一种金属氧化物纳米片的制备方法与流程

技术特征：
1.一种金属氧化物纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将硝酸盐电解液在0～15℃下电沉积得到金属氢氧化物前体，洗涤、干燥后经管式烧结得到金属氧化物纳米片，所述硝酸盐电解液中的阳离子为钴、镍和m，其中，m为fe、mn、cu或zn的一种，所述钴、镍和m的摩尔比为2-x：1 y：x-y，-0.3<x<0.3，-0.3<y<0.3，x≥y。2.如权利要求1所述的金属氧化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述电解液的温度为0～10℃。3.如权利要求1所述的金属氧化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述硝酸盐电解液中钴离子的浓度为0.1～50mmol/l。4.如权利要求1所述的金属氧化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述电沉积为恒电位电沉积，其中，沉积电位为-0.5v～-1.2v，沉积时间为1～30min。5.如权利要求1所述的金属氧化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述管式烧结包括以1～10℃/min的升温速率升温至250～450℃。6.如权利要求5所述的金属氧化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述管式烧结的烧结时间为1～3h。7.一种金属氧化物纳米片，其特征在于，所述金属氧化物纳米片是由权利要求1～6任一项所述的金属氧化物纳米片的制备方法制得。

技术总结
本发明涉及涉及超级电容器电极材料领域，尤其涉及一种金属氧化物纳米片的制备方法。本发明通过采用特定温度的电解液制备金属氧化物纳米片能够有效解决因镍、钴的离子迁移速率不同而导致的沉积不均匀的技术问题。而且通过本发明提供的制备方法制得的金属氧化物纳米片的粒径分布均匀，在0.5A/g电流密度下的比电容量达到1100F/g以上，5A/g电流密度下的比电容量达到600F/g以上，以1A/g充放电循环2000次后容量保持在85％以上，而且具有明显的氧化还原峰以及充放电平台，具备优良的赝电容特性。具备优良的赝电容特性。具备优良的赝电容特性。


技术研发人员：李昭进 董梦月 王波 李宁 王晓凤 王秋君 张迪 王欢
受保护的技术使用者：深州市工程塑料有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/5/30