转移装置及转移方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种转移装置及转移方法。


背景技术：

2.mini-led即发光二极管(lightemittingdiode，简称led)微缩技术，是指将传统led阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距led，将毫米级别的led长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率。其中，mini-led具备无需背光源、能够自发光的特性，与有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，简称oled)相似，但相比oled，mini-led色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度，且封装要求低，更容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具发展潜力的未来显示器。
3.然而，现有mini-led巨量转移技术需通过转移基板的多次转移来实现最后的转印，后续再通过常规封胶方式固定于电路基板上完成封装，这就会导致mini-led制作成本高、良率低、效率低。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种转移装置及转移方法，用以缓解相关技术中的不足。
5.为实现上述功能，本技术实施例提供的技术方案如下：
6.本技术实施例提供一种转移装置，包括
7.封胶组件，包括相对设置的封胶顶板和封胶底板，所述封胶顶板和所述封胶底板之间形成一容纳腔；
8.转移组件，位于所述容纳腔内，所述转移组件包括转移基板和热敏胶层，所述转移基板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述封胶顶板位于所述转移基板的所述第一表面，所述热敏胶层位于所述转移基板的所述第二表面，所述热敏胶层用于粘接多个待转移的芯片；
9.承载组件，位于所述容纳腔内，所述承载组件包括目标基板和热固化导电胶，所述目标基板包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面与所述第二表面相对设置，所述热固化导电胶位于所述目标基板的所述第三表面，所述热固化导电胶用于与待转移的所述芯片粘接且使待转移的所述芯片与所述目标基板电性连接，所述封胶底板位于所述目标基板的所述第四表面；
10.其中，所述封胶组件用于在所述容纳腔内填充热固化胶，以使所述热固化胶填充相邻两待转移的所述芯片之间的间隙。
11.在本技术实施例所提供的转移装置中，所述热固化导电胶为异方性导电胶，所述异方性导电胶包括高温热固化环氧树脂胶和多个导电粒子。
12.在本技术实施例所提供的转移装置中，所述导电粒子包括绝缘内核、及由内至外依次包裹所述绝缘内核的镍壳、金壳和保护层；其中，当待转移的所述芯片和所述目标基板相互压合时，所述保护层沿所述封胶顶板指向所述封胶底板的方向破裂，所述保护层破裂
后的所述导电粒子使待转移的所述芯片与所述目标基板电性连接。
13.在本技术实施例所提供的转移装置中，所述转移装置还包括一抽真空组件，所述抽真空组件位于所述封胶顶板远离所述转移基板的一侧，所述抽真空组件与所述容纳腔连通，所述抽真空组件用于抽离所述热固化胶和所述热固化导电胶内的空气。
14.在本技术实施例所提供的转移装置中，所述转移装置还包括一加热组件，所述加热组件位于所述容纳腔外，所述加热组件用于对所述热敏胶层、所述热固化胶以及所述热固化导电胶进行加热。
15.在本技术实施例所提供的转移装置中，所述封胶组件还包括围绕所述封胶底板周侧设置的侧边框，所述封胶顶板与所述侧边框相连接，所述封胶顶板、所述封胶底板以及所述侧边框之间形成所述容纳腔；
16.其中，所述侧边框设置有一灌胶孔，所述热固化胶通过所述灌胶孔填充到所述容纳腔内。
17.本技术实施例提供一种转移方法，包括上述任一所述的转移装置，所述转移方法包括以下步骤：
18.采用所述转移基板上的所述热敏胶层粘接多个待转移的所述芯片；
19.将所述转移基板移动至所述容纳腔内，使所述承载组件的所述热固化导电胶与待转移的所述芯片粘接且使所述芯片与所述目标基板电性连接；
20.在所述容纳腔内填充所述热固化胶，使所述热固化胶填充相邻两待转移的所述芯片之间的间隙；
21.抽离所述容纳腔内的空气，对所述封胶顶板和所述封胶底板进行加热。
22.在本技术实施例所提供的转移方法中，所述热固化导电胶为异方性导电胶，所述异方性导电胶包括高温热固化环氧树脂胶和多个导电粒子，所述导电粒子包括绝缘内核、及由内至外依次包裹所述绝缘内核的镍壳、金壳和保护层；
