显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0170748号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施方式涉及具有高的光效率的显示设备。


背景技术：

4.显示设备可包括许多像素。像素可发射不同的颜色的光，以用于全色显示设备的实施。为此，显示设备的至少一些像素可具有颜色转换单元。因此，在一些像素的发光部分中产生第一颜色的光可通过穿过对应于第二颜色的颜色转换单元而转换为第二颜色的光并且可输出至外侧。


技术实现要素：

5.根据相关领域的显示设备可具有低的发光效率。
6.本文呈现的一个或多个实施方式可包括具有高的发光效率的显示设备。然而，该方面仅为示例，并且本公开的范围不受此限制。
7.在下述的描述中部分陈述另外的方面，并且部分将从描述中显而易见，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。
8.根据一个或多个实施方式，显示设备可包括下基板；在下基板上彼此隔开设置的第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极；像素限定层，所述像素限定层与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每一个的边缘重叠，像素限定层包括第一开孔，所述第一开孔暴露第一像素电极的中心部分，第二开孔，所述第二开孔暴露第二像素电极的中心部分，和第三开孔，所述第三开孔暴露第三像素电极的中心部分；以及挡堤，所述挡堤设置在像素限定层上并且使第一开孔与第二开孔和第三开孔隔离。
9.显示设备可进一步包括第一发射层，所述第一发射层在垂直于下基板的方向上看与第一像素电极重叠，第一发射层发射属于第一波段的波长的光；第二发射层，所述第二发射层在垂直于下基板的方向上看与第二像素电极和第三像素电极重叠，第二发射层与第一发射层隔开设置并且发射属于第二波段的波长的光；上基板，所述上基板设置在下基板上，使得第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极可设置在上基板和下基板之间；以及第一量子点层，所述第一量子点层设置在上基板的朝向下基板的下表面上，并且在垂直于上基板的方向上看与第三像素电极重叠，第一量子点层将具有属于第二波段的波长的光转换为属于第三波段的波长的光。
10.挡堤可具有第一开孔部分，使得第一开孔在垂直于上基板的方向上看可在第一开孔部分中。
11.第一开孔部分的边缘在垂直于上基板的方向上看可环绕第一开孔。
12.第一发射层可设置在第一开孔部分中。
13.第一发射层可延伸至第一开孔部分的内侧表面，并且第二发射层可延伸至挡堤的外侧表面。
14.挡堤可具有第二开孔部分，使得第二开孔和第三开孔在垂直于上基板的方向上看可在第二开孔部分中。
15.第二发射层可设置在第二开孔部分中。
16.第二发射层可延伸至第二开孔部分的内侧表面，并且第一发射层可延伸至挡堤的外侧表面。
17.挡堤可具有第一开孔部分，使得第一开孔在垂直于上基板的方向上看可在第一开孔部分中，并且挡堤可具有第二开孔部分，使得第二开孔和第三开孔在垂直于上基板的方向上看可在第二开孔部分中。
18.第一发射层可在第一开孔部分中，并且第二发射层可在第二开孔部分中。
19.第一发射层可延伸至第一开孔部分的内侧表面，并且第二发射层可延伸至第二开孔部分的内侧表面。
20.显示设备可进一步包括另外的发射层，所述另外的发射层在垂直于上基板的方向上看与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极重叠，另外的发射层发射属于第一波段的波长的光；和第二量子点层，所述第二量子点层设置在上基板的朝向下基板的下表面上并且在垂直于上基板的方向上看与第二像素电极重叠，第二量子点层将具有属于第一波段的波长的光转换为属于第二波段的波长的光，其中第一量子点层将具有属于第一波段的波长的光转换为属于第三波段的波长的光。
21.另外的发射层可设置在第一发射层和上基板之间并且设置在第二发射层和上基板之间。
22.另外的发射层可包括第一部分，所述第一部分在垂直于上基板的方向上看与第一像素电极重叠；和第二部分，所述第二部分在垂直于上基板的方向上看与第二像素电极和第三像素电极重叠，并且第一部分和第二部分可彼此隔开。
23.显示设备可进一步包括第一辅助发射层，所述第一辅助发射层在垂直于下基板的方向上看与第一像素电极重叠，第一辅助发射层发射属于第一波段的波长的光；和第二辅助发射层，所述第二辅助发射层在垂直于下基板的方向上看与第二像素电极和第三像素电极重叠，第二辅助发射层与第一辅助发射层隔开设置并且发射属于第二波段的波长的光。
24.显示设备可进一步包括另外的发射层，所述另外的发射层在垂直于上基板的方向上看与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极重叠，另外的发射层发射属于第一波段的波长的光；和第二量子点层，所述第二量子点层设置在上基板的朝向下基板的下表面上并且在垂直于上基板的方向上看与第二像素电极重叠，第二量子点层将具有属于第一波段的波长的光转换为属于第二波段的波长的光，其中第一量子点层将具有属于第一波段的波长的光转换为属于第三波段的波长的光。
25.第一辅助发射层可设置在第一发射层和另外的发射层之间，并且第二辅助发射层可设置在第二发射层和另外的发射层之间。
26.显示设备可进一步包括第一滤色器层，所述第一滤色器层设置在上基板的下表面上并且在垂直于上基板的方向上看与第一像素电极重叠，第一滤色器层透射属于第一波段
的波长的光；第二滤色器层，所述第二滤色器层设置在上基板的下表面上并且在垂直于上基板的方向上看与第二像素电极重叠，第二滤色器层透射属于第二波段的波长的光；和第三滤色器层，所述第三滤色器层设置在上基板和第一量子点层之间，第三滤色器层透射属于第三波段的波长的光。
27.从第二发射层发射的光的波长可大于从第一发射层发射的光的波长。
28.上述方面、特征和优点之外的其他方面、特征和优点将从本公开的所附附图、所附权利要求和详细的描述中变得显而易见。
