第一凸起64上，以避免第一凸起64从避让槽62露出。
需要说明的是，本发明的实施例一中，第一平面是指图1所示的平面，即图1中的纸面。
如图1和图3所示，本发明的实施例一中，模制结构40还包括沿第二方向延伸且与芯片放置主体61连接的阻隔件65，阻隔件65位于避让槽62的背离内部通孔74的一侧且与通道12配合，在图3中的竖直方向上，阻隔件65靠近内部通孔74一端的宽度小于阻隔件65背离内部通孔74一端的宽度。
需要说明的是，本发明的实施例一中，阻隔件65包括三个沿通道12的延伸方向依次相连接的阻隔段，沿通道12的延伸方向，上述阻隔件65的三个阻隔段中两端的阻隔段的宽度大于阻隔件65的三个阻隔段中的中间的阻隔段的宽度，这样，可以使阻隔件65的中间宽度较窄，两端的宽度较宽，即可以形成图1中能够与通道12配合的“宽-窄-宽”的型式。
优选地，本发明的实施例一中，阻隔件65为“工字型”，这样可以更好地和通道12配合。
上述技术方案中，通过设置阻隔件65，阻隔件65可以与通道12配合，以使模制结构40与引线框架10之间能够有更多的连接面积，从而提高模制结构40和引线框架10之间的结合力；进一步地，也可以减小芯片1与引线框架10之间的电镀区域，这样既可以提高高温老化的可靠性，又可以有效提高发光器件的出光率。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10包括两个第一引脚20，两个第一引脚20沿通道12的延伸方向间隔设置。
上述技术方案中，通过设置两个第一引脚20，可以降低助焊剂从引脚侵入发光器件的功能区的可能性，从而避免发光器件受到损伤，进而提高发光器件的可靠性。
当然，在附图未示出的替代实施例中，第一引脚20的数量可以为三个或者四个等等。
如图1、图2和图5所示，本发明的实施例一中，引线框架10包括两个第二引脚30，两个第二引脚30沿通道12的延伸方向间隔设置。
当然，在附图未示出的替代实施例中，第二引脚30的数量可以为三个或者四个等等。
如图2所示，本发明的实施例一中，模制结构40包括与引线框架10的第一引脚20连接的第二弧形结构42，第一引脚20的至少一侧设有第二弧形结构42；模制结构40包括与引线框架10的第二引脚30连接的第三弧形结构43，第二引脚30的至少一侧设有第三弧形结构43。
通过上述设置，可以降低第一引脚20和第二引脚30分别与模制结构40的连接处的集中应力，从而可以提高第一引脚20和第二引脚30与模制结构40之间的连接稳定性；进一步地，上述设置便于模制结构40的出模。
优选地，如图2所示，本发明的实施例一中，第一引脚20的相对两侧均设有第二弧形结构42。
当然，在附图未示出的替代实施例中，也可以在第一引脚20的一侧设置第二弧形结构42。
优选地，如图2所示，本发明的实施例一中，第二引脚30的相对两侧均设有第三弧形结构43。
当然，在附图未示出的替代实施例中，也可以在第二引脚30的一侧设置第三弧形结构43。
如图1和图3所示，本发明的实施例一提供了一种发光器件包括上述框架和芯片1。具体地，模制结构40包括芯片放置主体61和反射结构。其中，芯片放置主体61限定出避让槽62；反射结构为具有内部通孔74的筒状结构70，内部通孔74与避让槽62连通，筒状结构70围设在芯片放置主体61的外周，筒状结构70的第一端形成与内部通孔74连通的开口，筒状结构70的第二端在整个周向上均与芯片放置主体61连接，内部通孔74的周向侧壁形成用于反射光线的反射面，自筒状结构70的第二端至第一端，反射面包括依次相连接的多个弧形面。
上述技术方案中，通过设置沿周向延伸的反射结构，并且反射结构在整个周向上都与芯片放置主体61连接，可以使反射结构具有较大的反射面，即芯片放置主体61之外均为反射结构，这样大面积的反射面可以对位于芯片放置主体61上的芯片发出的光线进行反射，从而可以有效地提高出光率。
需要说明的是，本发明的实施例一中，第一端是指图3中的反射结构的上端，因反射结构结构沿周向延伸，因此，第一端也是沿周向延伸的；第二端是指图3中的反射结构的下端，即反射结构的靠近芯片放置主体61的一端，同理，第二端也沿周向延伸。