23.所述在所述容纳腔内填充所述热固化胶，使所述热固化胶填充相邻两待转移的所述芯片之间的间隙的步骤之前，还包括以下步骤：
24.沿所述封胶顶板指向所述封胶底板的方向，对所述封胶顶板施加压力，使待转移的所述芯片和所述目标基板相互压合，且使所述保护层沿待转移的所述芯片指向所述目标基板的方向破裂，所述保护层破裂后的所述导电粒子使待转移的所述芯片与所述目标基板电性连接。
25.在本技术实施例所提供的转移方法中，所述封胶组件还包括围绕所述封胶底板周侧设置的侧边框，所述封胶顶板与所述侧边框相连接，所述封胶顶板、所述封胶底板以及所述侧边框之间形成所述容纳腔，所述侧边框设置有一灌胶孔；
26.所述在所述容纳腔内填充所述热固化胶，使所述热固化胶填充相邻两待转移的所述芯片之间的间隙的步骤包括：
27.采用所述灌胶孔向所述容纳腔内填充所述热固化胶，使所述热固化胶填充相邻两待转移的所述芯片之间的间隙；
28.将所述灌胶孔内的所述热固化胶去除。
29.在本技术实施例所提供的转移方法中，所述转移装置还包括抽真空组件和加热组件，所述抽真空组件位于所述封胶顶板远离所述转移基板的一侧，所述抽真空组件与所述
容纳腔连通，所述加热组件位于所述容纳腔外；
30.所述抽离所述容纳腔内的空气，对所述封胶顶板和所述封胶底板进行加热的步骤包括：
31.采用所述抽真空组件抽离所述热固化胶与所述热固化导电胶内的空气，采用所述加热组件对所述封胶顶板和所述封胶底板进行加热，使待转移的所述芯片脱离所述热敏胶层落在所述目标基板的所述第三表面上方且使所述热固化胶和所述热固化导电胶固化。
32.本技术实施例的有益效果：本技术实施例提供一种转移装置及转移方法，所述转移装置包括封胶组件、转移组件以及承载组件，所述封胶组件包括相对设置的封胶顶板和封胶底板，所述封胶顶板和所述封胶底板之间形成一容纳腔；所述转移组件和所述承载组件均位于所述容纳腔内；所述转移组件包括转移基板和热敏胶层，所述热敏胶层位于所述转移基板的一侧且用于粘接多个待转移的芯片，所述封胶顶板位于所述转移基板的另一侧，所述承载组件包括所述目标基板和所述热固化导电胶，所述热固化导电胶位于所述目标基板的一侧，所述热固化导电胶用于与待转移的所述芯片粘接且使待转移的所述芯片与所述目标基板电性连接，所述封胶底板位于所述目标基板的另一侧；其中，所述封胶组件用于在所述容纳腔内填充热固化胶，以使所述热固化胶填充相邻两待转移的所述芯片之间的间隙；在所述转移方法中，本技术实施例通过对所述热敏胶层、所述热固化胶以及所述热固化导电胶进行加热，使待转移的所述芯片脱离热敏胶层落在承载基板的上方，完成待转移的所述芯片的转移，同时使热固化胶和热固化导电胶进行固化，从而完成待转移的芯片的转移与封胶，进而提高转移效率和封装良率。
附图说明
33.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
34.图1为本技术实施例所提供的转移装置的截面示意图；
35.图2为图1中a-a处的放大图；
36.图3本技术实施例所提供的转移方法的流程图；
37.图4a～图4d为图3中转移方法的工艺流程图。
具体实施方式
38.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
39.本技术实施例提供一种转移装置及转移方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
40.请参阅图1～图4d，本技术实施例提供一种转移装置及转移方法，所述转移装置1
包括：
41.封胶组件10，包括相对设置的封胶顶板11和封胶底板12，所述封胶顶板11和所述封胶底板12之间形成一容纳腔100；
42.转移组件20，位于所述容纳腔100内，所述转移组件20包括转移基板21和热敏胶层22，所述转移基板21包括相对设置的第一表面211和第二表面212，所述封胶顶板11位于所述转移基板21的所述第一表面211，所述热敏胶层22位于所述转移基板21的所述第二表面212，所述热敏胶层22用于粘接多个待转移的芯片23；
43.承载组件30，位于所述容纳腔100内，所述承载组件30包括目标基板31和热固化导电胶32，所述目标基板31包括相对设置的第三表面311和第四表面312，所述第三表面311与所述第二表面212相对设置，所述热固化导电胶32位于所述目标基板31的所述第三表面311，所述热固化导电胶32用于与待转移的所述芯片23粘接且使待转移的所述芯片23与所述目标基板31电性连接，所述封胶底板12位于所述目标基板31的所述第四表面312；
44.其中，所述封胶组件10用于在所述容纳腔100内填充热固化胶40，以使所述热固化胶40填充相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙。
