一种涂层测厚传感器的制作方法

技术特征：
1.一种涂层测厚传感器，其特征在于，包括电路板(1)、电磁测量端(2)、电涡流测量端(3)以及磁芯(4)，所述电路板(1)分别与所述电磁测量端(2)和所述电涡流测量端(3)电连接，所述磁芯(4)设置在所述电磁测量端(2)的一侧；所述电路板(1)包括第一调理电路(5)、第二调理电路(6)以及arm微处理器(7)，所述第一调理电路(5)分别与所述电磁测量端(2)和所述arm微处理器(7)电连接，所述第二调理电路(6)分别与所述电涡流测量端(3)和所述arm微处理器(7)电连接。2.根据权利要求1所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述电路板(1)还包括usb接口芯片(8)，所述usb接口芯片(8)的一端与所述arm微处理器电连接，所述usb接口芯片(8)的另一端与数据线电连接,所述数据线远离所述usb接口芯片(8)的一端设有usb接口(9)。3.根据权利要求2所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述usb接口(9)插头插设在具有otg功能的数据终端上。4.根据权利要求1所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述arm微处理器(7)还设有温度补偿模块(10)。5.根据权利要求1所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述电磁测量端(2)包括第一骨架和绕制在第一骨架上的第一感应线圈(11)，所述第一感应线圈(11)与所述第一调理电路(5)电连接；其中，所述第一感应线圈(11)包括两个感应线圈。6.根据权利要求1所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述电涡流测量端(3)由第二骨架和绕制在所述第二骨架上的第二感应线圈(12)，所述第二感应线圈(12)与所述第二调理电路(6)电连接。7.根据权利要求1所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述arm微处理器(7)采用cortex m0内核的mm32f031芯片。8.根据权利要求1所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述第一调理电路(5)包括第一振荡电路，所述第一振荡电路包括运算放大器和第一阻容器件，所述第一阻容器件的电容采用陶瓷电容。9.根据权利要求1所述的涂层测厚传感器，其特征在于，所述第二调理电路(6)包括第二振荡电路，所述第二振荡电路包括74hc4060bq芯片和第二阻容器件。

技术总结
本实用新型公开了一种涂层测厚传感器，包括电路板、电磁测量端、电涡流测量端以及磁芯，所述电路板分别与所述电磁测量端和所述电涡流测量端电连接，所述磁芯设置在所述电磁测量端的一侧；所述电路板包括第一调理电路、第二调理电路以及ARM微处理器，所述第一调理电路分别与所述电磁测量端和所述ARM微处理器电连接，所述第二调理电路分别与所述电涡流测量端和所述ARM微处理器电连接。本实用新型通过在传感器中同时电磁测量端和电涡流测量端，使得一个传感器可以同时实现不同基体的识别和测量，且采集的模拟信号在传感器内部即完成数字转换，避免了传感器引线传输时受到外界干扰，进而使得设备成本和体积都大幅减少，测量稳定性提高。性提高。性提高。


技术研发人员：杨庆德
受保护的技术使用者：杭州欧贲科技有限公司
技术研发日：2022.02.10
技术公布日：2022/6/28