具体地，反射面包括依次相连接的多个弧形面，在图3中的相同高度下，相对于平面而言，多个弧形面具有更大的面积，这样可以有效地增加反射面的面积，从而使反射面更好地对芯片1发出的光线进行反射，进而可以有效地提高出光率。
如图3所示，本发明的实施例一中，多个弧形面包括相连接的第一弧形面71和第二弧形面72，第一弧形面71和第二弧形面72均相对于水平面倾斜设置，且第一弧形面71和第二弧形面72均朝逐渐远离筒状结构70的中心线的方向倾斜。
通过上述设置，反射结构可以形成开口朝上的筒状结构70，即形成碗状结构，这样，反射面既可以朝向芯片1，以使芯片1发出的光线照射至反射面上，又可以使反射面朝向芯片1的上方，从而使反射面将芯片1发出的光线向远离芯片1的方向反射，这样，可以有效地提高反射结构的反射效果。
如图3所示，本发明的实施例一中，第一弧形面71与水平面之间具有第一夹角C1，第一夹角C1满足：25°≤C1≤50°。
通过上述设置，可以使第一弧形面71先沿远离芯片放置主体61的方向延伸，降低反射面的整体倾斜度，增加反射面在图3中的水平方向的面积，降低反射面图3中的竖直方向的高度，这样可以使反射面将芯片1发出的光线朝远离芯片1的方向反射。
如图3所示，本发明的实施例一中，第二弧形面72与水平面之间具有第二夹角D1，第二夹角D1满足：30°≤D1≤45°。
通过上述设置，可以将使第二弧形面72在图3中的竖直方向向上延伸，从而形成筒状结构70，这样防止反射光线向四周发散，从而可以提高发光器件的出光率。
如图3所示，本发明的实施例一中，第一弧形面71朝向中心线所在的一侧凸出，且第一弧形面71具有第一弧度，第一弧度大于或等于10°且小于或等于30°。
通过上述设置，在降低反射面的整体倾斜度且使第一弧形面71沿远离芯片放置主体61的方向延伸的情况下，来增加第一弧形面71的面积，从而可以增加反射面的面积，进而可以有效地提高反射结构的反射效果。
如图3所示，本发明的实施例一中，第二弧形面72朝背离中心线的方向凸出，且第二弧形面72具有第二弧度，第二弧度大于或等于40°且小于或等于80°。同理，上述第二弧形面72可以达到与上述第一弧形面71相同的效果，此处不再赘述。
如图3所示，本发明的实施例一中，第一弧形面71与水平面之间具有第一夹角C2，沿远离中心线的方向，第一夹角C2先增大后减小；第二弧形面72与水平面之间具有第二夹角D2，沿远离中心线的方向，第二夹角D2逐渐增大。
通过上述设置，可以使第一弧形面71朝向中心线所在的一侧凸出，并且使第二弧形面72朝背离中心线的方向凸出，从而可以增加第一弧形面71和第二弧形面72的面积，进而可以增加反射面的面积，这样可以实现提高反射结构的反射效果的目的。
如图3所示，本发明的实施例一中，多个弧形面还包括与第二弧形面72连接的第三弧形面73，第三弧形面73相对于水平面倾斜设置，且第三弧形面73可以沿朝逐渐远离筒状结构70的中心线的方向倾斜。
上述技术方案中，在两段弧形面的基础上再增设第三弧形面73，这样可以进一步地增加反射结构的反射面积，从而更好地提高发光器件的出光率。
如图3所示，本发明的实施例一中，第三弧形面73与水平面之间具有第三夹角E1，第三夹角E1满足：30°≤E1≤40°。
通过上述设置，既可以增加反射面在竖直方向上的面积，也可以增加反射面在水平方向上的面积，从而使形成如图3所示的碗状结构，这样可以更好地对芯片1发射出的光线进行反射，以提高出光率。
需要说明的是，本发明的实施例一中，第一夹角C1是指，第一弧形面71在图3中纸面上投影出的弧线的两端的连线与水平面之间的夹角。第二夹角D1和第三夹角E1同理可得，此处不再赘述。
如图3所示，本发明的实施例一中，第三弧形面73朝向中心线所在的一侧凸出，且第三弧形面73具有第三弧度，第三弧度大于或等于40°且小于或等于80°。同理，上述第三弧形面73可以达到与上述第一弧形面71和上述第二弧形面72相同的效果，此处不再赘述。
需要说明的是，本发明的实施例中的第一弧度、第二弧度和第三弧度分别指第一弧形面71、第二弧形面72和第三弧形面73所对应的圆心角的数值。比如，第一弧度指的是第一弧形面71在图3所示的截面上的弧线所对应的圆心角的数值。同理，第二弧度和第三弧度的数值的计算方法同第一弧度。