45.需要说明的是，由于在本技术实施例中，通过设置所述热敏胶层22位于所述转移基板21的一侧且用于粘接多个待转移的芯片23，因此，当所述热敏胶层22进行加热后，可以使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的第三表面311上，从而完成待转移的所述芯片23的转移；同时，本技术实施例通过设置所述热固化导电胶32位于所述目标基板31的一侧，所述热固化导电胶32用于与待转移的所述芯片23粘接且使待转移的所述芯片23与所述目标基板31电性连接，所述封胶组件10用于在所述容纳腔100内填充热固化胶40，以使所述热固化胶40填充相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙，因此，当所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行加热后，使得所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行固化，从而完成对待转移的所述芯片23的封胶。
46.可以理解的是，相对于现有的巨量转移技术中，通过转移装置完成对待转移的芯片的转移后，需要对带有芯片的基板进行正面封胶，然后对正面封胶后的基板进行切割或者磨边，最后对切割后的基板进行侧面封胶，然而，在切割过程中，基板侧边金属线路将会不同程度的暴露在水中及潮湿的空气中，此时必须将基板立即转移至放有足够干燥剂的氮气袋/真空袋中，直到侧面封胶进行之前才可以转移出来进行下一步工艺制作，可以理解的是，这种频繁地将基板转移进和转移出放有足够干燥剂的氮气袋/真空袋中耗时耗力，导致制作成本高、良率低、效率低。
47.承上，本技术实施例通过对所述热敏胶层22、所述热固化胶40以及所述热固化导电胶32进行加热后，使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的第三表面311上，同时，使所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行固化，从而完成待转移的所述芯片23的转移与封胶，进而实现提高转移效率和封装良率的效果。
48.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
49.在一实施例中，请结合图1和图2；其中，图1为本技术实施例所提供的转移装置的截面示意图；图2为图1中a-a处的放大图。
50.本实施例提供一种转移装置1，所述转移装置1包括封胶组件10、转移组件20和承载组件30，所述封胶组件10包括封胶顶板11和封胶底板12，所述封胶顶板11和所述封胶底
板12之间形成一容纳腔100。
51.具体地，所述封胶组件10包括相对设置的所述封胶顶板11和所述封胶底板12、及围绕所述封胶底12板周侧设置的侧边框13，所述封胶顶板11与所述侧边框13相连接，所述封胶顶板11、所述封胶底板12以及所述侧边框13之间形成所述容纳腔100。
52.所述转移组件20位于所述容纳腔100内，所述转移组件20包括转移基板21和热敏胶层22，所述转移基板21包括相对设置的第一表面211和第二表面212，所述封胶顶板11位于所述转移基板21的所述第一表面211，所述热敏胶层22位于所述转移基板21的所述第二表面212，所述热敏胶层22用于粘接多个待转移的芯片23；需要说明的是，所述转移基板21可以为蓝膜，待转移的所述芯片23包括但不限于微型发光二极管(mini-light-emittingdiode，mini-led)，其中，所述蓝膜材质为可拉伸材质，根据实际应用情况，可以对蓝膜进行平面拉伸变形，增加相邻待转移的所述芯片23之间的间距。
53.所述承载组件30包括目标基板31和热固化导电胶32，所述目标基板31包括相对设置的第三表面311和第四表面312，所述第三表面311与所述第二表面212相对设置，所述热固化导电胶32位于所述目标基板31的所述第三表面311，所述热固化导电胶32用于与待转移的所述芯片23粘接且使待转移的所述芯片23与所述目标基板31电性连接，所述封胶底板12位于所述目标基板31的所述第四表面312；需要说明的是，所述目标基板31包括但不限于电路基板，本实施例对此不做具体限制。
54.具体地，所述热固化导电胶32为异方性导电胶(anisotropic conductive film，简称acf)，所述热固化导电胶32包括耐高温、耐水汽、低线性膨胀系数的掺杂碳粉的高温热固化环氧树脂胶、以及均匀分布与高温热固化环氧树脂胶中且相互绝缘的多个导电粒子321。