附图说明
29.结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的方面、特征和优点以及其他方面、特征和优点将从下述描述中更显而易见，其中：
30.图1为示意性阐释根据实施方式的显示设备的一部分的横截面图；
31.图2为示意性阐释图1的显示设备的一部分的平面图；
32.图3为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的横截面图；
33.图4为示意性阐释图3的显示设备的一部分的平面图；
34.图5为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的横截面图；
35.图6为示意性阐释图5的显示设备的一部分的平面图；
36.图7为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的横截面图；
37.图8为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的横截面图；
38.图9为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的平面图；
39.图10为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的平面图；并且
40.图11为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的平面图。
具体实施方式
41.现将详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，下面仅通过参考图描述实施方式，以解释描述的方面。
42.如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式(并且反之亦然)，除非语境另外清楚地指示。
43.当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”，以及其变形指定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
44.如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何组合和所有组合。术语“和”和“或”可以连接意义或分隔意义使用并且可理解为等价于“和/或”。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、a、b和c的所有，或其变形。
45.因为本公开可具有各种修改和数个实施方式，所以仅有限数量的实施方式显示在附图中并且将详细地描述。本公开的效果和特征以及实现它们的方式将通过参考稍后将参
考附图详细地描述的实施方式而变得显而易见。然而，本公开不限于下述实施方式而是可体现为各种形式。
46.下文，将参考所附附图详细地描述本公开的实施方式，并且在参考附图的描述中，相同的附图标记指相同的元件并且将省略其冗余的描述。
47.在下面的实施方式中，将理解，当各种元件，比如层、膜、区或板被称为“在”另一元件“上”或“上面”时，它们可直接在另一元件上或上面，或也可存在居间元件。而且，在附图中，为了方便描述，可放大或缩小元件的尺寸。例如，因为为了方便解释，可随意阐释附图中元件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。
48.在下面的实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系上的三个轴，而是可解释为包括这些轴。例如，x轴、y轴和z轴可成直角或也可指示可不成直角的彼此不同的方向。
49.考虑所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文使用的“约”或“近似”包括叙述的值和在如由本领域普通技术人员为特定的值确定的可接受的偏差范围内的平均值。例如，“约”可意思是在叙述的值的一个或多个标准偏差内，或在叙述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
50.除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，术语，比如在常用词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义并且将不以理想的或过于正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
51.图1为示意性阐释根据实施方式的显示设备的一部分的横截面图，并且图2为示意性阐释图1的显示设备的一部分的平面图。
52.根据实施方式的显示设备可包括下基板100；可设置在下基板100之上的第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331；像素限定层150；以及挡堤160。
53.下基板100可包括玻璃、金属、聚合物树脂或其组合。例如，下基板100可包括聚合物树脂，比如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳族酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或其组合。也可对下基板100进行各种修改。例如，下基板100可具有多层结构，所述多层结构包括各自包括上述聚合物树脂的两层以及可在两层之间并且包括无机材料(例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的隔离层。