优选地，如图3所示，本发明的实施例一中，反射面包括依次相连接的第一弧形面71、第二弧形面72和第三弧形面73。其中，第一弧形面71与水平面之间具有第一夹角C2，第二弧形面72与水平面之间具有第二夹角D2，第三弧形面73与水平面之间具有第三夹角E2，沿远离中心线的方向，第一夹角C2先增大后减小，第二夹角D2逐渐增大，第三夹角E2逐渐减小。
通过上述设置，可以使第一弧形面71朝向中心线所在的一侧凸出，使第二弧形面72朝背离中心线的方向凸出，使第三弧形面73朝向中心线所在的一侧凸出，从而可以增加第一弧形面71、第二弧形面72以及第三弧形面73的面积，进而可以增加反射面的面积，这样可以有效地提高反射结构的反射效果。
需要说明的是，本发明的实施例一中，第一夹角C2是指第一弧形面71的切面与水平面之间的夹角。比如，第一夹角C2为第一弧形面71在图3所示的截面上的弧形的任一点处的切线与水平面之间的夹角。第二夹角D2和第二夹角E2同理可得，此处不再赘述。
如图3和图4所示，本发明的实施例一中，芯片放置主体61为用于安装芯片的台阶结构。
上述技术方案中，通过将芯片放置主体61设置为台阶结构，这样可以抬高芯片1的焊接高度，减少芯片1底部金属层(引线框架10上表面)的面积；可以让芯片1底部能与模制结构40接近，从而可以避免芯片1四边发出的光经过金属层(引线框架10上表面)反射至芯片1底部而导致亮度降低的问题，进而可以提升产品出光。
进一步地，台阶结构可以对芯片1进行定位，以使芯片1安装于反射结构的较为中心的位置，从而使反射面在周向上距离芯片1的距离相同，这样可以提高反射结构对光线反射的均匀性，从而可以提高发光器件的出光均匀性。
进一步地，通过设置台阶结构，可以抬高芯片1，避免芯片1和引线框架10之间的不平整的锡膏对芯片1进行支撑，从而可以避免出现芯片1安装不平整的问题，进而可以避免芯片1四边发出的光经过金属层(引线框架10上表面)反射至芯片1底部而导致亮度降低的问题。
如图3和图4所示，本发明的实施例一中，避让槽62的宽度大于或等于芯片1的宽度的0.7倍，且小于或等于芯片1的宽度的0.9倍。这样，台阶结构可以对芯片1进行支撑，避让槽62可以避让锡膏。
如图3和图4所示，本发明的实施例一中，台阶结构的高度大于或等于芯片1的高度的0.15倍，且小于或等于芯片1的高度的0.35倍。这样可以避免台阶结构的高度过低而导致锡膏凸出台阶结构使芯片1安装不平整，也可以避免台阶结构的高度过高而导致芯片1安装高度过高后不能完全利用反射结构的反射面进行出光。
优选地，本发明的实施例一中，台阶结构的高度大于或等于0.03mm且小于或等于0.08mm。
优选地，本发明的实施例一中，芯片1凸出于台阶结构的距离为100μm-250μm。
如图1所示，本发明的实施例中，发光器件还包括设置于筒状结构70的内壁面且用于容置齐纳管的至少一个容置槽80，容置槽80与内部通孔74连通。
通过上述设置，容置槽80可以放置齐纳管，便于加工人员将齐纳管安装在模制结构上，并且使齐纳管与引线框架10连接，这样可以提高发光器件的生产效率。
具体地，本发明的实施例中，容置槽80为贯通槽，从而可以使齐纳管与引线框架10连接。
优选地，本发明的实施例中，容置槽80为一个，容置槽80的一端用于放置齐纳管，容置槽80的另一端用于打线。
优选地，本发明的实施例中，容置槽80为长方形，当然，在附图未示出的替代实施例中，容置槽80也可以为正方形或者能够容置齐纳管的其它形状。
如图1和图4所示，本发明的实施例中，容置槽80的远离芯片放置主体61的侧壁上设有倾斜面81，自筒状结构70的第二端至第一端，倾斜面81逐渐远离内部通孔74的中心线。
具体地，倾斜面81与水平面之间的夹角大于或等于70°且小于或等于80°。
通过上述设置，使倾斜面81朝向芯片1的上方，从而使倾斜面81将芯片1发出的光线向远离芯片1的方向反射，这样，可以有效地提高模制结构的反射效果，当然，在替代实施例中，倾斜面81可以朝向芯片1，以使芯片1发出的光线照射至倾斜面81上。