55.所述导电粒子321包括绝缘内核、及由内至外依次包裹所述绝缘内核的镍壳、金壳以及保护层，其中，当待转移的所述芯片23和所述目标基板31相互压合时，所述保护层沿所述封胶顶板11指向所述封胶底板12的方向破裂，所述保护层破裂后的所述导电粒子321使待转移的所述芯片23与所述目标基板31电性连接；其中，绝缘内核包括但不限于塑料内核，所述保护层包括但不限于氧化物保护层。
56.需要说明的是，在本实施例中，待转移的所述芯片23靠近所述目标基板31的一侧包括电极231，所述目标基板31靠近所述芯片23的一侧包括与所述电极231相对应的焊盘(图中未画出)，所述电极231通过所述导电粒子321与所述焊盘电连接，可以理解的是，本实施例对所述电极231与所述焊盘之间设置的所述导电粒子321的个数不做具体限制，所述焊盘包括但不限于锡盘。
57.在本实施例中，所述导电粒子321包括但不限于金属粒子或具有单向导电性的粒子，优选地，所述导电粒子321为具有单向导电性的粒子，单向导电性的粒子沿第一方向y导电，沿第二方向x绝缘，其中，所述第一方向y为所述封胶顶板11指向所述封胶底板12的方向破裂，所述第二方向x与所述第一方向y垂直，所述导电粒子321沿所述第一方向y压合破裂后用于导通所述电极231与所述焊盘；需要说明的是，在本实施例中，所述第一方向为图1中的y方向，所述第二方向为图1中的x方向。
58.在现有技术中，待转移的所述芯片23通常利用环氧锡膏粘接所述目标基板31的焊盘上，而在锡膏融化的过程中，容易导致芯片23的p电极和n电极短路，从而引发失产品失
效；可以理解的是，本实施例通过设置所述导电粒子为单向导电性的粒子，单向导电性的粒子沿第一方向y导电，沿第二方向x绝缘，能够避免现有技术中，通过使用锡膏而导致短路的问题。
59.在本实施例中，所述封胶组件10用于在所述容纳腔100内填充热固化胶40，以使所述热固化胶40填充相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙，优选地，所述热固化胶40包括但不限于掺杂碳粉的高温热固化环氧树脂胶，本实施例对此不做具体限制；需要说明的是，在本实施例中，所述侧边框13设置有一灌胶孔131，所述热固化胶40可以通过所述灌胶孔131填充到相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙中。
60.可以理解的是，在本实施例中，所述封胶组件10用于对待转移的所述芯片23进行转移，并且用于对待转移的所述芯片23进行封胶。
61.进一步地，所述转移装置1还包括加热组件(图中未画出)，所述加热组件位于所述容纳腔100外，所述加热组件用于对所述热敏胶层22、所述热固化胶40以及所述热固化导电胶32进行加热，使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的第三表面311上方，同时，使所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行固化。
62.可选地，所述加热组件包括第一加热部件和第二加热部件，所述第一加热部件位于所述封胶顶板11远离所述转移基板21的一侧，所述第二加热部件位于所述封胶底板12远离所述目标基板31，所述第一加热部件用于对所述热敏胶层22进行加热，使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的第三表面311上方，从而完成待转移的所述芯片23的转移，所述第二加热部件用于对所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行加热，使所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行固化，从而完成对待转移的所述芯片23的封胶；需要说明的是，本实施例对所述加热组件的位置和结构均不做具体限制。
63.可以理解的是，本实施例通过设置所述热敏胶层22用于粘接多个待转移的芯片23、所述热固化导电胶32用于与待转移的所述芯片23粘接且使待转移的所述芯片23与所述目标基板31电性连接、及所述热固化胶40填充相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙，因此在对所述热敏胶层22、所述热固化胶40以及所述热固化导电胶32进行加热后，可以使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的第三表面311上方，使所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行固化，从而完成待转移的所述芯片23的转移与封胶，进而实现提高转移效率和封装良率的效果。