54.第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331可设置在下基板100之上。而且，除了第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331之外，可分别电连接至第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331的第一薄膜晶体管210、第二薄膜晶体管220和第三薄膜晶体管230可设置在下基板100上。例如，如图1中阐释，第一像素电极311可电连接至第一薄膜晶体管210，第二像素电极321可电连接至第二薄膜晶体管220，并且第三像素电极331可电连接至第三薄膜晶体管230。第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331可设置在稍后将描述的设置在下基板100之上的平坦化层140上。
55.第一薄膜晶体管210可包括第一半导体层211，所述第一半导体层211包括非晶硅、多晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料或其组合；第一栅电极213；第一源电极215a；和第一漏电极215b。第一栅电极213可包括各种导电材料并且具有各种层状结构，并且可包括例如mo层和al层。第一栅电极213可具有mo/al/mo的层状结构。在其他实施方式中，第一
栅电极213可包括tin
x
层、al层和/或ti层。第一源电极215a和第一漏电极215b也可包括各种导电材料并且具有各种层状结构，并且可包括例如ti层、al层和/或cu层。第一源电极215a和第一漏电极215b可具有ti/al/ti的层状结构。
56.为了确保第一半导体层211和第一栅电极213之间绝缘特性，包括无机材料比如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的第一栅绝缘层121可在第一半导体层211和第一栅电极213之间。此外，包括无机材料比如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的层间绝缘层131可设置在第一栅电极213上，并且第一源电极215a和第一漏电极215b可设置在层间绝缘层131上。包括如上述的无机材料的绝缘层可使用化学气相沉积(cvd)方法或原子层沉积(ald)方法形成。这也可适用于稍后描述的实施方式以及其修改的示例。
57.包括无机材料比如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的缓冲层110可在第一薄膜晶体管210和具有上述结构的下基板100之间。缓冲层110可增加下基板100的上表面的平坦化的水平，或防止或最小化来自下基板100等的杂质渗透至第一薄膜晶体管210的第一半导体层211中。
58.放置在第二像素px2中的第二薄膜晶体管220可包括第一半导体层221、第二栅电极223、第二源电极225a和第二漏电极225b。放置在第三像素px3中的第三薄膜晶体管230可包括第三半导体层231、第三栅电极233、第三源电极235a和第三漏电极235b。第二薄膜晶体管220和第三薄膜晶体管230可具有与放置在第一像素px1中的第一薄膜晶体管210的结构相同或类似的结构，并且因此将省略其描述。
59.平坦化层140可设置在第一薄膜晶体管210之上。例如，如图1中阐释，在包括第一像素电极311的有机发光元件设置在第一薄膜晶体管210之上的情况下，平坦化层140可具有近似地平坦化覆盖第一薄膜晶体管210的保护层的上部分的功能。平坦化层140可包括有机材料，比如丙烯酸树脂、苯并环丁烯(bcb)、六甲基二硅氧烷(hmdso)或其组合。尽管在图1中平坦化层140阐释为单层，但是也可进行各种修改。例如，平坦化层140可具有多层结构。
60.在第一像素px1中，可设置(例如，放置)有机发光元件，包括第一像素电极311、相对电极305以及可在第一像素电极311和相对电极305之间并且包括第一发射层313的中间层。如图1中阐释，第一像素电极311可通过在平坦化层140等中形成的开孔部分接触第一源电极215a和第一漏电极215b中的一个，以电连接至第一薄膜晶体管210。第一像素电极311可包括由透射导电氧化物，比如ito、in2o3、izo或其组合形成的透射导电层，以及由金属，比如al或ag形成的反射层。例如，第一像素电极311可具有ito/ag/ito的三层结构。
61.包括第一发射层313的中间层可具有图案化为对应于第一像素电极311的形状。中间层也可包括空穴注入层、空穴传输层和/或电子传输层等，并且空穴注入层、空穴传输层和/或电子传输层等可在第一像素电极311至第三像素电极331之上整体地形成为一体。中间层上的相对电极305也可在第一像素电极311至第三像素电极331之上整体地形成为一体。相对电极305可包括由ito、in2o3、izo或其组合形成的透射导电层，以及包括金属，比如al、li、mg、yb、ag或其组合的半透射层。例如，相对电极305可为包括mgag、agyb、yb/mgag或li/mgag的半透射层。
62.像素限定层150可设置在平坦化层140上。像素限定层150可具有分别对应于各自像素的开孔。例如，像素限定层150可覆盖第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331中的每一个的边缘，并且具有暴露第一像素电极311的中心部分的第一开孔a1、暴
露第二像素电极321的中心部分的第二开孔a2以及暴露第三像素电极331的中心部分的第三开孔a3。如上述，像素限定层150也可具有限定像素的功能。而且，如图1中阐释，像素限定层150可通过增加相对电极305与第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331中的每一个的边缘之间的距离而防止在第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331的边缘处的电弧等。像素限定层150可包括有机材料，比如聚酰亚胺或hmdso。
63.第一发射层313在垂直于下基板100方向(z轴方向)上看可与第一像素电极311重叠，并且发射属于第一波段的波长的光。例如，第一发射层313可设置在第一像素电极311之上。例如，第一波段可为约450nm至约495nm。