如图1和图4所示，本发明的实施例中，倾斜面81由容置槽80的侧壁延伸至反射部的第一端。
通过上述设置，可以增加倾斜面81的面积，从而可以增加反射光线的反射面积，进而可以提高倾斜面81的反射效果。进一步地，通过上述设置，有利于齐纳管的固晶和后续打线操作。
当然，在替代实施例中，模制结构可以包括多个容置槽80，多个容置槽80沿避让槽62的周向间隔设置。这样，多个容置槽80可以设置多个齐纳管，从而增加发光器件的稳压能力以及抗静电能力。
当然，在替代实施例中，模制结构还可以包括两个容置槽80，两个容置槽80关于避让槽62对称设置或两个容置槽80沿所述避让槽62的周向相邻间隔设置。
如图1所示，本发明的实施例中，容置槽80与避让槽62间隔设置。
通过上述设置，容置槽80与避让槽62之间的间隔由反射部填充，反射部可以起到反射的作用，从而在设置容置槽80的情况下，可以尽可能保证反射部的反射面积，从而保证反射部的反射效果。
需要说明的是，本发明的实施例中，上述间隔设置是指容置槽80与避让槽62不连通。
本发明的实施例中，发光器件还包括覆盖于容置槽80上的反射件，反射件用于反射光线。
上述技术方案中，通过设置反射件，可以增加反射光线的反射面积，从而可以避免因齐纳管和容置槽80露出的引线框架10吸光而降低光效的问题，进而可以有效地提高发光器件的出光率。
具体地，本发明的实施例中，将齐纳管安装至容置槽80后，然后将反射件覆盖于容置槽80和齐纳管上，这样，在设置齐纳管的情况下，仍可以保证模制结构40的反射面积。
具体地，本发明的实施例中，反射件覆盖整个容置槽80，并且在反射件填充后，反射件的上表面几乎和原本的反射面弧度吻合，以形成连续光滑表面。
优选地，本发明的实施例中，反射件由高反射粉末和胶体材料制成。即利用高反射粉末和胶体将容置槽80填充，并将高反射粉末和胶体覆盖在齐纳管上。
具体地，胶体材料可以为环氧树脂、硅树脂或硅胶等形成。高反射性粉末可以包括具有高反射率的陶瓷粉末，例如，以TiO2、Al2O3、Nb2O5或ZnO为例的陶瓷粉末，也可以包括例如具有高反射率的金属粉末(例如，以Al或Ag为例的金属粉末)。
实施例二
如图6所示，本发明的实施例二与实施例一的不同之处在于，实施例二中，长条孔的长度方向与通道12的延伸方向之间具有夹角，且长条孔的下端与通道12的中线之间的距离要大于长条孔的上端与通道12的中线之间的距离。这样也可以增加引线框架10与模制结构40之间的连接面积，从而可以提高引线框架10与模制结构40之间的结合力。
本发明的实施例二中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例三
如图7所示，本发明的实施例三与实施例一的不同之处在于，实施例三中，通孔16为具有圆角的方形通孔，这样也可以增加引线框架10与模制结构40之间的连接面积，从而可以提高引线框架10与模制结构40之间的结合力。
本发明的实施例三中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例四
如图8所示，本发明的实施例四与实施例一的不同之处在于，实施例四中，通孔16为圆形通孔，这样也可以增加引线框架10与模制结构40之间的连接面积，从而可以提高引线框架10与模制结构40之间的结合力，进一步地，圆形通孔相对于长条孔而言，结构更加简单且便于加工。
本发明的实施例四中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例五
如图9所示，本发明的实施例五与实施例一的不同之处在于，实施例五中，沿通道12的延伸方向(即第二方向)，仅在第一基体11和第二基体17的一侧设有第一凹入槽13，而第一基体11和第二基体17的另一侧并未设置第一凹入槽13，这样也可以有效地增加引线框架10与待连接件之间的气密性；进一步地，也可以有效地提高引线框架10和待连接件之间的结合力。
本发明的实施例五中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例六