64.需要说明的是，所述转移装置1还包括一抽真空组件50，所述抽真空装置位于所述封胶顶板11远离所述转移基板21的一侧，所述抽真空组件50与所述容纳腔100连通，所述抽真空组件50用于抽离所述热固化胶40和所述热固化导电胶32内的空气；具体地，当对所述热敏胶层22、所述热固化胶40以及所述热固化导电胶32进行加热时，可以通过抽真空组件50将所述热固化胶40和所述热固化导电胶32中的空气抽出，从而避免空气对待转移的所述芯片23进行腐蚀。
65.请参阅图3、及图4a～图4d；其中，图3本技术实施例所提供的转移方法的流程图；图4a～图4d为图3中转移方法的工艺流程图。
66.本实施例提供一种转移方法，包括上述任一所述转移装置，可以理解的是，所述转移装置已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明。
67.所述转移方法包括以下步骤：
68.步骤s100：采用所述转移基板21上的所述热敏胶层22粘接多个待转移的所述芯片23。
69.具体地，在本实施例中，在所述步骤s100之前，还包括以下步骤：
70.步骤s11：提供一承载基板，所述承载基板上设有多个待转移的所述芯片23，其中，承载基板的基底可以为玻璃等材质，在此不限定，待转移的所述芯片23与所述承载基板通过静电吸附、胶水吸附、磁性吸附中的任一种方式连接。
71.步骤s12：将所述热敏胶层22与待转移的所述芯片23贴合，使所述承载基板上的待转移的所述芯片23粘接至所述转移基板21上。
72.步骤s200：将所述转移基板21移动至所述容纳腔100内，使所述承载组件30的所述热固化导电胶32与待转移的所述芯片23粘接且使所述芯片23与所述目标基板31电性连接。
73.具体地，在本实施例中，在所述步骤s200中，包括以下步骤：
74.步骤s201：将所述转移基板21移动至所述容纳腔100内，使所述转移基板21的所述第一表面211与所述封胶顶板11相贴合。
75.步骤s202：将所述目标基板31移动至所述容纳腔100内，使所述目标基板31的所述第四表面312与所述封胶底板12相贴合。
76.步骤s203：通过点胶工艺在所述目标基板31远离所述封胶底板12的一侧涂布热固化导电胶32。
77.步骤s204：将所述封胶顶板11和所述封胶底板12对位设置，使所述转移组件20和所述承载组件30相互贴合，其中，所述转移基板21的所述第二表面212与所述目标基板31的第三表面311相对设置，使所述承载组件30的所述热固化导电胶32与待转移的所述芯片23粘接且使所述芯片23与所述目标基板31电性连接，如图4a所示。
78.步骤s300：在所述容纳腔100内填充所述热固化胶40，使所述热固化胶40填充相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙，如图4c所示。
79.具体地，所述热固化胶40的材料包括但不限于掺杂碳粉的高温热固化环氧树脂胶，所述封胶组件10还包括围绕所述封胶底板12周侧设置的侧边框13，所述封胶顶板11与所述侧边框13相连接，所述封胶顶板11、所述封胶底板12以及所述侧边框13之间形成所述容纳腔100，所述侧边框13设置有一灌胶孔131。
80.在所述步骤s300中，包括以下步骤：
81.步骤s301：采用所述灌胶孔131向所述容纳腔100内填充所述热固化胶40，使所述热固化胶40填充相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙。
82.步骤s302：将所述灌胶孔131内的所述热固化胶40去除。
83.可以理解的是，在本实施例中，对所述采用所述灌胶孔131向所述容纳腔100内填充所述热固化胶40的方法不做具体限制；通过将所述灌胶孔131内的所述热固化胶40去除，从而避免位于所述灌胶孔131内的所述热固化胶40在后续制程中固化，进而影响所述转移方法的进程。
84.需要说明的是，在本实施例中，所述热固化导电胶32为异方性导电胶，所述异方性导电胶包括高温热固化环氧树脂胶和多个导电粒子321，所述导电粒子321包括绝缘内核、及由内至外依次包裹所述绝缘内核的镍壳、金壳和保护层。
85.在所述步骤s300之前，还包括以下步骤：
86.步骤s31：沿所述封胶顶板11指向所述封胶底板12的方向，对所述封胶顶板11施加压力，使待转移的所述芯片23和所述目标基板31相互压合，且使所述保护层沿待转移的所述芯片23指向所述目标基板31的方向破裂，所述保护层破裂后的所述导电粒子321使待转移的所述芯片23与所述目标基板31电性连接。
87.其中，待转移的所述芯片23靠近所述目标基板31的一侧包括电极231，所述目标基板31靠近所述芯片23的一侧包括与所述电极231相对应的焊盘(图中未画出)，所述电极231通过所述保护层破裂后的所述导电粒子与所述焊盘电连接。