64.在第二像素px2中，可放置有机发光元件，包括第二像素电极321、相对电极305以及可在第二像素电极321和相对电极305之间并且包括第二发射层323的中间层。在第三像素px3中，可放置有机发光元件，包括第三像素电极331、相对电极305以及可在第三像素电极331和相对电极305之间并且包括第二发射层323的中间层。例如，第二发射层323在垂直于下基板100的方向(z轴方向)上看可与第二像素电极321和第三像素电极331重叠。第二发射层323可与第一发射层313隔开并且可发射属于第二波段的波长的光。例如，第二波段可为约495nm至约570nm。
65.挡堤160可设置在像素限定层150之上。挡堤160可将像素限定层150的第一开孔a1与像素限定层150的第二开孔a2和第三开孔a3隔离。这为了将在垂直于下基板100方向(z轴方向)上看与第二像素电极321和第三像素电极331重叠的第二发射层323与在垂直于下基板100方向(z轴方向)上看与第一像素电极311重叠的第一发射层313物理地分开。挡堤160可包括有机材料，比如聚酰亚胺或hmdso。
66.如上述的有机发光元件可容易地被外部湿气或氧气损坏，并且因此可根据保护的必要性而使用封装层(未显示)覆盖。封装层可包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
67.上基板400可设置在下基板100之上，使得第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331等可在上基板400和下基板100之间。上基板400可包括玻璃或聚合物树脂。例如，上基板400可包括聚合物树脂，比如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳族酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或其组合。也可对上基板400进行各种修改。例如，上基板400可具有包括各自包括上述聚合物树脂的两层以及可在两层之间并且包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的隔离层的多层结构。上基板400可是柔性或可弯曲的。
68.具有第一至第三通孔500a1、500a2和500a3的坝500可在至下基板100的方向(z轴方向)上设置在上基板400的下表面400a上。坝500可具有对应于像素限定层150的第一开孔a1的第一通孔500a1、对应于像素限定层150的第二开孔a2的第二通孔500a2和对应于像素限定层150的第三开孔a3的第三通孔500a3。例如，在垂直于上基板400的下表面400a的方向(z轴方向)上看，坝500的第一通孔500a1至第三通孔500a3可分别与像素限定层150的第一开孔a1至第三开孔a3重叠。详细地，在垂直于上基板400的下表面400a的方向(z轴方向)上看，坝500的第一通孔500a1至第三通孔500a3中的每一个的边缘的形状可与第一通孔500a1至第三通孔500a3当中对应的第一开孔a1至第三开孔a3中的每一个的边缘的形状相同或类似。
69.坝500可包括各种材料，例如，无机材料，比如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。如果需要的话，坝500可包括光致抗蚀剂材料，并且因此坝500可容易通过工艺，比如曝光和显影等形成。
70.第一量子点层435可设置在上基板400的朝向下基板100(与z轴方向相反的方向)的下表面400a之上，并且第一量子点层435在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看可与第三像素电极331重叠，并且可用于将穿过第一量子点层435并且具有属于第二波段的波长的光转换为属于第三波段的波长的光。例如，第三波段可为约630nm至约780nm。
71.第一量子点层435可具有其中量子点可分散在树脂中的形式。在实施方式中，下面将描述的实施方式中以及其修改的示例中，量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够发射各种发光波长的光的任意材料。例如，量子点的直径可为约1nm至约10nm。
72.量子点可通过湿法化学工艺、金属有机化学沉积(mocvd)工艺、分子束外延(mbe)工艺或其他类似工艺合成。湿法化学工艺可为将有机溶剂与前体材料混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。在湿法化学工艺中，在晶体管生长的情况下有机溶剂可自然地用作配位在量子点晶体表面上的分散剂并且控制晶体的生长。因此，该方法可比金属有机化学气相沉积工艺或气相沉积方法，比如分子束外延工艺更容易。化学湿法工艺可为允许量子点颗粒的受控生长的低成本工艺。
73.量子点可包括第iii-vi族半导体化合物、第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第ii-iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物或其组合。
74.第iii-vi族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、in2s3、inse、in2se3或inte；或三元化合物，比如ingas3、ingase3、agins、agins2、cuins或cuins2；或其组合。
75.第ii-vi族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或其组合。
76.第iii-v族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或其组合。第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的示例可包括inznp、ingaznp或inalznp。
77.第i-iii-vi族半导体化合物的示例可包括三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2，或其组合。