如图10所示，本发明的实施例六与实施例一的不同之处在于，实施例六中，第一基体11或第二基体17的朝向通道12的一侧设有阻隔结构50。这样，也可以实现通道12的相对两端的宽度大于中间部分的宽度，以形成“宽-窄-宽”型式，这样可以为引线框架10与芯片1之间的焊接提供足够的焊接面积，也可以降低助焊剂侵入芯片放置区的可能性，从而可以避免焊接时引线框架10热形变引起的气密性降低的问题，这样可以提高发光器件的可靠性。
本发明的实施例六中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例七
如图11所示，本发明的实施例七与实施例一的不同之处在于，实施例七中，第一基体11或第二基体17上设有通孔16。这样，通孔16的内壁可以与模制结构40结合，从而可以增加引线框架10与模制结构40之间的连接面积，以可以提高引线框架10与模制结构40之间的结合力。
本发明的实施例七中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例八
如图12所示，本发明的实施例八与实施例一的不同之处在于，实施例八中，第一引脚20的延伸方向与通道12的延伸方向平行设置；第二引脚30的延伸方向与通道12的延伸方向平行设置。上述设置结构简单，便于加工。
本发明的实施例八中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例九
如图13所示，本发明的实施九与实施一的不同之处在于，实施例九中，第二凹入槽15仅包括相连通的第一槽段151和第二槽段152，且沿第一方向，自靠近通道12的方向，两个槽段的宽度依次减小。
通过上述设置，可以提升模制结构40注塑时的塑胶流动性，让框架注塑成型内部更饱满，降低产生气泡的可能。
本发明的实施例九中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例十
如图14和图15所示，本发明的实施例十与实施例一的不同之处在于，实施例十中，芯片放置主体61不是用于安装芯片1的台阶结构，芯片1安装在避让槽62内，且反射结构和芯片放置主体61在第一平面内的投影部分覆盖在第一凸起64上，以使部分第一凸起64从避让槽62露出。
上述结构简单，加工方便，可以降低加工成本。
优选地，本发明的实施例十中，避让槽62的长度数值小于芯片1的长度数值的1.2倍，且大于芯片1的长度数值。这样可以使避让槽62的内壁面与芯片1之间具有一定的距离，从而可以避免避让槽62的侧壁影响芯片1的侧面出光，以使芯片1发出的光线也可以经避让槽62的侧壁反射，进而可以提高出光效果。
如图14和图15所示，本发明的实施例十中，避让槽62的深度为H，芯片1的高度为h，深度H满足：0.15h≤H≤0.5h。这样可以使大部分芯片1凸出避让槽62设置，从而可以避免因避让槽62的深度过深，而影响芯片1的侧面出光，从而使芯片1发出的大部分光线经反射面反射，进而可以提高出光效果。
具体地，本发明的实施例十中，第一凸起64在第二方向上的露出长度为避让槽62长度的0.2-0.6；第一凸起64在第一方向上的露出长度为阻隔件65的中间部分宽度的0.3-0.5。
优选地，本发明的实施例一中，第一凸起64在第二方向上的露出长度为0.36mm，第一凸起64在第一方向上的露出长度为0.04mm。
本发明的实施例十中的框架的其它结构与实施例一相同，此处不再赘述。
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：通过设置阻隔结构，使通道形成“宽-窄-宽”型式，这样可以为引线框架与芯片之间的焊接提供足够的焊接面积，也可以降低助焊剂侵入芯片放置区的可能性，从而可以避免焊接时引线框架热形变引起的气密性降低的问题，这样可以提高发光器件的可靠性。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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