88.具体地，所述导电粒子321为单向导电性的粒子，单向导电性的粒子沿第一方向y导电，沿第二方向x绝缘，具体地，所述第一方向y为垂直于所述目标基板31的方向，所述第二方向x与所述第一方向y垂直，本实施例通过沿所述转移组件20指向所述承载组件30的方向，对所述封胶顶板11施加压力，使所述导电粒子321沿所述第一方向y压合破裂后用于导通所述电极231与所述焊盘，如图4b所示；需要说明的是，所述对所述封胶顶板11施加的压力不小于1.8kg，本实施例对此不做具体限制。
89.步骤s400：抽离所述容纳腔100内的空气，对所述封胶顶板11和所述封胶底板12进行加热。
90.在本实施例中，所述转移装置1还包括抽真空组件50和加热组件60，所述抽真空组件50位于所述封胶顶板11远离所述转移基板21的一侧，所述抽真空组件50与所述容纳腔100连通，所述加热组件60位于所述容纳腔100外，在所述步骤s400中，还包括以下步骤：
91.步骤s401：采用所述抽真空组件50抽离所述热固化胶40与所述热固化导电胶32内的空气，采用所述加热组件60对所述封胶顶板11和所述封胶底板12进行加热，使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的所述第三表面311上方且使所述热固化胶40和所述热固化导电胶32固化，如图4d所示。
92.其中，所述加热组件60包括第一加热部件和61第二加热部件62，所述第一加热部件61位于所述封胶顶板11远离所述转移基板21的一侧，所述第二加热部件62位于所述封胶底板12远离所述目标基板31，所述第一加热部件61用于对所述热敏胶层22进行加热，使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的第三表面311上，从而完成待转移的所述芯片23的转移，所述第二加热部件62用于对所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行加热，使所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行固化，从而完成对待转移的所述芯片23的封胶；需要说明的是，本实施例对所述加热组件60的位置和结构均不做具体限制。
93.可以理解的是，本实施例通过设置待转移的所述芯片23通过所述热敏胶层22与所述第二表面212相固定，待转移的所述芯片23与所述热固化导电胶32相接触，所述热固化胶40覆盖相邻两待转移的所述芯片23之间的间隙，通过所述加热组件60对所述热敏胶层22、所述热固化胶40以及所述热固化导电胶32进行加热后，可以使待转移的所述芯片23脱离所述热敏胶层22落在所述目标基板31的第三表面311上方，同时，使所述热固化胶40和所述热固化导电胶32进行固化，从而完成待转移的所述芯片23的转移与封胶，进而实现提高转移效率和封装良率的效果。
94.承上，本实施例通过设置所述导电粒子321为单向导电性的粒子，所述导电粒子321沿所述第一方向y压合破裂后用于导通所述电极231与所述焊盘，能够避免现有技术中，
通过使用锡膏而导致短路的问题。
95.需要说明的是，在本实施例中，所诉转移方法还包括步骤s500：去掉所述封胶组件10和转移组件20，在待转移的所述芯片23远离所述目标基板31的一侧形成黑膜，所述黑膜覆盖待转移的所述芯片23，从而得到高墨色一致性的显示面板。
96.综上所述，本技术提供一种转移装置及转移方法，所述转移装置包括封胶组件、转移组件以及承载组件，所述封胶组件包括相对设置的封胶顶板和封胶底板，所述封胶顶板和所述封胶底板之间形成一容纳腔；所述转移组件和所述承载组件均位于所述容纳腔内；所述转移组件包括转移基板和热敏胶层，所述热敏胶层位于所述转移基板的一侧且用于粘接多个待转移的芯片，所述封胶顶板位于所述转移基板的另一侧，所述承载组件包括所述目标基板和所述热固化导电胶，所述热固化导电胶位于所述目标基板的一侧，所述热固化导电胶用于与待转移的所述芯片粘接且使待转移的所述芯片与所述目标基板电性连接，所述封胶底板位于所述目标基板的另一侧；其中，所述封胶组件用于在所述容纳腔内填充热固化胶，以使所述热固化胶填充相邻两待转移的所述芯片之间的间隙；在所述转移方法中，本技术实施例通过对所述热敏胶层、所述热固化胶以及所述热固化导电胶进行加热，使待转移的所述芯片脱离热敏胶层落在承载基板的上方，完成待转移的所述芯片的转移，同时使热固化胶和热固化导电胶进行固化，从而完成待转移的芯片的转移与封胶，进而提高转移效率和封装良率。
97.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
98.以上对本技术实施例所提供的一种转移装置及转移方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。