78.第iv-vi族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste；或其组合。
79.第iv族元素或化合物可包括单元素，比如si或ge；二元化合物，比如sic或sige；或其组合。
80.多元素化合物，比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包括的元素可以均匀的浓度或不均匀的浓度分散在颗粒中。
81.量子点可具有其中量子点中包括的每个元素的浓度可为均匀的单一结构，或核壳双重结构。例如，核中包括的材料可不同于壳中包括的材料。量子点的壳可用作保护层，以防止核的化学变性，以保持半导体特性和/或用作充电层，以赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中的元素的浓度朝向其中心减小。
82.量子点的壳的示例可包括金属的氧化物或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或其组合。半导体化合物的示例可包括第iii-vi族半导体化合物、第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第ii-iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物或其组合。例如，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其组合。
83.量子点可具有约45nm或更小，尤其约40nm或更小，更尤其约30nm或更小的发射波长谱的半峰全宽(fwhm)，并且在上面的范围中可提高颜色纯度或颜色再现。通过上面量子点发射的光可全向地发射，因此提高光的视角。
84.量子点可为纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板颗粒的形式，并且具有球形、锥形、多臂形或立方体形。
85.可通过控制量子点的尺寸而控制能带隙，并且因此，可从量子点发射层获得各种波段的光。相应地，通过使用不同尺寸的量子点，可实施发射各种波长的光的发光元件。详细地，可选择量子点的尺寸，使得可发射红色的光、绿色的光和/或蓝色的光。可配置量子点的尺寸，使得当可组合各种颜色的光时可发射白光。
86.第一量子点层435可包括散射体。通过允许入射光经第一量子点层435中包括的散射体散射，可使用第一量子点层435中的量子点有效地转换入射光。可通过在散射体和透射树脂之间形成光学界面而能够部分地散射透射的光的任何材料可用作散射体。例如，散射体可为金属氧化物颗粒或有机颗粒。用作散射体的金属氧化物的示例可包括氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)或氧化锡(sno2)，并且用作散射体的有机材料的示例可包括丙烯酸树脂或氨基甲酸乙酯类树脂。无论光的入射角如何，散射体可在各个方向上散射光，而基本上不转换入射光的波长。相应地，散射体可提高显示设备的侧向可视性。第一量子点层435中包括的散射体可增加入射在第一量子点层435上的入射光遇到量子点的概率，从而增加光转换效率。
87.对于散射体而言具有优异的分散特性并且可为透射性的任何材料可用作第一量子点层435中包括的树脂。例如，聚合物树脂，比如丙烯酸树脂、酰亚胺类树脂、环氧树脂、bcb或hmdso可用作用于形成第一量子点层435的材料。用于形成第一量子点层435的材料可通过使用喷墨打印法放置在坝500的与第三像素电极331重叠的第三通孔500a3中。
88.根据如上述的实施方式的显示设备，属于第一波段的波长的光可从第一像素px1
中的第一发射层313发射，属于第二波段的波长的光可从第二像素px2中的第二发射层323发射，并且在第三像素px3中，对应于第二波段的波长并且可从第二发射层323发射的光，可在第一量子点层435中转换为属于第三波段的波长的光。相应地，根据实施方式的显示设备可显示全色图像。
89.在第三像素px3中，属于第二波段的波长的光可在第一量子点层435中转换为属于第三波段的波长的光。与上面不一样，在第一像素px1中，在第一发射层313中产生的属于第一波段的波长的光可经上基板400发射至外侧，而没有波长转换。因此，第一像素px1可没有量子点层。相应地，包括透射树脂的第一透射层415可放置在坝500的与第一像素电极311重叠的第一通孔500a1中。第一透射层415可包括丙烯酸树脂、bcb或hmdso。此外，第一透射层415也可包括散射体。而且，与图1的阐释不一样，在坝500的第一通孔500a1中可不包括第一透射层415。
90.而且，在第二像素px2中，在第二发射层323中产生的属于第二波段的波长的光可经上基板400发射至外侧，而没有波长转换。因此，第二像素px2可没有量子点层。相应地，包括透射树脂的第二透射层425’可放置在坝500的与第二像素电极321重叠的第二通孔500a2中。第二透射层425’可包括丙烯酸树脂、bcb或hmdso。此外，第二透射层425’也可包括散射体。而且，与图1的阐释不一样，在坝500的第二通孔500a2中可不包括第二透射层425’。
91.如图1中阐释，滤色器层可在上基板400的朝向下基板100(与z轴方向相反的方向)的下表面400a与第一透射层415、第二透射层425’和第一量子点层435之间。例如，第一滤色器层410可在上基板400与第一透射层415之间，第二滤色器层420可在上基板400与第二透射层425’之间，并且第三滤色器层430可在上基板400与第一量子点层435之间。第一滤色器层410可为仅透射属于约450nm至约495nm的波长的光的层。第二滤色器层420可为仅透射属于约495nm至约570nm的波长的光的层。第三滤色器层430可为仅透射属于约630nm至约780nm的波长的光的层。
92.第一滤色器层410至第三滤色器层430可增加发射至外侧的光的颜色纯度，从而增加显示的图像的品质。而且，第一滤色器层410至第三滤色器层430可减小可从外侧入射至显示设备并且被第一像素电极311至第三像素电极331反射而再次发射至外侧的外部光的比率，从而减少外部光反射。黑矩阵440可在第一滤色器层410至第三滤色器层430之间。
93.填料600可填充在上基板400和下基板100之间。例如，在如图1中阐释的显示设备中，填料600可填充在相对电极305与第一透射层415、第二透射层425’和第一量子点层435之间。填料600可包括透射材料。例如，填料600可包括丙烯酸树脂或环氧树脂。
94.如上述，根据实施方式的显示设备，属于第一波段的波长的光可从第一像素px1中的第一发射层313发射，属于第二波段的波长的光可从第二像素px2中的第二发射层323发射，并且在第三像素px3中，对应于第二波段的波长并且可从第二发射层323发射的光可在第一量子点层435中转换为属于第三波段的波长的光。相应地，根据实施方式的显示设备可显示全色图像。
95.也可考虑在第一像素px1至第三像素px3的每一个中放置发射属于第一波段的波长的光的发射层，并且允许属于第一波段的波长的光从第一像素px1发射而没有任何改变，并且将属于第一波段的波长的光转换为属于第二波段的波长的光并且从第二像素px2发射通过转换获得的光，并且将属于第一波段的波长的光转换为属于第三波段的波长的光并且
从第三像素px3发射通过转换获得的光。然而，将属于第一波段的波长的光转换为属于第二波段的波长的光的效率可不同于将属于第一波段的波长的光转换为属于第三波段的波长的光的效率，并且当任何一个的效率可为低时，显示设备的整体品质可不可避免地下降。例如，当将属于可为第一波段的约450nm至约495nm的波长的光转换为属于可为第二波段的约495nm至约570nm波长的光的效率可相对较低时，显示设备的整体品质可不可避免地下降。
96.然而，根据实施方式的显示设备，第一像素px1包括发射属于第一波段的波长的光的第一发射层313，并且第二像素px2和第三像素px3包括发射属于第二波段的波长的光的第二发射层323，并且因此，可从根本上防止第二像素px2中的低光转换效率。
97.供参考，当第一量子点层435将属于可为第二波段的约495nm至约570nm的波长的光转换为属于可为第三波段的约630nm至约780nm的波长的光时，将属于可为第二波段的约495nm至约570nm的波长的光转换为属于可为第三波段的约630nm至约780nm的波长的光的效率，或将属于可为第一波段的约450nm至约495nm的波长的光转换为属于可为第三波段的约630nm至约780nm的波长的光的效率可比将属于可为第一波段的约450nm至约495nm的波长光转换为属于可为第二波段的约495nm至约570nm的波长的光的效率更高。相应地，在根据实施方式的包括第一量子点层435的显示设备中，可防止光转换效率的下降。
98.当第二发射层323可设置在第二像素电极321和第三像素电极331之上时，第二发射层323可在第二像素电极321和第三像素电极331之上整体地形成为一体。为了容易形成可整体形成的第二发射层323，可控制像素限定层150的高度不过大。然而，当第一发射层313可设置在第一像素电极311之上并且与第一发射层313不同的第二发射层323可设置在第二像素电极321和第三像素电极331之上时，可需要在制造工艺中防止用于形成第一发射层313的材料与用于形成第二发射层323的材料的混合。
99.为此，根据实施方式的显示设备可包括设置在像素限定层150上的挡堤160。挡堤160可将第一像素px1中的像素限定层150的第一开孔a1与第二像素px2中的像素限定层150的第二开孔a2和第三像素px3中的像素限定层150的第三开孔a3隔离。相应地，可在制造工艺中防止用于形成第一发射层313的材料与用于形成第二发射层323的材料的混合。
100.例如，如图2中阐释，挡堤160可包括第一开孔部分op1，使得在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看，像素限定层150的第一开孔a1可放置在第一开孔部分op1中。第一开孔部分op1的边缘在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看，可完全环绕第一开孔a1。例如，在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看，第一开孔部分op1的内侧表面可在第一开孔a1周围形成闭合曲线。
101.第一发射层313可放置在挡堤160的第一开孔部分op1中。相应地，第一发射层313可延伸至挡堤160的第一开孔部分op1的内侧表面op1a，以接触挡堤160的第一开孔部分op1的内侧表面op1a，并且第二发射层323可延伸至挡堤160的外侧表面op1b，以接触挡堤160的外侧表面op1b。
102.然而，挡堤160可仅用于执行将像素限定层150的第一开孔a1与像素限定层150的第二开孔a2和第三开孔a3隔离的功能，并且因此，本公开不限于图1和图2的阐释。例如，如作为根据另一实施方式的显示设备的一部分的示意性横截面图的图3以及作为图3的显示设备的一部分的示意性平面图的图4中阐释，挡堤160可包括第二开孔部分op2，并且在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看，像素限定层150的第二开孔a2和第三开孔a3可放置在
挡堤160的第二开孔部分op2中。
103.在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看，第二像素电极321和第三像素电极331上的第二发射层323可放置在挡堤160的第二开孔部分op2中。第二发射层323可延伸至挡堤160的第二开孔部分op2的内侧表面op2a，以接触挡堤160的第二开孔部分op2的内侧表面op2a，并且第一像素电极311上的第一发射层313可延伸至挡堤160的外侧表面op2b，以接触挡堤160的外侧表面op2b。
104.本公开不限于此，并且如作为根据另一实施方式的显示设备的一部分的示意性横截面图的图5以及作为图5的显示设备的一部分的示意性平面图的图6中阐释，挡堤160可包括第一开孔部分op1和第二开孔部分op2二者。在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看，像素限定层150的第一开孔a1可放置在挡堤160的第一开孔部分op1中，并且像素限定层150的第二开孔a2和第三开孔a3可放置在挡堤160的第二开孔部分op2中。相应地，第一像素电极311上第一发射层313可放置在挡堤160的第一开孔部分op1中，并且第二像素电极321和第三像素电极331上的第二发射层323可放置在挡堤160的第二开孔部分op2中。第一发射层313可延伸至挡堤160的第一开孔部分op1的内侧表面op1a，以接触挡堤160的第一开孔部分op1的内侧表面op1a，并且第二发射层323可延伸至挡堤160的第二开孔部分op2的内侧表面op2a，以接触挡堤160的第二开孔部分op2的内侧表面op2a。
105.图7为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的横截面图。根据图7的实施方式的显示设备与参考图1和图2描述的实施方式的显示设备的不同之处可在于，图7的显示设备可进一步包括另外的发射层313’，并且在第二像素px2中可包括第二量子点层425而不是第二透射层425’(见图1)。
106.第二量子点层425可设置在上基板400的朝向下基板100(与z轴方向相反的方向)的下表面400a上，并且第二量子点层425在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看可与第二像素电极321重叠，并且可将穿过第二量子点层425并且具有属于第一波段的波长的光转换为属于第二波段的波长的光。
107.第二量子点层425可具有其中量子点可分散在树脂中的形式。量子点可包括半导体材料，比如硫化镉(cds)、碲化镉(cdte)、硫化锌(zns)和/或磷化铟(inp)。任何透射材料可用作第二量子点层425中包括的树脂。例如，聚合物树脂，比如bcb或hmdso可用作用于形成第二量子点层425的材料。用于形成第二量子点层425的材料可通过使用喷墨打印方法放置在坝500的与第二像素电极321重叠的第二通孔500a2中。
108.另外的发射层313’在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看可与第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331重叠。而且，与第一发射层313一样，另外的发射层313’可发射属于可为约450nm至约495nm的第一波段的波长的光。
109.在其中可放置第一像素电极311的第一像素px1中，对应于第一波段并且可从第一发射层313和另外的发射层313’发射的波长的光可发射至外侧。在其中可放置第三像素电极331的第三像素px3中，第一量子点层435可将对应于第二波段并且可从第二发射层323发射的波长的光以及对应于第一波段并且可从另外的发射层313’发射的波长的光转换为属于第三波段的波长的光，从而将属于第三波段的波长的光发射至外侧。在其中可放置第二像素电极321的第二像素px2中，对应于第二波段并且可从第二发射层323发射的波长的光可发射至外侧而没有任何改变，并且对应于第一波段并且可从另外的发射层313’发射的波
长的光可被第二量子点层425转换为属于第二波段波长的光并且发射至外侧。
110.如上述，将属于可为第一波段的约450nm至约495nm的波长的光转换为属于可为第二波段的约495nm至约570nm波长的光的效率可为相对低的。然而，根据实施方式的显示设备，属于第一波段的波长的光可转换为属于第二波段的波长的光并且从第二像素px2发射至外侧，而且，属于第二波段的波长的光也可从第二像素px2产生并且发射，并且因此，可有效地解决第二像素px2中低波长转换效率的问题。
111.供参考，第一量子点层435可将属于可为第二波段的约495nm至约570nm的波长的光转换为属于可为第三波段的约630nm至约780nm的波长的光，并且因此，属于可为第一波段的约495nm至约570nm的波长的光也可转换为属于可为第三波段的约630nm至约780nm的波长的光。这可因为，当属于第一波段的波长的光具有比属于第二波段的波长的光的能量更高的能量时，可能够吸收属于第二波段的波长的光的能量的第一量子点层435可吸收比上面的能量更高的能量，并且在吸收了所有的光能之后，第一量子点层435可发射属于可为第三波段的约630nm至约780nm波长的光。
112.如图7中阐释，另外的发射层313’可在第一发射层313和第二发射层323与上基板400之间。如上述，挡堤160可在制造工艺中防止用于形成第一发射层313的材料与用于形成第二发射层323的材料的混合。详细地，可防止用于形成第二发射层323的材料放置在第一像素px1中。因此，通过在制造工艺中在另外的发射层313’之前形成第一发射层313和第二发射层323，可有效地防止用于形成第二发射层323的材料到达第一像素px1，或用于形成第二发射层323的材料的仅非常有限的部分可到达第一像素px1。当可首先形成另外的发射层313’并且接着可形成第一发射层313和第二发射层323时，可减小在其上形成第二发射层323的表面与挡堤160的朝向上基板400的端部之间的距离，因此增加用于形成第二发射层323的材料可放置在第一像素px1中的概率。
113.如图7中阐释，另外的发射层313’可包括在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看与第一像素电极311重叠的第一部分313’a以及与第二像素电极321和第三像素电极331重叠的第二部分313’b，并且第一部分313’a和第二部分313’b可彼此隔开。
114.供参考，电荷形成层(未显示)可在第一发射层313和另外的发射层313’之间。当第一发射层313和另外的发射层313’可放置在第一像素px1中时，结果两个发射层可放置在第一像素px1中。因此，当电子和空穴可适当地供应至第一发射层313和另外的发射层313’中的每一个时，光可从第一发射层313和另外的发射层313’中的每一个发射。空穴可从第一像素电极311供应至第一发射层313，但是来自相对电极305的电子可不能容易地供应至第一发射层313。而且，当电子可从相对电极305供应至另外的发射层313’时，来自第一像素电极311的空穴可不能容易地供应至另外的发射层313’。
115.为了防止这，电荷形成层可在第一发射层313和另外的发射层313’之间。电荷形成层可包括例如邻近第一发射层313的电子形成层和邻近另外的发射层313’的空穴形成层。电子形成层可用于供应电子至第一发射层313，并且空穴形成层可用于供应空穴至另外的发射层313’。
116.图8为示意性阐释根据另一实施方式的显示设备的一部分的横截面图。根据图8的实施方式的显示设备与参考图7的上述的显示设备的不同之处可在于，图8的显示设备可进一步包括第一辅助发射层313a和第二辅助发射层323a。
117.与第一发射层313一样，第一辅助发射层313a在垂直于下基板100的方向(z轴方向)上看可与第一像素电极311重叠并且可发射属于第一波段波长的光。与第二发射层323一样，第二辅助发射层323a在垂直于下基板100的方向(z轴方向)上看可与第二像素电极321和第三像素电极331重叠并且可发射属于第二波段的波长的光。与可被挡堤160与第一发射层313隔开的第二发射层323一样，第二辅助发射层323a也可被挡堤160与第一辅助发射层313a隔开。例如，上面提供的第一发射层313的描述可适用于第一辅助发射层313a，并且上面提供的第二发射层323的描述可适用于第二辅助发射层323a。第一辅助发射层313a和第一发射层313可包括相同的材料，并且第二辅助发射层323a和第二发射层323可包括相同的材料。
118.如上述的电荷形成层可在第一发射层313和第一辅助发射层313a之间并且在第二发射层323和第二辅助发射层323a之间。而且，如图8中阐释，根据需要显示设备可进一步包括另外的发射层313’。第二量子点层425可设置在上基板400的朝向下基板100(z轴方向)的下表面400a上，并且第二量子点层425在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看可与第二像素电极321重叠，并且可将穿过第二量子点层425并且具有属于第一波段的波长的光转换为属于第二波段的波长的光。
119.在其中可放置第一像素电极311的第一像素px1中，对应于第一波段并且可从第一发射层313、第一辅助发射层313a和另外的发射层313’发射的波长的光可发射至外侧。在其中可放置第三像素电极331的第三像素px3中，第一量子点层435可将对应于第二波段并且可从第二发射层323和第二辅助发射层323a发射的波长的光，以及对应于第一波段并且可从另外的发射层313’发射的波长的光转换为属于第三波段的波长的光，从而将属于第三波段的波长的光发射至外侧。在其中可放置第二像素电极321的第二像素px2中，对应于第二波段并且可从第二发射层323和第二辅助发射层323a发射的波长的光可发射至外侧而没有任何改变，并且对应于第一波段并且可从另外的发射层313’发射的波长的光可被第二量子点层425转换为属于第二波段的波长的光并且发射至外侧。
120.第一辅助发射层313a可在第一发射层313和另外的发射层313’之间，并且第二辅助发射层323a可在第二发射层323和另外的发射层313’之间。挡堤160可具有在制造工艺期间防止用于形成第一发射层313或第一辅助发射层313a的材料与用于形成第二发射层323或第二辅助发射层323a的材料的混合的功能。详细地，挡堤160防止用于形成第二发射层323或第二辅助发射层323a的材料放置在第一像素px1中。因此，通过在制造工艺中在另外的发射层313’之前形成第一发射层313、第一辅助发射层313a、第二发射层323和第二辅助发射层323a，可有效地防止用于形成第二发射层323或第二辅助发射层323a的材料到达第一像素px1，或用于形成第二发射层323或第二辅助发射层323a的材料的仅非常有限的部分可到达第一像素px1。在首先形成另外的发射层313’并且接着可形成第一发射层313和第二发射层323或第一辅助发射层313a和第二辅助发射层323a的情况下，可减小在其上形成第二发射层323或第二辅助发射层323a的表面与挡堤160的朝向上基板400的端部之间的距离，因此增加用于形成第二发射层323或第二辅助发射层323a的材料可放置在第一像素px1中的概率。
121.如图8中阐释，另外的发射层313’可包括在垂直于上基板400的方向(z轴方向)上看与第一像素电极311重叠的第一部分313’a以及与第二像素电极321和第三像素电极331
重叠的第二部分313’b，并且第一部分313’a和第二部分313’b可彼此隔开。
122.尽管挡堤160在上面描述为与像素限定层150分开的组件，但是本公开不限于此。例如，挡堤160和像素限定层150可整体地形成为一体。通过使用半调掩模可改变其中形成挡堤160的部分与其中不形成挡堤160的部分之间的曝光的水平，从而整体地作为一体形成挡堤160和像素限定层150。
123.挡堤160和像素限定层150可在不同的工艺中由不同的材料形成。根据需要，挡堤160可包括疏水性材料，或疏水性材料可设置在挡堤160的表面上。例如，挡堤160可包括氟。在通过使用喷墨打印方法形成第一发射层313、第二发射层323、另外的发射层313’、第一辅助发射层313a和/或第二辅助发射层323a的情况下，用于形成上面的发射层的材料可不设置在挡堤160的表面上，但是设置在挡堤160的第一开孔部分op1或第二开孔部分op2中。
124.尽管图2、图4和图6中阐释了具有非矩形形状的第一开孔a1、第二开孔a2和第三开孔a3，但是本公开不限于此。例如，如示意性阐释了根据其他实施方式的显示设备的一部分的图9至图11中阐释的，第一开孔a1、第二开孔a2和第三开孔a3可具有矩形的形状。本公开不限于此，并且第一开孔a1、第二开孔a2和第三开孔a3也可在平面图中具有各种形状，比如圆形、椭圆或正方形等。
125.根据如上述的实施方式，可实施具有高发光效率的显示设备。然而，本公开的范围不受上述效果的限制。
126.应该理解，本文描述的实施方式应仅以描述性含义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节的各种改变。